Продукція > SIZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.42 грн
10+59.19 грн
100+39.31 грн
500+28.89 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 23.7A/36.2A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2)
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.96 грн
6000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 5723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.95 грн
10+85.70 грн
100+58.02 грн
500+43.33 грн
1000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZA20
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZA60
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAL20
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAL20/L291
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZAS4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZBSHINDENGEN
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB20/Z27N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB40
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB4072
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB60
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZB60-7072
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 0 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 12 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 16 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 20 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 4 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 5 COAX PC TERM BKWITTSIZE 5 COAX PC TERM BKW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47339.27 грн
2+46934.16 грн
3+45181.17 грн
5+42197.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIZE 8 SOCKETAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.82 грн
10+67.53 грн
100+52.55 грн
500+41.80 грн
1000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4412DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4412DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4412DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 5300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 77.1A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4412DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4414DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF456LDT-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF458LDT-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.91 грн
10+101.70 грн
100+69.30 грн
500+52.02 грн
1000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.05 грн
6000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF4800LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.08 грн
10+131.86 грн
100+91.12 грн
500+69.17 грн
1000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 35A
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.11 грн
10+116.22 грн
100+79.80 грн
500+60.25 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 28.1A
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-RE3-XVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5302DT-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF640DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAIR6X5 2NCH 40V 41A
на замовлення 11477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF660LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF660LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF660LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 110 A, 2600 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 110A
isCanonical: N
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2600µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF660LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF680LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF680LDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: SYMMETRIC DUAL N-CH 80-V (D-S) M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 72A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 6 x 5FS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF680LDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.88 грн
13+61.92 грн
25+60.97 грн
100+57.87 грн
250+52.74 грн
500+49.80 грн
1000+48.98 грн
3000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+61.92 грн
232+60.97 грн
236+60.01 грн
250+56.95 грн
500+51.88 грн
1000+48.98 грн
3000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+63.17 грн
225+62.86 грн
234+58.29 грн
250+53.95 грн
500+50.40 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPR N CHAN 30V
на замовлення 23256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.17 грн
25+62.97 грн
50+60.62 грн
100+53.97 грн
250+51.80 грн
500+50.40 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DDT-T1-GE3VishayMOSFETs DUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/ SCHOT
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.66 грн
10+89.42 грн
100+69.57 грн
500+55.34 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3
Код товару: 186042
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.96 грн
6000+43.07 грн
9000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF914DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF916DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 900 µohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.80 грн
10+109.00 грн
100+84.96 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF918DT-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]