Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15971) > Сторінка 67 з 267

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 78 104 130 156 182 208 234 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGP30N60C3C1 IXGP30N60C3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1 IXGH30N60C3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh36n60b3c1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 450µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1 IXYS Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 330µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 IXGK100N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03 Description: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5247.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T IXFK140N25T IXYS DS100135IXFKFX140N25T.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1338.65 грн
25+819.73 грн
50+759.22 грн
100+664.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 IXBH2N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934 Description: IGBT 2500V 5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.53 грн
30+546.18 грн
120+468.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T IXFN160N30T IXYS DS100128AIXFN160N30T.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2568.91 грн
10+1833.04 грн
50+1560.06 грн
100+1425.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.42 грн
10+287.60 грн
50+227.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 IXBT2N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934 Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1619.51 грн
30+992.83 грн
120+918.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37 Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+961.26 грн
30+559.89 грн
60+516.38 грн
120+450.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250 IXBX25N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixbx25n250-datasheet?assetguid=51f737dc-57fb-45d3-815f-758f253b70d3 Description: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3333.96 грн
30+2283.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300 IXBH12N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300-datasheet?assetguid=cccdaa0c-6cbc-4898-808c-72a3b4a08e74 Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3257.22 грн
30+2117.92 грн
120+2063.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300 IXBF32N300 IXYS DS100119(IXBF32N300).pdf Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300 IXBT12N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300 IXBF12N300 IXYS IXBF12N300.pdf Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300 IXBK55N300 IXYS Description: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7618.90 грн
25+6077.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300 IXBT20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc Description: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5855.40 грн
30+4220.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300 IXBH32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300 IXBT32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300 IXBX55N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260 IRFP260 IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXF%28H%2CV%2912N90P%28S%29.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.48 грн
30+544.96 грн
60+501.85 грн
120+436.95 грн
510+365.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P IXFH18N90P IXYS DS100057BIXFHFTFV18N90PS.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.53 грн
30+670.64 грн
60+620.42 грн
120+542.65 грн
510+501.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n90p-datasheet?assetguid=1850cbbc-4a71-4b6c-9e4b-bd580f61e590 Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1363.17 грн
30+820.35 грн
60+761.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90P IXFK40N90P IXYS DS100061AIXFKFX40N90P.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2433.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10P IXFN300N10P IXYS DS100016AIXFN300N10P.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3754.07 грн
10+2738.81 грн
50+2428.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS DS100066BIXFN56N90P.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4864.86 грн
10+3602.61 грн
100+3394.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N80P IXFR16N80P IXYS Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90P IXFR40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr40n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB200N60B3 IXGB200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgb200n60b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 1250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15P IXYS 99622.pdf Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18N60PM IXTP18N60PM IXYS Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ28N15P IXTQ28N15P IXYS Reliability2008.pdf Description: MOSFET N-CH TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15P IXTR62N15P IXYS 99622.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU2N80P IXTU2N80P IXYS DS99595E(IXTA-IXTP-IXTU-IXTY2N80P).pdf Description: MOSFET N-CH TO-251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N60P IXTY4N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtu4n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV02N250S IXYS IXTx02N250%28S%29.pdf Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 IXFN240N15T2 IXYS DS100192IXFN240N15T2.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 IXFN360N15T2 IXYS ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9 Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP30N60C3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGP30N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N60C3C1
IXGH30N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH36N60B3C1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh36n60b3c1_datasheet.pdf.pdf
IXGH36N60B3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/125ns
Switching Energy: 390µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/130ns
Switching Energy: 450µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3C1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 330µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK100N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03
IXGK100N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5247.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T DS100135IXFKFX140N25T.pdf
IXFK140N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1338.65 грн
25+819.73 грн
50+759.22 грн
100+664.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH2N250 littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934
IXBH2N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+937.53 грн
30+546.18 грн
120+468.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T DS100128AIXFN160N30T.pdf
IXFN160N30T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2568.91 грн
10+1833.04 грн
50+1560.06 грн
100+1425.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.42 грн
10+287.60 грн
50+227.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT2N250 littelfuse-discrete-igbts-ixb-2n250-datasheet?assetguid=42cb674d-92ab-4b5a-a58c-89fd6d0de934
IXBT2N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1619.51 грн
30+992.83 грн
120+918.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH6N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+961.26 грн
30+559.89 грн
60+516.38 грн
120+450.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX25N250 littelfuse-discrete-igbts-ixbx25n250-datasheet?assetguid=51f737dc-57fb-45d3-815f-758f253b70d3
IXBX25N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 55A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3333.96 грн
30+2283.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBF20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH12N300 littelfuse-discrete-igbts-ixb-12n300-datasheet?assetguid=cccdaa0c-6cbc-4898-808c-72a3b4a08e74
IXBH12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3257.22 грн
30+2117.92 грн
120+2063.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF32N300 DS100119(IXBF32N300).pdf
IXBF32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT12N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF12N300 IXBF12N300.pdf
IXBF12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK55N300
IXBK55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7618.90 грн
25+6077.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH20N300 littelfuse-discrete-igbts-ixb-20n300-datasheet?assetguid=70aa67f2-6f1d-44e3-9aec-3531d0e0a4cc
IXBH20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5855.40 грн
30+4220.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBX55N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf
IXBX55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260
IRFP260
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB52N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH12N90P IXF%28H%2CV%2912N90P%28S%29.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+941.48 грн
30+544.96 грн
60+501.85 грн
120+436.95 грн
510+365.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N90P DS100057BIXFHFTFV18N90PS.pdf
IXFH18N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1134.53 грн
30+670.64 грн
60+620.42 грн
120+542.65 грн
510+501.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH24N90P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n90p-datasheet?assetguid=1850cbbc-4a71-4b6c-9e4b-bd580f61e590
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1363.17 грн
30+820.35 грн
60+761.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90P DS100061AIXFKFX40N90P.pdf
IXFK40N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2433.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN300N10P DS100016AIXFN300N10P.pdf
IXFN300N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3754.07 грн
10+2738.81 грн
50+2428.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN56N90P DS100066BIXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4864.86 грн
10+3602.61 грн
100+3394.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR16N80P
IXFR16N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr40n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFR40N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGB200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgb200n60b3_datasheet.pdf.pdf
IXGB200N60B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/310ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 300V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 750 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 1250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15P 99622.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18N60PM
IXTP18N60PM
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ28N15P Reliability2008.pdf
IXTQ28N15P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH TO-3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15P 99622.pdf
IXTR62N15P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU2N80P DS99595E(IXTA-IXTP-IXTU-IXTY2N80P).pdf
IXTU2N80P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH TO-251
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtu4n60p_datasheet.pdf.pdf
IXTY4N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV02N250S IXTx02N250%28S%29.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN240N15T2 DS100192IXFN240N15T2.pdf
IXFN240N15T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN360N15T2 ixfn360n15t2-datasheet?assetguid=3b33fd6e-78dc-4051-88f6-4f577ef7a2b9
IXFN360N15T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 78 104 130 156 182 208 234 260 267  [ Наступна Сторінка >> ]