Продукція > SQJ

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ848AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EPT1-GE3

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.60 грн
10+	107.86 грн
100+	79.28 грн
500+	60.33 грн
1000+	55.56 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 51225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.00 грн
10+	85.14 грн
100+	63.19 грн
500+	48.45 грн
1000+	42.58 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.55 грн
10+	78.57 грн
100+	52.93 грн
500+	39.37 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.54 грн
10+	64.76 грн
100+	48.55 грн
500+	35.99 грн
1000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

MOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_NE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.79 грн
6000+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.41 грн
10+	56.68 грн
100+	39.22 грн
500+	30.75 грн
1000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.84 грн
10+	55.40 грн
100+	38.31 грн
500+	30.05 грн
1000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.20 грн
6000+	22.99 грн
9000+	21.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.81 грн
10+	66.19 грн
100+	51.60 грн
500+	40.01 грн
1000+	31.58 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 50752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm

на замовлення 17189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	105.69 грн
179+	79.05 грн
500+	62.50 грн
1000+	54.50 грн
3000+	44.48 грн
6000+	40.27 грн

Мінімальне замовлення: 134 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 113356 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.56 грн
10+	105.69 грн
100+	79.05 грн
500+	60.26 грн
1000+	50.46 грн
3000+	42.70 грн
6000+	40.27 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm

на замовлення 17189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.79 грн
10+	89.37 грн
100+	60.38 грн
500+	45.00 грн
1000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.30 грн
10+	86.27 грн
100+	58.45 грн
500+	43.66 грн
1000+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 48655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	70.27 грн
100+	54.64 грн
500+	43.46 грн
1000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 9834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.57 грн
10+	83.25 грн
100+	60.70 грн
500+	45.19 грн
1000+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 9834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ910EP-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T2_BE3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.68 грн
10+	81.14 грн
100+	54.77 грн
500+	40.77 грн
1000+	38.06 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.94 грн
9000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.92 грн
10+	73.29 грн
50+	54.83 грн
100+	45.86 грн
500+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ912EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.90 грн
10+	88.08 грн
100+	68.65 грн
500+	53.22 грн
1000+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 13162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified

на замовлення 55673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJ941EP-T1-GE3