Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH32N65X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTH32P20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns Mounting: THT Reverse recovery time: 190ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -32A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH340N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTH360N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 360A Power dissipation: 935W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 78ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH36N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH36P10 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH36P15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH38N30L2 | IXYS | IXTH38N30L2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH3N100P | IXYS |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH3N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH3N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTH3N200P3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 3A Power dissipation: 520W Case: TO247HV On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTH40N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH420N04T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH440N055T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH44P15T | IXYS |
![]() |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH450P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTH48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 260ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -48A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 462W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 103nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTH4N100L | IXYS | IXTH4N100L THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH4N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH500N04T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH50N30L2 | IXYS | IXTH50N30L2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH50P10 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Reverse recovery time: 180ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTH52N65X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTH60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 330ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH62N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH64N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTH64N65X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 64A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH68P20T | IXYS |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH6N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH6N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH6N150 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH6N50D2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH75N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH76N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH76P10T | IXYS |
![]() |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTH80N075L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTH80N20L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 80A Power dissipation: 520W Case: TO247-3 On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTH80N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH88N15 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTH8P50 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns Mounting: THT Drain-source voltage: -500V Drain current: -8A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 180W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO247-3 Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTH90P10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH96N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IXTH96N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH96P085T | IXYS |
![]() |
на замовлення 367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTJ4N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 110W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTJ6N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.85Ω Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTK100N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264 Mounting: THT Gate charge: 185nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 100A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTK102N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IXTK110N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTK120N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTK120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 185nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 505ns Gate charge: 230nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IXTK120P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IXTK140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTH32N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 616.31 грн |
3+ | 426.63 грн |
8+ | 388.40 грн |
IXTH32P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH340N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
IXTH340N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH360N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH36N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH36N50P THT N channel transistors
IXTH36N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH36P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH36P10 THT P channel transistors
IXTH36P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH36P15P THT P channel transistors
IXTH36P15P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH38N30L2 |
Виробник: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH3N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
IXTH3N100P THT N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 466.58 грн |
4+ | 294.22 грн |
10+ | 278.07 грн |
IXTH3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH3N120 THT N channel transistors
IXTH3N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH3N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH3N200P3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH40N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH420N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH440N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
IXTH44P15T THT P channel transistors
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 627.90 грн |
3+ | 443.12 грн |
7+ | 418.90 грн |
IXTH450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
IXTH450P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 819.17 грн |
2+ | 599.89 грн |
6+ | 546.27 грн |
120+ | 524.74 грн |
IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 894.52 грн |
2+ | 679.06 грн |
5+ | 618.03 грн |
510+ | 594.71 грн |
IXTH4N100L |
Виробник: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
IXTH4N100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH4N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH500N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH50N30L2 |
Виробник: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 963.10 грн |
2+ | 662.30 грн |
5+ | 602.78 грн |
510+ | 592.92 грн |
1020+ | 579.46 грн |
IXTH52N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
IXTH52N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 635.63 грн |
3+ | 439.67 грн |
7+ | 400.06 грн |
IXTH60N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH62N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH64N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH64N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 64A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH68P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
IXTH68P20T THT P channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1056.67 грн |
3+ | 999.26 грн |
IXTH6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
IXTH6N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
IXTH6N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
IXTH6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 906.11 грн |
3+ | 463.75 грн |
7+ | 438.63 грн |
IXTH75N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH75N10L2 THT N channel transistors
IXTH75N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 511.01 грн |
4+ | 322.92 грн |
9+ | 304.98 грн |
IXTH76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 697.45 грн |
3+ | 440.43 грн |
7+ | 417.10 грн |
IXTH80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.13 грн |
3+ | 520.71 грн |
6+ | 474.51 грн |
510+ | 458.37 грн |
IXTH80N20L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH80N65X2 THT N channel transistors
IXTH80N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH88N15 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
IXTH88N15 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
IXTH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 887.75 грн |
2+ | 728.36 грн |
4+ | 688.90 грн |
IXTH8P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 761.21 грн |
3+ | 539.34 грн |
6+ | 491.56 грн |
120+ | 474.51 грн |
IXTH90P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH90P10P THT P channel transistors
IXTH90P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
IXTH96N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH96N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 616.31 грн |
3+ | 389.30 грн |
8+ | 368.67 грн |
IXTH96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 652.05 грн |
3+ | 440.43 грн |
7+ | 417.10 грн |
IXTJ4N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTJ6N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK100N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1181.42 грн |
2+ | 770.35 грн |
4+ | 701.45 грн |
10+ | 700.56 грн |
100+ | 681.72 грн |
IXTK102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
IXTK102N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK102N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK110N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK120N20P THT N channel transistors
IXTK120N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1174.66 грн |
2+ | 984.60 грн |
4+ | 897.00 грн |
100+ | 886.24 грн |
250+ | 862.02 грн |
IXTK120N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 505ns
Gate charge: 230nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
IXTK120P20T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.