Продукція > SQJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ190ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+81.44 грн
100+63.52 грн
500+49.25 грн
1000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+79.71 грн
100+62.02 грн
500+49.34 грн
1000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.54 грн
6000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+86.20 грн
100+58.01 грн
500+43.10 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
на замовлення 71041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.76 грн
10+96.46 грн
50+72.99 грн
100+61.37 грн
500+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.40 грн
212+67.01 грн
230+61.67 грн
250+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3
Код товару: 214086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.52 грн
12+67.40 грн
25+67.01 грн
100+59.46 грн
250+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_BE3Vishay General SemiconductorMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.33 грн
100+56.31 грн
500+42.00 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+76.31 грн
100+53.81 грн
500+41.06 грн
1000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_BE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+71.18 грн
100+50.06 грн
500+38.11 грн
1000+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EPVishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.56 грн
100+70.54 грн
500+52.94 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.87 грн
6000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+122.05 грн
100+97.13 грн
500+77.13 грн
1000+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 30060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+86.80 грн
100+69.05 грн
500+54.83 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.91 грн
6000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.98 грн
9000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.49 грн
159+89.30 грн
250+85.72 грн
500+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3
Код товару: 155826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.82 грн
50+77.27 грн
100+65.06 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.80 грн
100+64.27 грн
500+48.05 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 22762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.