Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16357) > Сторінка 253 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.77 грн
10+272.85 грн
50+223.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.50 грн
10+215.70 грн
50+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1182.27 грн
5+952.14 грн
10+847.51 грн
30+805.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+417.78 грн
3+349.31 грн
10+308.26 грн
30+277.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 IXYS IXXH40N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS IXXH40N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.65 грн
50+223.75 грн
100+206.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 IXDH20N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29206428EEA27F19A99005056AB752F&compId=IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf?ci_sign=868beffbdc782c683957f60a286ccc2aecbc511a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.99 грн
3+408.06 грн
10+360.57 грн
30+323.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P IXFK20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P IXYS IXFN20N120P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.60 грн
3+1079.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P IXFR20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2211.98 грн
3+1841.50 грн
10+1629.02 грн
30+1468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P IXFX20N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+646.61 грн
30+360.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 IXGP20N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 IXGP20N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.81 грн
3+575.47 грн
10+555.35 грн
30+548.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5027B64E7820&compId=IXYT20N120C3D1HV.pdf?ci_sign=919d7cd0b29220ac3b93c7617f2b3fdc9d073e25 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 17A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GR CPC1390GR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A41EA29340F8BF&compId=cpc1390.pdf?ci_sign=4ed09f212104e2f97cb38f2c56316cc428366b9d Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.15 грн
10+131.19 грн
100+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GV CPC1390GV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B492320042C0C7&compId=CPC1390.pdf?ci_sign=02d27267f722e98ae1add0787a699a87ad053c38 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.56 грн
100+132.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A IXYS IXFH34N60X2A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 IXYS IXFK(X)64N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.52 грн
5+395.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS IXXN110N65B4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS IXXN110N65C4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.15 грн
3+622.15 грн
10+517.52 грн
30+480.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 37ns
Gate charge: 37nC
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 IXFX55N50 IXYS IXFX50N50_IXFX55N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.08 грн
30+444.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.08 грн
5+499.01 грн
10+435.43 грн
50+413.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC009820&compId=IXFH100N25P.pdf?ci_sign=8543bb8bfc45a45bf095f4e45a85eebb13fb2f81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 IXFH100N30X3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.56 грн
10+749.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4E5B26A23820&compId=IXXH100N60C3.pdf?ci_sign=d34a8167233d2e352f733d1eb503fd101039fa57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 95s
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+991.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.77 грн
3+293.77 грн
10+259.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1171.87 грн
3+1055.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.46 грн
30+447.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.08 грн
5+553.74 грн
10+492.57 грн
30+425.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N CPC1117N IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A38CFB799FD8BF&compId=cpc1117n.pdf?ci_sign=42c5ed3862d631ccfa4f4ee18df640d714bcd8ff Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Case: SOP4
On-state resistance: 16Ω
Turn-off time: 10ms
Turn-on time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Insulation voltage: 1.5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.61 грн
50+78.88 грн
100+74.85 грн
300+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 MMO62-12IO6 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8F478DC2F5F9E28&compId=MMo62-12io6-DTE.pdf?ci_sign=10ad4c18982c2d0b7cdd649068aaadc5dde3b16c Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 100mA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1877.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A DSP8-12A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF09019D31818BF&compId=DSP8-12A.pdf?ci_sign=4c1df90e7f9f491684d5e61712aacbe284a80828 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.09 грн
5+144.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL DSP8-12AS-TRL IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEC4740C124560C4&compId=DSP8-12AS.pdf?ci_sign=c7e88fe8621910a4bd9800ab0ed9988bac77f308 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.56 грн
5+169.02 грн
25+153.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB DSP8-12AS-TUB IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEC4740C124560C4&compId=DSP8-12AS.pdf?ci_sign=c7e88fe8621910a4bd9800ab0ed9988bac77f308 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y CPC1945Y IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A4384923AE38BF&compId=CPC1945Y.pdf?ci_sign=a1bb4db4c3f93e15666e949682f73ba24088c71a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Switching method: zero voltage switching
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+189.14 грн
25+164.99 грн
75+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P IXFH24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P IXFK24N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A7E33E399F98BF&compId=IXF_22N65X2.pdf?ci_sign=0c8f69f0a301813161ad4a66663b73b0511fd05a
IXFP22N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.77 грн
10+272.85 грн
50+223.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP22N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB2D04AD8BB8BF&compId=IXFP22N65X2M.pdf?ci_sign=641ab7467b1b0dee58df8d256bcf0bafa48e6d62
IXFP22N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.50 грн
10+215.70 грн
50+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector current: 26A
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1182.27 грн
5+952.14 грн
10+847.51 грн
30+805.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+417.78 грн
3+349.31 грн
10+308.26 грн
30+277.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1.pdf
IXXH40N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1.pdf
IXXH40N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1.pdf
IXXH40N65C4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.65 грн
50+223.75 грн
100+206.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDH20N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E29206428EEA27F19A99005056AB752F&compId=IXDH20N120_IXDH20N120D1.pdf?ci_sign=868beffbdc782c683957f60a286ccc2aecbc511a
IXDH20N120
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 175ns
Turn-off time: 570ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.99 грн
3+408.06 грн
10+360.57 грн
30+323.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFK20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN20N120P IXFN20N120P.pdf
IXFN20N120P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 570mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 595W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 193nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1199.60 грн
3+1079.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6B4B820&compId=IXFR20N120P.pdf?ci_sign=3ec4bae68a596108eefc3f91613f3b2a858b33a0
IXFR20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 13A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2211.98 грн
3+1841.50 грн
10+1629.02 грн
30+1468.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A92D5F7781F8BF&compId=IXF_20N120P.pdf?ci_sign=f8c33191702a2a0a34deabac8302d8b29e2cedba
IXFX20N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGH20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.61 грн
30+360.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364
IXGP20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Gate charge: 50nC
Turn-off time: 1.53µs
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP20N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABBDF3F92A3820&compId=IXGA(P)20N120B3.pdf?ci_sign=693eed04e1173248dc559ce9f74a6894b0b31c5f
IXGP20N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 61ns
Gate charge: 51nC
Turn-off time: 720ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYH20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.81 грн
3+575.47 грн
10+555.35 грн
30+548.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYP20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5027B64E7820&compId=IXYT20N120C3D1HV.pdf?ci_sign=919d7cd0b29220ac3b93c7617f2b3fdc9d073e25
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 17A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A41EA29340F8BF&compId=cpc1390.pdf?ci_sign=4ed09f212104e2f97cb38f2c56316cc428366b9d
CPC1390GR
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMT
Case: DIP4
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 5kV
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.15 грн
10+131.19 грн
100+120.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1390GV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B492320042C0C7&compId=CPC1390.pdf?ci_sign=02d27267f722e98ae1add0787a699a87ad053c38
CPC1390GV
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 140mA; max.400VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 140mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 22Ω
Mounting: THT
Case: DIP4
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 1ms
Turn-off time: 1ms
Body dimensions: 4.57x6.35x3.3mm
Control current max.: 50mA
Insulation voltage: 5kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.56 грн
100+132.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N60X2A IXFH34N60X2A.pdf
IXFH34N60X2A
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3 IXFK(X)64N60Q3.pdf
IXFK64N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60X2 ixty2n65x2.pdf
IXTP14N60X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.52 грн
5+395.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1.pdf
IXXN110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 650A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1.pdf
IXXN110N65C4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 470A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1.pdf
IXXR110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 70A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 540W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.15 грн
3+622.15 грн
10+517.52 грн
30+480.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTT30N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 110A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 37ns
Gate charge: 37nC
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M.pdf
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 90W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 292ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX55N50 IXFX50N50_IXFX55N50.pdf
IXFX55N50
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 55A; 520W; PLUS247™; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Power dissipation: 520W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.08 грн
30+444.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.08 грн
5+499.01 грн
10+435.43 грн
50+413.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC009820&compId=IXFH100N25P.pdf?ci_sign=8543bb8bfc45a45bf095f4e45a85eebb13fb2f81
IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH100N30X3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c
IXFH100N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.56 грн
10+749.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH100N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4E5B26A23820&compId=IXXH100N60C3.pdf?ci_sign=d34a8167233d2e352f733d1eb503fd101039fa57
IXXH100N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 380A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 830W
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 95s
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+991.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.77 грн
3+293.77 грн
10+259.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1171.87 грн
3+1055.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.46 грн
30+447.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.08 грн
5+553.74 грн
10+492.57 грн
30+425.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1117N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A38CFB799FD8BF&compId=cpc1117n.pdf?ci_sign=42c5ed3862d631ccfa4f4ee18df640d714bcd8ff
CPC1117N
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Case: SOP4
On-state resistance: 16Ω
Turn-off time: 10ms
Turn-on time: 10ms
Body dimensions: 4.09x3.81x2.03mm
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Insulation voltage: 1.5kV
Relay variant: 1-phase; current source
Manufacturer series: OptoMOS
Kind of output: MOSFET
Mounting: SMT
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC
Operating temperature: -40...85°C
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.61 грн
50+78.88 грн
100+74.85 грн
300+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMO62-12IO6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B8F478DC2F5F9E28&compId=MMo62-12io6-DTE.pdf?ci_sign=10ad4c18982c2d0b7cdd649068aaadc5dde3b16c
MMO62-12IO6
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; opposing; 1.2kV; 30A; SOT227B; Ufmax: 1.29V
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: opposing
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.29V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: bulk
Gate current: 100mA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF09019D31818BF&compId=DSP8-12A.pdf?ci_sign=4c1df90e7f9f491684d5e61712aacbe284a80828
DSP8-12A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; 100W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.09 грн
5+144.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEC4740C124560C4&compId=DSP8-12AS.pdf?ci_sign=c7e88fe8621910a4bd9800ab0ed9988bac77f308
DSP8-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120kA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120kA
Power dissipation: 100W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.56 грн
5+169.02 грн
25+153.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-12AS-TUB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEC4740C124560C4&compId=DSP8-12AS.pdf?ci_sign=c7e88fe8621910a4bd9800ab0ed9988bac77f308
DSP8-12AS-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; D2PAK; Ufmax: 1.08V; Ifsm: 120A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: double series
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 120A
Power dissipation: 100W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1945Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A4384923AE38BF&compId=CPC1945Y.pdf?ci_sign=a1bb4db4c3f93e15666e949682f73ba24088c71a
CPC1945Y
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Icntrl max: 100mA; 1000mA; max.120VAC; OptoMOS
Type of relay: solid state
Max. operating current: 1A
Switched voltage: max. 120V AC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Case: SIP4
Operating temperature: -40...85°C
Switching method: zero voltage switching
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 19.2x6.35x3.3mm
Control current max.: 100mA
Insulation voltage: 3.75kV
Kind of output: MOSFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.49 грн
10+189.14 грн
25+164.99 грн
75+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFH24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCB94722F39820&compId=IXFH(K%2CT)24N80P.pdf?ci_sign=de1ae4e3915cc5ae12d6efcc3663703594898c91
IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]