| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VBO88-08NO7 | IXYS |
VBO88-08NO7 Sing. ph. diode bridge rectif. - others |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VGB0124AY7A | IXYS |
VGB0124AY7A Sing. ph. diode bridge rectif. - others |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VGO36-16IO7 | IXYS |
VGO36-16IO7 Single phase controlled bridge rectif. |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
VHF25-08IO7 | IXYS |
Category: Single phase controlled bridge rectif.Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A Type of bridge rectifier: half-controlled Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 32A Max. forward impulse current: 180A Gate current: 25/50mA Electrical mounting: THT Mechanical mounting: screw Version: module Case: ECO-PAC 1 Leads: wire Ø 0.75mm Features of semiconductor devices: freewheelling diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
VHF25-12IO7 | IXYS |
Category: Single phase controlled bridge rectif.Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT Type of bridge rectifier: half-controlled Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 32A Max. forward impulse current: 180A Gate current: 25/50mA Electrical mounting: THT Mechanical mounting: screw Version: module Case: ECO-PAC 1 Leads: wire Ø 0.75mm Features of semiconductor devices: freewheelling diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
VHFD37-16IO1 | IXYS |
Category: Single phase controlled bridge rectif.Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 40A; screw Type of bridge rectifier: half-controlled Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 40A Max. forward impulse current: 280A Gate current: 50/80mA Electrical mounting: FASTON connectors Mechanical mounting: screw Version: module Case: V1-A-Pack Leads: connectors Leads dimensions: 2x0.5mm Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| VUE22-06NO7 | IXYS |
VUE22-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUE22-12NO7 | IXYS |
VUE22-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUE75-06NO7 | IXYS |
VUE75-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUE75-12NO7 | IXYS |
VUE75-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO110-16NO7 | IXYS |
VUO110-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO122-12NO7 | IXYS |
VUO122-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO190-08NO7 | IXYS |
VUO190-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO190-16NO7 | IXYS |
VUO190-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO190-18NO7 | IXYS |
VUO190-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO25-14NO8 | IXYS |
VUO25-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO25-16NO8 | IXYS |
VUO25-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO34-14NO1 | IXYS |
VUO34-14NO1 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO36-12NO8 | IXYS |
VUO36-12NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO36-14NO8 | IXYS |
VUO36-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO36-16NO8 | IXYS | VUO36-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO36-18NO8 | IXYS |
VUO36-18NO8 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO52-16NO1 | IXYS |
VUO52-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO52-22NO1 | IXYS |
VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO68-08NO7 | IXYS |
VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO68-12NO7 | IXYS |
VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO80-12NO1 | IXYS |
VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO80-16NO1 | IXYS |
VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO82-08NO7 | IXYS |
VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO82-12NO7 | IXYS |
VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO82-14NO7 | IXYS |
VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VUO82-18NO7 | IXYS |
VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
VUO86-16NO7 | IXYS |
Category: Three phase diode bridge rectifiersDescription: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A Type of bridge rectifier: three-phase Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 86A Max. forward impulse current: 0.55kA Electrical mounting: THT Version: module Max. forward voltage: 1.51V Leads: wire Ø 1.5mm Case: ECO-PAC 1 Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| VVZ40-16IO1 | IXYS |
VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif. |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| VWO35-08ho7 | IXYS |
VWO35-08HO7 Thyristor modules |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XAA117 | IXYS |
XAA117 One Phase Solid State Relays |
на замовлення 210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XAA117P | IXYS |
XAA117P One Phase Solid State Relays |
на замовлення 243 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
XAA117S | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 150mA Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 16Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| XAA170 | IXYS |
XAA170 One Phase Solid State Relays |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XAA170S | IXYS |
XAA170S One Phase Solid State Relays |
на замовлення 249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
XBB170 | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NC x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 0.1A Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 50Ω Mounting: THT Case: DIP8 Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
XBB170P | IXYS |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NC x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 0.1A Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 50Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Kind of output: MOSFET Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| XBB170S | IXYS | XBB170S One Phase Solid State Relays |
на замовлення 195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XCA170 | IXYS |
XCA170 One Phase Solid State Relays |
на замовлення 239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XCA170S | IXYS |
XCA170S One Phase Solid State Relays |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| XS170S | IXYS |
XS170S One Phase Solid State Relays |
на замовлення 249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IXGH28N120B | Ixys |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXTH20N60 | Ixys |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFQ50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFQ50N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO3P On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 195ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXFH60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXFH60N60X3 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IXFQ60N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXFT60N60X3HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 380W Case: TO268 Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Gate-emitter voltage: ±20V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXKH24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXKP24N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXKP24N60C5M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 390ns Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| VBO88-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VBO88-08NO7 Sing. ph. diode bridge rectif. - others
VBO88-08NO7 Sing. ph. diode bridge rectif. - others
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1726.38 грн |
| 2+ | 1632.45 грн |
| VGB0124AY7A |
![]() |
Виробник: IXYS
VGB0124AY7A Sing. ph. diode bridge rectif. - others
VGB0124AY7A Sing. ph. diode bridge rectif. - others
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8832.64 грн |
| VGO36-16IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VGO36-16IO7 Single phase controlled bridge rectif.
VGO36-16IO7 Single phase controlled bridge rectif.
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1552.36 грн |
| 3+ | 1468.32 грн |
| VHF25-08IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 32A; Ifsm: 180A
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1399.18 грн |
| 3+ | 1192.11 грн |
| 10+ | 1032.27 грн |
| 25+ | 989.75 грн |
| VHF25-12IO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 32A; THT
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 32A
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Electrical mounting: THT
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: ECO-PAC 1
Leads: wire Ø 0.75mm
Features of semiconductor devices: freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1466.26 грн |
| 3+ | 1247.55 грн |
| 10+ | 1085.66 грн |
| 25+ | 1041.17 грн |
| VHFD37-16IO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 40A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Single phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.6kV; If: 40A; screw
Type of bridge rectifier: half-controlled
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 280A
Gate current: 50/80mA
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: V1-A-Pack
Leads: connectors
Leads dimensions: 2x0.5mm
Features of semiconductor devices: field diodes; freewheelling diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3130.58 грн |
| 10+ | 2803.15 грн |
| VUE22-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUE22-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUE22-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1383.28 грн |
| 3+ | 1308.14 грн |
| VUE22-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUE22-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUE22-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1439.64 грн |
| 3+ | 1361.53 грн |
| VUE75-06NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUE75-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUE75-06NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1383.28 грн |
| 3+ | 1308.14 грн |
| VUE75-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUE75-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUE75-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1693.75 грн |
| 2+ | 1601.80 грн |
| VUO110-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO110-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO110-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4875.60 грн |
| VUO122-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO122-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO122-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2287.01 грн |
| 2+ | 2161.44 грн |
| VUO190-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO190-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO190-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6025.53 грн |
| VUO190-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO190-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO190-16NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6939.15 грн |
| VUO190-18NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO190-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO190-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7232.81 грн |
| VUO25-14NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO25-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO25-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1341.68 грн |
| 2+ | 859.24 грн |
| 4+ | 812.76 грн |
| VUO25-16NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO25-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO25-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1292.70 грн |
| 2+ | 895.82 грн |
| 4+ | 847.37 грн |
| VUO34-14NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO34-14NO1 Three phase diode bridge rectifiers
VUO34-14NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2099.15 грн |
| 2+ | 1984.45 грн |
| VUO36-12NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO36-12NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO36-12NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1384.27 грн |
| 2+ | 917.57 грн |
| 4+ | 867.15 грн |
| VUO36-14NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO36-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO36-14NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1384.27 грн |
| 2+ | 960.09 грн |
| 4+ | 907.69 грн |
| VUO36-16NO8 |
Виробник: IXYS
VUO36-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO36-16NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1459.87 грн |
| 2+ | 1002.61 грн |
| 4+ | 948.23 грн |
| VUO36-18NO8 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO36-18NO8 Three phase diode bridge rectifiers
VUO36-18NO8 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1501.40 грн |
| 2+ | 1044.14 грн |
| 4+ | 987.78 грн |
| VUO52-16NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO52-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
VUO52-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2541.13 грн |
| 2+ | 2402.70 грн |
| VUO52-22NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
VUO52-22NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3336.09 грн |
| VUO68-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO68-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1570.61 грн |
| 2+ | 1086.65 грн |
| 3+ | 1027.33 грн |
| VUO68-12NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO68-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1573.81 грн |
| 2+ | 1143.01 грн |
| 3+ | 1080.72 грн |
| VUO80-12NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
VUO80-12NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2541.13 грн |
| 2+ | 2402.70 грн |
| VUO80-16NO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
VUO80-16NO1 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2822.92 грн |
| 2+ | 2668.68 грн |
| VUO82-08NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO82-08NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2822.92 грн |
| 2+ | 2668.68 грн |
| VUO82-12NO7 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO82-12NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2964.32 грн |
| 2+ | 2802.16 грн |
| VUO82-14NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO82-14NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2935.64 грн |
| VUO82-18NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
VUO82-18NO7 Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3202.61 грн |
| VUO86-16NO7 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.51V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.6kV; If: 86A; Ifsm: 550A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.55kA
Electrical mounting: THT
Version: module
Max. forward voltage: 1.51V
Leads: wire Ø 1.5mm
Case: ECO-PAC 1
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VVZ40-16IO1 |
![]() |
Виробник: IXYS
VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
VVZ40-16IO1 Three phase controlled bridge rectif.
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3202.61 грн |
| VWO35-08ho7 |
![]() |
Виробник: IXYS
VWO35-08HO7 Thyristor modules
VWO35-08HO7 Thyristor modules
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1411.96 грн |
| 3+ | 1334.83 грн |
| XAA117 |
![]() |
Виробник: IXYS
XAA117 One Phase Solid State Relays
XAA117 One Phase Solid State Relays
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.73 грн |
| 8+ | 161.17 грн |
| 20+ | 153.26 грн |
| XAA117P |
![]() |
Виробник: IXYS
XAA117P One Phase Solid State Relays
XAA117P One Phase Solid State Relays
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.73 грн |
| 8+ | 161.17 грн |
| 20+ | 153.26 грн |
| XAA117S |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 150mA; max.60VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 150mA
Switched voltage: max. 60V AC; max. 60V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.81 грн |
| 50+ | 216.65 грн |
| 250+ | 167.10 грн |
| XAA170 |
![]() |
Виробник: IXYS
XAA170 One Phase Solid State Relays
XAA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.20 грн |
| 5+ | 286.74 грн |
| 12+ | 270.92 грн |
| XAA170S |
![]() |
Виробник: IXYS
XAA170S One Phase Solid State Relays
XAA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 543.06 грн |
| 5+ | 286.74 грн |
| 12+ | 270.92 грн |
| XBB170 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 496.21 грн |
| 10+ | 417.91 грн |
| 250+ | 338.16 грн |
| XBB170P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NC x2; Icntrl max: 50mA; 100mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NC x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 711.30 грн |
| 50+ | 449.74 грн |
| 250+ | 347.06 грн |
| XBB170S |
Виробник: IXYS
XBB170S One Phase Solid State Relays
XBB170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 639.96 грн |
| 4+ | 337.17 грн |
| 10+ | 319.37 грн |
| XCA170 |
![]() |
Виробник: IXYS
XCA170 One Phase Solid State Relays
XCA170 One Phase Solid State Relays
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.86 грн |
| 9+ | 142.38 грн |
| 23+ | 134.47 грн |
| XCA170S |
![]() |
Виробник: IXYS
XCA170S One Phase Solid State Relays
XCA170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.47 грн |
| 9+ | 143.37 грн |
| 23+ | 135.46 грн |
| XS170S |
![]() |
Виробник: IXYS
XS170S One Phase Solid State Relays
XS170S One Phase Solid State Relays
на замовлення 249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.09 грн |
| 8+ | 156.22 грн |
| 21+ | 147.33 грн |
| IXGH28N120B |
![]() |
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTH20N60 |
![]() |
Виробник: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 709.88 грн |
| 5+ | 544.64 грн |
| 10+ | 483.67 грн |
| 30+ | 481.20 грн |
| IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 790.63 грн |
| 10+ | 607.27 грн |
| 30+ | 472.14 грн |
| IXFQ50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGT60N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 473.85 грн |
| 3+ | 388.91 грн |
| 10+ | 349.36 грн |
| IXKH24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXKP24N60C5M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













