Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 383 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4285GHTSA1 TLE4285GHTSA1 INFINEON 2060073.pdf Description: INFINEON - TLE4285GHTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 800mV Dropout, 5Vout/70mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 800mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 800mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.27 грн
250+38.30 грн
500+36.70 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031 Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.51 грн
500+142.81 грн
1000+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031 Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.12 грн
10+228.27 грн
100+180.51 грн
500+142.81 грн
1000+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 INFINEON infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.12 грн
10+228.27 грн
100+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1 INFINEON CYW55512IUBGTXTMA1.pdf Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.62 грн
5+637.87 грн
10+602.25 грн
50+526.16 грн
100+455.85 грн
250+416.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1 INFINEON CYW55512IUBGTXTMA1.pdf Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+602.25 грн
50+526.16 грн
100+455.85 грн
250+416.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH7XKSA1 IKY75N120CH7XKSA1 INFINEON 4425941.pdf Description: INFINEON - IKY75N120CH7XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.05 грн
5+593.35 грн
10+480.83 грн
50+434.46 грн
100+389.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R024M1HXKSA1 IMYH200R024M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMYH200R024M1H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eed3db1114 Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3707.40 грн
5+3651.55 грн
10+3595.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R075M1HXKSA1 IMYH200R075M1HXKSA1 INFINEON 4098647.pdf Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1635.14 грн
5+1586.57 грн
10+1537.20 грн
50+998.95 грн
100+874.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI010 S29GL256S90FHI010 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL256S90FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+770.62 грн
10+724.48 грн
25+702.63 грн
50+585.54 грн
100+441.97 грн
250+427.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI020 S29GL256S90FHI020 INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL256S90FHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.91 грн
10+708.29 грн
25+596.58 грн
50+497.60 грн
100+441.97 грн
250+428.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON 2718755.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.09 грн
16+52.21 грн
100+46.63 грн
500+31.27 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.56 грн
10+172.42 грн
100+137.61 грн
500+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 INFINEON 4503009.pdf Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.14 грн
5+733.39 грн
10+599.82 грн
50+513.38 грн
100+433.65 грн
250+425.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.40 грн
10+361.03 грн
100+312.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.44 грн
5+531.02 грн
10+425.78 грн
50+351.78 грн
100+283.78 грн
250+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 INFINEON 4503013.pdf Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.26 грн
10+341.60 грн
100+247.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 IMT65R015M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6 Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.79 грн
5+1059.61 грн
10+924.42 грн
50+826.07 грн
100+732.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1 IMT65R020M2HXUMA1 INFINEON 4503008.pdf Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.47 грн
5+855.62 грн
10+731.77 грн
50+633.65 грн
100+542.58 грн
250+531.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON 4503010.pdf Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.05 грн
5+688.86 грн
10+552.87 грн
50+474.30 грн
100+401.73 грн
250+393.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5191ESXUMA1 TLD5191ESXUMA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - TLD5191ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Buck-Boost, 110mA, 4 Ausgänge, 700kHz, AEC-Q100, TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 700kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 110mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.22 грн
250+85.34 грн
500+83.26 грн
1000+75.63 грн
2500+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5191ESXUMA1 TLD5191ESXUMA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - TLD5191ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Buck-Boost, 110mA, 4 Ausgänge, 700kHz, AEC-Q100, TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 700kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 110mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.61 грн
10+140.85 грн
50+128.71 грн
100+99.22 грн
250+85.34 грн
500+83.26 грн
1000+75.63 грн
2500+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70901EPLXUMA1 BTG70901EPLXUMA1 INFINEON 3920471.pdf Description: INFINEON - BTG70901EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 4.34A, 0.09 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.34A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.34 грн
500+32.32 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1087097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.47 грн
250+8.18 грн
1000+4.68 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 INFINEON 4473612.pdf Description: INFINEON - DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 - Demoboard, TLE9012DQU, Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9012DQU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9012DQU
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21650.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 INFINEON 4473613.pdf Description: INFINEON - DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 - Demoboard, TLE9012DQU, Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9012DQU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9012DQU
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38004.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624AFNI-S2D43T CY8C624AFNI-S2D43T INFINEON 3770173.pdf Description: INFINEON - CY8C624AFNI-S2D43T - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 82I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.00 грн
10+654.06 грн
25+631.39 грн
50+570.51 грн
100+514.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24W256-GTR FM24W256-GTR INFINEON 2330417.pdf Description: INFINEON - FM24W256-GTR - FRAM, 256kB (32K x 8), I2C, 1MHz, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492.16 грн
10+458.16 грн
25+445.21 грн
50+403.64 грн
100+363.57 грн
250+351.78 грн
500+342.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF IR2130STRPBF INFINEON INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1 IPF031N13NM6ATMA1 INFINEON IPF031N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+251.75 грн
200+206.71 грн
500+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC1300DCV1TOBO1 KITXMC1300DCV1TOBO1 INFINEON Board_Users_Manual_DriveCard_XMC1300_R1.0.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201427f4a37de262b Description: INFINEON - KITXMC1300DCV1TOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1300, 3-Phasen-Motor, Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerkarte XMC1300
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5472.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49631MXTMA1 TLE49631MXTMA1 INFINEON INFN-S-A0002806978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49631MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 FP25R12W2T7BPSA1 INFINEON 4098628.pdf Description: INFINEON - FP25R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3766.50 грн
5+3248.43 грн
10+2729.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 FP25R12W1T7BOMA1 INFINEON 4425933.pdf Description: INFINEON - FP25R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3534.18 грн
5+3102.72 грн
10+2671.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 FS33MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON 4068203.pdf Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6439.39 грн
5+6105.88 грн
10+5772.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R12W2H7PB11BPSA1 FS3L40R12W2H7PB11BPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FS3L40R12W2H7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, 25 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7138.78 грн
5+6551.90 грн
10+5964.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 INFINEON 3732427.pdf Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.38 грн
500+78.92 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 INFINEON 3732427.pdf Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.08 грн
10+128.71 грн
100+100.38 грн
500+78.92 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.96 грн
250+41.56 грн
500+39.90 грн
1000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS810B1EJV33XUMA1 TLS810B1EJV33XUMA1 INFINEON 2354841.pdf Description: INFINEON - TLS810B1EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3.42V bis 42V, 250V Dropout, 3.3V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.42V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.61 грн
250+42.95 грн
500+41.28 грн
1000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S4L04ATMA1 IPB80N04S4L04ATMA1 INFINEON 3542790.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.88 грн
500+54.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S4L04ATMA1 IPB80N04S4L04ATMA1 INFINEON 3542790.pdf Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.99 грн
10+109.28 грн
100+74.88 грн
500+54.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IR2118STRPBF INFINEON IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.71 грн
500+81.93 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3XX-MS2GO_User_Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193b9f4a5e30902 Description: INFINEON - TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 3D-Magnetsensor, 7 x 7 x 5mm-Ferrit-Blockmagnet
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 7x7x5mm-Ferrit-Blockmanget
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3D-Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3392.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.85 грн
1000+4.28 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.14 грн
13+62.49 грн
100+52.94 грн
500+39.54 грн
1000+33.23 грн
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.94 грн
500+39.54 грн
1000+33.23 грн
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3028EVALBOARDTOBO1 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-1EDI3025-1EDI3026AS-1EDI3028AS-demoboard-UserManual-v01_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe59e436a87 Description: INFINEON - 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3028AS, IGBT-Gate-Treiber für hohe Spannungen
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3028AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3028AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10538.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710V2TOBO1 EVALXDP710V2TOBO1 INFINEON 4018461.pdf Description: INFINEON - EVALXDP710V2TOBO1 - Evaluationskit, XDP710, Hot-Swap-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XDP710
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard V2.0 XDP710, USB-Dongle USB007 oder höher, XDP Designer-GUI (grafische Benutzeroberfläche)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Hot-Swap-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22887.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EBN1001AEXUMA1 1EBN1001AEXUMA1 INFINEON 2820280.pdf Description: INFINEON - 1EBN1001AEXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, IGBT, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 10ns
Ausgabeverzögerung: 10ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.28 грн
250+120.03 грн
500+115.87 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 INFINEON INFNS28490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6988.21 грн
5+6916.98 грн
10+6845.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1 IPL60R185CFD7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.56 грн
500+95.46 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500-EPR CY4500-EPR INFINEON 4502708.pdf Description: INFINEON - CY4500-EPR - Evaluationskit, CY4500 EZ-PD-Protokollanalysator, Dekodieren von USB-PD-Paketen, 48V, 5A
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28340.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT370N18KOFHPSA1 TT370N18KOFHPSA1 INFINEON 4148550.pdf Description: INFINEON - TT370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16848.45 грн
5+16511.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON infineon-bat165-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
9000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+339.17 грн
200+257.82 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4285GHTSA1 2060073.pdf
TLE4285GHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4285GHTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 800mV Dropout, 5Vout/70mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 15mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 800mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 800mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.27 грн
250+38.30 грн
500+36.70 грн
1000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.51 грн
500+142.81 грн
1000+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031
IGC033S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.12 грн
10+228.27 грн
100+180.51 грн
500+142.81 грн
1000+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1 infineon-igc033s10s1-datasheet-en.pdf
IGC033S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.12 грн
10+228.27 грн
100+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1.pdf
CYW55512IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+736.62 грн
5+637.87 грн
10+602.25 грн
50+526.16 грн
100+455.85 грн
250+416.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW55512IUBGTXTMA1 CYW55512IUBGTXTMA1.pdf
CYW55512IUBGTXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55512IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 5GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 5GHz
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+602.25 грн
50+526.16 грн
100+455.85 грн
250+416.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF description INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CH7XKSA1 4425941.pdf
IKY75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY75N120CH7XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+705.05 грн
5+593.35 грн
10+480.83 грн
50+434.46 грн
100+389.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon-IMYH200R024M1H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6eed3db1114
IMYH200R024M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3707.40 грн
5+3651.55 грн
10+3595.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMYH200R075M1HXKSA1 4098647.pdf
IMYH200R075M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1635.14 грн
5+1586.57 грн
10+1537.20 грн
50+998.95 грн
100+874.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI010 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL256S90FHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+770.62 грн
10+724.48 грн
25+702.63 грн
50+585.54 грн
100+441.97 грн
250+427.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90FHI020 INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S29GL256S90FHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90FHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, Parallel, 90ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
Speichergröße: 256Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+760.91 грн
10+708.29 грн
25+596.58 грн
50+497.60 грн
100+441.97 грн
250+428.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 2718755.pdf
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.09 грн
16+52.21 грн
100+46.63 грн
500+31.27 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP17N25S3100AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.56 грн
10+172.42 грн
100+137.61 грн
500+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 4503009.pdf
IMT65R026M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+866.14 грн
5+733.39 грн
10+599.82 грн
50+513.38 грн
100+433.65 грн
250+425.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 4503012.pdf
IMT65R050M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+512.40 грн
10+361.03 грн
100+312.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
IMT65R040M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+635.44 грн
5+531.02 грн
10+425.78 грн
50+351.78 грн
100+283.78 грн
250+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 4503013.pdf
IMT65R060M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+500.26 грн
10+341.60 грн
100+247.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6
IMT65R015M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1194.79 грн
5+1059.61 грн
10+924.42 грн
50+826.07 грн
100+732.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R020M2HXUMA1 4503008.pdf
IMT65R020M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.47 грн
5+855.62 грн
10+731.77 грн
50+633.65 грн
100+542.58 грн
250+531.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 4503010.pdf
IMT65R033M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.05 грн
5+688.86 грн
10+552.87 грн
50+474.30 грн
100+401.73 грн
250+393.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5191ESXUMA1 3763994.pdf
TLD5191ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5191ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Buck-Boost, 110mA, 4 Ausgänge, 700kHz, AEC-Q100, TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 700kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 110mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.22 грн
250+85.34 грн
500+83.26 грн
1000+75.63 грн
2500+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5191ESXUMA1 3763994.pdf
TLD5191ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5191ESXUMA1 - LED-Treiber, DC/DC, Boost, Buck, Buck-Boost, 110mA, 4 Ausgänge, 700kHz, AEC-Q100, TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 700kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 110mA
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.61 грн
10+140.85 грн
50+128.71 грн
100+99.22 грн
250+85.34 грн
500+83.26 грн
1000+75.63 грн
2500+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTG70901EPLXUMA1 3920471.pdf
BTG70901EPLXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTG70901EPLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 4.34A, 0.09 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.34A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 INFNS16227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO150N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.34 грн
500+32.32 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1087097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.47 грн
250+8.18 грн
1000+4.68 грн
9000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 4473612.pdf
DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOIMRBMSCTRLV1TOBO1 - Demoboard, TLE9012DQU, Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9012DQU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9012DQU
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21650.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 4473613.pdf
DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOIMRBMSPWRV1TOBO1 - Demoboard, TLE9012DQU, Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE9012DQU
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Batterie/Akku
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9012DQU
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Überwachung und Balancing von Lithium-Ionen-Akkus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+38004.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C624AFNI-S2D43T 3770173.pdf
CY8C624AFNI-S2D43T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624AFNI-S2D43T - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 82I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+769.00 грн
10+654.06 грн
25+631.39 грн
50+570.51 грн
100+514.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FM24W256-GTR 2330417.pdf
FM24W256-GTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM24W256-GTR - FRAM, 256kB (32K x 8), I2C, 1MHz, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+492.16 грн
10+458.16 грн
25+445.21 грн
50+403.64 грн
100+363.57 грн
250+351.78 грн
500+342.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF INFN-S-A0001649888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2130STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2130STRPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 425ns Verzögerung, WSOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 675ns
Ausgabeverzögerung: 425ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1 IPF031N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
IPF031N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+251.75 грн
200+206.71 грн
500+188.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC1300DCV1TOBO1 Board_Users_Manual_DriveCard_XMC1300_R1.0.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201427f4a37de262b
KITXMC1300DCV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC1300DCV1TOBO1 - Anwendungskit für Motorsteuerungen, XMC1300, 3-Phasen-Motor, Treiberkarte
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerkarte XMC1300
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5472.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49631MXTMA1 INFN-S-A0002806978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE49631MXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49631MXTMA1 - Hall-Effekt-Schalter, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T7BPSA1 4098628.pdf
FP25R12W2T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3766.50 грн
5+3248.43 грн
10+2729.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W1T7BOMA1 4425933.pdf
FP25R12W1T7BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPIM Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3534.18 грн
5+3102.72 грн
10+2671.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 4068203.pdf
FS33MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6439.39 грн
5+6105.88 грн
10+5772.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R12W2H7PB11BPSA1
FS3L40R12W2H7PB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L40R12W2H7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, 25 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7138.78 грн
5+6551.90 грн
10+5964.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 3732427.pdf
IRL40S212ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.38 грн
500+78.92 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 3732427.pdf
IRL40S212ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40S212ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.08 грн
10+128.71 грн
100+100.38 грн
500+78.92 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.96 грн
250+41.56 грн
500+39.90 грн
1000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS810B1EJV33XUMA1 2354841.pdf
TLS810B1EJV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS810B1EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3.42V bis 42V, 250V Dropout, 3.3V/100mAout, HSOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.42V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.61 грн
250+42.95 грн
500+41.28 грн
1000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S4L04ATMA1 3542790.pdf
IPB80N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.88 грн
500+54.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S4L04ATMA1 3542790.pdf
IPB80N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.99 грн
10+109.28 грн
100+74.88 грн
500+54.27 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118STRPBF IRSDS08631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2118STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2118STRPBF - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.71 грн
500+81.93 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 Infineon-TLE493D-P3XX-MS2GO_User_Manual-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193b9f4a5e30902
TLE493DP3XXMS2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3XXMS2GOTOBO1 - Evaluationskit, TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 3D-Magnetsensor, 7 x 7 x 5mm-Ferrit-Blockmagnet
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8, 7x7x5mm-Ferrit-Blockmanget
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3D-Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-P3B6, TLE493D-P3I8
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3392.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.85 грн
1000+4.28 грн
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
IAUC60N04S6N050HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.14 грн
13+62.49 грн
100+52.94 грн
500+39.54 грн
1000+33.23 грн
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
IAUC60N04S6N050HATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N050HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 4000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 52W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 52W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.94 грн
500+39.54 грн
1000+33.23 грн
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3028EVALBOARDTOBO1 Infineon-1EDI3025-1EDI3026AS-1EDI3028AS-demoboard-UserManual-v01_30-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe59e436a87
1EDI3028EVALBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3028EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3028AS, IGBT-Gate-Treiber für hohe Spannungen
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 1EDI3028AS
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3028AS
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10538.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710V2TOBO1 4018461.pdf
EVALXDP710V2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDP710V2TOBO1 - Evaluationskit, XDP710, Hot-Swap-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XDP710
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard V2.0 XDP710, USB-Dongle USB007 oder höher, XDP Designer-GUI (grafische Benutzeroberfläche)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Hot-Swap-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22887.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EBN1001AEXUMA1 2820280.pdf
1EBN1001AEXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EBN1001AEXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, IGBT, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 10ns
Ausgabeverzögerung: 10ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.28 грн
250+120.03 грн
500+115.87 грн
1000+104.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4GBOSA1 INFNS28490-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FP50R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6988.21 грн
5+6916.98 грн
10+6845.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185CFD7AUMA1 INFN-S-A0004163162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL60R185CFD7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.56 грн
500+95.46 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500-EPR 4502708.pdf
CY4500-EPR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY4500-EPR - Evaluationskit, CY4500 EZ-PD-Protokollanalysator, Dekodieren von USB-PD-Paketen, 48V, 5A
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: EZ-PD Protokollanalysator-Hardware, USB-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0
Merkmale: Dekodieren von USB Power Delivery-Paketen, Spannungs-/Stromwächter, ID-basierter Trigger, Firmware-Upgrades
hazardous: false
IC-Produkttyp: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CY4500 EZ-PD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28340.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT370N18KOFHPSA1 4148550.pdf
TT370N18KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 7-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16848.45 грн
5+16511.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 infineon-bat165-datasheet-en.pdf
BAT165E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.04 грн
9000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB010N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+339.17 грн
200+257.82 грн
500+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 378 379 380 381 382 383 384 385 386 387 388 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]