Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD20060DCREESiC ZeroRecovey 20A, 600V, TO-247-3 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20060DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SIC 600V 16.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16.5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20120DCREEVrrm=1200V, Ifrm=30A, Ifsm=100A, TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20126Hoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR ANSI61
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20126LGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR RAL7035
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20128Hoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR ANSI61
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20128PentairCSD20128
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51944.67 грн
2+51500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20128LGHoffman Enclosures, Inc.Description: CONCEPT 1DOOR RAL7035
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD201610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35742.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD201610PentairSteel Wall Mount Enclosure
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56508.92 грн
2+56025.36 грн
3+54126.20 грн
5+51322.15 грн
10+47205.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32077.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31790.72 грн
5+29233.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+117308.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202010Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35518.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202010WHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 0.063" (1.60mm)
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Enclosure
Material Flammability Rating: UL 508A
Area (L x W): 442in² (2850cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202010WSSHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL MOUNT TYPE 4X WIN ENCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202012Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 12.008" (305.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38952.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20206Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD20208 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
tariffCode: 85381000
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 20"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 508mm
Außentiefe - imperial: 8"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 508mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 0
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36567.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20208SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+121275.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202410LGPentairCSD202410LG
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+59105.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD202410LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 480in² (3097cm²)
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37233.37 грн
5+34911.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsMOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
на замовлення 7901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 52180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.72 грн
100+29.34 грн
500+21.32 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.55 грн
6000+16.50 грн
9000+15.80 грн
15000+14.10 грн
21000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
6000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+37.92 грн
100+24.58 грн
500+17.70 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsMOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.59 грн
500+44.22 грн
750+41.93 грн
1250+36.93 грн
1750+35.50 грн
2500+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22204WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.46 грн
100+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.32 грн
100+24.13 грн
500+17.33 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
6000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 30195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
11+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsMOSFETs -8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22205LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
на замовлення 29750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+30.86 грн
500+29.65 грн
1250+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 5.7 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA -55 to 150
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.05 грн
100+28.78 грн
500+20.85 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
6000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+41.41 грн
500+34.13 грн
1250+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsMOSFET -8V, P channel NexFET power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 5.7 mOhm, gate ESD protection 9-DSBGA -55 to 150
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD22206WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 4 V
на замовлення 14901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+51.83 грн
100+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsP-CHANNEL NexFET MOSFET 12V, 7A, 66mohm CSD23201W10 TCSD23201w10
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
на замовлення 455050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsMOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.47 грн
50+19.25 грн
100+15.88 грн
500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: DSBGA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.72 грн
500+32.89 грн
750+31.14 грн
1250+27.38 грн
1750+26.29 грн
2500+25.23 грн
6250+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsMOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23202W10TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V
на замовлення 12273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.51 грн
100+19.68 грн
500+14.08 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsMOSFETs CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 39033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+62.90 грн
100+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 4 V
на замовлення 38750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.46 грн
500+30.22 грн
750+29.87 грн
1250+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23203WTTexas InstrumentsMOSFETs CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A 595-CSD23203W
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3Texas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3Texas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 12049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+49.21 грн
100+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.84 грн
500+21.82 грн
750+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23280F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 12V; 3.3A; 1.4W; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Gate-source voltage: -6V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
на замовлення 13623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+27.97 грн
50+20.39 грн
100+16.81 грн
500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
9000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.88 грн
500+34.76 грн
750+32.91 грн
1250+28.93 грн
1750+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsMOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1.49x0.73)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 6 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.41 грн
100+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23285F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.4A; Idm: -31A; 1.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -31A
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: PICOSTAR3
On-state resistance: 0.13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+5.02 грн
9000+4.74 грн
15000+4.16 грн
21000+3.99 грн
30000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23381F4 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsMOSFETs 12V P-CH FemtoFET MOSFET
на замовлення 26959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 233633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.00 грн
100+10.03 грн
500+6.99 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+59.16 грн
100+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.10 грн
500+30.51 грн
750+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+78.44 грн
182+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 6 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.25 грн
10+78.44 грн
25+78.29 грн
100+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsMOSFET P-Channel MOSFET
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+18.02 грн
50+13.03 грн
100+10.69 грн
500+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 6 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.98 грн
100+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD23382F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23382F4T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3.5 A, 0.066 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.066
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.