Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 255 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS IXXH40N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+616.31 грн
3+426.63 грн
8+388.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1109.93 грн
2+772.21 грн
4+703.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS IXXH60N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1 IXYS IXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3 IXYS IXXH75N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS IXXH75N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4 THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+652.05 грн
3+461.06 грн
7+435.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh80n65b4d1_datasheet.pdf IXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1 IXYS IXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1 IXYS IXXK%2CX100N60B3H1.pdf IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1364.96 грн
3+1244.48 грн
25+1184.04 грн
50+1152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1536.91 грн
3+1401.91 грн
25+1337.43 грн
100+1297.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXYS IXXN100N60B3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS IXXN110N65B4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS IXXN110N65C4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3 IXYS IXXN200N60B3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1 IXYS IXXN200N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1 IXYS IXXN200N60C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1 IXYS IXXX140N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.98 грн
3+198.41 грн
7+151.59 грн
20+143.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS IXY_20N120C3_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.54 грн
3+282.24 грн
5+217.07 грн
14+204.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet IXYF30N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH10N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1.pdf
IXXH40N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1.pdf
IXXH40N65C4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.31 грн
3+426.63 грн
8+388.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.93 грн
2+772.21 грн
4+703.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4.pdf
IXXH60N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3D1
Виробник: IXYS
IXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3.pdf
IXXH75N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1.pdf
IXXH75N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4
Виробник: IXYS
IXXH80N65B4 THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+652.05 грн
3+461.06 грн
7+435.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh80n65b4d1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
IXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60B3H1 IXXK%2CX100N60B3H1.pdf
Виробник: IXYS
IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK100N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1364.96 грн
3+1244.48 грн
25+1184.04 грн
50+1152.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1536.91 грн
3+1401.91 грн
25+1337.43 грн
100+1297.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK160N65C4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXK300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1.pdf
IXXN100N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1.pdf
IXXN110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1.pdf
IXXN110N65C4H1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3
Виробник: IXYS
IXXN200N60B3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60B3H1
Виробник: IXYS
IXXN200N60B3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N60C3H1
Виробник: IXYS
IXXN200N60C3H1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4.pdf
IXXN200N65A4
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1.pdf
IXXP12N65B4D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M.pdf
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR100N60B3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1.pdf
IXXR110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX100N60C3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXX110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1.pdf
IXXX140N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXX160N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXX300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.98 грн
3+198.41 грн
7+151.59 грн
20+143.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N120C3HV IXY_20N120C3_HV.pdf
IXYA20N120C3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYA20N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.54 грн
3+282.24 грн
5+217.07 грн
14+204.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYA8N90C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYB82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYF30N450 media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet
Виробник: IXYS
IXYF30N450 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXYH10N170C THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]