Продукція > ISZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSense IncMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510TDK InvenSenseGyroscopes 1-axis Gyroscope for Motion Applications (Toys and Helicopters)
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-77P1028
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.69 грн
500+50.85 грн
1000+37.71 грн
5000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.89 грн
10+72.63 грн
100+51.11 грн
500+38.93 грн
1000+35.98 грн
2000+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.02 грн
10+85.98 грн
100+63.69 грн
500+50.85 грн
1000+37.71 грн
5000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.75 грн
10+62.38 грн
100+42.79 грн
500+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ022N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ022N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ023N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ025N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.57 грн
10+70.17 грн
100+47.40 грн
500+40.26 грн
1000+32.74 грн
2500+30.81 грн
5000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.69 грн
10+62.38 грн
100+36.98 грн
500+30.88 грн
1000+26.27 грн
2500+23.81 грн
5000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.04 грн
17+52.01 грн
100+41.32 грн
500+32.71 грн
1000+27.62 грн
5000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.09 грн
10+138.63 грн
100+83.34 грн
500+66.60 грн
1000+61.47 грн
2500+61.39 грн
5000+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.67 грн
50+133.56 грн
250+96.00 грн
1000+61.08 грн
3000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.75 грн
10+119.91 грн
100+82.33 грн
500+62.17 грн
1000+55.94 грн
2000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesSP005402741
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.56 грн
250+96.00 грн
1000+61.08 грн
3000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
19+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.75 грн
21+41.24 грн
100+26.71 грн
500+21.01 грн
1000+14.67 грн
5000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.31 грн
21+16.77 грн
100+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.05 грн
500+21.24 грн
1000+14.74 грн
5000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.39 грн
14+61.61 грн
100+48.33 грн
500+41.01 грн
1000+29.55 грн
5000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.89 грн
10+81.90 грн
100+55.51 грн
500+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.33 грн
500+41.01 грн
1000+29.55 грн
5000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+44.16 грн
100+26.19 грн
500+21.88 грн
1000+18.60 грн
2500+16.82 грн
5000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.22 грн
11+81.31 грн
100+62.86 грн
500+46.82 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.44 грн
10+76.42 грн
100+49.93 грн
500+40.63 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.89 грн
10+72.71 грн
100+51.17 грн
500+38.98 грн
1000+36.03 грн
2000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.86 грн
500+46.82 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ062N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ062N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.60 грн
10+41.33 грн
100+24.48 грн
500+20.46 грн
1000+17.41 грн
2500+15.78 грн
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
12+26.66 грн
100+21.37 грн
500+18.67 грн
1000+17.01 грн
2000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.48 грн
25+34.64 грн
100+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.52 грн
500+48.45 грн
1000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.30 грн
10+77.13 грн
100+52.14 грн
500+39.11 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+76.76 грн
100+46.88 грн
500+38.03 грн
1000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.72 грн
10000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.92 грн
500+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.31 грн
10+64.01 грн
100+45.09 грн
500+37.80 грн
1000+30.29 грн
2500+29.84 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.16 грн
12+73.38 грн
100+52.92 грн
500+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 16942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.74 грн
10+74.03 грн
100+49.45 грн
500+36.51 грн
1000+33.33 грн
2000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.60 грн
10+79.53 грн
100+53.28 грн
500+39.46 грн
1000+36.07 грн
2000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesSP005430493
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.49 грн
11+78.97 грн
100+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.50 грн
10+74.11 грн
100+55.14 грн
500+51.05 грн
1000+38.92 грн
2500+37.88 грн
5000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.56 грн
10+109.35 грн
100+79.22 грн
500+65.65 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.84 грн
10+84.38 грн
100+63.55 грн
500+53.88 грн
1000+41.30 грн
5000+39.29 грн
10000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.65 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.16 грн
10+108.68 грн
100+72.11 грн
250+66.30 грн
500+57.60 грн
1000+49.11 грн
5000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.52 грн
50+82.64 грн
250+69.95 грн
1000+52.32 грн
3000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.16 грн
10+97.75 грн
100+71.47 грн
500+51.67 грн
1000+46.14 грн
2000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesSP005409469
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.64 грн
250+69.95 грн
1000+52.32 грн
3000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.96 грн
500+18.91 грн
1000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1113
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - ISZ0901NLSATMA1 - ISZ0901 - MOSFET N-CHANNEL SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.40 грн
28+30.80 грн
100+23.96 грн
500+18.91 грн
1000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.93 грн
10+63.33 грн
100+42.19 грн
500+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.29 грн
10+119.81 грн
100+75.90 грн
500+62.06 грн
1000+57.30 грн
5000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+102.16 грн
100+74.38 грн
500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.83 грн
500+72.32 грн
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.51 грн
10+118.21 грн
100+82.72 грн
500+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesISZ113N10NM5LF2ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.68 грн
10+134.40 грн
100+96.83 грн
500+72.32 грн
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.89 грн
10+138.63 грн
100+85.58 грн
500+68.68 грн
1000+63.40 грн
5000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
3+160.61 грн
10+130.93 грн
100+90.78 грн
250+84.09 грн
500+75.90 грн
1000+65.48 грн
2500+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.29 грн
10+130.08 грн
25+110.13 грн
100+95.25 грн
250+93.76 грн
500+88.55 грн
2500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesISZ143N13NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.01 грн
50+166.12 грн
250+137.74 грн
1000+101.54 грн
3000+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.77 грн
10+112.55 грн
100+91.76 грн
500+79.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.20 грн
10+55.42 грн
100+42.52 грн
500+31.54 грн
1000+25.23 грн
2000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.16 грн
10+52.12 грн
100+34.75 грн
500+27.53 грн
1000+22.62 грн
5000+19.12 грн
10000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.62 грн
10+151.47 грн
100+104.92 грн
500+87.81 грн
1000+75.90 грн
2500+71.44 грн
5000+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.16 грн
10+135.65 грн
100+103.70 грн
500+78.98 грн
1000+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesISZ173N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.64 грн
50+57.93 грн
250+49.08 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.08 грн
10+71.00 грн
100+50.39 грн
500+37.81 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesSP005402666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.93 грн
250+49.08 грн
1000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 15697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.15 грн
10+80.18 грн
25+63.62 грн
100+49.71 грн
250+47.70 грн
500+39.22 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.10 грн
10+74.62 грн
100+47.03 грн
500+37.73 грн
1000+30.81 грн
5000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.50 грн
10+68.91 грн
100+45.88 грн
500+33.78 грн
1000+30.79 грн
2000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+83.78 грн
100+48.74 грн
500+38.40 грн
1000+34.53 грн
2500+32.22 грн
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.35 грн
10+75.11 грн
100+50.25 грн
500+37.51 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.87 грн
10+96.66 грн
100+72.99 грн
500+57.81 грн
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 9597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.93 грн
10+108.68 грн
100+73.52 грн
250+72.85 грн
500+61.09 грн
1000+56.33 грн
5000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+60.38 грн
100+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.65 грн
10+71.37 грн
100+43.61 грн
500+39.07 грн
1000+34.68 грн
5000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+46.82 грн
100+34.57 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.05 грн
10+67.09 грн
100+39.74 грн
500+32.74 грн
1000+27.61 грн
2500+26.64 грн
5000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 19.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.33 грн
10+73.42 грн
100+43.16 грн
500+34.38 грн
1000+28.80 грн
5000+27.46 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.64 грн
10+55.97 грн
100+43.52 грн
500+34.61 грн
1000+28.20 грн
2000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.