Продукція > DIW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5303.67 грн
5+4822.01 грн
10+4362.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW-01ZAMELCategory: Building Automation
Description: Dimmer; Smart Home; flush mount; 230VAC; IP20; SUPLA; -10÷55°C
Type of module: dimmer
IP rating: IP20
Control: wireless
Manufacturer series: SUPLA
Mounting: flush mount
Trade name: Smart Home
Operating temperature: -10...55°C
Supply voltage: 230V AC
Interface: WiFi
Software: available on AppStore; available on Google Play; Supla
Application: intelligent house
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4419.73 грн
5+3869.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1479 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW012N65Diotec SemiconductorMOSFETs TO-247-3L, N, 650V, 12A, 0.19?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.20 грн
30+240.07 грн
120+199.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTECDescription: DIOTEC - DIW018N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.73 грн
10+420.64 грн
100+348.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65Diotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+462.96 грн
10+361.78 грн
30+262.98 грн
120+196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+385.80 грн
10+290.31 грн
30+219.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.47 грн
10+691.90 грн
120+360.99 грн
510+357.11 грн
1020+346.24 грн
2520+305.10 грн
5010+288.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.53 грн
5+235.81 грн
14+223.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.76 грн
30+244.52 грн
120+203.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030F135 - IGBT, 60 A, 2.3 V, 350 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.26 грн
10+297.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.35 грн
10+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTECDescription: DIOTEC - DIW030M060 - IGBT, 60 A, 1.75 V, 150 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+418.89 грн
10+327.45 грн
100+262.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.18 грн
10+301.76 грн
120+157.59 грн
510+124.99 грн
1020+120.33 грн
2520+110.24 грн
5010+104.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030M060DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 227ns
Turn-on time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.60 грн
3+203.56 грн
10+166.91 грн
30+123.24 грн
120+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW030N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW038N65KDiotec Semiconductor TO-247-3L, N, 650V, 38A, 65m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW038N65KDiotec SemiconductorDescription: DIW038N65K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4884 pF @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW038N65KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 160A; 192W; TO247-3
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 192W
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 160A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.62 грн
5+544.30 грн
10+479.86 грн
50+422.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135DIOTEC SEMICONDUCTORDIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+612.40 грн
3+433.77 грн
8+409.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040F135Diotec SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/95ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 510 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.59 грн
30+361.40 грн
120+305.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+557.02 грн
3+509.91 грн
10+424.07 грн
30+330.91 грн
120+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.18 грн
3+409.19 грн
10+353.39 грн
30+275.76 грн
120+247.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.44 грн
10+403.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1186.49 грн
10+914.21 грн
120+476.67 грн
510+472.01 грн
1020+457.26 грн
2520+404.47 грн
5010+379.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.35 грн
10+359.79 грн
120+187.87 грн
510+148.28 грн
1020+143.62 грн
2520+131.20 грн
5010+123.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.69 грн
30+161.76 грн
120+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.55 грн
10+260.00 грн
25+196.99 грн
30+187.29 грн
120+131.01 грн
450+127.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW050F065DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.30 грн
10+208.64 грн
25+164.16 грн
30+156.07 грн
120+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW052N60KDiotec Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW052N60KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36.7A; Idm: 208A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 208A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1969.94 грн
10+1631.91 грн
30+1532.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2363.92 грн
10+2033.61 грн
30+1838.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015Diotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7942.24 грн
10+6120.89 грн
120+3192.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1139.11 грн
5+985.78 грн
10+934.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1366.94 грн
5+1228.43 грн
10+1120.83 грн
30+969.44 грн
120+821.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC080Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1233.64 грн
30+800.08 грн
120+606.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065Diotec SemiconductorIGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.31 грн
10+782.07 грн
120+407.57 грн
510+403.69 грн
1020+390.49 грн
2520+345.47 грн
5010+325.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW075M065DIOTECDescription: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.51 грн
10+344.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06DIOTEC SEMICONDUCTORDIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.46 грн
6+222.81 грн
15+210.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1575.0' (480.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 200 (100 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.760" (19.30mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 7321575Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW100 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 100PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 1000.0' (304.8m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 24 (12 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.270" (6.86mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 12PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW12 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 12PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3995.61 грн
10+3436.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorSiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17585.41 грн
10+13552.38 грн
120+7067.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDiotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4038.50 грн
30+3647.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5276.68 грн
5+4952.71 грн
10+4560.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC022-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4794.73 грн
10+4282.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6520.05 грн
30+4974.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7196.10 грн
5+6753.69 грн
10+6218.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6193.02 грн
10+5828.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC023-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5160.85 грн
10+4677.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2777.77 грн
10+2412.52 грн
30+2152.37 грн
120+2049.51 грн
240+1844.75 грн
450+1742.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 373nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2314.81 грн
10+1935.97 грн
30+1793.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC028Diotec SemiconductorSiC MOSFETs
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6676.04 грн
10+5145.08 грн
120+2682.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1605.91 грн
10+1369.09 грн
30+1336.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2061.38 грн
5+1934.23 грн
10+1780.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorMOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6457.77 грн
10+4976.35 грн
100+2595.27 грн
500+2569.65 грн
1000+2489.69 грн
2500+2200.89 грн
5000+2068.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 121nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1927.09 грн
10+1706.10 грн
30+1604.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2092.73 грн
30+1671.21 грн
120+1566.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC049DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1280.94 грн
3+1211.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070Diotec SemiconductorSiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3078.53 грн
10+2069.46 грн
120+926.16 грн
510+919.17 грн
1020+898.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.44 грн
30+719.88 грн
120+625.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750Diotec SemiconductorDescription: DIW170SIC750
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC750DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
6+217.37 грн
15+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables 24AWG 2PR UNSHLD 2500ft BOX GRAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW2 732U2500Belden Inc.Description: CAT3 2PR U/UTP CMR BOX
Packaging: Spool
Features: Rip Cord
Length: 2500' (762.0m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 4 (2 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.125" (3.18mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW200 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 200PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7321000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
Packaging: Spool
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732500Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 7325000Belden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW25 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 25PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Inc.Description: CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
Features: Rip Cord
Packaging: Box
Length: 1500.0' (457.2m)
Wire Gauge: 24 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC), Riser
Conductor Strand: Solid
Operating Temperature: -30°C ~ 60°C
Number of Conductors: 6 (3 Pair)
Cable Type: Multi-Pair, Cat3
Jacket (Insulation) Diameter: 0.133" (3.38mm)
Usage: Network
Conductor Insulation: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Ratings: UL Style CMR
Conductor Material: Copper, Bare
Jacket Color: Olive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW3 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 3PR U/UTP CMR BOX
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW300 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 300PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732B1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR ECOIL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1000Belden Inc.Description: CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW4 732U1500Belden Wire & CableMulti-Paired Cables CAT3 4PR U/UTP CMR BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL SMI80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 7322500Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW50 732CUTBelden Inc.Description: CAT3 50PR U/UTP CMR CUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Inc.Description: CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW6 7321000Belden Wire & CableMulti-Conductor Cables CAT3 6PR U/UTP CMR REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.