Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 377 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 382 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CYBLE-214015-EVAL CYBLE-214015-EVAL INFINEON 2675606.pdf Description: INFINEON - CYBLE-214015-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-214015 PSoC, EZ-BLE Bluetooth v4.2-Modul, für BLE Pioneer-Kit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214015-01
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-214015-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1475.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 S29GL01GS11FHIV10 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.52 грн
10+896.90 грн
25+869.38 грн
50+787.74 грн
100+719.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 S70FL01GSAGMFA010 INFINEON INFN-S-A0014538413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.17 грн
10+1028.04 грн
25+995.66 грн
50+901.24 грн
100+786.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11DHIV20 S29GL01GS11DHIV20 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFV011 S70FL01GSAGMFV011 INFINEON CYPR-S-A0003298851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFV011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1402.82 грн
10+1346.16 грн
25+1288.69 грн
50+1144.02 грн
100+1036.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHI010 S29GL01GS10FHI010 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.28 грн
10+857.24 грн
25+835.38 грн
50+703.55 грн
100+639.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV20 S29GL01GT11TFIV20 INFINEON CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.27 грн
10+972.99 грн
25+943.04 грн
50+835.09 грн
100+751.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 S29GL01GS12DHVV10 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1249.02 грн
10+1159.17 грн
25+1123.55 грн
50+926.79 грн
100+836.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV10 S29GL01GT11FHIV10 INFINEON CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.69 грн
10+1011.85 грн
25+984.32 грн
50+833.59 грн
100+695.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGBHBC10 S70FL01GSAGBHBC10 INFINEON CYPR-S-A0003298851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70FL01GSAGBHBC10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1579.29 грн
10+1464.34 грн
25+1418.20 грн
50+1284.58 грн
100+1156.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QSN-108SXI CY15B104QSN-108SXI INFINEON INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2210.68 грн
5+2137.83 грн
10+2064.98 грн
25+1866.36 грн
50+1683.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR FM28V100-TGTR INFINEON CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2170.21 грн
10+2008.31 грн
25+1792.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS125D0EJXUMA1 TLS125D0EJXUMA1 INFINEON 3517987.pdf Description: INFINEON - TLS125D0EJXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4V bis 40Vin, 250mV Dropout, 2-40V/250mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 40V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj, 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: HSOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4V
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 250mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.94 грн
250+64.60 грн
500+62.24 грн
1000+60.16 грн
2500+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON 3968293.pdf Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3240.34 грн
5+2850.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF55MR12W1M1HB70BPSA1 FF55MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON Infineon-FF55MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c2f673718b Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4494.21 грн
5+3905.73 грн
10+3316.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 FF55MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON Infineon-FF55MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c3b0a3719a Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2918.16 грн
5+2449.48 грн
10+1980.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 INFINEON 3968294.pdf Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3823.97 грн
5+3272.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 INFINEON Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+461.40 грн
50+426.94 грн
100+301.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S70KS1282GABHV020 S70KS1282GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.40 грн
10+509.16 грн
25+493.78 грн
50+432.95 грн
100+392.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.14 грн
500+74.71 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.84 грн
10+238.80 грн
100+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 INFINEON 4018763.pdf Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+62456.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HPHPSA1 FF3MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4379509.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27597.49 грн
5+27045.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HHPSA1 FF3MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4379508.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24311.01 грн
5+23824.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME7B11BPSA1 FF300R17ME7B11BPSA1 INFINEON 4068214.pdf Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9753.39 грн
5+9558.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV33XUMA1 TLS203B0EJV33XUMA1 INFINEON 2211716.pdf Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.11 грн
250+61.75 грн
500+59.39 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBLQFPTOBO1 TLE989XEVALBLQFPTOBO1 INFINEON 4334661.pdf Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26806.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH55N04NM6ATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1 INFINEON 4327858.pdf Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.88 грн
10+248.51 грн
100+177.28 грн
500+145.82 грн
1000+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 ESD123B2W0201E6327XTSA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.27 грн
67+12.14 грн
133+6.10 грн
500+5.30 грн
1000+3.37 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 ESD123B2W0201E6327XTSA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.30 грн
1000+3.37 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88 Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.84 грн
10+203.18 грн
100+152.18 грн
500+121.77 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88 Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.18 грн
500+121.77 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 2EP130RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.47 грн
10+105.23 грн
50+96.33 грн
100+78.92 грн
250+68.41 грн
500+65.91 грн
1000+63.69 грн
2500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+86.61 грн
50+78.84 грн
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+86.61 грн
50+78.84 грн
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.09 грн
10+93.90 грн
50+85.00 грн
100+69.90 грн
250+60.64 грн
500+58.35 грн
1000+56.48 грн
2500+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.90 грн
250+60.64 грн
500+58.35 грн
1000+56.48 грн
2500+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 2EP130RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.92 грн
250+68.41 грн
500+65.91 грн
1000+63.69 грн
2500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 INFINEON 4406533.pdf Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43060.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 IDW10G120C5BFKSA1 INFINEON INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.83 грн
10+391.79 грн
100+267.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK KITPSC3M5EVK INFINEON 4473641.pdf Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3256.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.38 грн
12+70.18 грн
100+54.80 грн
500+43.07 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON 2327425.pdf Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.08 грн
500+40.21 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 IPB65R125CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3 Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.79 грн
10+188.61 грн
100+150.56 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.60 грн
10+224.23 грн
50+200.75 грн
200+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 INFINEON 2354663.pdf Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.70 грн
10+191.85 грн
50+172.42 грн
200+151.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.70 грн
10+275.22 грн
100+256.60 грн
500+229.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.14 грн
10+86.61 грн
100+79.25 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.02 грн
10+356.17 грн
100+335.12 грн
500+310.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 INFINEON INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.56 грн
10+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.04 грн
10+97.95 грн
100+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 REF5AR3995BZ114W1TOBO1 INFINEON 4417818.pdf Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7682.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 REF5BR3995BZ116W1TOBO1 INFINEON 4417809.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7682.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 REFSSRACDC2ATOBO1 INFINEON 4417815.pdf Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3147.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 REF5AR4770BZS115W1TOBO1 INFINEON 4417808.pdf Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9546.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214015-EVAL 2675606.pdf
CYBLE-214015-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214015-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-214015 PSoC, EZ-BLE Bluetooth v4.2-Modul, für BLE Pioneer-Kit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214015-01
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-214015-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1475.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11FHIV10 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS11FHIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.52 грн
10+896.90 грн
25+869.38 грн
50+787.74 грн
100+719.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 INFN-S-A0014538413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70FL01GSAGMFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1108.17 грн
10+1028.04 грн
25+995.66 грн
50+901.24 грн
100+786.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11DHIV20 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS11DHIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1257.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFV011 CYPR-S-A0003298851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70FL01GSAGMFV011
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFV011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1402.82 грн
10+1346.16 грн
25+1288.69 грн
50+1144.02 грн
100+1036.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS10FHI010 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS10FHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.28 грн
10+857.24 грн
25+835.38 грн
50+703.55 грн
100+639.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11TFIV20 CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GT11TFIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1048.27 грн
10+972.99 грн
25+943.04 грн
50+835.09 грн
100+751.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS12DHVV10 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GS12DHVV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS12DHVV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1249.02 грн
10+1159.17 грн
25+1123.55 грн
50+926.79 грн
100+836.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT11FHIV10 CYPR-S-A0011167131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL01GT11FHIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GT11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.69 грн
10+1011.85 грн
25+984.32 грн
50+833.59 грн
100+695.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGBHBC10 CYPR-S-A0003298851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70FL01GSAGBHBC10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70FL01GSAGBHBC10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, SPI, 133MHz, BGA-24
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: BGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
Speichergröße: 1Gbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1579.29 грн
10+1464.34 грн
25+1418.20 грн
50+1284.58 грн
100+1156.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QSN-108SXI INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B104QSN-108SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2210.68 грн
5+2137.83 грн
10+2064.98 грн
25+1866.36 грн
50+1683.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V100-TGTR CYPR-S-A0011121464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM28V100-TGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V100-TGTR - FRAM, 1MB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-I-32
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.2
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2170.21 грн
10+2008.31 грн
25+1792.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS125D0EJXUMA1 3517987.pdf
TLS125D0EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS125D0EJXUMA1 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4V bis 40Vin, 250mV Dropout, 2-40V/250mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 40V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj, 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: HSOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4V
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Ausgangsspannung, max.: 40V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 250mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.94 грн
250+64.60 грн
500+62.24 грн
1000+60.16 грн
2500+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 3968293.pdf
FF33MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3240.34 грн
5+2850.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF55MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon-FF55MR12W1M1H_B70-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c2f673718b
FF55MR12W1M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4494.21 грн
5+3905.73 грн
10+3316.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon-FF55MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c3b0a3719a
FF55MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2918.16 грн
5+2449.48 грн
10+1980.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 3968294.pdf
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3823.97 грн
5+3272.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
IPB407N30NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+461.40 грн
50+426.94 грн
100+301.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S70KS1282GABHV020 INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70KS1282GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.40 грн
10+509.16 грн
25+493.78 грн
50+432.95 грн
100+392.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.14 грн
500+74.71 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.84 грн
10+238.80 грн
100+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 4018763.pdf
FF3MR20KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+62456.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HPHPSA1 4379509.pdf
FF3MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27597.49 грн
5+27045.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HHPSA1 4379508.pdf
FF3MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24311.01 грн
5+23824.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME7B11BPSA1 4068214.pdf
FF300R17ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9753.39 грн
5+9558.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV33XUMA1 2211716.pdf
TLS203B0EJV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.11 грн
250+61.75 грн
500+59.39 грн
1000+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBLQFPTOBO1 4334661.pdf
TLE989XEVALBLQFPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26806.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH55N04NM6ATMA1 4327858.pdf
IQFH55N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.88 грн
10+248.51 грн
100+177.28 грн
500+145.82 грн
1000+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 3763994.pdf
ESD123B2W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.27 грн
67+12.14 грн
133+6.10 грн
500+5.30 грн
1000+3.37 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 3763994.pdf
ESD123B2W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.30 грн
1000+3.37 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88
BSC007N04LS6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.84 грн
10+203.18 грн
100+152.18 грн
500+121.77 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88
BSC007N04LS6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.18 грн
500+121.77 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 4417820.pdf
2EP130RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.47 грн
10+105.23 грн
50+96.33 грн
100+78.92 грн
250+68.41 грн
500+65.91 грн
1000+63.69 грн
2500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.18 грн
10+86.61 грн
50+78.84 грн
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.18 грн
10+86.61 грн
50+78.84 грн
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.09 грн
10+93.90 грн
50+85.00 грн
100+69.90 грн
250+60.64 грн
500+58.35 грн
1000+56.48 грн
2500+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.64 грн
250+56.13 грн
500+53.91 грн
1000+52.11 грн
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.90 грн
250+60.64 грн
500+58.35 грн
1000+56.48 грн
2500+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 4417820.pdf
2EP130RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.92 грн
250+68.41 грн
500+65.91 грн
1000+63.69 грн
2500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 4406533.pdf
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+43060.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW10G120C5BFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+514.83 грн
10+391.79 грн
100+267.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK 4473641.pdf
KITPSC3M5EVK
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3256.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.38 грн
12+70.18 грн
100+54.80 грн
500+43.07 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 2327425.pdf
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.08 грн
500+40.21 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3
IPB65R125CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.79 грн
10+188.61 грн
100+150.56 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+324.60 грн
10+224.23 грн
50+200.75 грн
200+163.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 2354663.pdf
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.70 грн
10+191.85 грн
50+172.42 грн
200+151.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.70 грн
10+275.22 грн
100+256.60 грн
500+229.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.14 грн
10+86.61 грн
100+79.25 грн
500+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+514.02 грн
10+356.17 грн
100+335.12 грн
500+310.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.56 грн
10+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.04 грн
10+97.95 грн
100+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 4417818.pdf
REF5AR3995BZ114W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7682.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 4417809.pdf
REF5BR3995BZ116W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7682.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 4417815.pdf
REFSSRACDC2ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3147.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 4417808.pdf
REF5AR4770BZS115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9546.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 382 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]