Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJB46EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB46EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+77.16 грн
100+44.80 грн
500+35.39 грн
1000+32.33 грн
3000+29.12 грн
6000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+84.31 грн
100+65.60 грн
500+52.18 грн
1000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.61 грн
10+92.94 грн
100+62.71 грн
500+53.23 грн
1000+49.26 грн
3000+41.87 грн
6000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB48EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.00 грн
10+87.33 грн
100+52.74 грн
500+44.73 грн
1000+39.02 грн
3000+33.09 грн
24000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EPVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.45 грн
500+45.14 грн
1500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+80.92 грн
100+47.52 грн
500+37.55 грн
1000+34.63 грн
3000+32.75 грн
6000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+67.48 грн
100+47.36 грн
500+36.01 грн
1000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
50+81.28 грн
100+61.45 грн
500+45.14 грн
1500+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 транзистор
Код товару: 199743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
12+71.45 грн
100+51.53 грн
500+39.55 грн
1000+28.77 грн
3000+26.82 грн
6000+24.52 грн
12000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.25 грн
6000+25.91 грн
9000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.69 грн
10+63.22 грн
100+42.92 грн
500+35.46 грн
1000+27.94 грн
3000+26.06 грн
6000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+81.31 грн
176+80.51 грн
178+79.71 грн
229+59.67 грн
250+54.69 грн
500+43.07 грн
1000+33.76 грн
3000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.27 грн
500+40.08 грн
1000+29.19 грн
5000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+53.82 грн
100+41.85 грн
500+33.29 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.47 грн
10+81.31 грн
25+80.51 грн
50+76.87 грн
100+55.25 грн
250+52.50 грн
500+43.07 грн
1000+33.76 грн
3000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+58.65 грн
100+45.72 грн
500+35.44 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB70EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+54.24 грн
100+35.81 грн
500+29.12 грн
1000+25.71 грн
3000+22.85 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+64.61 грн
100+50.22 грн
500+39.95 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
11+79.17 грн
100+62.10 грн
500+48.83 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.44 грн
100+54.81 грн
500+40.71 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 82591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.86 грн
10+80.92 грн
100+47.52 грн
500+37.55 грн
1000+34.63 грн
3000+30.31 грн
6000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.38 грн
6000+32.69 грн
9000+31.49 грн
15000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.10 грн
500+48.83 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 26498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.56 грн
10+86.53 грн
100+50.37 грн
500+39.99 грн
1000+37.34 грн
3000+36.65 грн
6000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ100E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.75 грн
10+194.70 грн
100+119.14 грн
500+100.33 грн
2000+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+171.94 грн
100+120.87 грн
500+101.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
2+220.28 грн
10+182.68 грн
100+128.20 грн
500+114.26 грн
1000+97.54 грн
2000+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ112E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 296 A, 0.0021 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 296A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.58 грн
10+234.91 грн
100+171.51 грн
500+147.94 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+123.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.06 грн
10+209.12 грн
100+130.29 грн
500+121.23 грн
1000+116.35 грн
2000+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.28 грн
10+212.32 грн
100+153.30 грн
500+121.12 грн
1000+112.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ112E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 296 A, 0.0021 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 296A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.51 грн
500+147.94 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.99 грн
10+229.00 грн
100+162.78 грн
500+126.24 грн
1000+117.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.28 грн
10+234.76 грн
100+145.62 грн
500+127.50 грн
2000+121.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ114EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
2+178.83 грн
10+146.63 грн
100+101.72 грн
250+94.06 грн
500+85.00 грн
1000+72.46 грн
2000+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ116EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ116EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 9200 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.98 грн
500+77.74 грн
1000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ116EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ116EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 9200 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.34 грн
10+138.18 грн
100+99.98 грн
500+77.74 грн
1000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.07 грн
500+127.56 грн
1000+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.95 грн
10+215.40 грн
100+169.07 грн
500+127.56 грн
1000+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
10+199.11 грн
100+141.15 грн
500+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.46 грн
10+225.15 грн
100+139.34 грн
500+121.23 грн
2000+114.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.07 грн
500+132.84 грн
1000+119.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.23 грн
10+200.31 грн
25+169.30 грн
100+141.44 грн
250+136.56 грн
500+125.41 грн
1000+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 280A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+327.58 грн
50+221.09 грн
100+156.07 грн
500+132.84 грн
1000+119.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+204.92 грн
100+144.68 грн
500+111.65 грн
1000+103.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.10 грн
4000+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.28 грн
10+188.02 грн
100+132.90 грн
500+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.25 грн
10+216.33 грн
25+186.72 грн
100+133.07 грн
500+109.39 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 413A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.12 грн
10+226.78 грн
100+183.70 грн
500+160.01 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.96 грн
10+220.34 грн
100+150.49 грн
500+133.77 грн
1000+130.29 грн
2000+109.39 грн
4000+107.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 413A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.70 грн
500+160.01 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 390A, POWERPAK
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.92 грн
10+231.66 грн
25+214.59 грн
50+182.66 грн
100+149.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+209.08 грн
100+147.83 грн
500+114.19 грн
1000+106.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.73 грн
10+205.92 грн
25+173.48 грн
100+144.92 грн
250+140.74 грн
500+128.89 грн
1000+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.32 грн
500+135.86 грн
1000+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixP-Channel 40 V 390A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK 8 x 8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.77 грн
10+221.09 грн
100+173.14 грн
500+138.13 грн
1000+124.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.58 грн
10+224.50 грн
25+216.49 грн
50+206.67 грн
100+170.90 грн
250+160.43 грн
500+149.60 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.58 грн
63+224.50 грн
66+206.67 грн
100+170.90 грн
250+160.43 грн
500+149.60 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.17 грн
500+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+136.31 грн
100+94.65 грн
500+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.98 грн
10+153.04 грн
100+94.06 грн
500+76.64 грн
1000+75.25 грн
2000+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.23 грн
10+157.69 грн
100+112.17 грн
500+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]