Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ860EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+54.89 грн
100+37.96 грн
500+29.77 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.97 грн
6000+22.78 грн
9000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 61751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+61.37 грн
100+36.38 грн
500+28.86 грн
1000+25.89 грн
3000+22.51 грн
6000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+65.59 грн
100+51.13 грн
500+39.64 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.84 грн
11+78.04 грн
100+50.58 грн
500+33.21 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+76.45 грн
100+43.08 грн
500+33.21 грн
1000+29.96 грн
3000+27.34 грн
6000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.58 грн
500+33.21 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.80 грн
500+44.65 грн
1500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.85 грн
10+105.93 грн
100+79.23 грн
500+60.40 грн
1000+50.57 грн
3000+42.79 грн
6000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.22 грн
50+97.45 грн
100+65.80 грн
500+44.65 грн
1500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.55 грн
100+59.83 грн
500+44.59 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.93 грн
179+79.23 грн
500+62.63 грн
1000+54.62 грн
3000+44.58 грн
6000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 126256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+93.68 грн
100+54.95 грн
500+43.56 грн
1000+39.97 грн
3000+37.62 грн
6000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+90.50 грн
100+54.19 грн
500+43.15 грн
1000+40.32 грн
3000+35.07 грн
6000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+85.48 грн
100+57.92 грн
500+43.26 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+69.63 грн
100+54.14 грн
500+43.06 грн
1000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.31 грн
10+84.95 грн
100+49.50 грн
500+39.21 грн
1000+35.83 грн
3000+32.86 грн
6000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.87 грн
500+39.94 грн
1000+33.76 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+82.49 грн
100+60.14 грн
500+44.78 грн
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.31 грн
10+85.74 грн
100+49.91 грн
500+39.63 грн
1000+37.00 грн
3000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.92 грн
10+87.79 грн
100+58.87 грн
500+39.94 грн
1000+33.76 грн
5000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+74.55 грн
100+50.33 грн
500+42.66 грн
1000+34.79 грн
3000+32.65 грн
6000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912AEP-T2_BE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+77.56 грн
100+53.92 грн
500+42.80 грн
1000+39.21 грн
3000+34.59 грн
24000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+80.40 грн
100+54.27 грн
500+40.40 грн
1000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912BEP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
50+86.98 грн
100+58.55 грн
500+43.15 грн
1500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.64 грн
6000+26.55 грн
9000+25.53 грн
15000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.78 грн
10+73.04 грн
100+42.39 грн
500+33.27 грн
1000+30.38 грн
3000+26.65 грн
6000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.98 грн
100+45.34 грн
500+33.44 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+87.28 грн
100+68.02 грн
500+52.73 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ914EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.19 грн
10+95.04 грн
100+63.79 грн
500+43.38 грн
1000+36.52 грн
5000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified
на замовлення 55702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+93.68 грн
100+54.74 грн
500+43.49 грн
1000+39.83 грн
3000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ940EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ941EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 55W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 15A/45A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+80.70 грн
100+62.94 грн
500+48.80 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.35 грн
1000+34.17 грн
3000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
50+60.81 грн
100+40.19 грн
500+29.09 грн
1500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+53.91 грн
100+31.89 грн
500+25.13 грн
1000+22.71 грн
3000+20.78 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ946EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.19 грн
500+29.09 грн
1500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 43259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+94.47 грн
100+55.43 грн
500+44.18 грн
1000+41.42 грн
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.41 грн
500+48.16 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.41 грн
500+48.16 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+102.29 грн
100+69.99 грн
500+52.05 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+98.44 грн
100+58.06 грн
500+46.25 грн
1000+44.18 грн
3000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.85 грн
500+58.11 грн
1000+41.08 грн
5000+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.80 грн
11+73.45 грн
25+72.94 грн
100+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+72.88 грн
100+43.01 грн
500+34.93 грн
1000+31.41 грн
3000+27.54 грн
6000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.40 грн
500+40.98 грн
1000+34.93 грн
5000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.44 грн
10+99.87 грн
100+67.01 грн
500+49.43 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.33 грн
10+88.12 грн
100+51.43 грн
500+40.87 грн
1000+37.69 грн
3000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ956EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+41.28 грн
500+32.45 грн
1000+29.68 грн
3000+25.61 грн
6000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ956EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ956EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ958EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ958EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+41.28 грн
500+32.45 грн
1000+29.68 грн
3000+27.82 грн
6000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ960EP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]