Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.41 грн
100+57.47 грн
500+42.71 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.19 грн
6000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.64 грн
500+44.25 грн
1000+40.52 грн
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.56 грн
100+55.80 грн
500+41.61 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
на замовлення 71042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+96.06 грн
100+56.40 грн
500+45.70 грн
1000+41.01 грн
3000+38.31 грн
6000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 33.6A, POWERPAK SO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.50 грн
10+98.26 грн
25+89.40 грн
50+75.53 грн
100+63.44 грн
500+50.53 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.22 грн
10+93.63 грн
100+63.49 грн
500+47.45 грн
1000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3
Код товару: 214086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+100.03 грн
100+58.82 грн
500+46.87 грн
1000+43.08 грн
3000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.68 грн
12+67.55 грн
25+67.16 грн
100+59.60 грн
250+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.72 грн
6000+38.49 грн
9000+37.14 грн
15000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.94 грн
10+107.92 грн
100+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.55 грн
212+67.16 грн
230+61.80 грн
250+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ211ELP-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_BE3Vishay General SemiconductorMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.56 грн
100+55.80 грн
500+41.61 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.64 грн
500+44.25 грн
1000+40.52 грн
3000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.98 грн
500+41.35 грн
1000+38.24 грн
3000+37.35 грн
6000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+75.61 грн
100+53.32 грн
500+40.68 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.87 грн
500+38.29 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ260EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
11+77.40 грн
100+51.87 грн
500+38.29 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_BE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.00 грн
11+76.67 грн
100+51.46 грн
500+37.84 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+83.36 грн
100+48.53 грн
500+38.38 грн
1000+35.62 грн
3000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+70.52 грн
100+49.61 грн
500+37.76 грн
1000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.46 грн
500+37.84 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ262EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EPVishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.43 грн
6000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+51.84 грн
1000+47.70 грн
3000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A/54A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ264EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.61 грн
100+69.90 грн
500+52.45 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 30060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+144.49 грн
100+86.98 грн
500+73.87 грн
1000+69.72 грн
3000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+120.93 грн
100+96.24 грн
500+76.42 грн
1000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+86.00 грн
100+68.42 грн
500+54.33 грн
1000+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+92.89 грн
100+64.82 грн
250+59.30 грн
500+54.74 грн
3000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.46 грн
6000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+84.95 грн
100+59.99 грн
500+47.63 грн
1000+45.56 грн
3000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.41 грн
100+69.05 грн
500+51.79 грн
1000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
10+81.35 грн
100+70.55 грн
500+49.43 грн
1000+44.25 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3
Код товару: 155826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.70 грн
159+89.50 грн
250+85.91 грн
500+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.55 грн
500+49.43 грн
1000+44.25 грн
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ402EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.55 грн
100+60.05 грн
500+44.89 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 25802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+100.03 грн
100+59.09 грн
500+47.08 грн
1000+43.22 грн
3000+40.18 грн
6000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.60 грн
10+77.71 грн
25+77.37 грн
100+66.09 грн
250+60.88 грн
500+53.35 грн
1000+50.67 грн
3000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+94.47 грн
100+55.23 грн
500+43.97 грн
1000+41.97 грн
3000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.55 грн
100+60.05 грн
500+44.89 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 21440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+107.97 грн
100+64.13 грн
500+50.95 грн
1000+46.87 грн
3000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+94.76 грн
100+71.79 грн
500+53.84 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+79.87 грн
100+62.10 грн
500+49.39 грн
1000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
10+92.62 грн
100+68.06 грн
500+53.55 грн
1000+37.97 грн
5000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.81 грн
6000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+80.84 грн
100+57.56 грн
500+42.92 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 49290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+87.33 грн
100+54.68 грн
500+44.25 грн
1000+40.52 грн
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]