Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 505025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.5A
на замовлення 15822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.08 грн
500+8.49 грн
1000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.50 грн
500+11.40 грн
1500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
6000+6.57 грн
9000+6.23 грн
15000+5.49 грн
21000+5.28 грн
30000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
30+14.26 грн
50+11.41 грн
100+10.40 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 160477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
898+15.76 грн
997+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 898 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.19 грн
50+25.93 грн
100+16.50 грн
500+11.40 грн
1500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 58708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.23 грн
100+12.82 грн
500+9.01 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 F5.VishayN-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+26.95 грн
100+16.18 грн
500+14.06 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
11+27.55 грн
100+17.71 грн
500+12.62 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.58 грн
29+28.53 грн
100+18.94 грн
500+13.74 грн
1000+11.50 грн
5000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.65 грн
50+30.73 грн
100+15.36 грн
500+13.59 грн
1500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET SOT-23
на замовлення 89168 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 30369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+24.23 грн
100+15.46 грн
500+10.97 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.36 грн
500+13.59 грн
1500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
6000+8.14 грн
9000+7.74 грн
15000+6.85 грн
21000+6.60 грн
30000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
6000+12.44 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+22.03 грн
500+15.79 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
6000+14.78 грн
9000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 14235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.4nC
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.38 грн
13+32.29 грн
100+19.04 грн
500+14.01 грн
1000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+22.03 грн
500+15.79 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+29.50 грн
651+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.51 грн
6000+11.94 грн
9000+11.39 грн
15000+10.11 грн
21000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
6000+13.02 грн
9000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.53 грн
100+23.72 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 15118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.30 грн
100+18.14 грн
500+12.90 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 27023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.21 грн
500+13.96 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
6000+9.63 грн
9000+9.17 грн
15000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 27023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.89 грн
50+30.40 грн
100+18.21 грн
500+13.96 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 6.1A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 193535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 7.5A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.50 грн
24+34.30 грн
28+29.10 грн
50+22.12 грн
100+17.56 грн
500+15.19 грн
1000+13.10 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DSVISHAYSOT23 11+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 5.1A
на замовлення 15670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+12.98 грн
24000+12.89 грн
45000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.54 грн
50+33.08 грн
100+21.70 грн
500+16.30 грн
1500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
9000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.29 грн
100+20.33 грн
500+14.90 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 60542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
9000+12.98 грн
24000+12.89 грн
45000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1064+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
6000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.70 грн
500+16.30 грн
1500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
9000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-BSSilicon LabsDescription: IC ISOMODEM SYSTEM-SIDE 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1008 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-BS
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LabsNetwork Controller & Processor ICs 2400 bps ISOmodem System-Side - lead-free
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LabsDescription: IC ISOMODEM SYST-SIDE DAA 16SOIC
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2400-FSSilicon LaboratoriesModem Chip Chipset 2.4Kbps 16-Pin SOIC Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.21 грн
10+847.38 грн
25+818.25 грн
50+759.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]