Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP32P05T | IXYS |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP32P20T | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP340N04T4 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTP34N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTP36N30P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP36P15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP3N100D2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP3N100P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTP3N120 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns Reverse recovery time: 700ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP3N50D2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTP44N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 130W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 60ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP44P15T | IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTP450P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 43nC Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP460P2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTP48N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 48A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 130ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP48P05T | IXYS |
![]() |
на замовлення 299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTP4N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 502 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP4N80P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 14.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 560ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP50N20P | IXYS |
![]() |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP50N20PM | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP50N25T | IXYS |
![]() |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP52P10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP56N15T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 59ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP62N15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP6N100D2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTP6N50D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP70N075T2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP75N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP76N25T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP76P10T | IXYS |
![]() |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTP80N075L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 357W Case: TO220AB On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 100ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP80N12T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 90ns Drain-source voltage: 120V Drain current: 80A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 325W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTP86N20T | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTP8N65X2 | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTP8N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP90N055T2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 37ns Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP96P085T | IXYS |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTQ10P50P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTQ110N10P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IXTQ120N15P | IXYS |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTQ120N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A Power dissipation: 714W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: PolarHT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTQ130N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A Power dissipation: 830W Case: TO3P On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 150ns Pulsed drain current: 320A Technology: Trench™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTQ140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTQ14N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTQ150N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Case: TO3P Reverse recovery time: 150ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTQ16N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 300W Gate charge: 43nC Technology: PolarHT™ Gate-source voltage: ±30V Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTQ170N10P | IXYS |
![]() |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTQ18N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 360W Case: TO3P On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IXTQ200N10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: TO3P Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 550W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 76ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTQ22N50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IXTQ22N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 400W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IXTQ26N50P | IXYS |
![]() |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTQ26N60P | IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IXTQ26P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTQ30N50L | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IXTP32P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP32P05T THT P channel transistors
IXTP32P05T THT P channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.11 грн |
10+ | 110.33 грн |
27+ | 104.05 грн |
IXTP32P20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
IXTP32P20T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 724.50 грн |
3+ | 484.38 грн |
6+ | 458.37 грн |
IXTP340N04T4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP34N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP36N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP36N30P THT N channel transistors
IXTP36N30P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP36P15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP36P15P THT P channel transistors
IXTP36P15P THT P channel transistors
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 474.31 грн |
4+ | 332.79 грн |
9+ | 314.85 грн |
IXTP3N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP3N100D2 THT N channel transistors
IXTP3N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 378.67 грн |
7+ | 173.12 грн |
17+ | 163.25 грн |
IXTP3N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP3N100P THT N channel transistors
IXTP3N100P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP3N120 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 653.98 грн |
3+ | 476.93 грн |
7+ | 434.15 грн |
250+ | 417.10 грн |
IXTP3N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 380.60 грн |
5+ | 227.84 грн |
13+ | 216.18 грн |
IXTP44N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 173.88 грн |
10+ | 129.48 грн |
14+ | 79.83 грн |
37+ | 75.35 грн |
500+ | 72.66 грн |
IXTP44P15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 504.25 грн |
4+ | 313.95 грн |
10+ | 296.91 грн |
IXTP450P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 321.68 грн |
3+ | 279.45 грн |
5+ | 220.66 грн |
14+ | 209.00 грн |
IXTP460P2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP460P2 THT N channel transistors
IXTP460P2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP48N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.14 грн |
3+ | 242.19 грн |
6+ | 197.34 грн |
15+ | 186.58 грн |
50+ | 185.68 грн |
IXTP48P05T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
IXTP48P05T THT P channel transistors
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 295.60 грн |
6+ | 207.21 грн |
14+ | 196.44 грн |
IXTP4N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.33 грн |
9+ | 125.75 грн |
25+ | 114.82 грн |
100+ | 111.23 грн |
500+ | 109.43 грн |
IXTP4N80P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.21 грн |
10+ | 118.30 грн |
26+ | 107.64 грн |
IXTP50N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP50N20P THT N channel transistors
IXTP50N20P THT N channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.45 грн |
5+ | 230.53 грн |
13+ | 217.97 грн |
IXTP50N20PM |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP50N20PM THT N channel transistors
IXTP50N20PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP50N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
IXTP50N25T THT N channel transistors
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.01 грн |
4+ | 269.10 грн |
11+ | 253.85 грн |
IXTP52P10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP52P10P THT P channel transistors
IXTP52P10P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP56N15T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP56N15T THT N channel transistors
IXTP56N15T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP60N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.15 грн |
10+ | 117.37 грн |
26+ | 106.74 грн |
250+ | 102.26 грн |
IXTP60N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 497.49 грн |
4+ | 321.37 грн |
10+ | 292.42 грн |
50+ | 280.76 грн |
IXTP62N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
IXTP62N15P THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 393.16 грн |
5+ | 221.56 грн |
14+ | 209.90 грн |
IXTP6N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP6N100D2 THT N channel transistors
IXTP6N100D2 THT N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 774.73 грн |
3+ | 518.47 грн |
6+ | 490.66 грн |
IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 738.02 грн |
3+ | 410.79 грн |
8+ | 374.05 грн |
IXTP70N075T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP70N075T2 THT N channel transistors
IXTP70N075T2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP75N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP75N10P THT N channel transistors
IXTP75N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP76N25T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP76N25T THT N channel transistors
IXTP76N25T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP76P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 512.95 грн |
4+ | 313.95 грн |
10+ | 296.91 грн |
IXTP80N075L2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 634.66 грн |
3+ | 436.87 грн |
7+ | 398.27 грн |
500+ | 383.02 грн |
1000+ | 382.12 грн |
IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.68 грн |
7+ | 174.19 грн |
18+ | 158.77 грн |
500+ | 152.49 грн |
IXTP80N12T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP86N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP86N20T THT N channel transistors
IXTP86N20T THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP8N65X2 THT N channel transistors
IXTP8N65X2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP8N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTP8N70X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.97 грн |
3+ | 247.78 грн |
6+ | 190.16 грн |
16+ | 179.40 грн |
IXTP8N70X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.11 грн |
3+ | 191.89 грн |
7+ | 165.94 грн |
10+ | 165.05 грн |
18+ | 156.08 грн |
50+ | 155.18 грн |
IXTP90N055T2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 287.87 грн |
10+ | 114.57 грн |
27+ | 104.05 грн |
500+ | 100.46 грн |
IXTP96P085T |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
IXTP96P085T THT P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 500.39 грн |
4+ | 313.05 грн |
10+ | 295.11 грн |
IXTQ10P50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
IXTQ10P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ110N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ110N10P THT N channel transistors
IXTQ110N10P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ120N15P THT N channel transistors
IXTQ120N15P THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 738.02 грн |
3+ | 466.44 грн |
7+ | 441.32 грн |
IXTQ120N20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 927.36 грн |
2+ | 717.26 грн |
5+ | 653.02 грн |
510+ | 628.80 грн |
IXTQ130N20T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 770.87 грн |
3+ | 532.82 грн |
6+ | 485.28 грн |
IXTQ140N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ14N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ14N60P THT N channel transistors
IXTQ14N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ150N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 542.89 грн |
IXTQ16N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ170N10P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
IXTQ170N10P THT N channel transistors
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 975.66 грн |
2+ | 618.03 грн |
5+ | 583.95 грн |
IXTQ18N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ200N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 721.60 грн |
3+ | 387.50 грн |
8+ | 353.42 грн |
IXTQ22N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ22N50P THT N channel transistors
IXTQ22N50P THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 508.12 грн |
4+ | 282.56 грн |
11+ | 267.31 грн |
IXTQ22N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ26N50P THT N channel transistors
IXTQ26N50P THT N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 564.14 грн |
3+ | 395.58 грн |
8+ | 374.05 грн |
IXTQ26N60P |
![]() |
Виробник: IXYS
IXTQ26N60P THT N channel transistors
IXTQ26N60P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IXTQ26P20P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.00 грн |
3+ | 389.37 грн |
8+ | 354.32 грн |
120+ | 340.86 грн |
IXTQ30N50L |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.