Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD23381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V | на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD23382F4 | Texas Instruments | MOSFET P-Channel MOSFET | на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V | на замовлення 183000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V | на замовлення 184930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V | на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23382F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.066 ohm, LGA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 3.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD23382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Bulk | на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4T | Texas Instruments | MOSFETs P-Ch NexFET Power MOSFET | на замовлення 5618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD23382F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23382F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.066 ohm, LGA, Oberflächenmontage Verlustleistung: 500 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2410 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR 10A 240VAC DC IN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2410F | Sensata-Crydom | Description: RELAY SSR 24-280 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD24168 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 15.98"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 24.016" L x 15.984" W (610.00mm x 406.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 384in² (2477cm²) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD242010 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W Area (L x W): 480in² (3097cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 10.000" (254.00mm) Thickness: 18 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD242010 | NVENT HOFFMAN | Description: NVENT HOFFMAN - CSD242010 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY Gehäusefarbe: Grey Außenhöhe - imperial: 24 Anzahl der Löcher für Schalter: - IP-Schutzart: IP66 NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13 Außentiefe - metrisch: 254 Außenhöhe - metrisch: 610 Außentiefe - imperial: 10 Außenbreite - metrisch: 508 Produktpalette: Concept Series Gehäusetyp: Electrical / Industrial Außenbreite - Zoll: 20 Gehäusematerial: Steel SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD24208 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 18 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 480in² (3097cm²) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD242410 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 10.000" (254.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 576in² (3716cm²) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD242410W | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STEEL GRAY 24"L X 10"W Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 24.000" L x 10.000" W (609.60mm x 254.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 24.000" (609.60mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 240in² (1548cm²) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD242410WLG | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD242412 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W Part Status: Active Area (L x W): 576in² (3716cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 12.008" (305.00mm) Thickness: 16 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD24246 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STL GRAY 24.016"L X 24.016"W Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Steel Thickness: 16 Gauge Height: 5.984" (152.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 576in² (3716cm²) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD24248 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W Area (L x W): 576in² (3716cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 7.992" (203.00mm) Thickness: 16 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD24248SS | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX S STL NAT 24.02"L X 24.02"W Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount Packaging: Bulk Color: Natural Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm) Material: Metal, Stainless Steel Thickness: 16 Gauge Height: 7.992" (203.00mm) Design: Hinged Door, Lid Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A Container Type: Box Area (L x W): 576in² (3716cm²) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD2425 | SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK | Description: SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK - CSD2425 - SSR RELAY PANEL MOUNT IP00 tariffCode: 85414900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: CSD Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD2425 | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V Voltage - Load: 24 V ~ 280 V Approval Agency: CE, CSA, UL, VDE Load Current: 25 A Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Circuit: SPST-NO (1 Form A) Voltage - Input: 3.5 ~ 15VDC Mounting Type: Chassis Mount Output Type: AC, Zero Cross Package / Case: Hockey Puck Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2425 | SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK | Description: SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK - CSD2425 - SSR RELAY PANEL MOUNT IP00 tariffCode: 85414900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: CSD Series | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD2425-10 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR 24-280 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2425F | Crydom Co. | Description: RELAY SSR 25A 240VAC DC IN PNL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2425P | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V Packaging: Bulk Package / Case: Hockey Puck Output Type: AC, Zero Cross Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 3.5 ~ 15VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Termination Style: Screw Terminal Load Current: 25 A Approval Agency: CE, CSA, UL, VDE Voltage - Load: 24 V ~ 280 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD24308 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: BOX STEEL GRAY 30"L X 24.02"W Part Status: Active Area (L x W): 720in² (4645cm²) Container Type: Box Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A Design: Hinged Door, Lid Height: 7.992" (203.00mm) Thickness: 16 Gauge Material: Metal, Steel Size / Dimension: 30.000" L x 24.016" W (762.00mm x 610.00mm) Color: Gray Features: Sealing Gasket, Wall Mount Packaging: Bulk | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD2440 | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 40A 24-280V Packaging: Bulk Package / Case: Hockey Puck Output Type: AC, Zero Cross Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 3.5 ~ 15VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Termination Style: Screw Terminal Load Current: 40 A Approval Agency: CE, CSA, UL, VDE Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay) Voltage - Load: 24 V ~ 280 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2450 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR 50A 240VAC DC IN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2475 | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 75A 24-280V Load Current: 75 A Termination Style: Screw Terminal Circuit: SPST-NO (1 Form A) Voltage - Input: 3.5 ~ 15VDC Mounting Type: Chassis Mount Output Type: AC, Zero Cross Package / Case: Hockey Puck Packaging: Bulk Approval Agency: CE, CSA, UL, VDE Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Voltage - Load: 24 V ~ 280 V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD2490 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR 90A 240VAC DC IN PNL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25201W15 | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD25201W15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFETs P-Channel NexFET Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD25202W15T | на замовлення 2869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V | на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DSBGA T/R | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25202W15 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25202W15T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Part Status: Active Supplier Device Package: 9-DSBGA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15T | Texas Instruments | MOSFETs 20V PCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD25202W15 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25202W15T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Supplier Device Package: 9-DSBGA Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): -6V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25202W15T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: 9-DSBGA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET | на замовлення 3633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V | на замовлення 22289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25301W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25301W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET PCH -20V -5A 6SON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25302Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25302Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6SON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-SON Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25302Q2 Код товару: 67068
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Packaging: Bulk | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T | на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V | на замовлення 2664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25304W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | MOSFETs 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015 | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 10 V | на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25304W1015T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -41A; 0.75W; DSBGA6 Case: DSBGA6 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -41A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A On-state resistance: 92mΩ Power dissipation: 0.75W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | на замовлення 12683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 5605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| CSD25310Q2 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |