Продукція > IMZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMZA120R020M1HXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1410.25 грн
5+1366.76 грн
10+1323.27 грн
50+1189.11 грн
100+1060.36 грн
250+1023.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1123.53 грн
10+856.61 грн
100+644.78 грн
480+644.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R022M2HXKSA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 32A, 18V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.92 грн
30+612.23 грн
120+542.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.37 грн
5+1021.24 грн
10+942.32 грн
50+827.14 грн
100+731.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.15 грн
10+836.76 грн
100+628.90 грн
480+628.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.04 грн
30+742.76 грн
120+687.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+809.42 грн
10+624.79 грн
100+452.17 грн
480+403.16 грн
1200+343.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1
Код товару: 213128
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.01 грн
30+517.33 грн
120+450.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+830.51 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.88 грн
10+523.97 грн
100+403.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.12 грн
5+922.18 грн
10+901.24 грн
50+571.37 грн
100+453.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.07 грн
10+584.30 грн
100+423.18 грн
480+376.93 грн
1200+320.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R040M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.34 грн
30+385.30 грн
120+327.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.90 грн
10+492.21 грн
100+356.91 грн
480+316.87 грн
1200+282.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.58 грн
10+404.88 грн
100+293.39 грн
480+260.95 грн
1200+232.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R011M2HXKSA1 IMZA40R011M2HInfineonN-Channel 400 V 112A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R015M2HXKSA1 IMZA40R015M2HInfineonN-Channel 400 V 99A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA40R036M2HXKSA1 IMZA40R036M2HInfineonN-Channel 400 V 46A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+2269.05 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2181.56 грн
30+1553.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2615.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1951.48 грн
10+1287.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1InfineonN-Channel 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1531.06 грн
10+1117.01 грн
100+907.80 грн
480+882.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2055.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2325.18 грн
5+1999.80 грн
10+1702.61 грн
50+1492.75 грн
100+1292.32 грн
250+1257.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.83 грн
30+850.88 грн
120+802.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2055.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1503.68 грн
5+1364.34 грн
10+1224.20 грн
50+1041.78 грн
100+873.97 грн
250+856.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1115.25 грн
30+665.75 грн
120+598.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1341.79 грн
10+1307.54 грн
25+846.36 грн
50+845.67 грн
100+783.54 грн
240+756.61 грн
480+752.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.28 грн
30+554.05 грн
120+482.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1110.64 грн
10+1061.43 грн
25+584.03 грн
100+531.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1390.12 грн
5+1183.93 грн
10+977.75 грн
50+880.99 грн
100+787.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1343.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.69 грн
5+987.42 грн
10+840.84 грн
50+736.65 грн
100+637.88 грн
250+620.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.99 грн
10+658.14 грн
100+494.97 грн
480+468.74 грн
1200+398.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2402.51 грн
10+2329.19 грн
20+2185.68 грн
50+1975.78 грн
100+1856.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+842.23 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.43 грн
10+558.11 грн
480+484.62 грн
1200+477.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+842.23 грн
100+800.89 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.04 грн
25+656.30 грн
100+650.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.65 грн
30+668.89 грн
120+574.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+793.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1097.76 грн
5+922.18 грн
10+746.60 грн
50+639.43 грн
100+539.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+824.80 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HInfineon TechnologiesIMZA65R030M1H
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2179.60 грн
10+2113.10 грн
20+1982.90 грн
50+1792.46 грн
100+1684.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1065.15 грн
16+903.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.19 грн
30+896.30 грн
120+843.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.16 грн
5+690.23 грн
10+520.29 грн
50+473.40 грн
100+428.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.06 грн
10+658.93 грн
100+543.99 грн
480+432.15 грн
1200+430.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+790.26 грн
100+751.28 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+533.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 6319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+807.01 грн
10+532.70 грн
100+407.99 грн
480+375.55 грн
1200+358.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.18 грн
10+587.70 грн
30+582.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.07 грн
30+407.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.81 грн
5+823.12 грн
10+700.70 грн
50+614.00 грн
100+531.56 грн
250+517.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+595.29 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.15 грн
10+447.76 грн
100+329.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.73 грн
30+660.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+658.01 грн
5+569.42 грн
10+480.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+945.00 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.22 грн
30+342.03 грн
120+289.38 грн
510+253.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+783.65 грн
5+672.51 грн
10+561.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.93 грн
10+375.51 грн
100+279.59 грн
480+265.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1469.31 грн
20+1429.84 грн
50+1346.07 грн
100+1220.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+375.64 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+734.52 грн
10+478.72 грн
100+316.18 грн
480+298.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+529.20 грн
100+503.21 грн
500+476.04 грн
1000+433.98 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+657.74 грн
5+491.93 грн
10+418.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+851.07 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.05 грн
30+452.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+529.20 грн
100+503.21 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]