Продукція > NJV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GON Semiconductor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+32.95 грн
75+28.58 грн
525+24.65 грн
1050+17.33 грн
2550+16.71 грн
4950+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
75+31.09 грн
150+27.65 грн
525+21.35 грн
1050+19.35 грн
2025+17.75 грн
5025+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.08 грн
100+33.64 грн
500+24.52 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+41.04 грн
100+27.06 грн
500+23.40 грн
1000+20.09 грн
2500+17.95 грн
5000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.67 грн
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GONN
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.32 грн
10+62.96 грн
100+42.66 грн
500+36.10 грн
1000+29.48 грн
2500+26.23 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 3598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+60.18 грн
100+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.46 грн
100+37.33 грн
500+27.32 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+61.53 грн
100+35.41 грн
500+27.68 грн
1000+25.20 грн
2500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+50.81 грн
100+29.06 грн
500+22.71 грн
1000+20.50 грн
2500+18.22 грн
5000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.16 грн
100+31.71 грн
500+23.10 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GON Semiconductor
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.91 грн
100+45.27 грн
500+33.37 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+63.99 грн
100+40.52 грн
500+32.45 грн
1000+29.27 грн
2500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 85...375
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.53 грн
100+32.45 грн
500+25.34 грн
1000+22.99 грн
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+58.93 грн
100+38.96 грн
500+28.51 грн
1000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4G-VF01onsemiDescription: NJVMJD210T4G-VF01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 289061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.94 грн
100+31.60 грн
500+23.04 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
5000+18.30 грн
7500+17.52 грн
12500+15.63 грн
17500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+41.04 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.03 грн
100+32.98 грн
500+24.09 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+40.09 грн
100+31.00 грн
500+24.09 грн
1000+21.88 грн
2500+20.92 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
5+63.57 грн
6+53.76 грн
7+50.33 грн
10+46.95 грн
25+38.85 грн
50+34.28 грн
100+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
7+49.13 грн
10+41.92 грн
100+27.20 грн
500+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.46 грн
100+31.75 грн
500+23.04 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.48 грн
5000+18.17 грн
7500+17.38 грн
12500+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
10+46.44 грн
100+26.51 грн
500+20.50 грн
1000+18.50 грн
2500+16.91 грн
5000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+55.81 грн
100+37.42 грн
500+32.72 грн
1000+28.23 грн
2500+25.89 грн
5000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 64665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
10+64.84 грн
100+43.29 грн
500+31.94 грн
1000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.91 грн
5000+25.85 грн
7500+24.83 грн
12500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
11+29.93 грн
75+23.06 грн
525+21.75 грн
1050+17.53 грн
1875+16.08 грн
5625+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+29.10 грн
150+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.37 грн
100+30.41 грн
500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 7282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+49.46 грн
100+28.23 грн
500+21.81 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD31
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+49.46 грн
100+28.23 грн
500+21.81 грн
1000+19.74 грн
2500+16.50 грн
5000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.37 грн
100+30.41 грн
500+22.07 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.51 грн
5000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.97 грн
18+42.40 грн
25+41.98 грн
100+28.49 грн
250+26.12 грн
500+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.09 грн
100+20.57 грн
500+17.47 грн
1000+15.95 грн
2500+14.36 грн
5000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+37.47 грн
75+22.30 грн
525+16.22 грн
1050+14.50 грн
1875+12.70 грн
5625+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.36 грн
500+21.69 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.82 грн
50+46.55 грн
100+30.36 грн
500+21.69 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.73 грн
500+19.31 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.59 грн
30+25.39 грн
100+22.08 грн
250+20.09 грн
500+18.27 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF02onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.56 грн
100+33.33 грн
500+24.33 грн
1000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]