Продукція > SQJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJQ114EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ116EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ116EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 9200 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ116EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ116EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 9200 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ118E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ118ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.39 грн
10+216.17 грн
100+153.27 грн
500+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 445A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23345 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+114.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 445A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.96 грн
10+148.41 грн
25+145.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ130EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 445 A, 520 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ130EL-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 445A; Idm: 445A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 445A
Pulsed drain current: 445A
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 455nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
10+204.92 грн
100+144.68 грн
500+111.65 грн
1000+103.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 280A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ131EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 280 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.28 грн
10+188.02 грн
100+132.90 грн
500+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.10 грн
4000+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 413A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ140ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ140ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 413 A, 570 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 413A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 390A, POWERPAK
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.58 грн
63+224.50 грн
66+206.67 грн
100+170.90 грн
250+160.43 грн
500+149.60 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+209.08 грн
100+147.83 грн
500+114.19 грн
1000+106.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 390A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.58 грн
10+224.50 грн
25+216.49 грн
50+206.67 грн
100+170.90 грн
250+160.43 грн
500+149.60 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay SiliconixP-Channel 40 V 390A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK 8 x 8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ141ELR-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ141ELR-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 230 A, 0.002 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+136.31 грн
100+94.65 грн
500+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 1240 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+199.41 грн
100+160.32 грн
500+123.62 грн
1000+105.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Auto N-Channel 40V 175C
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+190.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+138.73 грн
100+97.62 грн
500+76.19 грн
1000+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.98 грн
10+91.47 грн
25+89.97 грн
50+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1-GE3VishayVishay N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 394W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+145.60 грн
100+101.38 грн
500+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.35 грн
100+95.53 грн
500+72.47 грн
1000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EVishay / SiliconixMOSFET Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1 GE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixN-Channel 60 V 602A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.36 грн
10+262.79 грн
25+252.23 грн
50+240.76 грн
100+184.54 грн
250+175.38 грн
500+164.63 грн
1000+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.36 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+175.41 грн
100+128.62 грн
500+101.40 грн
1000+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 461A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EL-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1/GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+194.36 грн
100+137.63 грн
500+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+107.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 10115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+219.87 грн
100+155.90 грн
500+120.71 грн
1000+112.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.