Продукція > SSM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J355R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 52.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R LXHFToshibaMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1496+9.48 грн
1643+8.63 грн
1821+7.79 грн
2044+6.69 грн
2326+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 1496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF
Код товару: 202544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
9000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
на замовлення 62117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.72 грн
79+9.57 грн
80+9.48 грн
100+8.32 грн
250+6.95 грн
500+5.95 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 166490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+19.97 грн
50+14.42 грн
100+11.84 грн
500+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 22423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 22423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXGF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 10V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 7149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.01 грн
100+15.36 грн
500+10.90 грн
1000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(BToshibaSSM3J356R,LXHF(B
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.25 грн
965+14.70 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 45366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.87 грн
50+15.12 грн
100+12.43 грн
500+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaSMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 219511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF
Код товару: 168844
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
9000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10, Qg, нКл = 38,5 @ 8 В, Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0221ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+11.43 грн
1457+9.73 грн
1523+9.31 грн
2000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
33+9.20 грн
100+5.70 грн
500+3.91 грн
1000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+2.72 грн
9000+2.55 грн
15000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AFS,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 749 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1894+7.48 грн
2249+6.30 грн
4022+3.52 грн
4066+3.36 грн
6000+2.32 грн
15000+2.18 грн
30000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 1894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 272000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.84 грн
24000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 274886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.65 грн
50+6.91 грн
100+5.64 грн
500+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.65 грн
54+14.08 грн
100+7.29 грн
250+6.68 грн
500+5.40 грн
1000+3.02 грн
3000+2.99 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM
на замовлення 23495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2333+6.08 грн
2500+5.90 грн
5000+5.74 грн
10000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 2333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 19300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+4.71 грн
3031+4.68 грн
3555+3.99 грн
8000+3.43 грн
16000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AMFVL3F(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.44 грн
100+7.09 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
2000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3FToshibaMOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 SOT-883-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(BToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST
на замовлення 9640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+13.70 грн
1070+13.26 грн
2500+12.87 грн
5000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 1035 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 9184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CT,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 9184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+12.04 грн
100+7.51 грн
500+5.19 грн
1000+4.59 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+14.35 грн
993+14.28 грн
997+14.22 грн
1001+13.66 грн
3000+12.60 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.40 грн
100+13.83 грн
250+12.75 грн
500+12.19 грн
1000+12.14 грн
3000+12.09 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.91 грн
80+9.55 грн
196+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin CST-C
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.71 грн
1510+9.39 грн
2500+9.12 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTL3F(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.41 грн
16000+2.09 грн
24000+1.98 грн
40000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID -0.1A, -20V VDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
37+8.23 грн
100+5.12 грн
500+3.51 грн
1000+3.09 грн
2000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFVL3F(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS(T5L,F,T)ToshibaMOSFET Small-Signal MOSFETs Single
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
на замовлення 12365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.93 грн
43+17.60 грн
44+17.42 грн
105+6.96 грн
250+6.39 грн
500+5.88 грн
1000+4.21 грн
3000+3.41 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 277141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 141637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.86 грн
29+10.47 грн
50+7.51 грн
100+6.12 грн
500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaP-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM SSM3J36FS,LF TSSM3j36fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 330MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 20V; 330mA; 150mW; SSM
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.15W
Case: SSM
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36FS,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin SSM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.