Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT6015LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 7.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 17.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPDW-13Diodes Zetex60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.42 грн
100+38.64 грн
500+28.30 грн
1000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.40 грн
5000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI B T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 60A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.9nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPSW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 207500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 17506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.43 грн
500+21.44 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 197513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
100+31.96 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.9nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.68 грн
17+49.42 грн
100+32.43 грн
500+21.44 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 192500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.68 грн
5000+18.36 грн
7500+17.57 грн
12500+15.65 грн
17500+15.16 грн
25000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.49 грн
100+25.01 грн
500+18.00 грн
1000+16.24 грн
2000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 60A; 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 8.9A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 8.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.08 грн
100+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 8.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.34 грн
100+24.89 грн
500+17.92 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LJ3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LJ3Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.29 грн
100+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.89 грн
5000+14.07 грн
7500+13.44 грн
12500+11.95 грн
17500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 7599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.63 грн
100+23.11 грн
500+16.64 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.23 грн
5000+12.57 грн
7500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25.3A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.53 грн
100+34.71 грн
500+25.39 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6.5A; Idm: 50A; 1.76W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.3nC
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 1.76W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 65V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.30 грн
100+20.85 грн
500+14.94 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.53 грн
100+23.70 грн
500+17.07 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.02 грн
4000+13.25 грн
6000+12.62 грн
10000+11.19 грн
14000+10.80 грн
20000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.19 грн
100+35.74 грн
500+26.09 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.37 грн
500+19.55 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.34 грн
20+40.80 грн
100+28.37 грн
500+19.55 грн
1000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.59 грн
15+55.60 грн
100+38.61 грн
500+31.40 грн
1000+27.24 грн
5000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.74 грн
100+43.77 грн
500+32.21 грн
1000+29.36 грн
2000+26.96 грн
5000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.61 грн
500+31.40 грн
1000+27.24 грн
5000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 14393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 8.8A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6018LDR-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8
Part Status: Active
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.48 грн
100+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 30 V
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.32 грн
100+17.51 грн
500+12.44 грн
1000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616-6 T&R 3K
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 9.62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.4A; Idm: 40A; 1.76W
Case: U-DFN2020-6
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.76W
Drain current: 5.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6030LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT615MLFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT615MLFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT616MLSS-13DiodesMOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT616MLSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 22418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.13 грн
100+18.77 грн
500+13.37 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT616MLSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.66 грн
5000+9.50 грн
7500+9.14 грн
12500+8.26 грн
17500+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.26 грн
10+130.87 грн
100+91.85 грн
500+81.52 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 17071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+111.33 грн
100+76.47 грн
500+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT61M5SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 215 A, 1100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.85 грн
500+81.52 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M8SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT61M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1600 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT62M7SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT63M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2378 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 90A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.83W (Ta), 52.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT63M5LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT63M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2378 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 90A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.83W (Ta), 52.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT63M5LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT63M6LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]