Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18217) > Сторінка 249 з 304

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGP30N120B3 IXGP30N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+974.03 грн
3+449.85 грн
8+409.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 IXGP36N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AEA0378A51C3820&compId=IXGA(P%2CH)36N60A3.pdf?ci_sign=ba06c4deb17583973f6fa92da2d0c294ed9e4688 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP42N30C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 42A
Power dissipation: 223W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 113ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR24N120C3D1 IXGR24N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC6F05F14E3820&compId=IXGR24N120C3D1.pdf?ci_sign=af08643f59ea5edc5b65e80d47d0185b2b6c112f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR32N90B2D1 IXGR32N90B2D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAA0C3ABDBB820&compId=IXGR32N90B2D1.pdf?ci_sign=4e3505393e88d60d0432f68251c3df3d2cf69303 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Gate charge: 89nC
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 900V
Case: PLUS247™
Technology: HiPerFAST™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1476.42 грн
2+1089.52 грн
3+991.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR55N120A3H1 IXGR55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD491737D79820&compId=IXGR55N120A3H1.pdf?ci_sign=8ff4a90dc5b497cce2442de4bf97526e3dcdb303 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170A IXGR6N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE50C49C1F3820&compId=IXGR6N170A.pdf?ci_sign=8948416bce328945a3a4ac2809f5d3317343395b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXYS 98991.pdf IXGT10N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170 IXGT16N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A IXGT16N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1 IXGT16N170AH1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170 IXGT24N170 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 106nC
Turn-off time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170A IXGT24N170A IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 54ns
Gate charge: 0.14µC
Turn-off time: 456ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf IXGT25N160 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3d1-datasheet?assetguid=cff2e491-1b8d-43c2-9df6-8e501020c56a IXGT30N120B3D1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N120A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf IXGT32N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170A IXYS 98942.pdf IXGT32N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+577.24 грн
3+443.92 грн
8+404.62 грн
30+397.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170A IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8 IXGT6N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 IXGT72N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1061.18 грн
2+730.63 грн
5+665.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgn100n170_datasheet.pdf.pdf IXGX100N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 IXGX120N120A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 IXGX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 IXGX120N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1977.79 грн
2+1803.35 грн
30+1709.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 196nC
Turn-off time: 485ns
Power dissipation: 460W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60A3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx72n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXGX72N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120A3 IXYS IXGX82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120B3 IXYS IXGX82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC23N60C5 IXKC23N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6CB820&compId=IXKC23N60C5.pdf?ci_sign=c1a5b75b3ab726fbed4e498e342a467c0b978d16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC25N80C IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 550ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C IXYS description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+615.18 грн
3+425.13 грн
8+387.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 IXKH35N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH47N60C IXKH47N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5 IXYS IXKH70N60C5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C IXKK85N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C IXKN40N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN45N80C IXKN45N80C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EFA0178ACB99820&compId=IXKN45N80C.pdf?ci_sign=3a67251ab3748ae8b17238230362fb2fdf304e04 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 360nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C IXKN75N60C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M IXYS IXKP20N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR25N80C IXKR25N80C IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c
IXGP30N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.03 грн
3+449.85 грн
8+409.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP36N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AEA0378A51C3820&compId=IXGA(P%2CH)36N60A3.pdf?ci_sign=ba06c4deb17583973f6fa92da2d0c294ed9e4688
IXGP36N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 220W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 220W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP42N30C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh42n30c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 42A
Power dissipation: 223W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 113ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR24N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC6F05F14E3820&compId=IXGR24N120C3D1.pdf?ci_sign=af08643f59ea5edc5b65e80d47d0185b2b6c112f
IXGR24N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR32N90B2D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAAA0C3ABDBB820&compId=IXGR32N90B2D1.pdf?ci_sign=4e3505393e88d60d0432f68251c3df3d2cf69303
IXGR32N90B2D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 22A; 160W; PLUS247™
Gate charge: 89nC
Turn-on time: 42ns
Turn-off time: 690ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 22A
Power dissipation: 160W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 900V
Case: PLUS247™
Technology: HiPerFAST™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 187ns
Turn-on time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1476.42 грн
2+1089.52 грн
3+991.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD491737D79820&compId=IXGR55N120A3H1.pdf?ci_sign=8ff4a90dc5b497cce2442de4bf97526e3dcdb303
IXGR55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 330A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 1253ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAE50C49C1F3820&compId=IXGR6N170A.pdf?ci_sign=8948416bce328945a3a4ac2809f5d3317343395b
IXGR6N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 2.5A; 50W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 91ns
Turn-off time: 271ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAFC0A869B5820&compId=IXGR72N60B3H1.pdf?ci_sign=3c041375a94491207a4b390f85ce524a1ae5bf68
IXGR72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb
Виробник: IXYS
IXGT10N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A 98991.pdf
Виробник: IXYS
IXGT10N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616
IXGT16N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGT16N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF1B026578F820&compId=IXGH(t)16N170A_H1.pdf?ci_sign=82251fb9a53624c1a8393f1c64015dacf9520a38
IXGT16N170AH1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO268
Technology: NPT
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Collector current: 11A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 190W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3D3296E6F820&compId=IXGH(T)24N170.pdf?ci_sign=bcf829c7a280c895f4c01ef3c947f0ab37ed7901
IXGT24N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 105ns
Gate charge: 106nC
Turn-off time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAF3FCFE5B71820&compId=IXGH(T)24N170A.pdf?ci_sign=d7f55190fb1ae41de43c5d2e465d23d3a7cfcd72
IXGT24N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Case: TO268
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Turn-on time: 54ns
Gate charge: 0.14µC
Turn-off time: 456ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_25n160_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT25N160 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3d1-datasheet?assetguid=cff2e491-1b8d-43c2-9df6-8e501020c56a
Виробник: IXYS
IXGT30N120B3D1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N120A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N120A3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170A 98942.pdf
Виробник: IXYS
IXGT32N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AC85C0A43CAF6143&compId=IXGH60N60C3D1.pdf?ci_sign=d1772246c354e72dee61d6359d7d34dc318e2070
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.24 грн
3+443.92 грн
8+404.62 грн
30+397.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_6n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT6N170 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170A littelfuse-discrete-igbts-ixg-6n170-datasheet?assetguid=d2aa0a4b-a2a5-4d3c-b4a9-b7da563ee3f8
Виробник: IXYS
IXGT6N170A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT6N170AHV littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgt6n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGT6N170AHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT72N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995F26C6047E6B8BF&compId=IXG_72N60A3.pdf?ci_sign=0ce66d2a8d28592d9e3c10534b015eab49abd70e
IXGT72N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1061.18 грн
2+730.63 грн
5+665.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX100N170 littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgn100n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX100N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE298DEDCD820&compId=IXGK(x)120N120A3.pdf?ci_sign=c7a8186a489035ec0ead3df55bd4f31bb6ed73dd
IXGX120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADE7EA92E47820&compId=IXGK(x)120N120B3.pdf?ci_sign=66d03d7a35e3abfe1e2dfa50266727cc891d888d
IXGX120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX120N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB7481B6FA7820&compId=IXGX120N60A3.pdf?ci_sign=7c6c1f981d719adcb00100c5b7522dd0575ab8b6
IXGX120N60A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 450nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 830ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX320N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE3FAC0877D7820&compId=IXGK(x)320N60B3.pdf?ci_sign=7f3fb659fb9326cceb8b246edbd061c9df14d441
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 585nC
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Collector current: 320A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1977.79 грн
2+1803.35 грн
30+1709.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD2F4A1BC0B820&compId=IXGK(X)50N120C3H1.pdf?ci_sign=61c063dc7fba9e54ef68ca4e62646d9c16039893
IXGX50N120C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 196nC
Turn-off time: 485ns
Power dissipation: 460W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX55N120A3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD6CE88C967820&compId=IXGK(X)55N120A3H1.pdf?ci_sign=71c157a42906878436bf546790bc3e7783e519ba
IXGX55N120A3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 1253ns
Collector current: 55A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Pulsed collector current: 400A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60A3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_72n60a3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX72N60A3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx72n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXGX72N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120A3
Виробник: IXYS
IXGX82N120A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX82N120B3
Виробник: IXYS
IXGX82N120B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHH40N150HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHH40N150HV-Datasheet?assetguid=1d7bcfdb-8431-454b-82bd-963af9b0fa5f
Виробник: IXYS
IXHH40N150HV SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXHX40N150V1HV Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet?assetguid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a
Виробник: IXYS
IXHX40N150V1HV SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC15N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC19N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC23N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6CB820&compId=IXKC23N60C5.pdf?ci_sign=c1a5b75b3ab726fbed4e498e342a467c0b978d16
IXKC23N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 147W; ISOPLUS220™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: ISOPLUS220™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC25N80C littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkc25n80c_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; ISOPLUS220™; 550ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Reverse recovery time: 550ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKC40N60C description
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; ISOPLUS220™; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Case: ISOPLUS220™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKF40N60SCD1 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkf40n60scd1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXKF40N60SCD1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH20N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC6F7820&compId=IXK(H)20N60C5.pdf?ci_sign=c65d3b92b0e7d2e519176033758644dd7791b0c2
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 32nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.18 грн
3+425.13 грн
8+387.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH30N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC70D820&compId=IXKH30N60C5.pdf?ci_sign=8051dd0ea17db6300c6cf149e84768e208bbb789
IXKH30N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 310W
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 53nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH35N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC723820&compId=IXKH35N60C5.pdf?ci_sign=677b8d3db43cba52c4ebd7ef4e22bc33c3c7302c
IXKH35N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH47N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC739820&compId=IXKH47N60C.pdf?ci_sign=43bb435c43c10b1bc34c0027e601cdcadb46f0c7
IXKH47N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH70N60C5
Виробник: IXYS
IXKH70N60C5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKK85N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC765820&compId=IXKK85N60C.pdf?ci_sign=45f48f1ec514485461df7d7e3f166714c6045391
IXKK85N60C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 85A; 694W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 85A
Power dissipation: 694W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN40N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF97A6564945820&compId=IXKN40N60C.pdf?ci_sign=0300786f6154158bf7a8b4fe525318c2a5bf5c3a
IXKN40N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; 290W; 250nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 290W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 650ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN45N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EFA0178ACB99820&compId=IXKN45N80C.pdf?ci_sign=3a67251ab3748ae8b17238230362fb2fdf304e04
IXKN45N80C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 44A; SOT227B; screw; 380W; 360nC
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 74mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 360nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKN75N60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5CF884CAC483E28&compId=IXKN75N60C-DTE.pdf?ci_sign=0fa51332a57718507258414fc17eaf7b8be70c9b
IXKN75N60C
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 560W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 580ns
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP20N60C5M IXKP20N60C5M.pdf
IXKP20N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; TO220FP; 340ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 340ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKR25N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883
IXKR25N80C
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 300 304  [ Наступна Сторінка >> ]