Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 253 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXTT140P10T IXYS IXT_140P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS IXTH(T)16N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS IXT_16P60P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1224.89 грн
2+807.61 грн
4+734.64 грн
510+706.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS IXTK170N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Case: TO268
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1036.52 грн
2+719.12 грн
5+654.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646 IXTT1N250HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N450HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf IXTT20P50P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20 IXYS IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+949.58 грн
2+666.47 грн
5+629.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef IXTT26N50P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60P IXYS a IXTT26N60P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HV IXYS IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L IXTT30N50L IXYS IXTH(Q,T)30N50L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2 IXTT30N50L2 IXYS IXTH(Q,T)30N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50P IXTT30N50P IXYS IXTH(Q,T,V)30N50P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HV IXTT34N65X2HV IXYS IXTT34N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2 IXTT360N055T2 IXYS IXTH(T)360N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50P IXYS a IXTT36N50P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HV IXTT3N200P3HV IXYS IXTH(T)3N200P3HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO268HV
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2 IXTT40N50L2 IXYS IXTH(T,Q)40N50L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS IXT_48P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV IXTT4N150HV IXYS IXTA(T)4N150HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+863.60 грн
2+663.23 грн
5+603.68 грн
30+593.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT52N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25P IXTT64N25P IXYS IXTQ64N25P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1166.10 грн
3+1102.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTT6N120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N150 IXYS IXTT6N150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf IXTT74N20P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1458.66 грн
2+1025.27 грн
3+968.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L IXTT80N20L IXYS IXTH(T)80N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+688.76 грн
5+664.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT88N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXTT8P50 IXYS IXT_8P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+728.36 грн
2+559.83 грн
6+509.50 грн
30+501.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf IXTT90P10P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n15p_datasheet.pdf.pdf IXTT96N15P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf IXTU01N100 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.08 грн
8+142.62 грн
21+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.82 грн
5+225.42 грн
7+173.12 грн
17+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX102N65X2 IXTX102N65X2 IXYS IXTK(X)102N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX110N20L2 IXYS IXTX110N20L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2163.84 грн
2+1972.92 грн
30+1826.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX170P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf IXTX170P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX17N120L IXYS DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf IXTX17N120L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX1R4N450HV IXYS IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf IXTX200N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX20N150 IXTX20N150 IXYS IXTK(X)20N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; PLUS247™; 1.1us
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS IXTX210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2158.04 грн
2+1967.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX22N100L IXTX22N100L IXYS IXTK(X)22N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTT140N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10T IXT_140P10T.pdf
IXTT140P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Виробник: IXYS
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Виробник: IXYS
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2 IXTH(T)16N50D2.pdf
IXTT16N50D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 695W
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60P IXT_16P60P.pdf
IXTT16P60P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.89 грн
2+807.61 грн
4+734.64 грн
510+706.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P IXTK170N10P-DTE.pdf
IXTT170N10P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Case: TO268
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1036.52 грн
2+719.12 грн
5+654.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
Виробник: IXYS
IXTT1N250HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT1N450HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT20P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT20P50P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT24P20
Виробник: IXYS
IXTT24P20 SMD P channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+949.58 грн
2+666.47 грн
5+629.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef
Виробник: IXYS
IXTT26N50P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT26N60P a
Виробник: IXYS
IXTT26N60P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Виробник: IXYS
IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT2N300P3HV
Виробник: IXYS
IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L IXTH(Q,T)30N50L.pdf
IXTT30N50L
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2 IXTH(Q,T)30N50L2.pdf
IXTT30N50L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50P IXTH(Q,T,V)30N50P_S.pdf
IXTT30N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTT30N60P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HV IXTT34N65X2HV.pdf
IXTT34N65X2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2 IXTH(T)360N055T2.pdf
IXTT360N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50P a
Виробник: IXYS
IXTT36N50P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HV IXTH(T)3N200P3HV.pdf
IXTT3N200P3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 520W
Case: TO268HV
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2 IXTH(T,Q)40N50L2.pdf
IXTT40N50L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HV media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P IXT_48P20P.pdf
IXTT48P20P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: -48A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV IXTA(T)4N150HV.pdf
IXTT4N150HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.60 грн
2+663.23 грн
5+603.68 грн
30+593.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT52N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25P IXTQ64N25P-DTE.pdf
IXTT64N25P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1166.10 грн
3+1102.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT6N120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N150
Виробник: IXYS
IXTT6N150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT74N20P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1458.66 грн
2+1025.27 грн
3+968.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20L IXTH(T)80N20L.pdf
IXTT80N20L
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 80A; 520W; TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 80A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.76 грн
5+664.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT88N30P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50 IXT_8P50.pdf
IXTT8P50
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.36 грн
2+559.83 грн
6+509.50 грн
30+501.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT90P10P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTT96N15P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU01N100 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.08 грн
8+142.62 грн
21+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTU8N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; Idm: 16A; 150W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.82 грн
5+225.42 грн
7+173.12 грн
17+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX102N65X2 IXTK(X)102N65X2.pdf
IXTX102N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX110N20L2
Виробник: IXYS
IXTX110N20L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120N65X2 IXT_120N65X2.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX120P20T IXT_120P20T.pdf
IXTX120P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Case: PLUS247™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2163.84 грн
2+1972.92 грн
30+1826.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX170P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX170P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX17N120L DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf
Виробник: IXYS
IXTX17N120L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX1R4N450HV
Виробник: IXYS
IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX200N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTX200N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX20N150 IXTK(X)20N150.pdf
IXTX20N150
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; PLUS247™; 1.1us
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX210P10T IXTX210P10T.pdf
IXTX210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2158.04 грн
2+1967.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX22N100L IXTK(X)22N100L.pdf
IXTX22N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]