Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD202410LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 480in² (3097cm²)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37577.64 грн
5+35234.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsMOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
на замовлення 7901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 52180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.14 грн
100+29.61 грн
500+21.51 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.72 грн
6000+16.65 грн
9000+15.95 грн
15000+14.23 грн
21000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.37 грн
6000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.27 грн
100+24.81 грн
500+17.86 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+51.06 грн
500+44.63 грн
750+42.32 грн
1250+37.27 грн
1750+35.82 грн
2500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsMOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.23 грн
100+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.66 грн
100+24.36 грн
500+17.49 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.70 грн
6000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
на замовлення 30195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
11+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 29750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.15 грн
500+29.92 грн
1250+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsMOSFETs -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 5.7 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA -55 to 150
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.46 грн
100+29.04 грн
500+21.04 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.25 грн
6000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.80 грн
500+34.44 грн
1250+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 14901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+52.31 грн
100+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 5.7 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA -55 to 150
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 455050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsP-CHANNEL NexFET MOSFET 12V, 7A, 66mohm CSD23201W10 TCSD23201w10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsMOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.32 грн
100+17.48 грн
500+12.41 грн
1000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsMOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.07 грн
500+33.20 грн
750+31.43 грн
1250+27.64 грн
1750+26.53 грн
2500+25.46 грн
6250+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.33 грн
100+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsMOSFETs CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.80 грн
100+19.86 грн
500+14.21 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 39033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+63.48 грн
100+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsMOSFETs CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A 595-CSD23203W
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.75 грн
500+30.50 грн
750+30.15 грн
1250+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3Texas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3Texas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 12049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+49.66 грн
100+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.07 грн
500+22.02 грн
750+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T
на замовлення 7433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 12V; 3.3A; 1.4W; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Gate-source voltage: -6V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 43879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.83 грн
50+21.01 грн
100+17.33 грн
500+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
9000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.25 грн
500+35.09 грн
750+33.21 грн
1250+29.19 грн
1750+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+67.02 грн
100+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.4A; Idm: -31A; 1.4W
Case: PICOSTAR3
Technology: NexFET™
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -31A
Drain-source voltage: -12V
Gate-source voltage: ±6V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsMOSFETs 12V P-CH FemtoFET MOSFET
на замовлення 26959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
6000+5.06 грн
9000+4.79 грн
15000+4.20 грн
21000+4.03 грн
30000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 233633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.15 грн
100+10.12 грн
500+7.06 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.05 грн
10+78.26 грн
25+78.12 грн
100+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.70 грн
100+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.43 грн
500+30.80 грн
750+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.26 грн
182+78.12 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.24 грн
9000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsMOSFET P-Channel MOSFET
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 180581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.70 грн
50+14.24 грн
100+11.67 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
100+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTexas InstrumentsMOSFETs P-Ch NexFET Power MOSFET
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23382F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.066 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.53 грн
500+24.51 грн
750+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23382F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.066 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2410Crydom Co.Description: RELAY SSR 10A 240VAC DC IN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2410FSensata-CrydomDescription: RELAY SSR 24-280 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD24168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 15.984" W (610.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 384in² (2477cm²)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34110.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242010Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W
Area (L x W): 480in² (3097cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40598.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242010NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD242010 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 24
Anzahl der Löcher für Schalter: -
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 254
Außenhöhe - metrisch: 610
Außentiefe - imperial: 10
Außenbreite - metrisch: 508
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 20
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD24208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 480in² (3097cm²)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38881.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242410Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 576in² (3716cm²)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40948.83 грн
5+37957.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242410WHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL GRAY 24"L X 10"W
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.000" L x 10.000" W (609.60mm x 254.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 24.000" (609.60mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 240in² (1548cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242410WLGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD242412Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W
Part Status: Active
Area (L x W): 576in² (3716cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 12.008" (305.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43820.73 грн
5+40959.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD24246Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STL GRAY 24.016"L X 24.016"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 576in² (3716cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47635.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD24248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 24.02"W
Area (L x W): 576in² (3716cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39189.95 грн
5+36936.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD24248SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NAT 24.02"L X 24.02"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 24.016" L x 24.016" W (610.00mm x 610.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 576in² (3716cm²)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+147451.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2425SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCKDescription: SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK - CSD2425 - SSR RELAY PANEL MOUNT IP00
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CSD Series
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2425Sensata-CrydomDescription: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V
Voltage - Load: 24 V ~ 280 V
Approval Agency: CE, CSA, UL, VDE
Load Current: 25 A
Termination Style: Screw Terminal
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 3.5 ~ 15VDC
Mounting Type: Chassis Mount
Output Type: AC, Zero Cross
Package / Case: Hockey Puck
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2425SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCKDescription: SENSATA-CRYDOM / PARTNER STOCK - CSD2425 - SSR RELAY PANEL MOUNT IP00
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: CSD Series
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2425-10Crydom Co.Description: RELAY SSR 24-280 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD2425FCrydom Co.Description: RELAY SSR 25A 240VAC DC IN PNL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]