Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16346) > Сторінка 62 з 273

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 81 108 135 162 189 216 243 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK8N150L IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3130.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N15 IXTK90N15 IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120N25 IXTN120N25 IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50 IXTN36N50 IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20 IXTN79N20 IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N065T2 IXTP130N065T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n065t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2 IXTP140N055T2 IXYS 140N055littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N20T IXTP15N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 IXYS IXTA230N075T2.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.28 грн
50+282.54 грн
100+259.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N15T IXTP24N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP27N20T IXTP27N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N20T IXTP36N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30T IXTP36N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP38N15T IXTP38N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N110 IXTP3N110 IXYS IXT(A,P)3N110,120.pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP42N15T IXTP42N15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_42n15t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N15T IXTP44N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N25T IXTP44N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N30T IXTP44N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP54N30T IXTP54N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP72N20T IXTP72N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP74N15T IXTP74N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.04 грн
10+449.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N25T IXTQ102N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15T IXTQ120N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N15T IXTQ130N15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n15t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L IXTQ30N50L IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1411.68 грн
30+852.63 грн
120+763.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N20T IXTQ36N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N30T IXTQ44N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N20T IXTQ48N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+378.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30T IXTQ54N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ56N15T IXTQ56N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30T IXTQ60N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25T IXTQ62N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20T IXTQ72N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30T IXTQ72N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N15T IXTQ74N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28T IXTQ80N28T IXYS DS99355B(IXTQ80N28T).pdf Description: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20T IXTQ86N20T IXYS DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15 IXTQ88N15 IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25T IXTQ96N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20T IXTQ98N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25 IXTR30N25 IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L IXTT30N50L IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2 IXTT30N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1346.49 грн
30+809.47 грн
120+718.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2 IXTT40N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1532.87 грн
30+932.05 грн
120+847.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10 IXTT60N10 IXYS 99069.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20 IXTT72N20 IXYS 99019.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10 IXTT75N10 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU05N100 IXTU05N100 IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU08N100P IXTU08N100P IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV102N25T IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV120N15T IXTV120N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV60N30T IXTV60N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV72N30T IXYS Description: MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV96N25T IXYS DS99863(IXTH-TQ-TV96N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV98N20T IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
IXTK8N150L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3130.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N15
IXTK90N15
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120N25
IXTN120N25
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN36N50
IXTN36N50
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN79N20
IXTN79N20
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N065T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta130n065t2_datasheet.pdf.pdf
IXTP130N065T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 65V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N055T2 140N055littelfusediscretemosfetsnchanneltrenchgate.pdf
IXTP140N055T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N20T
IXTP15N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n04t2_datasheet.pdf.pdf
IXTP160N04T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTA230N075T2.pdf
IXTP230N075T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.28 грн
50+282.54 грн
100+259.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N15T
IXTP24N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP27N20T
IXTP27N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N20T
IXTP36N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30T
IXTP36N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP38N15T
IXTP38N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N110 IXT(A,P)3N110,120.pdf
IXTP3N110
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP42N15T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_42n15t_datasheet.pdf.pdf
IXTP42N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N15T
IXTP44N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N25T
IXTP44N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP44N30T
IXTP44N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP54N30T
IXTP54N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
IXTP56N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP72N20T
IXTP72N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP74N15T
IXTP74N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
IXTP76N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.04 грн
10+449.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ102N25T
IXTQ102N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ120N15T
IXTQ120N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ130N15T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n15t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ130N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N50L
IXTQ30N50L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1411.68 грн
30+852.63 грн
120+763.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36N20T
IXTQ36N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N30T
IXTQ44N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N20T
IXTQ48N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+378.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30T
IXTQ54N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ56N15T
IXTQ56N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30T
IXTQ60N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25T
IXTQ62N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20T
IXTQ72N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30T
IXTQ72N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N15T
IXTQ74N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ80N28T DS99355B(IXTQ80N28T).pdf
IXTQ80N28T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ86N20T DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf
IXTQ86N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO3P
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ88N15
IXTQ88N15
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ96N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ96N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ98N20T
IXTQ98N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25
IXTR30N25
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L
IXTT30N50L
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891
IXTT30N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1346.49 грн
30+809.47 грн
120+718.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc
IXTT40N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1532.87 грн
30+932.05 грн
120+847.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10 99069.pdf
IXTT60N10
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20 99019.pdf
IXTT72N20
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf
IXTT75N10
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU05N100
IXTU05N100
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU08N100P
IXTU08N100P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV102N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV120N15T
IXTV120N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV60N30T
IXTV60N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV72N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV96N25T DS99863(IXTH-TQ-TV96N25T).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV98N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 27 54 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 81 108 135 162 189 216 243 270 273  [ Наступна Сторінка >> ]