Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16263) > Сторінка 253 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DHG10I1200PM DHG10I1200PM IXYS DHG10I1200PM.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 65A; TO220FP-2; 30W
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.13V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 30W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.01 грн
5+163.91 грн
10+148.46 грн
25+130.44 грн
50+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200PZ-TRL CLA5E1200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=32eb8ba1-5fc9-40b1-9853-f8e52c0de878&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA5E1200PZ-Datasheet Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 7.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PC-TUB CLA30E1200PC-TUB IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; TO263; SMD; tube
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB CLA20EF1200PB IXYS CLA20EF1200PB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 35mA; TO220AB; THT; tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 35mA
Max. load current: 35A
Features of semiconductor devices: reverse conducting thyristor (RCT)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL CLA20EF1200PZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 20mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 20mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB CLA20EF1200PZ-TUB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 20mA; D2PAK; SMD; tube
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 20mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PC-TRL CLA30E1200PC-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; D2PAK; SMD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLB40I1200PZ-TRL CLB40I1200PZ-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 63A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB40I1200PZ-TUB IXYS CLB40I1200PZ.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 63A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLE20E1200PC-TRL CLE20E1200PC-TRL IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 40mA; TO263; SMD; reel,tape
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLE20E1200PC-TUB CLE20E1200PC-TUB IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 40mA; TO263; SMD; tube
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLE30E1200PB CLE30E1200PB IXYS CLE30E1200PB.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 30A; Igt: 50mA; TO220AB; THT; tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20C1200PB DHG20C1200PB IXYS DHG20C1200PB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10Ax2; tube; Ifsm: 60A; TO220AB; 85W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 2.23V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 85W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPU30I1200PA DPU30I1200PA IXYS Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO220-2; 123ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 123ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20I1200PB IXA20I1200PB IXYS IXA20I1200PB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 165W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA80W1200PTEH IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E3-Pack
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 84A
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG120W1200PTEH IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E3-Pack
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 140A
Technology: X2PT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE30-12A DSEE30-12A IXYS DSEE30-12A.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-3; tube; 165W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.5V
Power dissipation: 165W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1567.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE300-06DA IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 600V; If: 304A; Y4-M6; Ufmax: 1.19V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. forward voltage: 1.19V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 304A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS IXXH80N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS IXXH80N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12io1B MCC56-12io1B IXYS MCC56-12IO1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.62kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12io8B MCC56-12io8B IXYS MCC56-12IO8B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.57V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.57V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-18io1B IXYS L075.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.57V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-08io1B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-08io8B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14IO1 IXYS Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14io8B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-18io8B IXYS PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYK180N65A5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 180A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 1kA
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYN180N65A5Datasheet.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 180A; SOT227B; tube; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYX180N65A5Datasheet.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 220A; 1.15kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 1kA
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 220A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE240X600NA DFE240X600NA IXYS DFE240X600NA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Max. load current: 240A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: diode
Max. forward impulse current: 1.2kA
Semiconductor structure: double independent
Technology: FRED
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 120A x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1907.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH22N300HV IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 60A; 290W; TO247HV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Power dissipation: 290W
Collector-emitter voltage: 3kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 IXBH2N250 IXYS IXBH(T)2N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Mounting: THT
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+706.98 грн
3+423.07 грн
7+399.90 грн
60+390.46 грн
90+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXTA120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO263
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+463.00 грн
4+309.79 грн
9+292.63 грн
50+281.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Reverse recovery time: 700ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+632.12 грн
3+479.70 грн
6+453.96 грн
50+444.52 грн
100+435.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+645.99 грн
4+319.23 грн
9+302.07 грн
250+290.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC60-12A DSEC60-12A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC60-12A-Datasheet?assetguid=209f6ea6-9eb4-4faf-a3e4-37cae54527a2 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30Ax2; Ifsm: 200A; TO247-3; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.74V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 CS19-08ho1 IXYS CS19-08ho1.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.28 грн
10+130.44 грн
25+121.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08HO1S-TUB CS19-08HO1S-TUB IXYS CS19-08HO1S.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; D2PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08HO1S-TRL CS19-08HO1S-TRL IXYS CS19-08HO1S.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 155A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-08IO7 VHF25-08IO7 IXYS VHF25-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 180A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 25/50mA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1389.01 грн
3+1143.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-08IO1 IXYS VHFD37-ser.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 40A; Ifsm: 280A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-12IO1 IXYS VHFD16.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 21A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-16IO1 IXYS VHFD16.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 21A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-12IO1 VHFD37-12IO1 IXYS VHFD37.pdf Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 IXTH6N150 IXYS IXTH(T)6N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA200S LDA200S IXYS LDA200.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; Uinsul: 3.75kV; CTR@If: 33-1000%@1mA; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 33-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 500mV
Turn-on time: 7µs
Turn-off time: 20µs
Trigger current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA200STR LDA200STR IXYS LDA200.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; Uinsul: 3.75kV; CTR@If: 33-1000%@1mA; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 33-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 500mV
Turn-on time: 7µs
Turn-off time: 20µs
Trigger current: 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4310N IX4310N IXYS Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...24V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.22 грн
10+67.54 грн
25+56.98 грн
29+34.33 грн
79+32.52 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHR CLA80MT1200NHR IXYS CLA80MT1200NHR.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; ISO247™; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX3407BTR IXYS ix3407b-data-sheet?assetguid=632d672d-8e95-4a4d-9c59-e4c1d5a326d7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SOIC8; Ch: 1; 2.5kV; 1.25W
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...125°C
Pulse fall time: 10ns
Impulse rise time: 10ns
Power dissipation: 1.25W
Insulation voltage: 2.5kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS K248734.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3909CTR CPC3909CTR IXYS CPC3909.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.3A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEE250-12DA IXYS PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx250-12DA.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 260A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. forward voltage: 1.54V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1200PM DHG10I1200PM.pdf
DHG10I1200PM
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 65A; TO220FP-2; 30W
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.13V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 75ns
Power dissipation: 30W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.01 грн
5+163.91 грн
10+148.46 грн
25+130.44 грн
50+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=32eb8ba1-5fc9-40b1-9853-f8e52c0de878&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA5E1200PZ-Datasheet
CLA5E1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 7.8A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PC-TUB
CLA30E1200PC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30mA; TO263; SMD; tube
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB CLA20EF1200PB.pdf
CLA20EF1200PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 35mA; TO220AB; THT; tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 35mA
Max. load current: 35A
Features of semiconductor devices: reverse conducting thyristor (RCT)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf
CLA20EF1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 20mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 20mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e
CLA20EF1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 20mA; D2PAK; SMD; tube
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 20mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PC-TRL
CLA30E1200PC-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 30/50mA; D2PAK; SMD
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 255A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLB40I1200PZ-TRL
CLB40I1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 30mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30mA
Max. load current: 63A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLB40I1200PZ-TUB CLB40I1200PZ.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 30/50mA; TO263ABHV; SMD; tube
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 30/50mA
Max. load current: 63A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLE20E1200PC-TRL
CLE20E1200PC-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 40mA; TO263; SMD; reel,tape
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLE20E1200PC-TUB
CLE20E1200PC-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 20A; Igt: 40mA; TO263; SMD; tube
Case: TO263
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLE30E1200PB CLE30E1200PB.pdf
CLE30E1200PB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 35A; 30A; Igt: 50mA; TO220AB; THT; tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DHG20C1200PB DHG20C1200PB.pdf
DHG20C1200PB
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10Ax2; tube; Ifsm: 60A; TO220AB; 85W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 2.23V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 85W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPU30I1200PA
DPU30I1200PA
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO220-2; 123ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 123ns
Technology: FRED
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20I1200PB IXA20I1200PB.pdf
IXA20I1200PB
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 22A; 165W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 165W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXA80W1200PTEH
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E3-Pack
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 84A
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG120W1200PTEH
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: E3-Pack
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 140A
Technology: X2PT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSEE30-12A DSEE30-12A.PDF
DSEE30-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; Ifsm: 200A; TO247-3; tube; 165W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.5V
Power dissipation: 165W
Technology: HiPerFRED™
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: THT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1567.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE300-06DA PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx300-06DA.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 600V; If: 304A; Y4-M6; Ufmax: 1.19V
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. forward voltage: 1.19V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 304A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1.pdf
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1.pdf
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12io1B MCC56-12IO1B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCC56-12io1B
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.62kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-12io8B MCC56-12IO8B.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
MCC56-12io8B
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.57V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.57V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 1.5kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-18io1B L075.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.57V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.57V
Max. forward impulse current: 1.6kA
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-08io1B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-08io8B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 800V; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14IO1
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14io8B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-18io8B PCN210915_TO240 screw.pdf PCN210930_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 60A; TO240AA; Ufmax: 1.62V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 60A
Case: TO240AA
Max. forward voltage: 1.62V
Gate current: 100/200mA
Electrical mounting: screw
Kind of package: bulk
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK180N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYK180N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 180A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 1kA
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN180N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYN180N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 180A; SOT227B; tube; screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX180N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYX180N65A5Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 220A; 1.15kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 1kA
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 220A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFE240X600NA DFE240X600NA.pdf
DFE240X600NA
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 600V; If: 120Ax2; SOT227B; screw
Max. load current: 240A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: diode
Max. forward impulse current: 1.2kA
Semiconductor structure: double independent
Technology: FRED
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 120A x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBH24N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 230A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1907.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH22N300HV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 3kV; 60A; 290W; TO247HV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Power dissipation: 290W
Collector-emitter voltage: 3kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 IXBH(T)2N250.pdf
IXBH2N250
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 10.6nC
Turn-on time: 310ns
Turn-off time: 252ns
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Technology: BiMOSFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Mounting: THT
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+706.98 грн
3+423.07 грн
7+399.90 грн
60+390.46 грн
90+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTA120P065T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
On-state resistance: 10mΩ
Reverse recovery time: 53ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO263
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.00 грн
4+309.79 грн
9+292.63 грн
50+281.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Reverse recovery time: 700ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.12 грн
3+479.70 грн
6+453.96 грн
50+444.52 грн
100+435.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.99 грн
4+319.23 грн
9+302.07 грн
250+290.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEC60-12A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEC60-12A-Datasheet?assetguid=209f6ea6-9eb4-4faf-a3e4-37cae54527a2
DSEC60-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30Ax2; Ifsm: 200A; TO247-3; tube; 165W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.74V
Power dissipation: 165W
Reverse recovery time: 40ns
Technology: HiPerFRED™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 CS19-08ho1.pdf
CS19-08ho1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.28 грн
10+130.44 грн
25+121.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08HO1S-TUB CS19-08HO1S.pdf
CS19-08HO1S-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; D2PAK; SMD; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08HO1S-TRL CS19-08HO1S.pdf
CS19-08HO1S-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28/50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 31A
Load current: 20A
Gate current: 28/50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 155A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VHF25-08IO7 VHF25-ser.pdf
VHF25-08IO7
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Case: ECO-PAC 1
Max. forward impulse current: 180A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Version: module
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
Leads: wire Ø 0.75mm
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 25/50mA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1389.01 грн
3+1143.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-08IO1 VHFD37-ser.pdf
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 40A; Ifsm: 280A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-12IO1 VHFD16.pdf
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 21A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD16-16IO1 VHFD16.pdf
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 21A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 21A
Max. forward impulse current: 130A
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VHFD37-12IO1 VHFD37.pdf
VHFD37-12IO1
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 40A; Igt: 65mA
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Gate current: 65mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N150 IXTH(T)6N150.pdf
IXTH6N150
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA200S LDA200.pdf
LDA200S
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; Uinsul: 3.75kV; CTR@If: 33-1000%@1mA; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 33-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 500mV
Turn-on time: 7µs
Turn-off time: 20µs
Trigger current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDA200STR LDA200.pdf
LDA200STR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; Uinsul: 3.75kV; CTR@If: 33-1000%@1mA; 1A
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 33-1000%@1mA
Collector-emitter voltage: 500mV
Turn-on time: 7µs
Turn-off time: 20µs
Trigger current: 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4310N
IX4310N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 5÷24V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 5...24V
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.22 грн
10+67.54 грн
25+56.98 грн
29+34.33 грн
79+32.52 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80MT1200NHR CLA80MT1200NHR.pdf
CLA80MT1200NHR
Виробник: IXYS
Category: Triacs
Description: Triac; 1.2kV; 40A; Igt: 70/90mA; ISO247™; tube; Ifsm: 440A
Max. forward impulse current: 0.44kA
Gate current: 70/90mA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: ISO247™
Typ of triac: standard
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX3407BTR ix3407b-data-sheet?assetguid=632d672d-8e95-4a4d-9c59-e4c1d5a326d7
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SOIC8; Ch: 1; 2.5kV; 1.25W
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...125°C
Pulse fall time: 10ns
Impulse rise time: 10ns
Power dissipation: 1.25W
Insulation voltage: 2.5kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 K248734.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXTA50N20P-DTE.pdf
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3909CTR CPC3909.pdf
CPC3909CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.3A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEE250-12DA PCN241015_Y4-M6 screw.pdf MEx250-12DA.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.2kV; If: 260A; Y4-M6; Ufmax: 1.54V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 260A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: Y4-M6
Max. forward impulse current: 2.4kA
Max. forward voltage: 1.54V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.