Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH2N300P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3469.22 грн
30+2271.05 грн
120+2217.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N300P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 2A; 520W; TO247HV; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 520W
Case: TO247HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 2A N-CH POLAR
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3925.51 грн
10+3300.21 грн
120+2401.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2R4N120PIXYSMOSFET 2.4 Amps 1200V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.90 грн
10+704.18 грн
30+584.03 грн
120+506.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH300N04T2IXYSMOSFET Trench T2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N25IXYSMOSFETs 30 Amps 250V 0.075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N25L2IXYSMOSFETs TO247 250V 30A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N25L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 355W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50IXYSMOSFETs 30 Amps 500V 0.17 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2IXYSMOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2489.48 грн
10+1881.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH30N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3009.77 грн
5+2758.49 грн
10+2396.06 грн
50+1888.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2075.16 грн
30+1305.48 грн
120+1270.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
на замовлення 5113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1525.42 грн
10+1180.52 грн
120+906.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.80 грн
30+517.35 грн
120+442.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+737.39 грн
3+618.24 грн
5+575.86 грн
10+516.03 грн
30+496.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+934.26 грн
10+555.72 грн
120+446.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 54nC
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+528.88 грн
3+442.07 грн
10+390.55 грн
30+350.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65XIXYSMOSFETs 650v/32A Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32P20TIXYSMOSFET TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH32P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+403.05 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.50 грн
10+393.77 грн
120+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.68 грн
30+379.07 грн
120+320.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO247-3
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 54nC
Power dissipation: 540W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 34
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH360N055T2IXYSMOSFETs 360Amps 55V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.02 грн
10+759.75 грн
30+659.97 грн
120+549.51 грн
270+518.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.14 грн
10+612.09 грн
30+472.88 грн
120+422.49 грн
270+406.61 грн
510+389.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.09 грн
5+704.72 грн
10+607.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36P10IXYSMOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36P15PIXYSMOSFETs PolarP Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH38N30L2LittelfuseMOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.92 грн
10+344.85 грн
30+269.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.31 грн
10+503.33 грн
120+320.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+711.36 грн
25+680.79 грн
50+654.86 грн
100+610.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+711.36 грн
25+680.79 грн
50+654.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.95 грн
30+692.48 грн
120+598.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.41 грн
10+626.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150MFET N-CH U=1500В I= 3 A R= 7.3 Om P=250W TO-247) задержка 19 нсек Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N200P3HVIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2411.36 грн
10+2191.14 грн
120+1582.26 грн
270+1572.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH3N200P3HVLittelfusePOWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 300V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N30IXYSMOSFETs 40 Amps 300V 0.085 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2559.01 грн
30+1630.60 грн
120+1518.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2779.43 грн
10+2241.16 грн
120+1721.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH40N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH41N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH41N25IXYSMOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH420N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 420A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH420N04T2IXYSMOSFET Trench T2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH440N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH440N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 440A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44N25L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15TIXYSMOSFETs -44 Amps -150V 0.065 Rds
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.22 грн
30+429.50 грн
120+321.70 грн
510+312.03 грн
1020+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.16 грн
30+410.26 грн
120+348.25 грн
510+284.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.35 грн
30+335.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH450P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.88 грн
10+392.98 грн
30+331.36 грн
120+271.30 грн
270+263.02 грн
510+237.48 грн
1020+204.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N15IXYSMOSFETs 48 Amps 150V 0.032 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 48A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N20IXYSMOSFETs 48 Amps 200V 0.050 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]