Продукція > ISZ

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

InvenSense Inc

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-77P1028

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ015N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.15 грн
10+	79.46 грн
100+	53.02 грн
500+	42.01 грн
1000+	37.19 грн
2500+	34.97 грн
5000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 9848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	74.68 грн
100+	52.55 грн
500+	40.03 грн
1000+	37.00 грн
2000+	34.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.96 грн
10+	61.59 грн
25+	53.48 грн
100+	42.16 грн
250+	42.01 грн
500+	35.50 грн
1000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.20 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.49 грн
500+	52.28 грн
1000+	38.77 грн
5000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	114.16 грн
10+	88.41 грн
100+	65.49 грн
500+	52.28 грн
1000+	38.77 грн
5000+	37.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISZ022N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ022N06LM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ023N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

IGBT Transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ025N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	65.29 грн
100+	44.15 грн
500+	37.42 грн
1000+	30.45 грн
2500+	28.69 грн
5000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ033N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.97 грн
10+	58.07 грн
100+	34.43 грн
500+	28.77 грн
1000+	24.48 грн
2500+	22.19 грн
5000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.07 грн
17+	53.47 грн
100+	42.49 грн
500+	33.63 грн
1000+	28.40 грн
5000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

SP005402741

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 4905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.06 грн
10+	118.36 грн
100+	81.28 грн
500+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.33 грн
250+	98.71 грн
1000+	62.81 грн
3000+	56.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.96 грн
10+	131.11 грн
100+	78.04 грн
500+	61.98 грн
1000+	61.36 грн
5000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

на замовлення 4619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.13 грн
50+	137.33 грн
250+	98.71 грн
1000+	62.81 грн
3000+	56.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.86 грн
20+	16.50 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.55 грн
24+	15.05 грн
100+	12.93 грн
500+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 40A; 37W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	17.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.81 грн
500+	21.84 грн
1000+	15.16 грн
5000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	26.95 грн
46+	18.88 грн
100+	15.96 грн
500+	13.71 грн
1000+	12.58 грн
5000+	12.51 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.70 грн
500+	42.16 грн
1000+	30.38 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.75 грн
14+	63.34 грн
100+	49.70 грн
500+	42.16 грн
1000+	30.38 грн
5000+	25.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.52 грн
10+	84.21 грн
100+	57.08 грн
500+	47.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 4446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.38 грн
10+	41.09 грн
100+	24.33 грн
500+	20.35 грн
1000+	17.29 грн
2500+	15.69 грн
5000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 12649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.33 грн
10+	78.58 грн
100+	51.34 грн
500+	41.78 грн
1000+	37.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.63 грн
500+	48.14 грн
1000+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 9819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	74.76 грн
100+	52.61 грн
500+	40.08 грн
1000+	37.04 грн
2000+	34.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.75 грн
11+	83.60 грн
100+	64.63 грн
500+	48.14 грн
1000+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ062N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ062N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 12905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.93 грн
12+	27.02 грн
100+	21.67 грн
500+	19.09 грн
1000+	16.51 грн
2000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.57 грн
25+	35.62 грн
100+	23.00 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 13045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.03 грн
11+	33.79 грн
25+	29.30 грн
100+	21.73 грн
500+	19.43 грн
1000+	16.14 грн
2500+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 40A; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.55 грн
10+	78.93 грн
100+	48.20 грн
500+	39.10 грн
1000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 5870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.53 грн
10+	79.30 грн
100+	53.61 грн
500+	40.21 грн
1000+	36.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.26 грн
500+	49.81 грн
1000+	35.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.58 грн
10000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.85 грн
12+	75.45 грн
100+	54.42 грн
500+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 16942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.15 грн
10+	76.12 грн
100+	50.84 грн
500+	37.55 грн
1000+	34.27 грн
2000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.42 грн
500+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 13296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.62 грн
10+	73.65 грн
100+	43.92 грн
500+	35.04 грн
1000+	31.29 грн
5000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.13 грн
11+	81.20 грн
100+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	76.20 грн
100+	56.70 грн
500+	52.49 грн
1000+	40.02 грн
2500+	38.95 грн
5000+	35.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

SP005430493

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.26 грн
10+	81.77 грн
100+	54.78 грн
500+	40.57 грн
1000+	37.08 грн
2000+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	86.76 грн
100+	65.34 грн
500+	55.40 грн
1000+	42.47 грн
5000+	40.40 грн
10000+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	67.51 грн
1000+	62.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	112.44 грн
100+	81.46 грн
500+	67.51 грн
1000+	62.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

SP005409469

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 4536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	160.57 грн
10+	100.50 грн
100+	73.49 грн
500+	53.13 грн
1000+	47.44 грн
2000+	45.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.00804 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00804ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.29 грн
250+	80.17 грн
1000+	54.60 грн
3000+	50.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.57 грн
10+	99.43 грн
100+	65.80 грн
250+	64.50 грн
500+	50.81 грн
1000+	47.29 грн
2500+	47.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.00804 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00804ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.67 грн
50+	107.29 грн
250+	80.17 грн
1000+	54.60 грн
3000+	50.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1113+	20.92 грн

Мінімальне замовлення: 1113

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.96 грн
20+	44.03 грн
100+	35.45 грн
500+	25.82 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.98 грн
10+	65.11 грн
100+	43.38 грн
500+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.45 грн
500+	25.82 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - ISZ0901NLSATMA1 - ISZ0901 - MOSFET N-CHANNEL SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1072+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 1072

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

на замовлення 4719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.47 грн
10+	104.65 грн
100+	76.18 грн
500+	60.26 грн
1000+	60.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.11 грн
10+	110.87 грн
100+	70.39 грн
500+	57.77 грн
1000+	53.33 грн
5000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	204.28 грн
10+	138.19 грн
100+	99.57 грн
500+	74.36 грн
1000+	58.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.14 грн
10+	128.47 грн
100+	79.57 грн
500+	63.97 грн
1000+	58.99 грн
5000+	55.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

на замовлення 3836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.12 грн
10+	116.92 грн
100+	82.35 грн
500+	62.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.57 грн
500+	74.36 грн
1000+	58.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

3+	165.14 грн
10+	134.63 грн
100+	93.35 грн
250+	86.46 грн
500+	78.04 грн
1000+	67.33 грн
2500+	63.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.11 грн
10+	123.19 грн
100+	91.05 грн
500+	82.64 грн
1000+	81.87 грн
2500+	80.34 грн
5000+	69.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

ISZ143N13NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.22 грн
10+	115.73 грн
100+	94.35 грн
500+	81.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	207.72 грн
50+	170.81 грн
250+	141.62 грн
1000+	104.41 грн
3000+	91.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.04 грн
10+	56.99 грн
100+	43.72 грн
500+	32.43 грн
1000+	25.94 грн
2000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

MOSFET

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.86 грн
10+	53.59 грн
100+	35.73 грн
500+	28.31 грн
1000+	23.26 грн
5000+	19.66 грн
10000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V

на замовлення 4599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.26 грн
10+	129.91 грн
100+	99.33 грн
500+	75.65 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

ISZ173N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.92 грн
10+	140.79 грн
100+	97.17 грн
500+	81.87 грн
1000+	70.39 грн
2500+	66.49 грн
5000+	65.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.68 грн
250+	55.19 грн
1000+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 15114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	68.90 грн
100+	44.45 грн
500+	37.03 грн
1000+	33.36 грн
2500+	31.60 грн
5000+	28.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 9402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.22 грн
10+	73.01 грн
100+	51.81 грн
500+	38.87 грн
1000+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.74 грн
50+	74.68 грн
250+	55.19 грн
1000+	36.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

SP005402666

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 3686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.70 грн
10+	70.86 грн
100+	47.18 грн
500+	34.73 грн
1000+	31.66 грн
2000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

MOSFETs N

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	76.73 грн
100+	48.36 грн
500+	38.79 грн
1000+	31.68 грн
5000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.87 грн
10+	78.66 грн
100+	45.37 грн
500+	36.27 грн
1000+	32.06 грн
2500+	31.37 грн
5000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 3027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	72.61 грн
100+	48.12 грн
500+	35.92 грн
1000+	32.81 грн
2000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 9544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.26 грн
10+	100.31 грн
100+	67.79 грн
500+	56.85 грн
1000+	54.71 грн
2500+	54.63 грн
5000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.95 грн
10+	91.50 грн
100+	70.86 грн
500+	57.22 грн
1000+	56.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.56 грн
10+	60.18 грн
100+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.52 грн
10+	65.73 грн
100+	44.53 грн
500+	37.80 грн
1000+	30.76 грн
2500+	28.92 грн
5000+	28.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V

на замовлення 471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.56 грн
10+	38.82 грн
100+	29.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	39.42 грн
25+	34.20 грн
100+	26.70 грн
5000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.66 грн
10+	57.55 грн
100+	44.74 грн
500+	35.59 грн
1000+	28.99 грн
2000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 19.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1