Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 380 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 INFINEON Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.59 грн
10+98.68 грн
100+66.11 грн
500+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500801TMBAKSA1 BTS500801TMBAKSA1 INFINEON 2333315.pdf Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0095ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 38V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.14 грн
10+249.98 грн
25+237.64 грн
50+209.22 грн
100+183.96 грн
250+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFINEON INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.41 грн
10+897.95 грн
25+837.92 грн
50+747.53 грн
100+661.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFINEON INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+897.95 грн
25+837.92 грн
50+747.53 грн
100+661.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 BTS3050EJXUMA1 INFINEON Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.90 грн
10+92.10 грн
50+81.98 грн
100+57.95 грн
250+46.59 грн
500+44.19 грн
1000+37.07 грн
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 BTS3050EJXUMA1 INFINEON Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.95 грн
250+46.59 грн
500+44.19 грн
1000+37.07 грн
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 INFINEON 4098592.pdf Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
10+125.81 грн
50+115.12 грн
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 INFINEON 4098592.pdf Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 INFINEON 2354663.pdf Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.15 грн
200+154.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.86 грн
28+30.26 грн
100+19.49 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.49 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2603.39 грн
5+2362.46 грн
10+2122.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22SHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4535.79 грн
5+4048.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 DD220N16SHPSA1 INFINEON infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4065.43 грн
5+3502.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018 Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8580.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.00 грн
10+343.72 грн
100+249.16 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1193.97 грн
50+1072.80 грн
100+957.15 грн
250+938.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.28 грн
5+1036.09 грн
10+888.08 грн
50+785.70 грн
100+582.89 грн
250+571.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.82 грн
500+190.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1450.53 грн
5+1322.25 грн
10+1193.97 грн
50+1072.80 грн
100+957.15 грн
250+938.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1952.95 грн
5+1699.69 грн
10+1445.60 грн
50+1341.58 грн
100+1129.84 грн
250+1107.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+403.75 грн
100+295.20 грн
500+233.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+481.87 грн
50+402.40 грн
100+329.15 грн
250+322.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+888.08 грн
50+785.70 грн
100+582.89 грн
250+571.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.71 грн
5+593.70 грн
10+481.87 грн
50+402.40 грн
100+329.15 грн
250+322.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.38 грн
10+403.75 грн
100+295.20 грн
500+233.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+629.88 грн
50+536.02 грн
100+449.68 грн
250+440.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.70 грн
10+286.98 грн
100+236.82 грн
500+190.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1445.60 грн
50+1341.58 грн
100+1129.84 грн
250+1107.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+343.72 грн
100+249.16 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+734.31 грн
5+682.51 грн
10+629.88 грн
50+536.02 грн
100+449.68 грн
250+440.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.28 грн
250+74.71 грн
500+72.60 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.77 грн
10+114.30 грн
50+103.61 грн
100+86.28 грн
250+74.71 грн
500+72.60 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 ITS5215LCUMA1 INFINEON 1523206.pdf Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.89 грн
250+108.54 грн
500+107.13 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.14 грн
10+225.31 грн
100+159.53 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.53 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 TC234L32F200NACKXUMA1 INFINEON Infineon-TC23xAC_DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 2MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 192KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 24Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: TriCore
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1115.86 грн
10+883.15 грн
25+824.76 грн
50+704.77 грн
100+600.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON 1849741.html Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.02 грн
17+49.26 грн
100+33.96 грн
500+27.26 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.96 грн
500+27.26 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.17 грн
250+26.85 грн
500+26.78 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.25 грн
19+43.58 грн
50+39.14 грн
100+29.17 грн
250+26.85 грн
500+26.78 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 INFINEON 4423396.pdf Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8699.90 грн
5+7612.82 грн
10+6307.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 BSZ013NE2LS5IATMA1 INFINEON 2849735.pdf Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.50 грн
11+77.71 грн
100+55.51 грн
500+42.15 грн
1000+35.73 грн
5000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 INFINEON 3154701.pdf Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.54 грн
13+67.84 грн
100+44.73 грн
500+32.30 грн
1000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.47 грн
5+1255.65 грн
10+1254.82 грн
50+684.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.46 грн
10+95.39 грн
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.34 грн
12+73.60 грн
100+49.42 грн
500+36.88 грн
1000+32.21 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.98 грн
500+34.74 грн
1000+30.45 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6831.64 грн
5+6555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883915.pdf Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3044.14 грн
5+2732.49 грн
10+2420.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 F3L75R12W1H3B27BOMA1 INFINEON 2882448.pdf Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2594.35 грн
5+2457.84 грн
10+2320.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 FS50R06W1E3BOMA1 INFINEON 2078944.pdf Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2480.05 грн
5+2346.83 грн
10+2213.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.95 грн
5+553.41 грн
10+481.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.52 грн
5+527.09 грн
10+459.66 грн
50+395.52 грн
100+334.09 грн
250+318.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+459.66 грн
50+395.52 грн
100+334.09 грн
250+318.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+481.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 INFINEON 2577557.pdf Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.09 грн
10+164.46 грн
100+120.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON 2718609.pdf Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.85 грн
12+70.96 грн
50+63.56 грн
100+48.72 грн
250+42.22 грн
500+40.53 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9
ISP16DP10LMAXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+154.59 грн
10+98.68 грн
100+66.11 грн
500+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500801TMBAKSA1 2333315.pdf
BTS500801TMBAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0095ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 38V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+374.14 грн
10+249.98 грн
25+237.64 грн
50+209.22 грн
100+183.96 грн
250+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4500F100K1024ACXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1136.41 грн
10+897.95 грн
25+837.92 грн
50+747.53 грн
100+661.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4500F100K1024ACXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+897.95 грн
25+837.92 грн
50+747.53 грн
100+661.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce
BTS3050EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.90 грн
10+92.10 грн
50+81.98 грн
100+57.95 грн
250+46.59 грн
500+44.19 грн
1000+37.07 грн
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce
BTS3050EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.95 грн
250+46.59 грн
500+44.19 грн
1000+37.07 грн
2500+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 4098592.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
10+125.81 грн
50+115.12 грн
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 4098592.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 2354663.pdf
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+175.15 грн
200+154.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
ISP75DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+47.86 грн
28+30.26 грн
100+19.49 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
ISP75DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+19.49 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT120N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2603.39 грн
5+2362.46 грн
10+2122.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DD180N22SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4535.79 грн
5+4048.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf
DD220N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4065.43 грн
5+3502.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8580.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+509.00 грн
10+343.72 грн
100+249.16 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1193.97 грн
50+1072.80 грн
100+957.15 грн
250+938.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1183.28 грн
5+1036.09 грн
10+888.08 грн
50+785.70 грн
100+582.89 грн
250+571.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+236.82 грн
500+190.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1450.53 грн
5+1322.25 грн
10+1193.97 грн
50+1072.80 грн
100+957.15 грн
250+938.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1952.95 грн
5+1699.69 грн
10+1445.60 грн
50+1341.58 грн
100+1129.84 грн
250+1107.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+403.75 грн
100+295.20 грн
500+233.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+481.87 грн
50+402.40 грн
100+329.15 грн
250+322.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+888.08 грн
50+785.70 грн
100+582.89 грн
250+571.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+704.71 грн
5+593.70 грн
10+481.87 грн
50+402.40 грн
100+329.15 грн
250+322.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+567.38 грн
10+403.75 грн
100+295.20 грн
500+233.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+629.88 грн
50+536.02 грн
100+449.68 грн
250+440.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+394.70 грн
10+286.98 грн
100+236.82 грн
500+190.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1445.60 грн
50+1341.58 грн
100+1129.84 грн
250+1107.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+343.72 грн
100+249.16 грн
500+193.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+734.31 грн
5+682.51 грн
10+629.88 грн
50+536.02 грн
100+449.68 грн
250+440.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+86.28 грн
250+74.71 грн
500+72.60 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+153.77 грн
10+114.30 грн
50+103.61 грн
100+86.28 грн
250+74.71 грн
500+72.60 грн
1000+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 1523206.pdf
ITS5215LCUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+114.89 грн
250+108.54 грн
500+107.13 грн
1000+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF infineon-irlml5203-datasheet-en.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+337.14 грн
10+225.31 грн
100+159.53 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+159.53 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC234L32F200NACKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 2MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 192KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 24Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: TriCore
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1115.86 грн
10+883.15 грн
25+824.76 грн
50+704.77 грн
100+600.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 1849741.html
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+73.02 грн
17+49.26 грн
100+33.96 грн
500+27.26 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.96 грн
500+27.26 грн
1000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.17 грн
250+26.85 грн
500+26.78 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+62.25 грн
19+43.58 грн
50+39.14 грн
100+29.17 грн
250+26.85 грн
500+26.78 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 4423396.pdf
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8699.90 грн
5+7612.82 грн
10+6307.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 2849735.pdf
BSZ013NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+99.50 грн
11+77.71 грн
100+55.51 грн
500+42.15 грн
1000+35.73 грн
5000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 3154701.pdf
ISC046N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+108.54 грн
13+67.84 грн
100+44.73 грн
500+32.30 грн
1000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1256.47 грн
5+1255.65 грн
10+1254.82 грн
50+684.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.46 грн
10+95.39 грн
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.34 грн
12+73.60 грн
100+49.42 грн
500+36.88 грн
1000+32.21 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.98 грн
500+34.74 грн
1000+30.45 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6831.64 грн
5+6555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 2883915.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3044.14 грн
5+2732.49 грн
10+2420.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 2882448.pdf
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2594.35 грн
5+2457.84 грн
10+2320.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 2078944.pdf
FS50R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2480.05 грн
5+2346.83 грн
10+2213.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+624.95 грн
5+553.41 грн
10+481.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+594.52 грн
5+527.09 грн
10+459.66 грн
50+395.52 грн
100+334.09 грн
250+318.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+459.66 грн
50+395.52 грн
100+334.09 грн
250+318.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+481.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 2577557.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+254.09 грн
10+164.46 грн
100+120.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 2718609.pdf
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.85 грн
12+70.96 грн
50+63.56 грн
100+48.72 грн
250+42.22 грн
500+40.53 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]