Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 251 з 301

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 270 300 301  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.11 грн
10+110.33 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+724.50 грн
3+484.38 грн
6+458.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP340N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf IXTP36N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 IXTP36P15P THT P channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.31 грн
4+332.79 грн
9+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 IXTP3N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.67 грн
7+173.12 грн
17+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100P IXYS IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf IXTP3N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+653.98 грн
3+476.93 грн
7+434.15 грн
250+417.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTP3N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+380.60 грн
5+227.84 грн
13+216.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.88 грн
10+129.48 грн
14+79.83 грн
37+75.35 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.25 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS IXTH(P,Q)450P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.68 грн
3+279.45 грн
5+220.66 грн
14+209.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTP460P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T IXYS IXTA(P,Q)48N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.14 грн
3+242.19 грн
6+197.34 грн
15+186.58 грн
50+185.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+295.60 грн
6+207.21 грн
14+196.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.33 грн
9+125.75 грн
25+114.82 грн
100+111.23 грн
500+109.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.21 грн
10+118.30 грн
26+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 IXTP50N20P THT N channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+413.45 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf IXTP50N20PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+426.01 грн
4+269.10 грн
11+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTP52P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf IXTP56N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.15 грн
10+117.37 грн
26+106.74 грн
250+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.49 грн
4+321.37 грн
10+292.42 грн
50+280.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.16 грн
5+221.56 грн
14+209.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b IXTP6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+774.73 грн
3+518.47 грн
6+490.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+738.02 грн
3+410.79 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTP70N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTP75N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTP76N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+512.95 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+634.66 грн
3+436.87 грн
7+398.27 грн
500+383.02 грн
1000+382.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.68 грн
7+174.19 грн
18+158.77 грн
500+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 IXTP80N12T2 IXYS IXTA(P)80N12T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXYS 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf IXTP8N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXTP8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.97 грн
3+247.78 грн
6+190.16 грн
16+179.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.11 грн
3+191.89 грн
7+165.94 грн
10+165.05 грн
18+156.08 грн
50+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.87 грн
10+114.57 грн
27+104.05 грн
500+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+500.39 грн
4+313.05 грн
10+295.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_110n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ110N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf IXTQ120N15P THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+738.02 грн
3+466.44 грн
7+441.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+927.36 грн
2+717.26 грн
5+653.02 грн
510+628.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXTQ130N20T IXYS IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+770.87 грн
3+532.82 грн
6+485.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6 IXTQ14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+542.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+975.66 грн
2+618.03 грн
5+583.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS IXTQ18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+721.60 грн
3+387.50 грн
8+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 IXTQ22N50P THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+508.12 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P IXTQ22N60P IXYS IXTQ22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef IXTQ26N50P THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+564.14 грн
3+395.58 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf IXTQ26N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+625.00 грн
3+389.37 грн
8+354.32 грн
120+340.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L IXTQ30N50L IXYS IXTH(Q,T)30N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.11 грн
10+110.33 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Виробник: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.50 грн
3+484.38 грн
6+458.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP36N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
Виробник: IXYS
IXTP36P15P THT P channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.31 грн
4+332.79 грн
9+314.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Виробник: IXYS
IXTP3N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.67 грн
7+173.12 грн
17+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100P IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf
Виробник: IXYS
IXTP3N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.98 грн
3+476.93 грн
7+434.15 грн
250+417.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Виробник: IXYS
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.60 грн
5+227.84 грн
13+216.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTP44N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.88 грн
10+129.48 грн
14+79.83 грн
37+75.35 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.25 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTH(P,Q)450P2.pdf
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.68 грн
3+279.45 грн
5+220.66 грн
14+209.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP460P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTA(P,Q)48N20T.pdf
IXTP48N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.14 грн
3+242.19 грн
6+197.34 грн
15+186.58 грн
50+185.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
Виробник: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+295.60 грн
6+207.21 грн
14+196.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.33 грн
9+125.75 грн
25+114.82 грн
100+111.23 грн
500+109.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.21 грн
10+118.30 грн
26+107.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220
Виробник: IXYS
IXTP50N20P THT N channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.45 грн
5+230.53 грн
13+217.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP50N20PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.01 грн
4+269.10 грн
11+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP52P10P media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXTP52P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
Виробник: IXYS
IXTP56N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.15 грн
10+117.37 грн
26+106.74 грн
250+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.49 грн
4+321.37 грн
10+292.42 грн
50+280.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.16 грн
5+221.56 грн
14+209.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
Виробник: IXYS
IXTP6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.73 грн
3+518.47 грн
6+490.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.02 грн
3+410.79 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP70N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Виробник: IXYS
IXTP75N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Виробник: IXYS
IXTP76N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.95 грн
4+313.95 грн
10+296.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+634.66 грн
3+436.87 грн
7+398.27 грн
500+383.02 грн
1000+382.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.68 грн
7+174.19 грн
18+158.77 грн
500+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2 IXTA(P)80N12T2.pdf
IXTP80N12T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf
Виробник: IXYS
IXTP8N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTP8N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.97 грн
3+247.78 грн
6+190.16 грн
16+179.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.11 грн
3+191.89 грн
7+165.94 грн
10+165.05 грн
18+156.08 грн
50+155.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.87 грн
10+114.57 грн
27+104.05 грн
500+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.39 грн
4+313.05 грн
10+295.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ110N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_110n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ110N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ120N15P THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.02 грн
3+466.44 грн
7+441.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+927.36 грн
2+717.26 грн
5+653.02 грн
510+628.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N20T IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf
IXTQ130N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+770.87 грн
3+532.82 грн
6+485.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTQ140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ14N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6
Виробник: IXYS
IXTQ14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTQ16N50P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.66 грн
2+618.03 грн
5+583.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ18N60P IXTQ18N60P.pdf
IXTQ18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.60 грн
3+387.50 грн
8+353.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4
Виробник: IXYS
IXTQ22N50P THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.12 грн
4+282.56 грн
11+267.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N60P IXTQ22N60P.pdf
IXTQ22N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef
Виробник: IXYS
IXTQ26N50P THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.14 грн
3+395.58 грн
8+374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ26N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTQ26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+625.00 грн
3+389.37 грн
8+354.32 грн
120+340.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L IXTH(Q,T)30N50L.pdf
IXTQ30N50L
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 270 300 301  Наступна Сторінка >> ]