Продукція > DIW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C; Interface: WiFi
Type of module: dimmer
Supply voltage: 230V AC
IP rating: IP20
Manufacturer series: SUPLA
Interface: WiFi
Control: wireless
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Mounting: flush mount
Operating temperature: -10...55°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4154.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C; Interface: WiFi
Type of module: dimmer
Supply voltage: 230V AC
IP rating: IP20
Manufacturer series: SUPLA
Interface: WiFi
Control: wireless
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Mounting: flush mount
Operating temperature: -10...55°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3461.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 650V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.87 грн
30+217.66 грн
120+180.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+478.82 грн
6+216.37 грн
15+196.27 грн
120+195.34 грн
450+188.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+399.02 грн
6+173.63 грн
15+163.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.06 грн
10+285.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.22 грн
10+663.21 грн
120+346.02 грн
510+342.30 грн
1020+331.89 грн
2520+292.45 грн
5010+276.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.99 грн
30+193.53 грн
120+164.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.63 грн
5+226.03 грн
14+213.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.71 грн
10+346.58 грн
120+180.08 грн
510+177.85 грн
1020+172.64 грн
2520+152.55 грн
5010+143.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.33 грн
10+119.06 грн
26+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.08 грн
10+339.75 грн
100+271.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.34 грн
5+521.73 грн
10+459.96 грн
50+405.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+684.18 грн
3+414.86 грн
8+392.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.26 грн
10+386.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040M120-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.85 грн
4+306.96 грн
10+290.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1137.29 грн
10+876.30 грн
120+456.90 грн
510+452.44 грн
1020+438.30 грн
2520+387.70 грн
5010+363.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.88 грн
30+155.05 грн
120+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
на замовлення 450 шт:
термін постачання 303-312 дні (днів)
1+533.92 грн
10+411.62 грн
120+214.31 грн
510+212.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.66 грн
9+111.62 грн
23+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.59 грн
9+139.10 грн
23+126.50 грн
450+121.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1740.50 грн
2+1527.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2088.59 грн
2+1903.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7612.90 грн
10+5867.08 грн
120+3059.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+935.78 грн
2+596.86 грн
5+564.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1122.93 грн
2+743.78 грн
5+677.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC080DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.58 грн
3+342.61 грн
8+324.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC080DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+639.10 грн
3+426.95 грн
8+388.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065DIOTEC SEMICONDUCTORDIW075M065-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.73 грн
5+262.31 грн
12+247.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+973.21 грн
10+749.64 грн
120+390.67 грн
510+386.95 грн
1020+374.30 грн
2520+331.14 грн
5010+311.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.15 грн
10+329.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORDIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+343.59 грн
6+213.47 грн
15+201.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1575.0' (480.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1000.0' (304.8m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5057.87 грн
5+4747.34 грн
10+4371.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4427.62 грн
120+4212.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17000.33 грн
10+13101.66 грн
120+6833.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3871.04 грн
30+3496.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3689.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6249.69 грн
30+4768.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5013.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6897.71 грн
5+6473.64 грн
10+5961.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6016.36 грн
120+5726.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1649.51 грн
2+1447.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1979.41 грн
2+1804.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.95 грн
30+1601.91 грн
120+1501.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6189.99 грн
10+4770.00 грн
100+2487.65 грн
500+2463.10 грн
1000+2386.45 грн
2500+2109.63 грн
5000+1983.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1821.13 грн
2+1660.47 грн
120+1582.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1975.90 грн
5+1854.02 грн
10+1707.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1517.61 грн
2+1332.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1342.31 грн
2+827.85 грн
4+782.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 2500' (762.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.