Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.75 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 749 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.55 грн
16000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.60 грн
54+14.05 грн
100+7.27 грн
250+6.67 грн
500+5.39 грн
1000+3.01 грн
3000+2.98 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+7.47 грн
2249+6.29 грн
4022+3.52 грн
4066+3.36 грн
6000+2.32 грн
15000+2.17 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.42 грн
500+3.71 грн
1000+3.27 грн
2000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.39 грн
27+12.18 грн
100+6.69 грн
1000+3.00 грн
2500+2.58 грн
8000+1.95 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
на замовлення 23495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2333+6.06 грн
2500+5.88 грн
5000+5.72 грн
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 2333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.71 грн
91+8.94 грн
250+5.59 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 19300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+4.70 грн
3031+4.67 грн
3555+3.98 грн
8000+3.42 грн
16000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFVL3F(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 SOT-883-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
на замовлення 22460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.59 грн
27+12.02 грн
100+6.55 грн
500+4.81 грн
1000+3.76 грн
5000+3.62 грн
10000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(BToshibaSSM3J35CT,L3F(B
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+27.34 грн
537+26.35 грн
1000+25.50 грн
2500+23.86 грн
5000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 9184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.86 грн
72+11.30 грн
250+7.13 грн
1000+3.52 грн
5000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.88 грн
80+9.53 грн
196+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 14449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.94 грн
28+11.62 грн
100+4.74 грн
1000+3.69 грн
2500+3.27 грн
10000+2.58 грн
20000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+14.31 грн
993+14.25 грн
997+14.19 грн
1001+13.63 грн
3000+12.57 грн
6000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.37 грн
100+13.80 грн
250+12.72 грн
500+12.16 грн
1000+12.11 грн
3000+12.07 грн
6000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(BToshibaSSM3J35CTC,L3F(B
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+18.18 грн
808+17.52 грн
1000+16.95 грн
2500+15.87 грн
5000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C
Case: CST3C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -250mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.91 грн
78+10.49 грн
110+7.45 грн
500+5.12 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.91 грн
78+10.49 грн
110+7.45 грн
500+5.12 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.43 грн
16000+2.11 грн
24000+2.00 грн
40000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
2000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS(T5L,F,T)ToshibaMOSFET Small-Signal MOSFETs Single
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.87 грн
43+17.56 грн
44+17.38 грн
105+6.95 грн
250+6.37 грн
500+5.87 грн
1000+4.20 грн
3000+3.40 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 320020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+9.96 грн
100+6.19 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaP-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 280306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.09 грн
33+9.86 грн
100+5.36 грн
500+3.97 грн
1000+3.48 грн
3000+2.37 грн
6000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.44 грн
6000+2.97 грн
9000+2.79 грн
15000+2.43 грн
21000+2.32 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 330mA; 150mW; SSM
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.88 грн
73+11.14 грн
118+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J36FS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 330 mA, 1.31 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.31ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
118+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FSLF(BToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV(TL3,T)ToshibaMOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -.33A -20V -8VGSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.35 грн
24+13.62 грн
100+7.52 грн
500+5.50 грн
1000+4.88 грн
3000+3.55 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin UFM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.65 грн
31+24.71 грн
34+22.75 грн
50+21.72 грн
100+10.80 грн
250+10.26 грн
500+8.29 грн
1000+6.08 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+18.95 грн
100+9.56 грн
500+7.32 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R LXHFToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A
на замовлення 25366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
14+23.08 грн
100+8.29 грн
1000+6.13 грн
3000+4.95 грн
9000+4.18 грн
24000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.08 грн
100+10.09 грн
500+7.04 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+28.04 грн
601+23.55 грн
695+20.38 грн
774+17.64 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
на замовлення 9582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.51 грн
15+22.35 грн
100+9.75 грн
1000+7.87 грн
3000+6.13 грн
9000+5.57 грн
24000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.76 грн
100+13.21 грн
500+9.31 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(BToshiba P CHAN 20V SOT-23F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.13 грн
43+19.18 грн
100+12.27 грн
500+8.53 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J371R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.27 грн
500+8.53 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J371RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.32 грн
100+9.64 грн
500+6.71 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF
Код товару: 178119
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +12V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A
на замовлення 20991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.23 грн
20+16.51 грн
100+9.06 грн
500+7.52 грн
1000+6.62 грн
3000+5.30 грн
6000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.10 грн
37+20.58 грн
100+12.59 грн
250+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(BToshibaSSM3J372R,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1627+8.69 грн
1682+8.41 грн
2500+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.00 грн
500+6.95 грн
1500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.69 грн
52+15.93 грн
100+10.00 грн
500+6.95 грн
1500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 53977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.29 грн
25+30.51 грн
30+25.90 грн
50+22.49 грн
100+18.69 грн
500+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGFToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.07 грн
500+12.76 грн
1500+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J372R,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 11877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.80 грн
50+20.40 грн
100+17.07 грн
500+12.76 грн
1500+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1382+10.24 грн
1615+8.76 грн
1705+8.30 грн
2000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 1382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+23.02 грн
100+14.70 грн
500+10.41 грн
1000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): +6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.07 грн
13+25.32 грн
100+13.59 грн
500+10.87 грн
1000+8.85 грн
3000+7.45 грн
9000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.41 грн
470+30.15 грн
500+29.06 грн
1000+27.11 грн
2500+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372R,LXHF(BToshibaSSM3J372R,LXHF(B
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.41 грн
470+30.15 грн
500+29.06 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J372RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]