Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (276551) > Сторінка 904 з 4610

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 461 899 900 901 902 903 904 905 906 907 908 909 922 1383 1844 2305 2766 3227 3688 4149 4610  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TN0620N3-G TN0620N3-G Microchip Technology TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
25+87.34 грн
100+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702N3-G Microchip Technology TN0702%20C080813.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.74 грн
25+81.19 грн
100+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106N3-G Microchip Technology TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
25+35.79 грн
100+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G TN2540N3-G Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.61 грн
25+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640N3-G TN2640N3-G Microchip Technology TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.51 грн
25+107.13 грн
100+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G TN5325N3-G Microchip Technology 20005709A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
25+39.10 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G TP0604N3-G Microchip Technology TP0604-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005956A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
25+91.96 грн
100+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
25+64.74 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0620N3-G TP0620N3-G Microchip Technology TP0620-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005957A.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
25+99.57 грн
100+91.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G TP2104N3-G Microchip Technology TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
25+41.10 грн
100+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535N3-G Microchip Technology TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
25+107.99 грн
100+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G TP2540N3-G Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
25+105.99 грн
100+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2635N3-G TP2635N3-G Microchip Technology TP2635-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005796A.pdf Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
25+117.96 грн
100+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2640N3-G TP2640N3-G Microchip Technology TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN0104N3-G VN0104N3-G Microchip Technology VN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005975A.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
25+40.89 грн
100+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G VN0106N3-G Microchip Technology VN0106%20C081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.24 грн
25+44.24 грн
100+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109N3-G Microchip Technology VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.67 грн
25+48.71 грн
100+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300L-G Microchip Technology VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
25+78.41 грн
100+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0550N3-G VN0550N3-G Microchip Technology VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.66 грн
25+97.45 грн
100+87.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G VN0606L-G Microchip Technology VN0606%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
25+88.92 грн
100+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0808L-G VN0808L-G Microchip Technology VN0808%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
25+80.26 грн
100+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G VN10KN3-G Microchip Technology VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
25+31.49 грн
100+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206L-G Microchip Technology VN1206%20B081913.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
25+119.75 грн
100+108.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G VN2106N3-G Microchip Technology vn2106.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
25+26.89 грн
100+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N2 VN2210N2 Microchip Technology 20005559A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.04 грн
25+997.05 грн
100+902.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N3-G VN2210N3-G Microchip Technology 20005559A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.65 грн
25+147.09 грн
100+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G VN2222LL-G Microchip Technology VN2222LL%20B082013.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
25+28.77 грн
100+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2224N3-G VN2224N3-G Microchip Technology VN2224-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005988A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.09 грн
25+244.73 грн
100+223.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2406L-G VN2406L-G Microchip Technology VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.16 грн
25+110.02 грн
100+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410L-G Microchip Technology VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
25+63.37 грн
100+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N3-G VN2450N3-G Microchip Technology VN2450_2009.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.09 грн
25+77.96 грн
100+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G VN2460N3-G Microchip Technology VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
25+79.10 грн
100+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205N3-G Microchip Technology VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
25+88.95 грн
100+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN4012L-G VN4012L-G Microchip Technology VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
25+113.24 грн
100+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0104N3-G VP0104N3-G Microchip Technology VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.17 грн
25+61.10 грн
100+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0106N3-G VP0106N3-G Microchip Technology VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.27 грн
25+63.25 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0109N3-G VP0109N3-G Microchip Technology VP0109-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006001A.pdf Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
25+62.83 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G VP0550N3-G Microchip Technology VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
25+120.71 грн
100+109.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808L-G Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
25+114.41 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106N3-G Microchip Technology VP2106%20B082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
25+34.53 грн
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N2 VP2206N2 Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1181.73 грн
25+1043.44 грн
100+944.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G VP2206N3-G Microchip Technology VP2206%20E082313.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
25+134.79 грн
100+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N3-G VP2450N3-G Microchip Technology 20005569A.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.61 грн
25+107.33 грн
100+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP3203N3-G VP3203N3-G Microchip Technology VP3203%20B082613.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
25+109.42 грн
100+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AC164379 AC164379 Microchip Technology 41687A.pdf Description: MODULE SOCKET PM3 UNIV 100QFP
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MPLAB® PM3
Module/Board Type: Socket Module - QFP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34794.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244061 AC244061 Microchip Technology AC244051_52_61.pdf Description: EXTENSION PAK PIC16F527
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F527
Accessory Type: Debug Interface Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5593.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244062 AC244062 Microchip Technology AC244062.pdf Description: EXTENSION PAK PIC16F570
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F570
Accessory Type: Debug Interface Module
Utilized IC / Part: PIC16F570
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM160215 DM160215 Microchip Technology Description: BOARD DEMO USB TO DALI INTERFACE
Packaging: Bag
Function: Communications
Type: Opto/Lighting
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DM164127-2 DM164127-2 Microchip Technology 40001356C.pdf Description: EVAL BOARD FOR PIC16F1459
Packaging: Bag
Function: USB 2.0 Slave
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: PIC16F1459, PIC18F13K50, PIC18F14K50
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: Full Speed (12Mbps), MCU Based
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM320016 DM320016 Microchip Technology 40001739A.pdf Description: EVAL BOARD PCAP TOUCH MTCH6301
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DV164139-2 DV164139-2 Microchip Technology 40001356C.pdf Description: EVAL BOARD FOR PIC16F1459
Packaging: Bag
Function: USB 2.0 Slave
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Utilized IC / Part: PIC16F1459, PIC18F13K50, PIC18F14K50
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Primary Attributes: Full Speed (12Mbps), MCU Based
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV20220FG-G-M931 HV20220FG-G-M931 Microchip Technology HV20220%20C071613.pdf Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
On-State Resistance (Max): 38Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV20822FG-G-M931 HV20822FG-G-M931 Microchip Technology HV20822%20C071613.pdf Description: IC SWITCH SPST 32 OHM 48LQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2201FG-G-M931 HV2201FG-G-M931 Microchip Technology HV2201.pdf Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
Number of Channels: 8
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+828.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2201PJ-G-M904 HV2201PJ-G-M904 Microchip Technology HV2201.pdf Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 28PLCC
Number of Channels: 8
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.5x11.5)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2301FG-G-M931 HV2301FG-G-M931 Microchip Technology HV2301.pdf Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 38Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV430WG-G HV430WG-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570609 Description: IC RING GENERATOR 20SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV440WG-G HV440WG-G Microchip Technology filehandler.aspx?ddocname=en570610 Description: IC RING GENERATOR 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV513WG-G HV513WG-G Microchip Technology HV513-8-Channel-Serial-to-Parallel-Converter-with-High-Voltage-Push-Pull-Outputs-Polarity-Hi-Z-and-Short-Circuit-Detect-Data-Sheet.pdf Description: IC 8BIT SRL PARALLEL250V 24SOIC
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV518PJ-G-M903 HV518PJ-G-M903 Microchip Technology 20005847A.pdf Description: IC DRVR DISPLAY 32CH 80V 44PLCC
Current - Supply: 10 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.59x16.59)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: Vacuum Fluorescent (VF)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0620N3-G TN0620-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005936A.pdf
TN0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.49 грн
25+87.34 грн
100+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0702N3-G TN0702%20C080813.pdf
TN0702N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 20 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.74 грн
25+81.19 грн
100+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2106N3-G TN2106-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005942A.pdf
TN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+44.94 грн
25+35.79 грн
100+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2540N3-G TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf
TN2540N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+104.61 грн
25+84.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2640N3-G TN2640-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005795A.pdf
TN2640N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.51 грн
25+107.13 грн
100+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN5325N3-G 20005709A.pdf
TN5325N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.59 грн
25+39.10 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0604N3-G TP0604-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005956A.pdf
TP0604N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.91 грн
25+91.96 грн
100+83.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0606N3-G TP0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.14 грн
25+64.74 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0620N3-G TP0620-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005957A.pdf
TP0620N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.76 грн
25+99.57 грн
100+91.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2104N3-G TP2104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005958A.pdf
TP2104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+51.92 грн
25+41.10 грн
100+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2535N3-G TP2535-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005971A.pdf
TP2535N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.06 грн
25+107.99 грн
100+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2540N3-G TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf
TP2540N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.73 грн
25+105.99 грн
100+96.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2635N3-G TP2635-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005796A.pdf
TP2635N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+147.23 грн
25+117.96 грн
100+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP2640N3-G TP2640-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006372A.pdf
TP2640N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VN0104N3-G VN0104-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005975A.pdf
VN0104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+51.92 грн
25+40.89 грн
100+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0106N3-G VN0106%20C081913.pdf
VN0106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.24 грн
25+44.24 грн
100+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0109N3-G VN0109-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005976A.pdf
VN0109N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.67 грн
25+48.71 грн
100+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0300L-G VN0300-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005977A.pdf
VN0300L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.19 грн
25+78.41 грн
100+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0550N3-G VN0550-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005978A.pdf
VN0550N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.66 грн
25+97.45 грн
100+87.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0606L-G VN0606%20B081913.pdf
VN0606L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.81 грн
25+88.92 грн
100+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN0808L-G VN0808%20B081913.pdf
VN0808L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.96 грн
25+80.26 грн
100+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN10KN3-G VN10K-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005983A.pdf
VN10KN3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.52 грн
25+31.49 грн
100+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN1206L-G VN1206%20B081913.pdf
VN1206L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.56 грн
25+119.75 грн
100+108.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2106N3-G vn2106.pdf
VN2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.32 грн
25+26.89 грн
100+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N2 20005559A.pdf
VN2210N2
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1129.04 грн
25+997.05 грн
100+902.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VN2210N3-G 20005559A.pdf
VN2210N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.65 грн
25+147.09 грн
100+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2222LL-G VN2222LL%20B082013.pdf
VN2222LL-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.65 грн
25+28.77 грн
100+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2224N3-G VN2224-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005988A.pdf
VN2224N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+306.09 грн
25+244.73 грн
100+223.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2406L-G VN2406-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005990A.pdf
VN2406L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.16 грн
25+110.02 грн
100+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2410L-G VN2410-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006534A.pdf
VN2410L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+77.49 грн
25+63.37 грн
100+56.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2450N3-G VN2450_2009.pdf
VN2450N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.09 грн
25+77.96 грн
100+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN2460N3-G VN2460-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005994A.pdf
VN2460N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.41 грн
25+79.10 грн
100+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN3205N3-G VN3205-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005995A.pdf
VN3205N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.59 грн
25+88.95 грн
100+81.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VN4012L-G VN4012-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005997A.pdf
VN4012L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 160MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.81 грн
25+113.24 грн
100+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0104N3-G VP0104-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-20005999A.pdf
VP0104N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.17 грн
25+61.10 грн
100+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0106N3-G VP0106-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006658A.pdf
VP0106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.27 грн
25+63.25 грн
100+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0109N3-G VP0109-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006001A.pdf
VP0109N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+77.49 грн
25+62.83 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0550N3-G VP0550-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006003A.pdf
VP0550N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.56 грн
25+120.71 грн
100+109.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP0808L-G VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf
VP0808L-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.81 грн
25+114.41 грн
100+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2106N3-G VP2106%20B082313.pdf
VP2106N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.62 грн
25+34.53 грн
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N2 VP2206%20E082313.pdf
VP2206N2
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1181.73 грн
25+1043.44 грн
100+944.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VP2206N3-G VP2206%20E082313.pdf
VP2206N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 640mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.93 грн
25+134.79 грн
100+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP2450N3-G 20005569A.pdf
VP2450N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.61 грн
25+107.33 грн
100+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VP3203N3-G VP3203%20B082613.pdf
VP3203N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.38 грн
25+109.42 грн
100+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AC164379 41687A.pdf
AC164379
Виробник: Microchip Technology
Description: MODULE SOCKET PM3 UNIV 100QFP
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MPLAB® PM3
Module/Board Type: Socket Module - QFP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+34794.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244061 AC244051_52_61.pdf
AC244061
Виробник: Microchip Technology
Description: EXTENSION PAK PIC16F527
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F527
Accessory Type: Debug Interface Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5593.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AC244062 AC244062.pdf
AC244062
Виробник: Microchip Technology
Description: EXTENSION PAK PIC16F570
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PIC16F570
Accessory Type: Debug Interface Module
Utilized IC / Part: PIC16F570
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM160215
DM160215
Виробник: Microchip Technology
Description: BOARD DEMO USB TO DALI INTERFACE
Packaging: Bag
Function: Communications
Type: Opto/Lighting
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DM164127-2 40001356C.pdf
DM164127-2
Виробник: Microchip Technology
Description: EVAL BOARD FOR PIC16F1459
Packaging: Bag
Function: USB 2.0 Slave
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: PIC16F1459, PIC18F13K50, PIC18F14K50
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: Full Speed (12Mbps), MCU Based
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM320016 40001739A.pdf
DM320016
Виробник: Microchip Technology
Description: EVAL BOARD PCAP TOUCH MTCH6301
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DV164139-2 40001356C.pdf
DV164139-2
Виробник: Microchip Technology
Description: EVAL BOARD FOR PIC16F1459
Packaging: Bag
Function: USB 2.0 Slave
Type: Interface
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Utilized IC / Part: PIC16F1459, PIC18F13K50, PIC18F14K50
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Primary Attributes: Full Speed (12Mbps), MCU Based
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV20220FG-G-M931 HV20220%20C071613.pdf
HV20220FG-G-M931
Виробник: Microchip Technology
Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
On-State Resistance (Max): 38Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV20822FG-G-M931 HV20822%20C071613.pdf
HV20822FG-G-M931
Виробник: Microchip Technology
Description: IC SWITCH SPST 32 OHM 48LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2201FG-G-M931 HV2201.pdf
HV2201FG-G-M931
Виробник: Microchip Technology
Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
Number of Channels: 8
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+828.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2201PJ-G-M904 HV2201.pdf
HV2201PJ-G-M904
Виробник: Microchip Technology
Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 28PLCC
Number of Channels: 8
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.5x11.5)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 19Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV2301FG-G-M931 HV2301.pdf
HV2301FG-G-M931
Виробник: Microchip Technology
Description: IC ULTRASOUND SWITCH 1:1 48LQFP
Voltage - Supply, Dual (V±): ±40V ~ 160V
Voltage - Supply, Single (V+): 40V ~ 200V
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
-3db Bandwidth: 50MHz
On-State Resistance (Max): 38Ohm
Applications: Ultrasound
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Channels: 8
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV430WG-G filehandler.aspx?ddocname=en570609
HV430WG-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC RING GENERATOR 20SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV440WG-G filehandler.aspx?ddocname=en570610
HV440WG-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC RING GENERATOR 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV513WG-G HV513-8-Channel-Serial-to-Parallel-Converter-with-High-Voltage-Push-Pull-Outputs-Polarity-Hi-Z-and-Short-Circuit-Detect-Data-Sheet.pdf
HV513WG-G
Виробник: Microchip Technology
Description: IC 8BIT SRL PARALLEL250V 24SOIC
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 24-SO
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Shift Register
Function: Serial to Parallel
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+224.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HV518PJ-G-M903 20005847A.pdf
HV518PJ-G-M903
Виробник: Microchip Technology
Description: IC DRVR DISPLAY 32CH 80V 44PLCC
Current - Supply: 10 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.59x16.59)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: Vacuum Fluorescent (VF)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 461 899 900 901 902 903 904 905 906 907 908 909 922 1383 1844 2305 2766 3227 3688 4149 4610  [ Наступна Сторінка >> ]