Продукція > STW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STWA30N65DM6AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 284W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA32N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.083 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA35N65DM2STMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA38N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 68 mOhm typ., 42 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA38N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Pulsed drain current: 136A
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.99 грн
10+307.88 грн
50+243.86 грн
100+209.50 грн
500+175.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA40N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 40 A, 0.088 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 40A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95DK5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 100 V
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.59 грн
30+693.55 грн
60+641.70 грн
120+561.30 грн
510+519.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95K5
Код товару: 180858
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA40N95K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 55 mOhm typ., 50 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA48N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Technology: MDmesh™ M5
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA57N65M5STMicroelectronics
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N028TSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N035M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N035M9STMicroelectronicsDescription: N CHANNEL 600V 32MOHM TYP 62A
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.83 грн
30+336.16 грн
60+307.42 грн
120+265.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N035M9STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 600V; 39A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M9
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 321W
Case: TO247
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N043DM9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.49 грн
30+514.23 грн
60+473.80 грн
120+412.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N043DM9STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 175A
Technology: MDmesh™
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N043DM9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM9 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA60N043DM9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA63N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA63N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA63N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA63N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N023M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N023M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.92 грн
30+486.96 грн
120+484.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N023M9STMN-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N023M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N023M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N045M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N045M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N045M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.58 грн
10+728.59 грн
100+607.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.05 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.89 грн
10+478.46 грн
50+385.86 грн
100+334.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA65N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 37A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 431W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.84 грн
10+434.83 грн
100+323.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA67N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 33A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N65DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.051 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA68N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 37 Ohm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA70N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 125nC
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 220A
Polarisation: unipolar
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 600 V 37 mOhm typ. 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+756.38 грн
30+432.92 грн
60+397.68 грн
120+345.41 грн
510+300.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 288A
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STWA75N65DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.