Продукція > DIW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of automation module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5496.33 грн
5+4997.68 грн
10+4521.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of automation module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4580.27 грн
5+4010.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec SemiconductorMOSFETs TO-247-3L, N, 650V, 12A, 0.19?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.05 грн
30+243.07 грн
120+202.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+477.33 грн
10+373.01 грн
30+271.15 грн
120+203.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTECDescription: DIOTEC - DIW018N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.65 грн
10+433.69 грн
100+359.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65Diotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+397.78 грн
10+299.33 грн
30+225.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.88 грн
10+307.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+926.36 грн
10+713.38 грн
120+372.20 грн
510+368.20 грн
1020+356.99 грн
2520+314.57 грн
5010+296.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.63 грн
30+252.11 грн
120+209.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+419.15 грн
5+244.13 грн
14+230.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+255.37 грн
10+128.07 грн
26+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+431.90 грн
10+337.62 грн
100+270.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.35 грн
10+311.13 грн
120+162.49 грн
510+128.87 грн
1020+124.07 грн
2520+113.66 грн
5010+108.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW038N65KDiotec SemiconductorDescription: DIW038N65K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4884 pF @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW038N65KDiotec Semiconductor TO-247-3L, N, 650V, 38A, 65m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 510 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.51 грн
30+372.62 грн
120+314.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+631.42 грн
3+447.24 грн
8+423.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.54 грн
5+561.20 грн
10+494.75 грн
50+436.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1223.32 грн
10+942.58 грн
120+491.46 грн
510+486.66 грн
1020+471.45 грн
2520+417.02 грн
5010+391.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040M120-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+637.88 грн
4+330.18 грн
10+312.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.79 грн
10+415.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.03 грн
10+215.12 грн
25+169.26 грн
30+160.92 грн
120+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+348.03 грн
10+268.07 грн
25+203.11 грн
30+193.10 грн
120+135.07 грн
450+131.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.52 грн
30+166.78 грн
120+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.86 грн
10+370.96 грн
120+193.70 грн
510+152.88 грн
1020+148.08 грн
2520+135.27 грн
5010+127.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW052N60KDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8188.78 грн
10+6310.90 грн
120+3291.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORDIW065SIC015-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2090.12 грн
2+1976.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORDIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1601.16 грн
2+771.41 грн
5+728.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC080Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.93 грн
30+824.91 грн
120+625.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1046.83 грн
10+806.35 грн
120+420.22 грн
510+416.22 грн
1020+402.62 грн
2520+356.19 грн
5010+335.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+406.76 грн
10+354.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORDIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+369.58 грн
6+229.92 грн
15+217.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1575.0' (480.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1000.0' (304.8m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5440.48 грн
5+5106.45 грн
10+4702.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18131.31 грн
10+13973.08 грн
120+7287.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4943.57 грн
10+4415.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4119.64 грн
10+3543.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4163.86 грн
30+3761.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+6385.26 грн
10+6009.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5321.05 грн
10+4822.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6722.45 грн
30+5128.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7419.49 грн
5+6963.34 грн
10+6412.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2864.00 грн
10+2487.41 грн
30+2219.19 грн
120+2113.13 грн
240+1902.02 грн
450+1796.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2386.66 грн
10+1996.07 грн
30+1849.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6883.29 грн
10+5304.80 грн
120+2766.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2125.37 грн
5+1994.27 грн
10+1836.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1986.91 грн
10+1759.06 грн
30+1653.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1655.76 грн
10+1411.59 грн
30+1378.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6658.23 грн
10+5130.83 грн
100+2675.83 грн
500+2649.42 грн
1000+2566.97 грн
2500+2269.22 грн
5000+2133.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.69 грн
30+1723.09 грн
120+1615.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3174.10 грн
10+2133.70 грн
120+954.91 грн
510+947.71 грн
1020+926.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1245.96 грн
30+742.23 грн
120+644.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+368.50 грн
6+224.12 грн
15+212.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750Diotec SemiconductorDescription: DIW170SIC750
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 2500' (762.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.