Продукція > SiS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiSA96DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 74432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.72 грн
9000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15.8mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 14.8W
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+68.76 грн
50+51.37 грн
100+42.92 грн
500+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISC03N06DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC03N06E10X1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISC097N24DX1SA1Infineon TechnologiesSISC097N24DX1SA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 999999 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISC097N24DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC140N60DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC185N06LX1SA1Infineon TechnologiesDescription: TRANSISTOR P-CH BARE DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISC6,24P06Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4112LDN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4402DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604LDN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604LDN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD4604LDN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5110DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5110DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 100V 55A
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5110DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5300DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5300DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5300DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5300DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5300DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+108.76 грн
50+82.65 грн
100+69.64 грн
500+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5806DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISD5806DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 20600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+100.99 грн
50+76.57 грн
100+64.47 грн
500+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.52 грн
9000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 53nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 15149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.84 грн
50+70.19 грн
100+59.02 грн
500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.6mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 86A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 6mΩ
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+87.03 грн
50+65.62 грн
100+55.12 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 81A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6.95mΩ
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2)
на замовлення 25029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.02 грн
50+31.75 грн
100+26.36 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DNVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.38 грн
28+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 41A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 41A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 18.5mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 3586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF54DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF54DN-T1-GE3VishayMOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF54DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISGM1040-284-LRTLantronixManaged Ethernet Switches Managed Hardened Switch, (8) 10/100/1000Base-T, (4) 100/1000 SFP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISGM1040-284-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65820.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 20658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.18 грн
50+47.08 грн
100+39.32 грн
500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 20318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 48416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.11 грн
9000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.93 грн
9000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 10479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.65 грн
50+43.66 грн
100+36.40 грн
500+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH103DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.44 грн
100+69.00 грн
500+51.71 грн
1000+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.97 грн
50+37.01 грн
100+30.80 грн
500+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.82 грн
9000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH107DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 14 mohm a. 10V, 25.1 mohm a. 4.5V
на замовлення 11768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
17+18.72 грн
100+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.