Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTJ6N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTJ6N150IXYSMOSFET High Voltage Power MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
On-state resistance: 27mΩ
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.50 грн
25+755.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK100N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Id = 102 А, Ptot, Вт = 700, Udss, В = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7500 @ 25, Qg, нКл = 224 @ 10 В, Rds = 33 мОм @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -40...+125, Ugs(th) = 5 В @ 500 мкА,... Транзистори Корпус: TO-264 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1045.35 грн
25+663.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2MOSFET N-CH 650V 102A TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 450ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1665.10 грн
25+1039.84 грн
100+906.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK102N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3635.68 грн
5+3403.16 грн
10+3192.91 грн
20+2885.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3635.68 грн
5+3403.16 грн
10+3192.91 грн
20+2885.32 грн
50+2710.54 грн
100+2658.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3470.98 грн
50+3300.24 грн
100+3162.20 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30
Код товару: 32146
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 110A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30IXYSMOSFETs 110 Amps 300V 0.026 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK110N30Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25
Код товару: 36909
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25IXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.020 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+882.36 грн
5+789.42 грн
10+760.33 грн
25+734.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.88 грн
25+839.68 грн
50+778.26 грн
100+681.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N25P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1820.45 грн
10+1468.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYSMOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
On-state resistance: 23mΩ
Reverse recovery time: 505ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Technology: X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1989.74 грн
25+1263.57 грн
50+1179.55 грн
100+1040.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2676.41 грн
5+2563.01 грн
10+2451.54 грн
25+2197.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2489.89 грн
25+1608.64 грн
50+1507.03 грн
100+1369.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2069.28 грн
8+1925.94 грн
10+1728.85 грн
20+1615.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK128N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 128A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK128N15IXYSMOSFETs 128 Amps 150V 0.015 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 800W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1942.36 грн
25+1230.78 грн
100+1079.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.50 грн
25+755.92 грн
50+698.69 грн
100+610.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 160A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 415 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20IXYSMOSFETs 160 Amps 200V 0.013 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK160N20MOSFET 200V 160A 13mOm TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 176ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1795.58 грн
25+1130.96 грн
50+1053.85 грн
100+928.19 грн
500+913.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10PIXYSMOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK1715
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120LIXYSMOSFETs 17 Amps 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK17N120LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.9Ω
Reverse recovery time: 1.83µs
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 180A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+1116.89 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 180A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.72 грн
25+752.27 грн
100+648.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK180N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 180 A, 0.01 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 800
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1004.68 грн
50+936.15 грн
100+884.21 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1273.95 грн
25+1215.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.