| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MDA600-18N1 | IXYS |
 Description: DIODE MODULE 1.8KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDA600-20N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDA600-22N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDA950-12N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDA950-14N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDA950-16N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDA950-18N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDA950-20N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDA950-22N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDC500-12io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1200V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC500-14io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1400V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC500-16io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1600V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC500-18io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1800V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC500-20io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2000V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC500-22io1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2200V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC501-12io1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1200V SC-501 |
товар відсутній |
||
| MDC501-14io1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1400V SC-501 |
товар відсутній |
||
| MDC501-16io1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1600V SC-501 |
товар відсутній |
||
| MDC501-18io1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1800V SC-501 |
товар відсутній |
||
| MDC700-12io1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 1200V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC700-14io1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 1400V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC700-16io1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 1600V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC700-18io1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 1800V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC700-20IO1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 2000V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDC700-22IO1W | IXYS | Description: DIODE MODULE 2200V WC-500 |
товар відсутній |
||
| MDD600-20N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDD600-22N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDD950-12N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDD950-14N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDD950-16N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDD950-18N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDD950-20N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 950A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A Supplier Device Package: Module Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V |
товар відсутній |
||
| MDD950-22N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 18 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A Supplier Device Package: Module Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V |
товар відсутній |
||
| MDK600-12N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK600-14N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK600-16N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK600-18N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK600-20N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK600-22N1 | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 883A |
товар відсутній |
||
| MDK950-12N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDK950-14N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDK950-16N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDK950-18N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 1.8KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDK950-20N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDK950-22N1W | IXYS |
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A |
товар відсутній |
||
| MDO1200-14N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU |
товар відсутній |
||
| MDO1200-16N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU |
товар відсутній |
||
| MDO1200-18N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU |
товар відсутній |
||
| MDO1200-20N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 2KV Y1-CU |
товар відсутній |
||
| MDO1200-22N1 | IXYS | Description: DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU |
товар відсутній |
||
| MIO1200-33E11 | IXYS |
Description: IGBT MODULE SGL 1200A E11 |
товар відсутній |
||
| MIO600-65E11 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11 Packaging: Tray Package / Case: E11 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E11 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| MITA30WB600TMH | IXYS |
Description: IGBT MODULE CBI MINIPACK2 |
товар відсутній |
||
| MKI50-06A7T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 |
товар відсутній |
||
| MKI65-06A7T | IXYS | Description: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK |
товар відсутній |
||
| MKI75-06A7T | IXYS |
Description: IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK |
товар відсутній |
||
 |
MPK95-06DA | IXYS |
Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA |
товар відсутній |
|
| MWI100-06A8T | IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3 Packaging: Tube Package / Case: E3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 410 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| MWI100-12A8T | IXYS | Description: IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK |
товар відсутній |
||
| MWI150-06A8T | IXYS | Description: IGBT SIXPACK 170A 600V E3PACK |
товар відсутній |
| MDD950-20N1W |
|
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V
Description: DIODE MODULE 2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2000 V
товар відсутній
| MDD950-22N1W |
|
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
Description: DIODE MODULE 2.2KV 950A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 18 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 950A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
товар відсутній
| MIO600-65E11 |
|
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11
Packaging: Tray
Package / Case: E11
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E11
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 6500V 600A E11
Packaging: Tray
Package / Case: E11
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E11
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 120 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
товар відсутній
| MWI100-06A8T |
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 130A 410W E3
Packaging: Tube
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 410 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товар відсутній