Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP60N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP60N10T. - MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TIXYSMOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+398.84 грн
38+381.69 грн
50+367.16 грн
100+342.03 грн
250+307.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.86 грн
10+359.28 грн
50+286.48 грн
100+246.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+522.53 грн
50+400.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+471.61 грн
5+321.58 грн
10+299.15 грн
25+265.08 грн
50+260.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X4-Class; N; 200V; 60A; 250W; TO220-3; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X4-Class
Polarisation: N
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 110ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.80 грн
10+597.77 грн
50+486.68 грн
100+423.25 грн
500+370.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.50 грн
50+261.71 грн
100+224.32 грн
500+187.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N055TIXYSMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N055TIXYSMOSFET 64 Amps 55V 13 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1196.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N10L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.40 грн
50+750.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+765.13 грн
5+576.69 грн
10+519.35 грн
50+437.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.69 грн
10+544.07 грн
50+441.29 грн
100+383.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+507.47 грн
30+485.67 грн
50+467.17 грн
100+435.19 грн
250+390.74 грн
500+364.90 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+650.58 грн
10+428.78 грн
50+344.02 грн
100+332.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1070.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.77 грн
10+555.74 грн
50+450.73 грн
100+391.33 грн
500+337.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 транзистор
Код товару: 66796
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N075T2IXYSMOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 7089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.64 грн
38+375.83 грн
50+319.30 грн
100+223.26 грн
1000+186.14 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.06 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 7089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.64 грн
10+379.61 грн
25+375.83 грн
50+319.30 грн
100+223.26 грн
1000+186.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id76 BVdass75
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.29 грн
10+417.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25TMIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+325.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76N25TMIXYSMOSFET Modules TO220 250V 76A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TIXYSMOSFETs TO220 100V 76A P-CH TRENCH
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.16 грн
50+419.17 грн
100+369.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.63 грн
10+414.17 грн
50+331.35 грн
100+285.98 грн
500+242.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.75 грн
50+417.93 грн
100+368.20 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP7N60PIXYSMOSFET 1.1 Ohms Rds
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP7N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP7N60PMIXYSMOSFET 7 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+799.73 грн
20+720.74 грн
50+687.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2IXYSMOSFETs TO220 N-CH 75V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+626.42 грн
5+505.23 грн
10+463.68 грн
50+388.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.29 грн
10+468.91 грн
50+377.70 грн
100+326.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe LinearL2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 10699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
50+177.78 грн
100+161.82 грн
500+125.60 грн
1000+117.17 грн
2000+110.08 грн
5000+107.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.70 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T
Код товару: 46876
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+332.00 грн
10+212.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10TLittelfuseMOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.90 грн
50+243.18 грн
100+224.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20TIXYSMOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N50PIXYSMOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N50PMIXYSMOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 32W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
50+137.08 грн
100+117.85 грн
500+79.40 грн
1000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.