Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
250+4294.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4356.20 грн
5+4111.04 грн
10+3649.02 грн
25+3382.32 грн
50+2828.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 339W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5075.20 грн
30+4276.53 грн
120+3971.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 93A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5768.66 грн
5+5592.77 грн
10+5247.24 грн
20+4741.76 грн
50+4454.51 грн
100+4369.17 грн
250+4294.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5416.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9948.54 грн
3+9631.63 грн
5+9024.60 грн
10+8145.04 грн
20+7642.59 грн
50+7487.81 грн
100+7351.58 грн
250+7231.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3472.30 грн
30+2645.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9948.54 грн
3+9631.63 грн
5+9024.60 грн
10+8145.04 грн
20+7642.59 грн
50+7487.81 грн
100+7351.58 грн
250+7231.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Nch 1200V 95A SiC TO-247N
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10531.34 грн
10+10530.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Power Dissipation (Max): 427W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7613.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 95A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10466.19 грн
5+10277.61 грн
10+10089.03 грн
25+8801.30 грн
50+7930.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 262W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2246.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1845.10 грн
30+1391.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2310.10 грн
8+1932.94 грн
10+1826.87 грн
50+1591.14 грн
100+1389.09 грн
200+1303.22 грн
900+1252.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2403.19 грн
10+2329.85 грн
20+2186.30 грн
50+1976.33 грн
100+1857.43 грн
250+1822.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2566.21 грн
30+2468.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247N
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 70
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 262
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 104nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 262W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Technology: SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
250+2719.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3255.97 грн
30+2216.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC14Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3652.67 грн
5+3541.30 грн
10+3322.52 грн
20+3002.45 грн
50+2820.56 грн
100+2766.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2064.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.90 грн
10+1171.50 грн
450+1001.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2516.17 грн
10+1660.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2345.46 грн
8+1897.59 грн
10+1850.44 грн
50+1716.16 грн
100+1494.33 грн
200+1394.14 грн
450+1222.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 30m 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3030ARHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 70A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1515.51 грн
20+1474.81 грн
50+1388.40 грн
100+1258.55 грн
250+1185.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1505.71 грн
10+1288.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2237.01 грн
10+1762.12 грн
100+1700.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030AW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 267W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 39mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 339W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4362.71 грн
30+4200.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 72A, 1.2kV, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W
Kind of package: tube
Case: TO247
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...22V
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 339W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 339W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4147.16 грн
30+3993.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3030KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 339W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 339W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3040KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11RohmMOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.64 грн
30+1830.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4247.49 грн
10+3644.85 грн
100+3199.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2937.74 грн
30+1951.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1679.71 грн
10+1167.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3040KRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mohm 3rd Gen TO-247-4L
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 262W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1176.51 грн
10+800.83 грн
100+613.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15ROHMDescription: ROHM - SCT3040KRHRC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 262W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2321.89 грн
8+1944.73 грн
10+1826.87 грн
50+1727.53 грн
100+1546.95 грн
200+1444.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A Automotive AEC-Q101 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2000.55 грн
25+1646.64 грн
50+1595.82 грн
100+1488.93 грн
250+1287.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 267W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2138.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KW7TLROHM SemiconductorSiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KW7TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 140A; 267W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 267W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...22V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 52mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KW7TLRohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 267W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KW7TLROHMDescription: ROHM - SCT3040KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 18
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 267
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1277.03 грн
13+1129.18 грн
25+981.33 грн
30+898.29 грн
50+809.36 грн
100+757.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11ROHM - JapanSiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+1172.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.74 грн
30+750.30 грн
120+733.81 грн
510+696.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11ROHMDescription: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+773.74 грн
30+750.30 грн
120+733.81 грн
510+696.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1277.03 грн
13+1129.18 грн
25+981.33 грн
30+898.29 грн
50+809.36 грн
100+757.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.53 грн
30+529.38 грн
120+520.05 грн
510+483.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHMDescription: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1612.99 грн
10+1563.77 грн
20+1467.42 грн
50+1326.49 грн
100+1246.68 грн
250+1223.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1455.18 грн
30+1423.35 грн
120+1345.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247N
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Power Dissipation (Max): 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1646.79 грн
30+1043.39 грн
120+1017.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1455.18 грн
30+1423.35 грн
120+1345.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1798.19 грн
30+1638.82 грн
120+1442.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 97A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
Gate-source voltage: -4...22V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC14Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.60 грн
30+891.38 грн
120+813.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC14ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15ROHM SemiconductorSiC MOSFETs TO247 650V 39A N-CH SIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15ROHMDescription: ROHM - SCT3060ARC15 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ARC15Rohm SemiconductorDescription: 650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.98 грн
10+659.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]