Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 380 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SHIELDTLE9185V33TOBO1 SHIELDTLE9185V33TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - SHIELDTLE9185V33TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QXV33, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9185QXV33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QXV33
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4377.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDTLE9185TOBO1 SHIELDTLE9185TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - SHIELDTLE9185TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QX, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9185QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4377.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 INFINEON 2820327.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.19 грн
10+197.98 грн
100+149.60 грн
500+118.12 грн
1000+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 IPB180P04P403ATMA2 INFINEON 2820327.pdf Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.60 грн
500+118.12 грн
1000+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.98 грн
500+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.88 грн
11+87.61 грн
100+60.56 грн
500+45.17 грн
1000+36.63 грн
5000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON IPx80N06S2L-06.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 INFINEON IPx80N06S2L-06.pdf Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+298.31 грн
10+215.90 грн
100+152.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1 IPB018N10N5ATMA1 INFINEON 3934893.pdf Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+448.81 грн
50+363.52 грн
100+286.41 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1 IPB018N10N5ATMA1 INFINEON 3934893.pdf Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.21 грн
5+546.46 грн
10+448.81 грн
50+363.52 грн
100+286.41 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON Infineon-IKY40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801f18416c3 Description: INFINEON - IKY40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.15 грн
5+604.69 грн
10+573.33 грн
50+360.19 грн
100+282.57 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LTI-M475 CY8C4247LTI-M475 INFINEON 2144218.pdf Description: INFINEON - CY8C4247LTI-M475 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.42 грн
10+461.35 грн
25+395.06 грн
50+359.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LTI-L485 CY8C4247LTI-L485 INFINEON Infineon-PSoC_4_PSoC_4200L_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed894aa5a14&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY8C4247LTI-L485 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 57I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+770.42 грн
10+605.58 грн
25+563.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 BTS133TCBUMA1 INFINEON Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t Description: INFINEON - BTS133TCBUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 28A, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.50 грн
250+168.93 грн
500+145.12 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF IR4322MTRPBF INFINEON IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR4322MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 100W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 44 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 100W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.62 грн
10+373.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.96 грн
250+77.58 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1 EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluationboard_EVAL_1K4W_ZVS_FB_SMD-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd202dc4729c8 Description: INFINEON - EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512G, 2EDS8265H, Power-Management, DC/DC-Wandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512G, 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512G, 2EDS8265H
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: DC/DC-Wandler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42780.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.79 грн
10+91.38 грн
100+67.55 грн
500+47.25 грн
1000+38.70 грн
5000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.46 грн
10+97.65 грн
100+83.13 грн
500+66.88 грн
1000+53.75 грн
5000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.55 грн
500+47.25 грн
1000+38.70 грн
5000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1 IPG20N04S412AATMA1 INFINEON INFNS28023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.94 грн
500+41.68 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1 IPG20N04S412ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf60c03c6c05 Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.88 грн
13+72.56 грн
100+52.50 грн
500+38.43 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1 IPG20N04S412ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf60c03c6c05 Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.50 грн
500+38.43 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.69 грн
500+37.43 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.38 грн
15+63.51 грн
100+51.69 грн
500+37.43 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.13 грн
500+66.88 грн
1000+53.75 грн
5000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.75 грн
10+94.06 грн
100+72.29 грн
500+51.16 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+57.90 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.94 грн
10+109.29 грн
100+77.67 грн
500+57.90 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.29 грн
500+51.16 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.048 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+406.71 грн
100+296.52 грн
500+239.57 грн
1000+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.048 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.48 грн
10+406.71 грн
100+296.52 грн
500+239.57 грн
1000+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75242ESHDBTOBO1 TLE75242ESHDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75242ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75080ESHDBTOBO1 TLE75080ESHDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75080ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 TLE75602ESHDBTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa Description: INFINEON - TLE75602ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3971.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75008ESDDBTOBO1 TLE75008ESDDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75008ESDDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75620ESTDBTOBO1 TLE75620ESTDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75620ESTDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7BPSA1 FP50R12W2T7BPSA1 INFINEON 3797060.pdf Description: INFINEON - FP50R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4433.48 грн
5+3829.69 грн
10+3225.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 INFINEON 4256784.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.88 грн
10+246.35 грн
100+196.19 грн
500+161.38 грн
1000+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB160N75CP2AKSA1 IKQB160N75CP2AKSA1 INFINEON 3961592.pdf Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.21 грн
5+562.58 грн
10+438.96 грн
50+399.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH7XKSA1 IKQ75N120CH7XKSA1 INFINEON Infineon-IKQ75N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a14ad72d65 Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.85 грн
5+888.67 грн
10+863.58 грн
50+610.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CS7XKSA1 IKQ120N120CS7XKSA1 INFINEON 4162920.pdf Description: INFINEON - IKQ120N120CS7XKSA1 - IGBT, 216 A, 1.65 V, 1.004 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.004kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 216A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.46 грн
5+1010.50 грн
10+872.54 грн
50+753.65 грн
100+642.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N65EH7XKSA1 IKQ120N65EH7XKSA1 INFINEON 3983229.pdf Description: INFINEON - IKQ120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+868.96 грн
5+748.02 грн
10+627.08 грн
50+559.83 грн
100+495.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB120N75CP2AKSA1 IKQB120N75CP2AKSA1 INFINEON 3961591.pdf Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 577W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+755.19 грн
5+731.90 грн
10+707.71 грн
50+404.28 грн
100+333.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 INFINEON 3983230.pdf Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.42 грн
5+921.81 грн
10+771.31 грн
50+686.27 грн
100+605.84 грн
250+587.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS7XKSA1 IKQ75N120CS7XKSA1 INFINEON Infineon-IKQ75N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a559ec887495 Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.08 грн
5+1023.94 грн
10+989.90 грн
50+647.18 грн
100+512.16 грн
250+511.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON 3328477.pdf Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 2600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.96 грн
10+203.35 грн
100+184.54 грн
500+135.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL7141XUMA1 6EDL7141XUMA1 INFINEON 3668053.pdf Description: INFINEON - 6EDL7141XUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 48 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 6EDL7141 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.94 грн
10+452.40 грн
25+431.79 грн
50+375.16 грн
100+321.73 грн
250+307.14 грн
500+280.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+297.42 грн
10+145.12 грн
100+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 INFINEON DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.25 грн
10+103.02 грн
100+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9351VSJXTMA1 TLE9351VSJXTMA1 INFINEON 3629256.pdf Description: INFINEON - TLE9351VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.19 грн
250+62.96 грн
500+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 TLE9350VSJXTMA1 INFINEON 3629255.pdf Description: INFINEON - TLE9350VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.98 грн
250+47.61 грн
500+45.69 грн
1000+43.15 грн
2500+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.75 грн
16+58.14 грн
100+42.91 грн
500+33.52 грн
1000+27.49 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7BOMA1 FP15R12W1T7BOMA1 INFINEON 3542779.pdf Description: INFINEON - FP15R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3321.75 грн
5+3099.58 грн
10+2877.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.06 грн
10+111.98 грн
100+94.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 47790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.79 грн
50+157.67 грн
250+130.79 грн
1000+101.49 грн
2000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 47790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.67 грн
250+130.79 грн
1000+101.49 грн
2000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+105.71 грн
12000+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON IPx80N03S4L-03%2C04.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.31 грн
10+169.31 грн
100+127.21 грн
500+96.49 грн
1000+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDTLE9185V33TOBO1
SHIELDTLE9185V33TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185V33TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QXV33, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9185QXV33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QXV33
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4377.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDTLE9185TOBO1
SHIELDTLE9185TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDTLE9185TOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE9185QX, 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9185QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE9185QX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4377.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 2820327.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.19 грн
10+197.98 грн
100+149.60 грн
500+118.12 грн
1000+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2 2820327.pdf
IPB180P04P403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.60 грн
500+118.12 грн
1000+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB024N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.98 грн
500+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 INFNS30497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.88 грн
11+87.61 грн
100+60.56 грн
500+45.17 грн
1000+36.63 грн
5000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L06ATMA2 IPx80N06S2L-06.pdf
IPB80N06S2L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+298.31 грн
10+215.90 грн
100+152.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1 3934893.pdf
IPB018N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+448.81 грн
50+363.52 грн
100+286.41 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1 3934893.pdf
IPB018N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+643.21 грн
5+546.46 грн
10+448.81 грн
50+363.52 грн
100+286.41 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon-IKY40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801f18416c3
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+635.15 грн
5+604.69 грн
10+573.33 грн
50+360.19 грн
100+282.57 грн
250+281.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LTI-M475 2144218.pdf
CY8C4247LTI-M475
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247LTI-M475 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+598.42 грн
10+461.35 грн
25+395.06 грн
50+359.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247LTI-L485 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200L_Family-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed894aa5a14&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4247LTI-L485
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247LTI-L485 - ARM-MCU, PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 57I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+770.42 грн
10+605.58 грн
25+563.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t
BTS133TCBUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS133TCBUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 28A, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+193.50 грн
250+168.93 грн
500+145.12 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF IRSDS15784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR4322MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4322MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 100W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 44 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 100W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+467.62 грн
10+373.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1 Infineon-BSC050N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164366daea34f7d
BSC050N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.96 грн
250+77.58 грн
1000+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1 Infineon-Evaluationboard_EVAL_1K4W_ZVS_FB_SMD-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd202dc4729c8
EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K4WZVSFBSMDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDN7512G, 2EDS8265H, Power-Management, DC/DC-Wandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDN7512G, 2EDS8265H
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDN7512G, 2EDS8265H
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: DC/DC-Wandler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+42780.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.79 грн
10+91.38 грн
100+67.55 грн
500+47.25 грн
1000+38.70 грн
5000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a
IPG20N04S4L07ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.46 грн
10+97.65 грн
100+83.13 грн
500+66.88 грн
1000+53.75 грн
5000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf634e6f6c0f
IPG20N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.55 грн
500+47.25 грн
1000+38.70 грн
5000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1 INFNS28023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S412AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.94 грн
500+41.68 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1 Infineon-IPG20N04S4_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf60c03c6c05
IPG20N04S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.88 грн
13+72.56 грн
100+52.50 грн
500+38.43 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1 Infineon-IPG20N04S4_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf60c03c6c05
IPG20N04S412ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.50 грн
500+38.43 грн
1000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
IPG20N04S4L11AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.69 грн
500+37.43 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
IPG20N04S4L11AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.38 грн
15+63.51 грн
100+51.69 грн
500+37.43 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf622fcf6c0a
IPG20N04S4L07ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.13 грн
500+66.88 грн
1000+53.75 грн
5000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.75 грн
10+94.06 грн
100+72.29 грн
500+51.16 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142
IPG20N04S408AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+57.90 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1 Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142
IPG20N04S408AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.94 грн
10+109.29 грн
100+77.67 грн
500+57.90 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.29 грн
500+51.16 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf
IPL60R060CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.048 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+406.71 грн
100+296.52 грн
500+239.57 грн
1000+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R060CFD7AUMA1 Infineon-IPL60R060CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ed634654cdf
IPL60R060CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R060CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.048 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.48 грн
10+406.71 грн
100+296.52 грн
500+239.57 грн
1000+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75242ESHDBTOBO1
TLE75242ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75242ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75080ESHDBTOBO1
TLE75080ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75080ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa
TLE75602ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75602ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3971.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75008ESDDBTOBO1
TLE75008ESDDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75008ESDDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75620ESTDBTOBO1
TLE75620ESTDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75620ESTDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3928.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7BPSA1 3797060.pdf
FP50R12W2T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4433.48 грн
5+3829.69 грн
10+3225.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 4256784.pdf
IAUAN04S7N005AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.88 грн
10+246.35 грн
100+196.19 грн
500+161.38 грн
1000+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB160N75CP2AKSA1 3961592.pdf
IKQB160N75CP2AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+686.21 грн
5+562.58 грн
10+438.96 грн
50+399.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ75N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a14ad72d65
IKQ75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.85 грн
5+888.67 грн
10+863.58 грн
50+610.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CS7XKSA1 4162920.pdf
IKQ120N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N120CS7XKSA1 - IGBT, 216 A, 1.65 V, 1.004 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.004kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 216A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.46 грн
5+1010.50 грн
10+872.54 грн
50+753.65 грн
100+642.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N65EH7XKSA1 3983229.pdf
IKQ120N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+868.96 грн
5+748.02 грн
10+627.08 грн
50+559.83 грн
100+495.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB120N75CP2AKSA1 3961591.pdf
IKQB120N75CP2AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 577W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.19 грн
5+731.90 грн
10+707.71 грн
50+404.28 грн
100+333.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 3983230.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1071.42 грн
5+921.81 грн
10+771.31 грн
50+686.27 грн
100+605.84 грн
250+587.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS7XKSA1 Infineon-IKQ75N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a559ec887495
IKQ75N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1057.08 грн
5+1023.94 грн
10+989.90 грн
50+647.18 грн
100+512.16 грн
250+511.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 3328477.pdf
IPA030N10NF2SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 2600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+395.96 грн
10+203.35 грн
100+184.54 грн
500+135.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL7141XUMA1 3668053.pdf
6EDL7141XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL7141XUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 48 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 6EDL7141 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+550.94 грн
10+452.40 грн
25+431.79 грн
50+375.16 грн
100+321.73 грн
250+307.14 грн
500+280.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+297.42 грн
10+145.12 грн
100+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPA60R600P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.25 грн
10+103.02 грн
100+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9351VSJXTMA1 3629256.pdf
TLE9351VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9351VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.19 грн
250+62.96 грн
500+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 3629255.pdf
TLE9350VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9350VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.98 грн
250+47.61 грн
500+45.69 грн
1000+43.15 грн
2500+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K4C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.75 грн
16+58.14 грн
100+42.91 грн
500+33.52 грн
1000+27.49 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7BOMA1 3542779.pdf
FP15R12W1T7BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3321.75 грн
5+3099.58 грн
10+2877.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
IPB015N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
IPB015N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.06 грн
10+111.98 грн
100+94.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 47790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+173.79 грн
50+157.67 грн
250+130.79 грн
1000+101.49 грн
2000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 47790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.67 грн
250+130.79 грн
1000+101.49 грн
2000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+105.71 грн
12000+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.31 грн
10+169.31 грн
100+127.21 грн
500+96.49 грн
1000+81.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 385 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]