| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IQFH55N04NM6ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 451A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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DD100N16SHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DD100N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 134 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 2.5kA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.6V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 134A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 130°C |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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S25FL127SABNFB100 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL127SABNFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: WSON rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 128Mbit Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 108MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 108MHz Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 128Mbit Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IR2111STRPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IR11682STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -25°C IC-Bauform: NSOIC Versorgungsspannung, min.: 8.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7L046ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7L046ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZ40N06S5N050ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC41N06S5L100ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUZ30N06S5L140ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC41N06S5L100ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 52W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 52W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm |
на замовлення 4584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5N011ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5N011ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L015ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L015ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7L053DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7L053DAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 41W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7L053DAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N024DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 72W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N024DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 72W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N056DAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 41W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N056DAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN10S5L094DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm tariffCode: 85412900 Verlustleistung, n-Kanal: 94W productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N10S5L110ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC60N10S5L110ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 96W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L022ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN10S5L094DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 94W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N056DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N056DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm tariffCode: 85412900 Verlustleistung, n-Kanal: 41W productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 96W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUZN04S7N013ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L022ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IAUCN04S7L053DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 41W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISC030N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISC030N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C4013LQI-411T | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB tariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 8KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: No Anzahl der Pins: 16Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 2KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: - MCU-Familie: PSoC 4 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C40xx Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers usEccn: 3A991.a.3 Bausteinkern: ARM Cortex-M0 rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schnittstellen: I2C ADC-Auflösung: - Versorgungsspannung, min.: 1.71V Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 16MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC088N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSC088N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPT039N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 319W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPT039N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 319W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISZ033N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FF6MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD040N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD040N08NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUCN08S7N034ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 118W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IAUCN08S7N034ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 118W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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TLE4274DV33ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Betriebstemperatur, max.: 150°C Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 3Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C Ausgangsstrom: 400mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV Ausgang: Fest hazardous: false Eingangsspannung, max.: 40V IC-Montage: Oberflächenmontage Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators usEccn: EAR99 Polarität: Positiver Ausgang Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: YES Eingangsspannung, min.: 4.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Ausgangsspannung, max.: - Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, min.: - Dropout-Spannung Vdo: 700mV Nennausgangsspannung: 3.3V Ausgangsspannung, nom.: 3.3V Ausgangsstrom, max.: 400mA Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 isCanonical: N Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV euEccn: NLR |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE4274DV33ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 3.3V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.7V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 400mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ICL8830XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 23V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 8.1V Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: Nicht isoliert Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ICL8830XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQFH55N04NM6ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DD100N16SHPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD100N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 134 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.5kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 134A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Description: INFINEON - DD100N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 134 A, 1.6 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.5kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 134A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 130°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S25FL127SABNFB100 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FL127SABNFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR2111STRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IR2111STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IR11682STRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -25°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -25°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7L046ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7L046ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC41N06S5L100ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC41N06S5L100ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N06S5N074ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5N011ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5N011ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7L053DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7L053DAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 41W
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7L053DAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N024DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N024DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 72W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N056DAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 41W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N056DAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN10S5L094DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N10S5L110ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N049ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N026ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC60N10S5L110ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N019DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L022ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N013ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N026ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN10S5L094DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N056DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N056DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N049ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7N019DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUZN04S7N013ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L022ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN04S7L053DATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC030N12NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC030N12NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C4013LQI-411T |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC088N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC088N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT039N15N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPT039N15N5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISZ033N03LF2SATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF6MR12KM1HHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD040N08NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD040N08NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN08S7N034ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUCN08S7N034ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 118W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4274DV33ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
euEccn: NLR
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
usEccn: EAR99
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
euEccn: NLR
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4274DV33ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICL8830XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICL8830XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)