Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (337437) > Сторінка 904 з 5624

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 562 899 900 901 902 903 904 905 906 907 908 909 1124 1686 2248 2810 3372 3934 4496 5058 5620 5624  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HV9923N3-G HV9923N3-G Microchip Technology 20005311A.pdf Description: IC LED DRV OFFL TRIAC TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: TO-92-3
Dimming: Triac
Voltage - Supply (Min): 20V
Voltage - Supply (Max): 400V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.64 грн
25+36.16 грн
100+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LP0701N3-G LP0701N3-G Microchip Technology LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.01 грн
25+127.88 грн
100+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LR12N3-G LR12N3-G Microchip Technology LR12%20C080113.pdf Description: IC REG LINEAR POS ADJ 50MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 100V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Max): 88V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 60dB (120Hz)
Protection Features: Over Temperature
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.93 грн
25+100.95 грн
100+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LR645N3-G LR645N3-G Microchip Technology 20005384A.pdf Description: IC REG LINEAR 10V 3MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3mA
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 450V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.06 грн
25+38.13 грн
100+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LR745N3-G LR745N3-G Microchip Technology 20005394A.pdf Description: IC CTRLR PWM SMPS TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 35V ~ 450V
Applications: SMPS Start-Up
Current - Supply: 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.47 грн
25+45.75 грн
100+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LR8N3-G LR8N3-G Microchip Technology 20005399B.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 10MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 450V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Max): 438V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.33 грн
25+45.42 грн
100+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104N3-G Microchip Technology TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.57 грн
25+69.97 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G TN0106N3-G Microchip Technology TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.87 грн
25+63.02 грн
100+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0110N3-G TN0110N3-G Microchip Technology TN0110%20C080813.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G TN0604N3-G Microchip Technology TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.80 грн
25+90.70 грн
100+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606N3-G Microchip Technology TN0606-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005935A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.87 грн
25+63.02 грн
100+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G TN0610N3-G Microchip Technology TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.39 грн
25+83.29 грн
100+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.07 грн
25+99.90 грн
100+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology TN0702%20C080813.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.38 грн
25+88.76 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.91 грн
25+42.58 грн
100+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G TN2540N3-G Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.51 грн
25+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640N3-G TN2640N3-G Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.32 грн
25+118.29 грн
100+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G TN5325N3-G Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.76 грн
25+43.18 грн
100+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G TP0604N3-G Microchip Technology TP0604-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005956A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.18 грн
25+113.91 грн
100+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.70 грн
25+71.49 грн
100+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP0620N3-G TP0620N3-G Microchip Technology TP0620-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005957A.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.87 грн
25+123.33 грн
100+113.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G TP2104N3-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.61 грн
25+48.65 грн
100+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Microchip Technology TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.03 грн
25+119.25 грн
100+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G TP2540N3-G Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.46 грн
25+117.04 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2635N3-G TP2635N3-G Microchip Technology TP2635-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005796A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.58 грн
25+130.25 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2640N3-G TP2640N3-G Microchip Technology TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN0104N3-G VN0104N3-G Microchip Technology VN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005975A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.33 грн
25+45.32 грн
100+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G VN0106N3-G Microchip Technology VN0106%20C081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.90 грн
25+48.84 грн
100+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Microchip Technology VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.89 грн
25+53.79 грн
100+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300L-G Microchip Technology VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.52 грн
25+86.58 грн
100+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN0550N3-G VN0550N3-G Microchip Technology VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.34 грн
25+107.61 грн
100+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G VN0606L-G Microchip Technology VN0606%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.36 грн
25+98.18 грн
100+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN0808L-G VN0808L-G Microchip Technology VN0808%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.51 грн
25+92.52 грн
100+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.64 грн
25+34.77 грн
100+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology VN1206%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+165.14 грн
25+132.23 грн
100+119.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.79 грн
25+29.70 грн
100+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N2 VN2210N2 Microchip Technology 20005559A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.70 грн
25+1100.96 грн
100+997.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N3-G VN2210N3-G Microchip Technology 20005559A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.79 грн
25+162.42 грн
100+148.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G VN2222LL-G Microchip Technology VN2222LL%20B082013.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.36 грн
25+31.31 грн
100+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VN2224N3-G VN2224N3-G Microchip Technology VN2224-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005988A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+337.99 грн
25+270.23 грн
100+246.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VN2406L-G VN2406L-G Microchip Technology VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.45 грн
25+121.49 грн
100+109.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.57 грн
25+69.97 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N3-G VN2450N3-G Microchip Technology VN2450_2009.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
25+96.24 грн
100+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.67 грн
25+87.34 грн
100+78.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205N3-G Microchip Technology VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.22 грн
25+98.22 грн
100+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN4012L-G VN4012L-G Microchip Technology VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.59 грн
25+125.05 грн
100+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP0104N3-G VP0104N3-G Microchip Technology VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.00 грн
25+67.47 грн
100+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VP0106N3-G VP0106N3-G Microchip Technology VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.42 грн
25+69.84 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VP0109N3-G VP0109N3-G Microchip Technology VP0109-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006001A.pdf Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.57 грн
25+69.38 грн
100+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+165.14 грн
25+133.29 грн
100+120.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808L-G Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.59 грн
25+126.33 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology VP2106%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.92 грн
25+39.12 грн
100+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N2 VP2206N2 Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.88 грн
25+1152.17 грн
100+1043.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G VP2206N3-G Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.53 грн
25+148.84 грн
100+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N3-G VP2450N3-G Microchip Technology 20005569A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.74 грн
25+118.68 грн
100+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP3203N3-G VP3203N3-G Microchip Technology VP3203%20B082613.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.60 грн
25+120.83 грн
100+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AC164379 AC164379 Microchip Technology 41687A.pdf Description: MODULE SOCKET PM3 UNIV 100QFP
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MPLAB® PM3
Module/Board Type: Socket Module - QFP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38420.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244061 AC244061 Microchip Technology AC244051_52_61.pdf Description: EXTENSION PAK PIC16F527
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F527
Accessory Type: Debug Interface Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6176.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244062 AC244062 Microchip Technology AC244062.pdf Description: EXTENSION PAK PIC16F570
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F570
Accessory Type: Debug Interface Module
Part Status: Obsolete
Utilized IC / Part: PIC16F570
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HV9923N3-G 20005311A.pdf
HV9923N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC LED DRV OFFL TRIAC TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: TO-92-3
Dimming: Triac
Voltage - Supply (Min): 20V
Voltage - Supply (Max): 400V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.64 грн
25+36.16 грн
100+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LP0701N3-G LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf
LP0701N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.01 грн
25+127.88 грн
100+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LR12N3-G LR12%20C080113.pdf
LR12N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 50MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 100V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Output (Max): 88V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 60dB (120Hz)
Protection Features: Over Temperature
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.93 грн
25+100.95 грн
100+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LR645N3-G 20005384A.pdf
LR645N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC REG LINEAR 10V 3MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3mA
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 150 µA
Voltage - Input (Max): 450V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.06 грн
25+38.13 грн
100+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LR745N3-G 20005394A.pdf
LR745N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC CTRLR PWM SMPS TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 35V ~ 450V
Applications: SMPS Start-Up
Current - Supply: 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.47 грн
25+45.75 грн
100+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LR8N3-G 20005399B.pdf
LR8N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC REG LIN POS ADJ 10MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 10mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 450V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Output (Max): 438V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.33 грн
25+45.42 грн
100+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TN0104N3-G TN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005930A.pdf
TN0104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 20 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.57 грн
25+69.97 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0106N3-G TN0106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005932A.pdf
TN0106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.87 грн
25+63.02 грн
100+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0110N3-G TN0110%20C080813.pdf
TN0110N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN0604N3-G TN0604-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005934A.pdf
TN0604N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.80 грн
25+90.70 грн
100+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0606N3-G TN0606-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005935A.pdf
TN0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.87 грн
25+63.02 грн
100+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TN0610N3-G TN0610-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006418A.pdf
TN0610N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.39 грн
25+83.29 грн
100+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.07 грн
25+99.90 грн
100+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702%20C080813.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.38 грн
25+88.76 грн
100+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.91 грн
25+42.58 грн
100+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
25+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640N3-G TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
TN2640N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.32 грн
25+118.29 грн
100+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G 20005709A.pdf
TN5325N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.76 грн
25+43.18 грн
100+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G TP0604-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005956A.pdf
TP0604N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.18 грн
25+113.91 грн
100+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G TP0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.70 грн
25+71.49 грн
100+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP0620N3-G TP0620-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005957A.pdf
TP0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.87 грн
25+123.33 грн
100+113.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
TP2104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.61 грн
25+48.65 грн
100+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf
TP2535N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.03 грн
25+119.25 грн
100+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf
TP2540N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.46 грн
25+117.04 грн
100+106.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2635N3-G TP2635-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005796A.pdf
TP2635N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.58 грн
25+130.25 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TP2640N3-G TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf
TP2640N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN0104N3-G VN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005975A.pdf
VN0104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.33 грн
25+45.32 грн
100+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G VN0106%20C081913.pdf
VN0106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.90 грн
25+48.84 грн
100+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf
VN0109N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.89 грн
25+53.79 грн
100+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf
VN0300L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.52 грн
25+86.58 грн
100+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN0550N3-G VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf
VN0550N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.34 грн
25+107.61 грн
100+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G VN0606%20B081913.pdf
VN0606L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.36 грн
25+98.18 грн
100+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN0808L-G VN0808%20B081913.pdf
VN0808L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
25+92.52 грн
100+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
VN10KN3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.64 грн
25+34.77 грн
100+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206%20B081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.14 грн
25+132.23 грн
100+119.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.79 грн
25+29.70 грн
100+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N2 20005559A.pdf
VN2210N2
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1246.70 грн
25+1100.96 грн
100+997.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N3-G 20005559A.pdf
VN2210N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.79 грн
25+162.42 грн
100+148.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G VN2222LL%20B082013.pdf
VN2222LL-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.36 грн
25+31.31 грн
100+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VN2224N3-G VN2224-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005988A.pdf
VN2224N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.99 грн
25+270.23 грн
100+246.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VN2406L-G VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf
VN2406L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.45 грн
25+121.49 грн
100+109.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
VN2410L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.57 грн
25+69.97 грн
100+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N3-G VN2450_2009.pdf
VN2450N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.94 грн
25+96.24 грн
100+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
VN2460N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.67 грн
25+87.34 грн
100+78.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
VN3205N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.22 грн
25+98.22 грн
100+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VN4012L-G VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf
VN4012L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.59 грн
25+125.05 грн
100+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP0104N3-G VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf
VP0104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.00 грн
25+67.47 грн
100+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VP0106N3-G VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf
VP0106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.42 грн
25+69.84 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VP0109N3-G VP0109-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006001A.pdf
VP0109N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.57 грн
25+69.38 грн
100+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf
VP0550N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.14 грн
25+133.29 грн
100+120.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf
VP0808L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.59 грн
25+126.33 грн
100+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106%20B082313.pdf
VP2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.92 грн
25+39.12 грн
100+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N2 VP2206%20E082313.pdf
VP2206N2
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1304.88 грн
25+1152.17 грн
100+1043.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G VP2206%20E082313.pdf
VP2206N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.53 грн
25+148.84 грн
100+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N3-G 20005569A.pdf
VP2450N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.74 грн
25+118.68 грн
100+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VP3203N3-G VP3203%20B082613.pdf
VP3203N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.60 грн
25+120.83 грн
100+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AC164379 41687A.pdf
AC164379
Виробник: Microchip Technology
Description: MODULE SOCKET PM3 UNIV 100QFP
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MPLAB® PM3
Module/Board Type: Socket Module - QFP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+38420.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244061 AC244051_52_61.pdf
AC244061
Виробник: Microchip Technology
Description: EXTENSION PAK PIC16F527
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F527
Accessory Type: Debug Interface Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6176.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244062 AC244062.pdf
AC244062
Виробник: Microchip Technology
Description: EXTENSION PAK PIC16F570
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F570
Accessory Type: Debug Interface Module
Part Status: Obsolete
Utilized IC / Part: PIC16F570
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 562 899 900 901 902 903 904 905 906 907 908 909 1124 1686 2248 2810 3372 3934 4496 5058 5620 5624  [ Наступна Сторінка >> ]