Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18009) > Сторінка 249 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK140N30P IXYS a IXTK140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P IXYS IXTK170N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+827.86 грн
2+717.26 грн
5+653.02 грн
25+644.94 грн
100+626.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10P IXTK170P10P IXYS IXTK170P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: -170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 176ns
Case: TO264
Gate charge: 240nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120L IXTK17N120L IXYS IXTK(X)17N120L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS IXTK180N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1344.67 грн
2+966.90 грн
4+880.85 грн
10+847.66 грн
25+846.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2 IXTK200N10L2 IXYS IXT_200N10L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 245ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 540nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS IXTK200N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1220.06 грн
2+939.88 грн
3+904.18 грн
4+854.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 IXTK20N150 IXYS IXTK(X)20N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2072.07 грн
2+1889.08 грн
100+1749.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS IXTK(X)22N100L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1426.78 грн
3+1300.37 грн
25+1210.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK3N250L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf IXTK3N250L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTK550N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK600N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTK600N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf IXTK60N50L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2 IXTK90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS IXTK90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1454.80 грн
3+1326.46 грн
10+1257.59 грн
25+1227.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2N450 IXYS IXTL2N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS IXTN110N20L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 275A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN17N120L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2 IXYS IXTN200N10L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10T IXTN200N10T IXYS IXTN200N10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS IXTN210P10T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS IXTN22N100L.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN30N100L IXYS IXTN30N100L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60P IXYS DS99991(IXTN32P60P).pdf IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50L IXTN46N50L IXYS IXTN46N50L.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 100A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5 IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c62d818e-4862-4ab8-af50-06096819ed00&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn90n25-datasheet IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS IXTN90P20P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+551.59 грн
3+403.34 грн
8+367.77 грн
250+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 IXTP02N50D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS IXTA(P)05N100_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS IXTP05N100M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS IXTP05N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.11 грн
9+136.00 грн
23+123.79 грн
500+119.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.81 грн
3+153.70 грн
10+116.61 грн
26+110.33 грн
250+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP08N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.16 грн
9+136.00 грн
23+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS IXTA(P)100N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+234.74 грн
10+114.57 грн
26+104.05 грн
500+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T IXYS DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf IXTP102N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P a
Виробник: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P-DTE.pdf
IXTK170N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 120ns
Case: TO264
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.86 грн
2+717.26 грн
5+653.02 грн
25+644.94 грн
100+626.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10P IXTK170P10P.pdf
IXTK170P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: -170A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 176ns
Case: TO264
Gate charge: 240nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120L IXTK(X)17N120L.pdf
IXTK17N120L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 17A
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Reverse recovery time: 1.83µs
Case: TO264
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15P IXTK180N15P-DTE.pdf
IXTK180N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1344.67 грн
2+966.90 грн
4+880.85 грн
10+847.66 грн
25+846.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2 IXT_200N10L2.pdf
IXTK200N10L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Mounting: THT
Reverse recovery time: 245ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 540nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P-DTE.pdf
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO264
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.06 грн
2+939.88 грн
3+904.18 грн
4+854.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150 IXTK(X)20N150.pdf
IXTK20N150
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 215nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.1µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T.pdf
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2072.07 грн
2+1889.08 грн
100+1749.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100L IXTK(X)22N100L.pdf
IXTK22N100L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P.pdf
IXTK32P60P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.78 грн
3+1300.37 грн
25+1210.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK3N250L media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXTK3N250L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Виробник: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK550N055T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK600N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK600N04T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK60N50L2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25P a
Виробник: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTK90N25L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90P20P IXTK90P20P.pdf
IXTK90P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1454.80 грн
3+1326.46 грн
10+1257.59 грн
25+1227.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2N450
Виробник: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTL2N470
Виробник: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2.pdf
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2.pdf
IXTN110N20L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 500nC
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 275A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc
Виробник: IXYS
IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN17N120L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10L2 IXTN200N10L2.pdf
IXTN200N10L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 178A
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
On-state resistance: 11mΩ
Gate charge: 540nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 245ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN200N10T IXTN200N10T.pdf
IXTN200N10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: SOT227B
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 76ns
Pulsed drain current: 500A
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: TrenchMV™
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T.pdf
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: -800A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100L IXTN22N100L.pdf
IXTN22N100L
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN30N100L
Виробник: IXYS
IXTN30N100L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN32P60P DS99991(IXTN32P60P).pdf
Виробник: IXYS
IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN46N50L IXTN46N50L.pdf
IXTN46N50L
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 100A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN600N04T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5
Виробник: IXYS
IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN80N30L2 IXTN80N30L2.pdf
IXTN80N30L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 80A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 38mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 660nC
Reverse recovery time: 485ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN8N150L
Виробник: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90N25L2 media?resourcetype=datasheets&itemid=c62d818e-4862-4ab8-af50-06096819ed00&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn90n25-datasheet
Виробник: IXYS
IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN90P20P IXTN90P20P.pdf
IXTN90P20P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: -90A
Drain-source voltage: -200V
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -270A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.59 грн
3+403.34 грн
8+367.77 грн
250+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Виробник: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Виробник: IXYS
IXTP02N50D THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100 IXTA(P)05N100_HV.pdf
IXTP05N100
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100M IXTP05N100M.pdf
IXTP05N100M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP05N100P IXTP05N100P.pdf
IXTP05N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Виробник: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Power dissipation: 60W
Gate charge: 325nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.11 грн
9+136.00 грн
23+123.79 грн
500+119.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.81 грн
3+153.70 грн
10+116.61 грн
26+110.33 грн
250+108.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.16 грн
9+136.00 грн
23+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTA(P)100N04T2.pdf
IXTP100N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 34ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.74 грн
10+114.57 грн
26+104.05 грн
500+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf
Виробник: IXYS
IXTP102N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]