| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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CY8C4013LQI-411T | INFINEON |
 Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KBtariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 8KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: No Anzahl der Pins: 16Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 2KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: - MCU-Familie: PSoC 4 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C40xx Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers usEccn: 3A991.a.3 Bausteinkern: ARM Cortex-M0 rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: QFN Schnittstellen: I2C ADC-Auflösung: - Versorgungsspannung, min.: 1.71V Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 16MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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EVALPMG1S1DRPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALPMG1S1DRPTOBO1 - Evaluationskit, CYPM1111-40LQXI, 32 Bit, ARM Cortex-M0 tariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EZ-PD PMG1-S1 CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: 32bit Prozessorserie: Cortex-M0 Prozessorfamilie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.2 Prozessorarchitektur: ARM |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L032ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUC120N06S5L032ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 94W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 20681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISZ033N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY8C20110-SX2I | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C20110-SX2I - IC, Touchscreen-Controller, 4-10 Tasten, CapSense Express, I2C-Schnittstelle, 2.4V bis 2.9V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Controller-IC: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: I2C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.9V Auflösung (Bit): - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TLE4471GAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4471GAUMA1 - LDO-Spannungsregler, feste/einstellbare Vout, 5.5V bis 40Vin, 3 Ausgänge: 5V/450mA, 250mVdo, SOIC-20 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest, Tracking/Nachführung euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 5.5V Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 50mA, 100mA, 450mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ICE3RBR1765JGXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 650V Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: 27.5W MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 265VAC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 85VAC Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: Isolated Nennstrom Leistungsschalter: - |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ICE3RBR1765JGXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 650V Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: 27.5W MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 265VAC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: 85VAC Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: Isolated Nennstrom Leistungsschalter: - |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSZ215CHXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 17198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ215CHXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 17198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISP16DP10LMAXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BTS500801TMBAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 9500µohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 9.5A IC-Gehäuse / Bauform: TO-220 MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 38V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XMC4500F100K1024ACXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 24Kanäle Programmspeichergröße: 1MB Versorgungsspannung, min.: 3.13V Betriebsfrequenz, max.: 120MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC4000 RAM-Speichergröße: 160KB MCU-Baureihe: XMC4500 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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XMC4500F100K1024ACXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 24Kanäle Programmspeichergröße: 1MB Versorgungsspannung, min.: 3.13V Betriebsfrequenz, max.: 120MHz euEccn: NLR MCU-Familie: XMC4000 RAM-Speichergröße: 160KB MCU-Baureihe: XMC4500 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.63V Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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BTS3050EJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.044ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 4A IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 2A - 4 Wochen Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: Low-Side Eingangsspannung: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BTS3050EJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.044ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 4A IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2EDR8259HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2EDR8259HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPB80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISP75DP06LMXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISP75DP06LMXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TT120N16SOFHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV tariffCode: 85413000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A RMS-Durchlassstrom: 190A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Zündspannung, max.: 2.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte usEccn: EAR99 Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DD180N22SHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 5.75kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.39V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 135°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DD220N16SHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 5.75kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.39V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 1.25kW Verlustleistung: 1.25kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 310A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 310A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 123W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R017M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 600W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R022M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R053M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R078M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R012M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 600W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R116M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 123W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IMBG120R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1EDI20I12MFXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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1EDI20I12MFXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ITS5215LCUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.07ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Strombegrenzung: 12A IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -30°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOP Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge |
на замовлення 14520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRLML5203TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. |
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IGB50N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 90A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IGB50N60TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 90A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TC234L32F200NACKXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 3.3V Datenbusbreite: 32 Bit Programmspeichergröße: 2MB Betriebstemperatur, max.: 125°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 144Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 192KB MSL: MSL 3 - 168 Stunden ADC-Kanäle: 24Kanäle MCU-Familie: AURIX hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: TC2xx Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers usEccn: 3A991.a.2 Bausteinkern: TriCore rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT ADC-Auflösung: 12 Bit Versorgungsspannung, min.: - Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 200MHz rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y euEccn: NLR |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ICE2PCS06GXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Versorgungsstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Bauform - Controller-IC: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Schaltfrequenz, max.: 70kHz isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 58kHz MSL: MSL 3 - 168 Stunden Tastverhältnis (%): 95% Frequenz: 65kHz Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10.4V Frequenzmodus: Fest SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 25V Einschaltstrom: 450µA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ICE2PCS06GXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Versorgungsstrom: 10mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Bauform - Controller-IC: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Schaltfrequenz, max.: 70kHz isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: 58kHz MSL: MSL 3 - 168 Stunden Tastverhältnis (%): 95% Frequenz: 65kHz Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10.4V Frequenzmodus: Fest SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 25V Einschaltstrom: 450µA Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 341A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.45V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 21Pin(s) Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSZ013NE2LS5IATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1100 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISC046N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPW60R018CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY8C4013LQI-411T |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 8KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 2KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: -
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.3
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C
ADC-Auflösung: -
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALPMG1S1DRPTOBO1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S1DRPTOBO1 - Evaluationskit, CYPM1111-40LQXI, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EZ-PD PMG1-S1 CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
Prozessorfamilie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: ARM
Description: INFINEON - EVALPMG1S1DRPTOBO1 - Evaluationskit, CYPM1111-40LQXI, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EZ-PD PMG1-S1 CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
Prozessorfamilie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L032ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUC120N06S5L032ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 20681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISZ033N03LF2SATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY8C20110-SX2I |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C20110-SX2I - IC, Touchscreen-Controller, 4-10 Tasten, CapSense Express, I2C-Schnittstelle, 2.4V bis 2.9V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.9V
Auflösung (Bit): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C20110-SX2I - IC, Touchscreen-Controller, 4-10 Tasten, CapSense Express, I2C-Schnittstelle, 2.4V bis 2.9V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.9V
Auflösung (Bit): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4471GAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4471GAUMA1 - LDO-Spannungsregler, feste/einstellbare Vout, 5.5V bis 40Vin, 3 Ausgänge: 5V/450mA, 250mVdo, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest, Tracking/Nachführung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA, 100mA, 450mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
Description: INFINEON - TLE4471GAUMA1 - LDO-Spannungsregler, feste/einstellbare Vout, 5.5V bis 40Vin, 3 Ausgänge: 5V/450mA, 250mVdo, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest, Tracking/Nachführung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA, 100mA, 450mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPL65R195C7AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICE3RBR1765JGXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICE3RBR1765JGXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ215CHXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ215CHXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISP16DP10LMAXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS500801TMBAKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 38V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XMC4500F100K1024ACXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XMC4500F100K1024ACXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS3050EJXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS3050EJXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB80P03P4L07ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISP75DP06LMXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISP75DP06LMXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TT120N16SOFHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
RMS-Durchlassstrom: 190A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
RMS-Durchlassstrom: 190A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DD180N22SHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DD220N16SHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF200R17KE4HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R116M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R017M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R022M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R181M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R017M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R012M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R078M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R053M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R022M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R053M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R078M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R040M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R181M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R012M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R116M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 123W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMBG120R040M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDI20I12MFXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDI20I12MFXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ITS5215LCUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML5203TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGB50N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGB50N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC234L32F200NACKXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 2MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 192KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 24Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: TriCore
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 2MB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 192KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 24Kanäle
MCU-Familie: AURIX
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: TC2xx
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: TriCore
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR2905TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ086P03NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ086P03NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICE2PCS06GXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ICE2PCS06GXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Versorgungsstrom: 10mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 95%
Frequenz: 65kHz
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
Frequenzmodus: Fest
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 25V
Einschaltstrom: 450µA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSZ013NE2LS5IATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1100 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 1100 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC046N04NM5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW60R018CFD7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH02G120C5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)