Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15965) > Сторінка 248 з 267

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH40N85X IXFH40N85X IXYS IXF_40N85X_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1030N CPC1030N IXYS CPC1030N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.75 грн
10+213.32 грн
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1030NTR CPC1030NTR IXYS CPC1030N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1009NTR CPC1009NTR IXYS CPC1009N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 150mA
Turn-off time: 0.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006NTR CPC1006NTR IXYS CPC1006N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 75mA
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK10-018A DSSK10-018A IXYS DSSK10-018A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 180V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.62V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 180V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.62V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 90W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.63 грн
6+81.27 грн
10+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1976YX6 CPC1976YX6 IXYS CPC1976YX6.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 2000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 2A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 500µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHV IXYS IXSH80N120L2KHV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...23V
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 198A
Power dissipation: 395W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12A DSEP30-12A IXYS DSEP30-12A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.79V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+368.30 грн
10+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12CR DSEP30-12CR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4c065f49-4633-4e89-8717-37676123569f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP30-12CR-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 4.98V
Power dissipation: 250W
Technology: HiPerDynFRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 15ns
Mounting: THT
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+895.22 грн
3+761.01 грн
10+628.11 грн
30+569.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12AR DSEP30-12AR IXYS DSEP30-12AR.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS247™; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.79V
Power dissipation: 135W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+577.06 грн
5+491.82 грн
10+426.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12B DSEP30-12B IXYS DSEP30-12B.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 3.75V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50P IXFL100N50P IXYS IXFL100N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Case: ISOPLUS264™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 52mΩ
Drain current: 68A
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-18N1B MDD44-18N1B IXYS MDD44-18N1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 59A; TO240AA; Ufmax: 1.26V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 59A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.26V
Max. forward impulse current: 980A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 100A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1960.91 грн
10+1650.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08A DSP8-08A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08A-Datasheet?assetguid=cb034645-c550-4ca3-9793-0552505757de Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 8A; tube; Ifsm: 120A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.16V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+202.38 грн
10+150.68 грн
50+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08AS-TUB IXYS DSP8-08AS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08AS-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08AS-Datasheet?assetguid=0d1887aa-022d-4c13-a29c-7dec3225315c Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TUB IXYS DSP8-08S.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL IXYS DSP8-12S.pdf Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TUB IXYS DSP8-12S.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK180N25T IXYS IXFK(X)180N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1174.18 грн
5+1066.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS IXFK(X)250N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1616.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXFK230N20T IXYS IXFK(X)230N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1688.33 грн
5+1435.68 грн
10+1386.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXFK520N075T2 IXYS IXFK(X)520N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1121.30 грн
5+915.93 грн
10+860.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK240N25X3 IXYS IXFK(X)240N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2048.43 грн
5+1803.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK80N50P IXYS IXFK(X)80N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1295.42 грн
10+1166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1427.61 грн
3+1173.27 грн
10+1051.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25P IXTK82N25P IXYS IXTK82N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+773.06 грн
10+528.22 грн
25+514.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXFK220N20X3 IXYS IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1356.50 грн
3+1110.62 грн
10+995.50 грн
25+927.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1368.35 грн
5+1169.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXFH20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXFT20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N100-TRL IXGA20N100-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 40A; 150W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 IXYS IXFH(T)320N10T2.pdf IXFT320N10T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10T IXFX420N10T IXYS IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F420N10T IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 IXGK100N170 IXYS IXGK(X)100N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 285ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150 IXTT12N150 IXYS IXT_12N150.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.2µs
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV IXTT12N150HV IXYS IXTT12N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC161-20io1 IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2kV; 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 165A
Max. off-state voltage: 2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC161-22IO1 IXYS MCC161-22IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 165A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 6.48kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TRL IXYS DSS10-01AS_2021.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.84V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.3mA
Capacitance: 223pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TUB IXYS DSS10-01A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10A; tube; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC30-12A DSEC30-12A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC30-12A-Datasheet?assetguid=449d027a-83b1-47f6-b255-dd89c85a9bad description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15Ax2; Ifsm: 90A; TO247-3; tube; 95W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.61V
Power dissipation: 95W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2 IXTA80N12T2 IXYS IXTA(P)80N12T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO263
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90P IXFR40N90P IXYS IXFR40N90P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 UGE3126AY4 IXYS UGE3126AY4.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: rectifying; 24kV; 0.8/1.4/2A; 5A; 1.6kW; Ø55x23mm; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 24kV
Load current: 0.8/1.4/2A
Max. load current: 5A
Power dissipation: 1.6kW
Body dimensions: Ø55x23mm
Mounting: screw type
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 18V
Kind of package: bulk
Fastening thread: M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB CLA30E1200PB IXYS CLA30E1200PB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO220AB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Case: TO220AB
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.92 грн
10+264.11 грн
25+172.69 грн
50+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB IXYS CLA30MT1200NPB.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 15A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 145A
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 15A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+343.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TUB CLA30MT1200NPZ-TUB IXYS CLA30MT1200NPZ.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 15A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 145A
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 15A
Kind of package: tube
Case: TO263ABHV
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+443.05 грн
3+369.93 грн
10+326.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200NPZ-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200NPZ-TUB CLA30E1200NPZ-TUB IXYS CLA30E1200NPZ.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Features of semiconductor devices: two gate polarities
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263ABHV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-12NO7 VUO122-12NO7 IXYS VUO122-12NO7.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Case: ECO-PAC 2
Leads: wire Ø 1.5mm
Version: module
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 125A
Max. forward impulse current: 1kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2789.58 грн
3+2331.29 грн
10+2064.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA225PF1200TSF IXYS MIXA225PF1200TSF.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 250A
Mechanical mounting: screw
Case: SimBus F
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: fans; for pump; for UPS; motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P IXFN60N80P IXYS IXFN60N80P.pdf description Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXFB60N80P IXYS IXFB60N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80P IXFL60N80P IXYS IXFL60N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 40A; 625W; 250ns
Case: ISOPLUS264™
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 625W
Gate charge: 250nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX526119 IXYS Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; SMPD-B
Type of transistor: IGBT
Case: SMPD-B
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB135-16IOXT IXYS VVZB135-16IOXT.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 390W
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 225A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X IXF_40N85X_HV.pdf
IXFH40N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1030N CPC1030N.pdf
CPC1030N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.75 грн
10+213.32 грн
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1030NTR CPC1030N.pdf
CPC1030NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; max.350VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 120mA
Turn-off time: 1ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1009NTR CPC1009N.pdf
CPC1009NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.100VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 150mA
Turn-off time: 0.5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 8Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006NTR CPC1006N.pdf
CPC1006NTR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 75mA; max.60VAC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 10ms
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Case: SOP4
Max. operating current: 75mA
Turn-off time: 10ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 10Ω
Type of relay: solid state
Mounting: SMT
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSSK10-018A DSSK10-018A.pdf
DSSK10-018A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 180V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.62V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 180V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.62V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 90W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.63 грн
6+81.27 грн
10+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1976YX6 CPC1976YX6.pdf
CPC1976YX6
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 50mA; 2000mA; max.600VAC; 1-phase
Type of relay: solid state
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 2A
Switched voltage: max. 600V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: THT
Case: SIP4
Body dimensions: 21.08x10.16x3.3mm
Switching method: zero voltage switching
Insulation voltage: 3.75kV
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 500µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH80N120L2KHV IXSH80N120L2KHV.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 58A; Idm: 198A; 395W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...23V
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 198A
Power dissipation: 395W
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12A DSEP30-12A.pdf
DSEP30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.79V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+368.30 грн
10+275.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12CR media?resourcetype=datasheets&itemid=4c065f49-4633-4e89-8717-37676123569f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEP30-12CR-Datasheet
DSEP30-12CR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 250A; ISOPLUS247™; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 250A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 4.98V
Power dissipation: 250W
Technology: HiPerDynFRED
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 15ns
Mounting: THT
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+895.22 грн
3+761.01 грн
10+628.11 грн
30+569.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12AR DSEP30-12AR.pdf
DSEP30-12AR
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; ISOPLUS247™; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: ISOPLUS247™
Max. forward voltage: 1.79V
Power dissipation: 135W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 40ns
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.06 грн
5+491.82 грн
10+426.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP30-12B DSEP30-12B.pdf
DSEP30-12B
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 200A; TO247-2; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 3.75V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 35ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50P IXFL100N50P.pdf
IXFL100N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Case: ISOPLUS264™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 52mΩ
Drain current: 68A
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-18N1B MDD44-18N1B-DTE.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
MDD44-18N1B
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.8kV; If: 59A; TO240AA; Ufmax: 1.26V
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 59A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.26V
Max. forward impulse current: 980A
Electrical mounting: screw
Max. load current: 100A
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1960.91 грн
10+1650.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08A-Datasheet?assetguid=cb034645-c550-4ca3-9793-0552505757de
DSP8-08A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 8A; tube; Ifsm: 120A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.16V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+202.38 грн
10+150.68 грн
50+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08AS-TUB DSP8-08AS.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08AS-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08AS-Datasheet?assetguid=0d1887aa-022d-4c13-a29c-7dec3225315c
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TUB DSP8-08S.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TRL DSP8-12S.pdf Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-12S-Datasheet?assetguid=9719434f-f61b-4b2f-aff1-587c9c00aa7d
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 11A; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 11A
Case: D2PAK; TO263AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12S-TUB DSP8-12S.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T IXFK(X)180N25T.pdf
IXFK180N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1174.18 грн
5+1066.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10P IXFK(X)250N10P.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1616.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T IXFK(X)230N20T.pdf
IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1688.33 грн
5+1435.68 грн
10+1386.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2 IXFK(X)520N075T2.pdf
IXFK520N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1121.30 грн
5+915.93 грн
10+860.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3 IXFK(X)240N25X3.pdf
IXFK240N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2048.43 грн
5+1803.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P IXFK(X)80N50P.pdf
IXFK80N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1295.42 грн
10+1166.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFK32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Case: TO264
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1427.61 грн
3+1173.27 грн
10+1051.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25P IXTK82N25P-DTE.pdf
IXTK82N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+773.06 грн
10+528.22 грн
25+514.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3 IXF_220N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFK220N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1356.50 грн
3+1110.62 грн
10+995.50 грн
25+927.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10T IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
IXFK420N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1368.35 грн
5+1169.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFH20N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFT20N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N100-TRL
IXGA20N100-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 40A; 150W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 40A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT320N10T2 IXFH(T)320N10T2.pdf IXFT320N10T2.pdf
IXFT320N10T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10T IXFK420N10T_IXFX420N10T.pdf
IXFX420N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1F420N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 IXGK(X)100N170.pdf
IXGK100N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 285ns
Kind of package: tube
Case: TO264
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150 IXT_12N150.pdf
IXTT12N150
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.2µs
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV IXTT12N150HV.pdf
IXTT12N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC161-20io1 PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2kV; 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 165A
Max. off-state voltage: 2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC161-22IO1 MCC161-22IO1.pdf PCN241015_Y4-M6 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 165A; Y4-M6; Ufmax: 1.36V
Case: Y4-M6
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 150/200mA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 165A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 6.48kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TRL DSS10-01AS_2021.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK,TO263AB; SMD; 100V; 10A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.84V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.3mA
Capacitance: 223pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TUB DSS10-01A.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10A; tube; 90W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC30-12A description Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC30-12A-Datasheet?assetguid=449d027a-83b1-47f6-b255-dd89c85a9bad
DSEC30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15Ax2; Ifsm: 90A; TO247-3; tube; 95W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.61V
Power dissipation: 95W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N12T2 IXTA(P)80N12T2.pdf
IXTA80N12T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO263
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90P IXFR40N90P.pdf
IXFR40N90P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UGE3126AY4 UGE3126AY4.pdf
UGE3126AY4
Виробник: IXYS
Category: Diodes - others
Description: Diode: rectifying; 24kV; 0.8/1.4/2A; 5A; 1.6kW; Ø55x23mm; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 24kV
Load current: 0.8/1.4/2A
Max. load current: 5A
Power dissipation: 1.6kW
Body dimensions: Ø55x23mm
Mounting: screw type
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 18V
Kind of package: bulk
Fastening thread: M8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB CLA30E1200PB.pdf
CLA30E1200PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO220AB
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Case: TO220AB
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+361.92 грн
10+264.11 грн
25+172.69 грн
50+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB.pdf
CLA30MT1200NPB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 15A; Igt: 40/60mA; TO220AB; tube; Ifsm: 145A
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 15A
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Typ of triac: standard
Mounting: THT
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+343.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30MT1200NPZ-TUB CLA30MT1200NPZ.pdf
CLA30MT1200NPZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 15A; Igt: 40/60mA; TO263ABHV; tube; Ifsm: 145A
Max. forward impulse current: 0.145kA
Gate current: 40/60mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 15A
Kind of package: tube
Case: TO263ABHV
Typ of triac: standard
Mounting: SMD
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.05 грн
3+369.93 грн
10+326.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200NPZ-TUB CLA30E1200NPZ.pdf
CLA30E1200NPZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Features of semiconductor devices: two gate polarities
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO263ABHV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-12NO7 VUO122-12NO7.pdf
VUO122-12NO7
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Case: ECO-PAC 2
Leads: wire Ø 1.5mm
Version: module
Mechanical mounting: screw
Type of bridge rectifier: three-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.13V
Load current: 125A
Max. forward impulse current: 1kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2789.58 грн
3+2331.29 грн
10+2064.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA225PF1200TSF MIXA225PF1200TSF.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 250A
Mechanical mounting: screw
Case: SimBus F
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: fans; for pump; for UPS; motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN60N80P description IXFN60N80P.pdf
IXFN60N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB60N80P IXFB60N80P.pdf
IXFB60N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80P IXFL60N80P.pdf
IXFL60N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 40A; 625W; 250ns
Case: ISOPLUS264™
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 625W
Gate charge: 250nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX526119
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; SMPD-B
Type of transistor: IGBT
Case: SMPD-B
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZB135-16IOXT VVZB135-16IOXT.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 390W
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 225A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/thyristor/IGBT
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 84A
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]