Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16524) > Сторінка 249 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXDI630CI IXYS IXD_630.pdf Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIATR IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200 Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXYS IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397 Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+158.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXYS littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514 Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+202.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR IXYS PdfFile_200801.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+542.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6 Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65 Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+149.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3 Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+328.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 IXYS littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8 description It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-14IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-16IO1 IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+213.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12io8B IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC26-12io8B-Datasheet?assetguid=fe28ac91-2f65-410b-974c-88ca4527e67b Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1276.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41 SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476 SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d 400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR IXYS littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1561BTR IXYS CPC1561B.pdf 1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+551.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.81 грн
5+509.53 грн
10+465.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.12 грн
10+587.67 грн
30+456.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.56 грн
3+376.37 грн
10+338.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.77 грн
10+97.28 грн
50+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.83 грн
10+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.69 грн
10+139.54 грн
50+137.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.31 грн
10+120.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.72 грн
10+114.82 грн
20+97.28 грн
25+91.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+872.46 грн
3+735.19 грн
5+684.95 грн
10+609.20 грн
30+562.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1543.12 грн
3+1352.36 грн
5+1282.99 грн
10+1149.83 грн
25+1024.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.28 грн
3+249.58 грн
10+186.59 грн
50+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.85 грн
10+237.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.07 грн
10+141.14 грн
50+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.17 грн
6+75.75 грн
10+66.98 грн
50+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXDI630CI IXD_630.pdf
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604PI littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN604SIATR littelfuse-integrated-circuits-ixd-604si-sia-datasheet?assetguid=9f38a290-f482-4588-95a1-b6b544380200
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609SIA IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN609YI IXD-609?assetguid=2E0352F3-1549-4FD2-9F7B-077F71DF5397
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+158.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI littelfuse-integrated-circuits-ixd-614-datasheet?assetguid=e66ef830-2f72-45bc-86ab-607383f42514
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR PdfFile_200801.pdf
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+542.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200HB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200HB-Datasheet?assetguid=e5a919d0-df83-4f7b-913c-d9845e6ef7f6
Виробник: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 28mA;   CLA30E1200HB TYCLA30e1200hb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+147.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA30E1200PB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA30E1200PB-Datasheet?assetguid=a4d05f17-646e-47d1-8dd8-9de3c784ec65
Виробник: IXYS
Thyristor; 47A; 1200V; 30mA;   CLA30E1200PB TYCLA30e1200pb
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+149.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CLA80E1200HF Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA80E1200HF-Datasheet?assetguid=f217bcf4-024a-43c9-8152-4bd306c33ce3
Виробник: IXYS
Thyristor; 126A; 1200V; 38mA;   CLA80E1200HF TYCLA80e1200hf
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-08ho1 media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Виробник: IXYS
Thyristor; 31A; 800V; 28mA;   CS19-08HO1 TYCS19-08ho1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 description littelfuse-power-semiconductors-cs19-08ho1-datasheet?assetguid=d1c925b9-0721-4534-9592-e4d653ae10b8
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+102.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-14IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-14io1-Datasheet?assetguid=e7e461a9-3eb6-43bb-bfd3-e125ab52c7ad
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-16IO1 Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-16io1-Datasheet?assetguid=51acf299-9569-46ae-83ea-5ba21942b78d
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-12io8B Littelfuse-Power-Semiconductors-MCC26-12io8B-Datasheet?assetguid=fe28ac91-2f65-410b-974c-88ca4527e67b
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1276.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303G CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1303GR CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1006N littelfuse-integrated-circuits-cpc1006n-datasheet?assetguid=62c4d3a3-07a8-4904-8267-d2dbcff34e41
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1008NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
Виробник: IXYS
SPST-NO; 50mA; SSR; 1 phase; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm CPC1008N IXYS P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1014NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1014n-datasheet?assetguid=f8c29b23-94fc-4306-8fcd-2632e2f7140d
Виробник: IXYS
400mA; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-4; 4,09 x 3,81 x 2,03mm; SSR; CPC1014N P CPC1014N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1017NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1017n-datasheet?assetguid=b4f177f1-629f-4104-97a5-8b8d709e83de
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1018NTR littelfuse-integrated-circuits-cpc1018n-datasheet?assetguid=5754d8fa-80db-484b-bf90-fc616cb67e8f
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.5V DC-IN 0.6A 60V AC/DC-OUT 4-Pin SOP Tube CPC1018NTR CPC1018N P CPC1018N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1561BTR CPC1561B.pdf
Виробник: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+551.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.81 грн
5+509.53 грн
10+465.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.12 грн
10+587.67 грн
30+456.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFQ50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA736A212647820&compId=IXFN56N90P.pdf?ci_sign=1704c2b3eb20115a665fadc521e3f11698690767
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Semiconductor structure: single transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh60n60x3-datasheet?assetguid=a2abbdf6-f7aa-40dd-9e8d-cb6511c5bb95
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HV littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixft60n60x3hv-datasheet?assetguid=786b6684-b13b-4fcc-99f4-90202ff2c41e
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.56 грн
3+376.37 грн
10+338.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXKH24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCCBFD858A9820&compId=IXKH(P)24N60C5.pdf?ci_sign=b14626ee07570309f8b16fb964ec018d60371d34
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.77 грн
10+97.28 грн
50+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.83 грн
10+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.69 грн
10+139.54 грн
50+137.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.31 грн
10+120.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.72 грн
10+114.82 грн
20+97.28 грн
25+91.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.46 грн
3+735.19 грн
5+684.95 грн
10+609.20 грн
30+562.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1543.12 грн
3+1352.36 грн
5+1282.99 грн
10+1149.83 грн
25+1024.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.28 грн
3+249.58 грн
10+186.59 грн
50+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 300W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.85 грн
10+237.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 102ns
Turn-on time: 36ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.07 грн
10+141.14 грн
50+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 102ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP15N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 122ns
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Max. load current: 35A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.17 грн
6+75.75 грн
10+66.98 грн
50+61.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 81 108 135 162 189 216 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]