Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2369DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.1A; Idm: -80A; 2.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 77385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.87 грн
9000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+18.62 грн
788+17.95 грн
1000+17.37 грн
2500+16.25 грн
5000+14.64 грн
10000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
471+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 257045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 34602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
12+34.97 грн
50+24.99 грн
100+21.64 грн
500+15.68 грн
1000+13.75 грн
1300+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.40 грн
25+30.34 грн
26+30.04 грн
100+22.27 грн
250+20.42 грн
500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2369DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 108446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+35.02 грн
50+25.66 грн
100+21.23 грн
500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
6000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0585
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+11.00 грн
500+7.71 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 3.7A
на замовлення 107012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+41.39 грн
564+25.08 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 505025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2372DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.08 грн
500+8.49 грн
1000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.5A
на замовлення 15822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
30+14.26 грн
50+11.41 грн
100+10.40 грн
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 160477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.68 грн
50+14.96 грн
100+12.28 грн
500+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
898+15.76 грн
997+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 898 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 F5.VishayN-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+26.95 грн
100+16.18 грн
500+14.06 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 12211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.04 грн
50+21.92 грн
100+18.10 грн
500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
9000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET SOT-23
на замовлення 89168 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2387DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
6000+12.44 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 13490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
6000+14.78 грн
9000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+22.03 грн
500+15.79 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.51 грн
6000+11.94 грн
9000+11.39 грн
15000+10.11 грн
21000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+29.50 грн
651+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.4nC
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
12+37.24 грн
100+21.89 грн
500+15.77 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.04 грн
100+22.03 грн
500+15.79 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.55 грн
50+29.09 грн
100+24.11 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
9000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
9000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
на замовлення 177283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
на замовлення 19340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 6.1A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+29.13 грн
50+21.21 грн
100+17.51 грн
500+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 27023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]