Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ30N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.215Ω Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTQ30N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 460W Case: TO3P On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTQ30N60L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO3P On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 335nC Reverse recovery time: 710ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTQ30N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Case: TO3P On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 82nC Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXTQ32N65X | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ34N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ36N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ36N50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTQ36P15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ3N150M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.83A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 73W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTQ40N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXTQ44N50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ44P15T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ450P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ460P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 48nC Technology: Polar2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ470P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ480P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ48N20T | IXYS | IXTQ48N20T THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ50N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXTQ50N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXTQ52N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 206 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTQ52P10P | IXYS |
![]() |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXTQ60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 330ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
IXTQ60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ69N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns Case: TO3P Reverse recovery time: 330ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 69A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 156nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXTQ74N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ75N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTQ76N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 148ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 92nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTQ82N25P | IXYS |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTQ86N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ88N30P | IXYS |
![]() |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTQ96N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ96N20P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTQ96N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTR102N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Power dissipation: 330W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IXTR120P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTR140P10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTR16P60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTR170P10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTR20P50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 103nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 406ns Drain-source voltage: -500V Drain current: -13A On-state resistance: 0.49Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 190W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTR210P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -195A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTR32P60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTR36P15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXTR40P50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 312W Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 477ns Drain-source voltage: -500V Drain current: -22A On-state resistance: 0.26Ω Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTR48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 93mΩ Drain current: -30A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 103nC Reverse recovery time: 260ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTR62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTR90P10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
IXTR90P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 205nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Reverse recovery time: 315ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -53A On-state resistance: 48mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXTT02N450HV | IXYS |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTT10N100D | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT10N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT10P60 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT110N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT110N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT11P50 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT12N150 | IXYS | IXTT12N150 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT12N150HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
IXTT140N075L2HV | IXYS | IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTQ30N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ30N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ30N60L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ30N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ32N65X |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ32N65X THT N channel transistors
IXTQ32N65X THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ34N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 780.53 грн |
2+ | 550.52 грн |
6+ | 501.42 грн |
IXTQ36N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ36N30P THT N channel transistors
IXTQ36N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ36N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
IXTQ36N50P THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1091.58 грн |
2+ | 688.00 грн |
5+ | 650.32 грн |
IXTQ36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ36P15P THT P channel transistors
IXTQ36P15P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ3N150M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ40N50L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ44N50P THT N channel transistors
IXTQ44N50P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ44P15T THT P channel transistors
IXTQ44P15T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ450P2 THT N channel transistors
IXTQ450P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 523.57 грн |
4+ | 346.52 грн |
9+ | 315.74 грн |
120+ | 303.19 грн |
IXTQ470P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ470P2 THT N channel transistors
IXTQ470P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ480P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
IXTQ480P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ48N20T |
Виробник: IXYS
IXTQ48N20T THT N channel transistors
IXTQ48N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ48N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 954.41 грн |
2+ | 664.16 грн |
5+ | 604.58 грн |
IXTQ50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ50N20P THT N channel transistors
IXTQ50N20P THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.56 грн |
5+ | 247.57 грн |
12+ | 234.12 грн |
IXTQ50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ52N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 564.14 грн |
3+ | 355.21 грн |
9+ | 336.38 грн |
2010+ | 335.34 грн |
IXTQ52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
IXTQ52P10P THT P channel transistors
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 615.34 грн |
3+ | 374.05 грн |
8+ | 353.42 грн |
IXTQ60N20L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 507.15 грн |
5+ | 246.85 грн |
13+ | 224.25 грн |
IXTQ62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ62N15P THT N channel transistors
IXTQ62N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ69N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Case: TO3P
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 156nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Case: TO3P
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 156nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ74N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ74N20P THT N channel transistors
IXTQ74N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ75N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ75N10P THT N channel transistors
IXTQ75N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Mounting: THT
Case: TO3P
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 512.95 грн |
3+ | 445.26 грн |
4+ | 340.86 грн |
9+ | 322.02 грн |
IXTQ82N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
IXTQ82N25P THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 743.82 грн |
3+ | 467.34 грн |
7+ | 442.22 грн |
IXTQ86N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ86N20T THT N channel transistors
IXTQ86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ88N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
IXTQ88N30P THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 950.54 грн |
2+ | 676.34 грн |
5+ | 639.56 грн |
IXTQ96N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N15P THT N channel transistors
IXTQ96N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ96N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N20P THT N channel transistors
IXTQ96N20P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ96N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ96N25T THT N channel transistors
IXTQ96N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR102N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Power dissipation: 330W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; 330W; ISOPLUS247™; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Power dissipation: 330W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR120P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR120P20T THT P channel transistors
IXTR120P20T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR140P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR140P10T THT P channel transistors
IXTR140P10T THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR16P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR16P60P THT P channel transistors
IXTR16P60P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR170P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR170P10P THT P channel transistors
IXTR170P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR20P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -13A
On-state resistance: 0.49Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 406ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -13A
On-state resistance: 0.49Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1082.89 грн |
2+ | 839.28 грн |
4+ | 764.24 грн |
30+ | 751.69 грн |
IXTR210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -195A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -195A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2325.16 грн |
2+ | 2120.09 грн |
30+ | 1968.92 грн |
IXTR32P60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR32P60P THT P channel transistors
IXTR32P60P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
IXTR36P15P THT P channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 803.71 грн |
2+ | 563.32 грн |
6+ | 532.82 грн |
IXTR40P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1217.16 грн |
2+ | 911.01 грн |
4+ | 829.72 грн |
IXTR48P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1082.89 грн |
2+ | 839.28 грн |
4+ | 764.24 грн |
30+ | 751.69 грн |
IXTR62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR62N15P THT N channel transistors
IXTR62N15P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR90P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTR90P10P THT P channel transistors
IXTR90P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTR90P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 752.51 грн |
3+ | 693.97 грн |
10+ | 645.84 грн |
IXTT02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
IXTT02N450HV SMD N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2030.81 грн |
2+ | 1919.58 грн |
IXTT10N100D |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT10N100D SMD N channel transistors
IXTT10N100D SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT10N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT10N100D2 SMD N channel transistors
IXTT10N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT10P60 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT10P60 SMD P channel transistors
IXTT10P60 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT110N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT110N10L2 SMD N channel transistors
IXTT110N10L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT110N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT110N10P SMD N channel transistors
IXTT110N10P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT11P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT11P50 SMD P channel transistors
IXTT11P50 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT12N150 |
Виробник: IXYS
IXTT12N150 SMD N channel transistors
IXTT12N150 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT12N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTT140N075L2HV |
Виробник: IXYS
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.