Продукція > SI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Version: ESD
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.87 грн
14+32.04 грн
20+27.51 грн
100+18.79 грн
200+16.19 грн
500+13.50 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET SOT-23
на замовлення 89168 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
6000+12.44 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.34 грн
50+25.16 грн
100+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
6000+14.78 грн
9000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.5A; Idm: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 2.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 10.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
12+37.24 грн
100+21.89 грн
500+15.77 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.38 грн
50+26.67 грн
100+22.07 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+29.50 грн
651+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
на замовлення 27573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.72 грн
50+28.49 грн
100+23.61 грн
500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 7.5A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 166800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 173333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 6.1A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 167431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.53 грн
50+20.77 грн
100+17.14 грн
500+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DSVISHAYSOT23 11+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 5.1A
на замовлення 15670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+12.98 грн
24000+12.89 грн
45000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 60542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
9000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.51 грн
100+21.61 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+12.98 грн
24000+12.89 грн
45000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1064+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
9000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-BS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-BSSilicon LabsDescription: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1008 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LabsDescription: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LabsNetwork Controller & Processor ICs 2400 bps ISOmodem System-Side - lead-free
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.21 грн
10+847.38 грн
25+818.25 грн
50+759.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LabsSOIC 16/C°/V.22BIS ISOMODEM WITH INTEGRATED GLOBAL DAA SI2400 SLLSI2400KS
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSRSkyworks Solutions, Inc.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSRSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-KSSilicon LabsDescription: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1008 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-KSSI09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-KSRSILICON2000 SMD
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400FSSILICON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400KSSILICON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400URT-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI2400
Packaging: Bulk
Function: Modem
Type: Telecom
Contents: Board(s), Power Supply
Utilized IC / Part: SI2400
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Primary Attributes: Dual RJ-11 Connection to Phone Line, Audio Connector
Secondary Attributes: RS232/UART/USB Interface(s)
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSSilicon LabsNetwork Controller & Processor ICs 2.4 kbps data ISOmodem system-side
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSSkyworks Solutions Inc.Description: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.98 грн
10+675.23 грн
25+643.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSSilicon LabsSOIC 16/C°/2400 BPS ISOMODEM SYSTEM-SIDE - LEAD-FREE SI2401
кількість в упаковці: 48 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSilicon Laboratories2.4 kbps data ISOmodem system-side
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSilicon Laboratories2.4 kbps data ISOmodem system-side
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+637.26 грн
10+611.67 грн
50+597.36 грн
100+565.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSilicon LabsSOIC 16/C°/2400 BPS ISOMODEM SYSTEM-SIDE SI2401
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSkyworks Solutions Inc.Description: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Baud Rates: 2.4k
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Data Format: V.21, V.22, V.23, Bell 103, Bell 212A
Supplier Device Package: 16-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSilicon Laboratories2.4 kbps data ISOmodem system-side
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-FSRSkyworks Solutions Inc.Description: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Baud Rates: 2.4k
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Data Format: V.21, V.22, V.23, Bell 103, Bell 212A
Supplier Device Package: 16-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2401-KSVISHAY
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2401FS08-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI2401 + SI3008
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2401FS08-EVBSilicon LabsОценочная плата для разработки модемов на базе чипсета SI2404+SI3008... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: EvBoard Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2401FS08-EVBSilicon LabsNetworking Development Tools Si2401 + Si3008 ISOmodem Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.