Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMYS2D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+161.37 грн
100+130.53 грн
500+108.89 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Drain current: 138A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 829A
Power dissipation: 27W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWGonsemiMOSFETs 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D3N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D3N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D3N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+142.13 грн
100+98.76 грн
500+75.26 грн
1000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D5N04CTWGonsemiMOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D5N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D5N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+110.58 грн
100+79.32 грн
500+61.45 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+86.20 грн
100+58.30 грн
500+43.52 грн
1000+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS3D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS4D1N06CLTWGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS4D5N04CTWGonsemiMOSFETs T6 40V SL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS4D6N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS4D6N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGonsemiMOSFETs 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 11601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+93.74 грн
100+68.53 грн
500+53.39 грн
1000+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.70 грн
6000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS6D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+119.03 грн
100+94.70 грн
500+75.20 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS6D2N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS6D2N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+92.23 грн
50+69.62 грн
100+58.51 грн
500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGonsemiMOSFETs 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.68 грн
6000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 8712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.50 грн
100+66.86 грн
500+50.04 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS9D3N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.