Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.75 грн
10+188.58 грн
100+131.68 грн
500+105.67 грн
1000+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Auto N-Channel 40V 175C
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.77 грн
10+165.05 грн
100+114.96 грн
250+105.90 грн
500+96.15 грн
1000+82.21 грн
2000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+199.41 грн
100+160.32 грн
500+123.62 грн
1000+105.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.68 грн
500+105.67 грн
1000+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.86 грн
10+165.05 грн
100+112.87 грн
500+94.75 грн
1000+89.88 грн
2000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.16 грн
10+147.94 грн
100+104.04 грн
500+92.08 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.02 грн
10+169.06 грн
25+142.83 грн
100+119.14 грн
250+115.66 грн
500+105.90 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 575A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
10+190.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ144AER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.04 грн
500+92.08 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.94 грн
10+197.52 грн
100+139.00 грн
500+108.69 грн
1000+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 487A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.00 грн
500+108.69 грн
1000+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ146E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.94 грн
10+194.70 грн
100+119.14 грн
500+100.33 грн
2000+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 375A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+138.73 грн
100+97.62 грн
500+76.19 грн
1000+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.39 грн
10+145.02 грн
100+99.63 грн
250+92.66 грн
500+84.30 грн
1000+75.94 грн
2000+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.22 грн
10+148.75 грн
100+103.23 грн
500+77.74 грн
1000+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148E-T2_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148E-T2_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1600 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.23 грн
500+77.74 грн
1000+69.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.98 грн
10+91.47 грн
25+89.97 грн
50+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ERVishayTrans MOSFET N-CH 40V 375A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1-GE3VishayVishay N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 394W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.48 грн
500+75.10 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+145.60 грн
100+101.38 грн
500+82.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.05 грн
10+165.05 грн
100+100.33 грн
500+81.52 грн
1000+80.82 грн
2000+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ148ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 1500 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.84 грн
10+134.12 грн
100+93.48 грн
500+75.10 грн
1000+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.51 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.35 грн
100+95.53 грн
500+72.47 грн
1000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ150E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.0015 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
13+65.03 грн
100+61.37 грн
500+53.51 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4643 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 233A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ150E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.45 грн
10+129.80 грн
100+81.52 грн
500+68.21 грн
1000+65.42 грн
2000+65.35 грн
4000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EVishay / SiliconixMOSFET Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1 GE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.70 грн
500+149.45 грн
1000+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+175.41 грн
100+128.62 грн
500+101.40 грн
1000+100.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.36 грн
10+262.79 грн
25+252.23 грн
50+240.76 грн
100+184.54 грн
250+175.38 грн
500+164.63 грн
1000+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.81 грн
10+212.33 грн
25+181.84 грн
100+135.86 грн
500+117.75 грн
1000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 602A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.36 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 602 A, 0.00055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 602A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+302.38 грн
50+225.16 грн
100+166.63 грн
500+127.56 грн
1000+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 602A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160E-T1_GE3Vishay SiliconixN-Channel 60 V 602A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ160EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 461 A, 800 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 461A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.14 грн
10+221.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160EL-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.00 грн
10+196.30 грн
100+128.20 грн
500+113.57 грн
1000+110.78 грн
2000+93.36 грн
4000+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ160ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.82 грн
10+197.10 грн
100+128.20 грн
500+113.57 грн
1000+97.54 грн
2000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1/GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+107.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 1400 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+356.03 грн
50+235.72 грн
100+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.69 грн
10+194.36 грн
100+137.63 грн
500+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 430A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.95 грн
10+233.29 грн
100+169.07 грн
500+147.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.61 грн
10+221.14 грн
25+181.15 грн
100+159.55 грн
2000+148.40 грн
4000+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.07 грн
500+147.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 10115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.66 грн
10+219.87 грн
100+155.90 грн
500+120.71 грн
1000+112.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.30 грн
10+177.20 грн
100+126.80 грн
500+89.06 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.73 грн
10+177.07 грн
100+112.17 грн
500+94.75 грн
1000+87.09 грн
2000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.80 грн
500+89.06 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.80 грн
500+96.61 грн
1000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 329A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10552 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.29 грн
10+180.45 грн
100+126.80 грн
500+96.61 грн
1000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.53 грн
10+174.67 грн
25+143.53 грн
100+122.62 грн
250+115.66 грн
500+108.69 грн
1000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ402E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
на замовлення 38754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+150.65 грн
100+105.11 грн
500+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ402E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.53 грн
10+159.45 грн
100+96.84 грн
500+84.30 грн
1000+80.12 грн
2000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ402E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ404E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00133ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.58 грн
10+165.01 грн
25+136.56 грн
100+113.22 грн
500+96.84 грн
2000+90.57 грн
4000+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ404E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+162.13 грн
100+113.59 грн
500+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ404E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.72mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ404E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ404E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00133 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.22 грн
500+96.84 грн
2000+90.57 грн
4000+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ404E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.68 грн
10+184.28 грн
100+112.17 грн
500+92.66 грн
2000+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.06 грн
10+185.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.75 грн
10+194.70 грн
100+119.14 грн
500+100.33 грн
2000+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+170.58 грн
100+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.60 грн
10+165.05 грн
100+105.21 грн
500+92.66 грн
1000+83.61 грн
2000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.00 грн
500+114.73 грн
1000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ466E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 A, 1900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.17 грн
10+195.08 грн
100+139.00 грн
500+114.73 грн
1000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ466E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+162.13 грн
100+113.59 грн
500+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
10+183.34 грн
100+128.86 грн
500+101.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8625 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.44 грн
4000+88.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.44 грн
500+128.31 грн
1000+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.49 грн
10+181.88 грн
100+111.48 грн
500+100.33 грн
1000+90.57 грн
2000+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.45 грн
10+218.66 грн
100+154.44 грн
500+128.31 грн
1000+116.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.46 грн
10+228.41 грн
100+162.57 грн
500+131.33 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510E-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.70 грн
10+210.72 грн
100+130.29 грн
500+121.23 грн
2000+112.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.57 грн
500+131.33 грн
1000+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.92 грн
10+265.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.02 грн
10+215.53 грн
100+133.07 грн
500+124.71 грн
2000+116.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]