Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | Diodes | MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6013LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W Drain current: 7.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.2W Gate charge: 18.9nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 6998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 2.8W Gate charge: 15.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Zetex | 60V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 7.9W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 17.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A | на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 60A; 2.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.7W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.9nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 7488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI B T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LPSW-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 207500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 12502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.0124 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V | на замовлення 9897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6015LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.9nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 60A; 1.2W Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 8.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 30112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 60A; 1.2W Drain current: 8.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 8.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.9 A, 0.16 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 820mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMT6016LFDF productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7-W | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LFDF-7-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LJ3 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A | на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.23W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 2.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 2.6W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPSW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 11.2A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.84W (Ta), 41.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Drain current: 9.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 34877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 25.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 1758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 6.5A; Idm: 50A; 1.76W Drain current: 6.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 65V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.76W Gate charge: 15.3nC Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V | на замовлення 80504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V | на замовлення 14411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6017LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6017LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 | на замовлення 3657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W Case: V-DFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 13.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 9.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 8.8A 8-Pin VDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 869pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VDFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 50A; 1.2W Case: V-DFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 13.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 9.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6018LDR-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6018LDR-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VDFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6030LFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 30 V | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMT6030LFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1616-6 (Type K) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMT6030LFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1616-6 T&R 3K | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |