Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16516) > Сторінка 65 з 276

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 81 108 135 162 189 216 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
XOB17-04X3-TR IXYS XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOB17-12X1 IXYS XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOB17-12X1-TR IXYS XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-04B IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-04B-TS IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-12B IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-12B-TS IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-34B IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-34B-TS IXYS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 IXYS IXT%28H%2CQ%2CT%2930N50L2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+652.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N17T IXFK210N17T IXYS DS100138(IXFK-FX210N17T).pdf Description: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N17T IXFX210N17T IXYS Description: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17T IXFN260N17T IXYS DS100137(IXFN260N17T).pdf Description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK260N17T IXFK260N17T IXYS DS100136(IXFK-FX260N17T).pdf Description: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX260N17T IXFX260N17T IXYS DS100136(IXFK-FX260N17T).pdf Description: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T IXFX230N20T IXYS DS100133BIXFKFX230N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1789.42 грн
30+1169.66 грн
120+1127.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T IXFN180N25T IXYS DS100130AIXFN180N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.76 грн
10+1521.81 грн
100+1307.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR60N60C3C1 IXGR60N60C3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/70ns
Switching Energy: 830µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3C1 IXGA30N60C3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh36n60b3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 75A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh48n60b3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 450µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1 IXGH48N60C3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 330µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 IXGK100N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03 Description: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4551.80 грн
25+3299.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK140N25T IXYS DS100135IXFKFX140N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1160.10 грн
25+704.09 грн
100+606.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 IXBH2N250 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_2n250_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1915.29 грн
30+1288.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T IXYS DS100128AIXFN160N30T.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2252.30 грн
10+1596.04 грн
100+1385.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 IXBT2N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934 Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1695.02 грн
30+1039.12 грн
120+960.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250 IXBX25N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbx25n250-datasheet?assetguid=51f737dc-57fb-45d3-815f-758f253b70d3 Description: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3489.41 грн
30+2389.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300 IXBH12N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300-datasheet?assetguid=cccdaa0c-6cbc-4898-808c-72a3b4a08e74 Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300 IXBF32N300 IXYS DS100119(IXBF32N300).pdf Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300 IXBT12N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300 IXBF12N300 IXYS IXBF12N300.pdf Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300 IXBK55N300 IXYS Description: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7974.14 грн
25+6360.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300 IXBT20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc Description: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5196.03 грн
30+3875.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300 IXBH32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300 IXBT32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300 IXBX55N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260 IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXF%28H%2CV%2912N90P%28S%29.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.74 грн
30+442.26 грн
120+376.35 грн
510+328.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XOB17-04X3-TR XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOB17-12X1 XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOB17-12X1-TR XOB17-Solar-Bit-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-04B XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-04B-TS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-12B XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-12B-TS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENSOR MONOCRYSTALLINE MOD 6X20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-34B XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XOD17-34B-TS XOD17-Solar-Cell-Die-Datasheet_Mar-2008.pdf
Виробник: IXYS
Description: SENS MONOCRYSTALLINE MOD 18.5SQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L2 IXT%28H%2CQ%2CT%2930N50L2.pdf
IXTQ30N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+652.23 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N17T DS100138(IXFK-FX210N17T).pdf
IXFK210N17T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N17T
IXFX210N17T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN260N17T DS100137(IXFN260N17T).pdf
IXFN260N17T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK260N17T DS100136(IXFK-FX260N17T).pdf
IXFK260N17T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX260N17T DS100136(IXFK-FX260N17T).pdf
IXFX260N17T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX230N20T DS100133BIXFKFX230N20T.pdf
IXFX230N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1789.42 грн
30+1169.66 грн
120+1127.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN180N25T DS100130AIXFN180N25T.pdf
IXFN180N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2153.76 грн
10+1521.81 грн
100+1307.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR60N60C3C1
IXGR60N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/70ns
Switching Energy: 830µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGA30N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N60C3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGP30N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1
IXGH30N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh36n60b3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGH36N60B3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 75A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh48n60b3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 450µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1
IXGH48N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 330µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03
IXGK100N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4551.80 грн
25+3299.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T DS100135IXFKFX140N25T.pdf
IXFK140N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1160.10 грн
25+704.09 грн
100+606.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_2n250_datasheet.pdf.pdf
IXBH2N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1915.29 грн
30+1288.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T DS100128AIXFN160N30T.pdf
IXFN160N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2252.30 грн
10+1596.04 грн
100+1385.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934
IXBT2N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1695.02 грн
30+1039.12 грн
120+960.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250 littelfuse-discrete-igbts-ixbx25n250-datasheet?assetguid=51f737dc-57fb-45d3-815f-758f253b70d3
IXBX25N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3489.41 грн
30+2389.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBF20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300 littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300-datasheet?assetguid=cccdaa0c-6cbc-4898-808c-72a3b4a08e74
IXBH12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300 DS100119(IXBF32N300).pdf
IXBF32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300 IXBF12N300.pdf
IXBF12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300
IXBK55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7974.14 грн
25+6360.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300 littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc
IXBH20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5196.03 грн
30+3875.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf
IXBX55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
IRFP260
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXF%28H%2CV%2912N90P%28S%29.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.74 грн
30+442.26 грн
120+376.35 грн
510+328.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 81 108 135 162 189 216 243 270 276  [ Наступна Сторінка >> ]