Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15696) > Сторінка 255 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXD2012NTR IXYS ixd2012n-data-sheet?assetguid=c97f5428-6f19-4399-b112-7bd50275dd2b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Maximum output current: 2.3A
Output current: 2.3A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 0.625W
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 20ns
Kind of integrated circuit: half-bridge
Number of channels: 2
Impulse rise time: 30ns
Topology: H-bridge
Supply voltage: 10...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRL IXTY26P10T-TRL IXYS Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 26A; 150W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXTY26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10T IXTA26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XS170S XS170S IXYS XS170.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.98 грн
50+153.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXGT10N170A IXYS IXG_10N170A.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 IXGT10N170 IXYS IXGH(t)10N170.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 32nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.3µs
Kind of package: tube
Turn-off time: 630ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 714W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXFA220N06T3 IXYS IXxx220N06T3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXFH220N06T3 IXYS IXxx220N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRL IXTA120P065T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 65V; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS IXGK(X)72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA25P1600TA IXYS PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 25A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Gate current: 55/80mA
Max. forward voltage: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA425P1600PT-PC IXYS Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.6kV; 425A; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 425A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+552.73 грн
10+420.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 88A
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+652.99 грн
3+571.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IXYS IXG_20N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+616.86 грн
10+386.62 грн
30+334.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA20N120B3 IXYS IXGA(P)20N120B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS IXY_20N120C3_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRL IXYA20N120A4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS IXYT20N120C3D1HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 17A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL IXGA20N120A3-TRL IXYS PdfFile111734.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL IXGA20N120B3-TRL IXYS PdfFile534321.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV IXYA20N120A4HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 135A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV IXYA20N120B4HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 76A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 130A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO263HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRL IXYA20N120C3HV-TRL IXYS DS100484BIXYHPA20N120C3HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 278W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRL IXYA20N120C4HV-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4 IXYP20N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 135A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4 IXYP20N120B4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 76A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 130A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4 IXYP20N120C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120c4-datasheet?assetguid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 600A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-120n120b3-datasheet?assetguid=18553f1c-eef0-4d23-a446-4aba83b01353 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 320A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3 IXGK120N120B3 IXYS IXGK(x)120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS IXYN120N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G120N120A3V1 IXYS MMIX1G120N120A3V1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.99 грн
5+140.89 грн
25+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50N30L2 IXTH50N30L2 IXYS IXTH50N30L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXYS IXBOD2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; 2nd Gen; 400V; bulk
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD16130S-DKM2MM IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9a102cdc-ebef-4b54-afd4-1c80071a8ed8&filename=littelfuse_power_semiconductor_rectifier_module_circuit_package_s_datasheet.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.6kV; If: 130A; package S
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3.5kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 130A
Max. load current: 204A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: package S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS IXTH(T)10N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D IXTT10N100D IXYS IXTH(T)10N100D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2 IXTT10N100D2 IXYS IXTH(T)10N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTY01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+680.08 грн
3+558.54 грн
10+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXFB62N80Q3 IXYS IXFB62N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3354.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P IXFN32N80P IXYS IXFN32N80P.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3 IXYS IXFN62N80Q3.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P IXFK32N80P IXYS IXFK(X)32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80P IXFR32N80P IXYS IXFR32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80Q3 IXFR32N80Q3 IXYS IXFR32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFX32N80P IXYS IXFK(X)32N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3 IXFX32N80Q3 IXYS IXFK(X)32N80Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 CS19-12HO1 IXYS CS19-12HO1.pdf description Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.89 грн
3+183.66 грн
10+151.80 грн
50+121.60 грн
100+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL CLA5E1200UC-TRL IXYS CLA5E1200UC.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Gate current: 30/50mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.76 грн
10+136.70 грн
25+134.18 грн
100+124.96 грн
250+119.09 грн
500+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXD2012NTR ixd2012n-data-sheet?assetguid=c97f5428-6f19-4399-b112-7bd50275dd2b
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Maximum output current: 2.3A
Output current: 2.3A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 0.625W
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 20ns
Kind of integrated circuit: half-bridge
Number of channels: 2
Impulse rise time: 30ns
Topology: H-bridge
Supply voltage: 10...20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRL
IXTY26P10T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 26A; 150W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTY26P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTA26P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XS170S XS170.pdf
XS170S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 100mA; max.350VAC
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 0.1A
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.98 грн
50+153.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170A IXG_10N170A.pdf
IXGT10N170A
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170 IXGH(t)10N170.pdf
IXGT10N170
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 32nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 0.3µs
Kind of package: tube
Turn-off time: 630ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 714W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXxx220N06T3-DTE.pdf
IXFA220N06T3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH220N06T3 IXxx220N06T3-DTE.pdf
IXFH220N06T3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120P065T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTA120P065T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 65V; 298W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK(X)72N60B3H1.pdf
IXGK72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA25P1600TA PCN210930_TO240 screw.pdf PCN210915_TO240 screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 25A; TO240AA; Ufmax: 1.52V
Gate current: 55/80mA
Max. forward voltage: 1.52V
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 25A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: TO240AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA425P1600PT-PC
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.6kV; 425A; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 425A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGA20N120A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.73 грн
10+420.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1.pdf
IXYH20N120C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 88A
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+652.99 грн
3+571.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXG_20N120A3.pdf
IXGH20N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.86 грн
10+386.62 грн
30+334.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3 IXGA(P)20N120B3.pdf
IXGA20N120B3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXY_20N120C3_HV.pdf
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV-TRL
IXYA20N120A4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV.pdf
IXYT20N120C3D1HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 17A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 88A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL PdfFile111734.pdf
IXGA20N120A3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL PdfFile534321.pdf
IXGA20N120B3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120A4HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25
IXYA20N120A4HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 135A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e
IXYA20N120B4HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 76A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 130A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120B4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO263HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV-TRL DS100484BIXYHPA20N120C3HV.pdf
IXYA20N120C3HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 278W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 278W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C4HV-TRL
IXYA20N120C4HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYH20N120C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 96A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH20N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120A4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120a4-datasheet?assetguid=b40a9e42-70b2-4715-a4d2-5a93d0449e25
IXYP20N120A4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 135A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120B4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120b4-datasheet?assetguid=aeb4cb01-5ee7-4115-97e3-a99b8c505c4e
IXYP20N120B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 76A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 76A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 130A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N120C4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n120c4-datasheet?assetguid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d
IXYP20N120C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 68A; 375W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120A3 IXGK(x)120N120A3.pdf
IXGK120N120A3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 600A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK120N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-120n120b3-datasheet?assetguid=18553f1c-eef0-4d23-a446-4aba83b01353
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 320A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK120N120B3 IXGK(x)120N120B3.pdf
IXGK120N120B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 370A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 122ns
Turn-off time: 885ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3.pdf
IXYN120N120C3
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1G120N120A3V1 MMIX1G120N120A3V1.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTU4N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.99 грн
5+140.89 грн
25+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50N30L2 IXTH50N30L2.pdf
IXTH50N30L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 50A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 430ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBOD2-04 IXBOD2.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD; 0.9A; FP-Case; THT; 2nd Gen; 400V; bulk
Type of thyristor: BOD
Max. load current: 0.9A
Case: FP-Case
Mounting: THT
Technology: 2nd Gen
Breakover voltage: 400V
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MD16130S-DKM2MM media?resourcetype=datasheets&itemid=9a102cdc-ebef-4b54-afd4-1c80071a8ed8&filename=littelfuse_power_semiconductor_rectifier_module_circuit_package_s_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.6kV; If: 130A; package S
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Max. forward impulse current: 3.5kA
Max. forward voltage: 1.5V
Type of semiconductor module: diode
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 130A
Max. load current: 204A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: package S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH(T)10N100D2.pdf
IXTH10N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D IXTH(T)10N100D.pdf
IXTT10N100D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2 IXTH(T)10N100D2.pdf
IXTT10N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTY01N100D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+680.08 грн
3+558.54 грн
10+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB62N80Q3 IXFB62N80Q3.pdf
IXFB62N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3354.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN32N80P IXFN32N80P.pdf
IXFN32N80P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 250A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 625W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN62N80Q3 IXFN62N80Q3.pdf
IXFN62N80Q3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80P IXFK(X)32N80P.pdf
IXFK32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80P IXFR32N80P.pdf
IXFR32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 300W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N80Q3 IXFR32N80Q3.pdf
IXFR32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80P IXFK(X)32N80P.pdf
IXFX32N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 830W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3 IXFK(X)32N80Q3.pdf
IXFX32N80Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1kW
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CS19-12HO1 description CS19-12HO1.pdf
CS19-12HO1
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 31A; 20A; Igt: 28mA; TO220AB; THT; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. load current: 31A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Gate current: 28mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.89 грн
3+183.66 грн
10+151.80 грн
50+121.60 грн
100+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA5E1200UC-TRL CLA5E1200UC.pdf
CLA5E1200UC-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 7.8A; 5A; Igt: 30/50mA; DPAK; SMD; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. load current: 7.8A
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Gate current: 30/50mA
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.76 грн
10+136.70 грн
25+134.18 грн
100+124.96 грн
250+119.09 грн
500+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]