Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA28P065T | IXYS |
![]() |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA2N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA300N04T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXTA32N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA32P05T | IXYS |
![]() |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA32P20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA340N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA340N04T4-7 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO263 On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA36P15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXTA380N036T4-7 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 36V Drain current: 380A Power dissipation: 480W Case: TO263-7 On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 54ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXTA3N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA3N100D2HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA3N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA3N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 700ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA3N120HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO263HV Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 700ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA3N150HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA3N50D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA3N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 70W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA42N25P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA44P15T | IXYS |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXTA460P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 480W Case: TO263 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXTA48N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA48P05T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA4N150HV | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Technology: X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA4N70X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 560ns Features of semiconductor devices: standard power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA50N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA50N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 166ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263 Technology: PolarP™ Mounting: SMD Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO263 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA60N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 176W Case: TO263 On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 59ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO263 Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA62N15P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA64N10L2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA6N100D2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA6N50D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA70N075T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA75N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA76N25T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 76A Power dissipation: 460W Case: TO263 On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 148ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA76P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA80N075L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTA80N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXTA80N12T2 | IXYS | IXTA80N12T2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA86N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA8N70X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA90N055T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA90N20X3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTA96P085T | IXYS |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTB30N100L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 545nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTB62N50L | IXYS |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IXTF02N450 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us Mounting: THT Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 1.6µs On-state resistance: 625Ω Drain current: 0.2A Power dissipation: 78W Drain-source voltage: 4.5kV Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IXTF1R4N450 | IXYS | IXTF1R4N450 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTF200N10T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTF2N300P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IXTF6N200P3 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IXTH02N250 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 1.5µs Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W On-state resistance: 450Ω Drain-source voltage: 2.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IXTH02N450HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTA28P065T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
IXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.13 грн |
8+ | 145.66 грн |
22+ | 138.05 грн |
IXTA2N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA2N100P SMD N channel transistors
IXTA2N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA300N04T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA32N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
IXTA32N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA32P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
IXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.70 грн |
9+ | 133.29 грн |
24+ | 125.67 грн |
IXTA32P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
IXTA32P20T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA340N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA340N04T4-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA36N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 421.40 грн |
5+ | 276.83 грн |
10+ | 242.78 грн |
IXTA36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
IXTA36P15P SMD P channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 515.72 грн |
3+ | 376.06 грн |
9+ | 356.07 грн |
IXTA380N036T4-7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100D2HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
IXTA3N100P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N120HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 830.49 грн |
2+ | 692.07 грн |
5+ | 630.26 грн |
50+ | 610.27 грн |
IXTA3N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA3N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.15 грн |
IXTA42N25P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
IXTA42N25P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
IXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 550.58 грн |
4+ | 346.55 грн |
9+ | 327.51 грн |
IXTA460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA48N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
IXTA48N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA48P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
IXTA48P05T SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA4N150HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA4N150HV SMD N channel transistors
IXTA4N150HV SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 170.20 грн |
10+ | 138.41 грн |
15+ | 79.97 грн |
39+ | 75.21 грн |
500+ | 74.26 грн |
1000+ | 72.36 грн |
IXTA4N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 207.11 грн |
3+ | 179.94 грн |
8+ | 151.38 грн |
21+ | 142.81 грн |
50+ | 138.05 грн |
IXTA4N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 663.37 грн |
3+ | 413.27 грн |
8+ | 376.06 грн |
50+ | 361.78 грн |
IXTA60N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 425.50 грн |
3+ | 368.78 грн |
4+ | 283.71 грн |
10+ | 282.76 грн |
11+ | 267.53 грн |
IXTA62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
IXTA62N15P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA64N10L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 853.04 грн |
2+ | 583.32 грн |
6+ | 530.30 грн |
IXTA70N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 300 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA75N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 627.48 грн |
3+ | 543.77 грн |
4+ | 343.69 грн |
5+ | 342.74 грн |
9+ | 324.65 грн |
50+ | 320.84 грн |
100+ | 312.28 грн |
IXTA80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA80N12T2 |
Виробник: IXYS
IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA86N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
IXTA86N20T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.96 грн |
10+ | 149.29 грн |
12+ | 96.16 грн |
32+ | 91.40 грн |
300+ | 90.45 грн |
500+ | 87.59 грн |
IXTA8N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA90N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA90N20X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTA96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
IXTA96P085T SMD P channel transistors
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 531.10 грн |
4+ | 342.74 грн |
9+ | 323.70 грн |
IXTB30N100L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTB62N50L |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
IXTB62N50L THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4246.18 грн |
IXTF02N450 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.6µs
On-state resistance: 625Ω
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 4.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.6µs
On-state resistance: 625Ω
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 4.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTF1R4N450 |
Виробник: IXYS
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
IXTF1R4N450 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTF200N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTF200N10T THT N channel transistors
IXTF200N10T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTF2N300P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTF2N300P3 THT N channel transistors
IXTF2N300P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTF6N200P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTF6N200P3 THT N channel transistors
IXTF6N200P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH02N250 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 300 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.5µs
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 450Ω
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTH02N450HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.