Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH3N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTH3N200P3HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH40N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTH420N04T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH440N055T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH44P15T | IXYS |
![]() |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH450P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 462W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarP™ Drain-source voltage: -200V Drain current: -48A Reverse recovery time: 260ns Gate charge: 103nC On-state resistance: 85mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTH4N100L | IXYS | IXTH4N100L THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH4N150 | IXYS | IXTH4N150 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH500N04T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH50N30L2 | IXYS | IXTH50N30L2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH50P10 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Gate charge: 0.14µC Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of package: tube Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTH52N65X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3 Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 330ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTH62N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH64N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH64N65X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH68P20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: TrenchP™ Kind of package: tube Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -68A Gate charge: 380nC Reverse recovery time: 245ns On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 568W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTH6N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH6N120 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH6N150 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH6N50D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH75N10L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: Linear L2™ кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTH76N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH76P10T | IXYS |
![]() |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTH80N075L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTH80N20L | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTH80N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 137nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 465ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTH88N15 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH8P50 | IXYS |
![]() |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTH90P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Case: TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Gate charge: 0.12µC Reverse recovery time: 144ns On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 462W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTH96N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTH96N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTH96P085T | IXYS |
![]() |
на замовлення 367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTJ4N150 | IXYS | IXTJ4N150 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTJ6N150 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK100N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264 Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 600W Drain-source voltage: 250V Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Mounting: THT Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 27mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTK102N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTK110N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTK120N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTK120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Technology: Polar™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 24mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 700W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 230nC Reverse recovery time: 505ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTK120P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK140N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTK140N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK170N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 312 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTK170P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 176ns On-state resistance: 14mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 890W Case: TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTK17N120L | IXYS | IXTK17N120L THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK180N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 180A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: Polar™ Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTK200N10L2 | IXYS | IXTK200N10L2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTK20N150 | IXYS | IXTK20N150 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: -210A Drain-source voltage: -100V Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTK22N100L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTK240N075L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTH3N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH3N200P3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH40N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH420N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH440N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
IXTH44P15T THT P channel transistors
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 666.44 грн |
3+ | 470.32 грн |
7+ | 444.61 грн |
IXTH450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
IXTH450P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 821.26 грн |
2+ | 636.71 грн |
6+ | 578.85 грн |
10+ | 556.95 грн |
IXTH48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 462W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 462W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 983.26 грн |
2+ | 721.73 грн |
5+ | 656.92 грн |
30+ | 631.22 грн |
IXTH4N100L |
Виробник: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
IXTH4N100L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH4N150 |
Виробник: IXYS
IXTH4N150 THT N channel transistors
IXTH4N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH500N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH50N30L2 |
Виробник: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH50P10 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1022.22 грн |
2+ | 701.96 грн |
5+ | 638.83 грн |
510+ | 629.31 грн |
1020+ | 615.03 грн |
IXTH52N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
IXTH52N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 750.52 грн |
3+ | 466.66 грн |
7+ | 424.62 грн |
120+ | 412.24 грн |
IXTH60N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH62N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH64N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH64N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH64N65X THT N channel transistors
IXTH64N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH68P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1298.02 грн |
2+ | 1076.67 грн |
3+ | 979.67 грн |
30+ | 954.92 грн |
510+ | 942.54 грн |
IXTH6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
IXTH6N120 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
IXTH6N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 768.97 грн |
3+ | 472.59 грн |
7+ | 430.33 грн |
IXTH75N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
IXTH76N25T THT N channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 542.38 грн |
4+ | 342.74 грн |
9+ | 323.70 грн |
IXTH76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
IXTH76P10T THT P channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 740.26 грн |
3+ | 467.46 грн |
7+ | 442.71 грн |
IXTH80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.14 грн |
3+ | 552.67 грн |
6+ | 503.64 грн |
120+ | 483.65 грн |
IXTH80N20L |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH80N20L THT N channel transistors
IXTH80N20L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH80N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH88N15 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
IXTH88N15 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
IXTH88N30P THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 942.25 грн |
2+ | 773.07 грн |
4+ | 731.18 грн |
IXTH8P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH8P50 THT P channel transistors
IXTH8P50 THT P channel transistors
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 872.53 грн |
3+ | 550.29 грн |
6+ | 520.78 грн |
IXTH90P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1007.86 грн |
2+ | 665.38 грн |
5+ | 605.51 грн |
120+ | 582.66 грн |
IXTH96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
IXTH96N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH96N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
IXTH96N25T THT N channel transistors
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 654.14 грн |
3+ | 413.19 грн |
8+ | 391.30 грн |
IXTH96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
IXTH96P085T THT P channel transistors
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 692.07 грн |
3+ | 467.46 грн |
7+ | 442.71 грн |
IXTJ4N150 |
Виробник: IXYS
IXTJ4N150 THT N channel transistors
IXTJ4N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTJ6N150 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTJ6N150 THT N channel transistors
IXTJ6N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK100N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 27mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 27mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK102N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
IXTK102N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK102N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK110N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1323.65 грн |
2+ | 1046.02 грн |
4+ | 952.06 грн |
25+ | 944.44 грн |
50+ | 914.93 грн |
IXTK120N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK120P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
IXTK120P20T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK140N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK140N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
IXTK140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 878.68 грн |
2+ | 760.29 грн |
3+ | 731.18 грн |
5+ | 692.15 грн |
25+ | 684.53 грн |
100+ | 664.54 грн |
IXTK170P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK17N120L |
Виробник: IXYS
IXTK17N120L THT N channel transistors
IXTK17N120L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK180N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1325.71 грн |
2+ | 1018.34 грн |
4+ | 927.31 грн |
25+ | 891.13 грн |
IXTK200N10L2 |
Виробник: IXYS
IXTK200N10L2 THT N channel transistors
IXTK200N10L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK200N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1070.41 грн |
2+ | 996.59 грн |
3+ | 946.35 грн |
4+ | 907.31 грн |
10+ | 873.04 грн |
IXTK20N150 |
Виробник: IXYS
IXTK20N150 THT N channel transistors
IXTK20N150 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2199.26 грн |
2+ | 2005.04 грн |
5+ | 1926.97 грн |
10+ | 1856.51 грн |
IXTK22N100L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTK240N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.