Продукція > ISZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
ISZ-2510InvenSenseMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510TDK InvenSenseGyroscopes 1-axis Gyroscope for Motion Applications (Toys and Helicopters)
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSense IncMEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-2510InvenSenseDescription: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ-77P1028
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ015N04NM7VATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.46 грн
10+73.65 грн
100+51.82 грн
500+39.48 грн
1000+36.49 грн
2000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.78 грн
10+60.75 грн
25+52.75 грн
100+41.58 грн
250+41.43 грн
500+35.01 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.59 грн
500+51.56 грн
1000+38.24 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.59 грн
10+87.19 грн
100+64.59 грн
500+51.56 грн
1000+38.24 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ022N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ022N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ023N06LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ024N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ025N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.72 грн
10+67.43 грн
100+45.58 грн
500+38.64 грн
1000+31.47 грн
2500+29.58 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.05 грн
17+52.74 грн
100+41.90 грн
500+33.17 грн
1000+28.01 грн
5000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.84 грн
10+63.26 грн
100+37.50 грн
500+31.32 грн
1000+26.64 грн
2500+24.15 грн
5000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesSP005402741
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 3711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.38 грн
10+121.60 грн
100+83.49 грн
500+63.05 грн
1000+56.72 грн
2000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.44 грн
250+97.35 грн
1000+61.94 грн
3000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.39 грн
50+135.44 грн
250+97.35 грн
1000+61.94 грн
3000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.44 грн
10+128.43 грн
100+76.97 грн
500+61.12 грн
1000+59.09 грн
2500+59.01 грн
5000+52.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.42 грн
23+15.36 грн
100+12.75 грн
500+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 40A; 37W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.43 грн
500+21.54 грн
1000+14.95 грн
5000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.58 грн
46+18.62 грн
100+15.75 грн
500+13.52 грн
1000+12.41 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
19+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.57 грн
14+62.47 грн
100+49.01 грн
500+41.58 грн
1000+29.97 грн
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.20 грн
10+83.05 грн
100+56.29 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0501NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.01 грн
500+41.58 грн
1000+29.97 грн
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ053N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.58 грн
10+40.53 грн
100+24.00 грн
500+20.07 грн
1000+17.05 грн
2500+15.47 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.74 грн
500+47.48 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
на замовлення 9819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.46 грн
10+73.73 грн
100+51.89 грн
500+39.53 грн
1000+36.53 грн
2000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.98 грн
11+82.45 грн
100+63.74 грн
500+47.48 грн
1000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0602NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+77.49 грн
100+50.63 грн
500+41.20 грн
1000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ062N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ062N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
12+27.04 грн
100+21.67 грн
500+18.93 грн
1000+17.25 грн
2000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.02 грн
25+35.13 грн
100+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.43 грн
10+41.91 грн
100+24.83 грн
500+20.75 грн
1000+17.66 грн
2500+16.00 грн
5000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.12 грн
10+77.84 грн
100+47.54 грн
500+38.56 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+78.21 грн
100+52.87 грн
500+39.66 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.39 грн
500+49.13 грн
1000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 17A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0702NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.15 грн
10000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.50 грн
12+74.41 грн
100+53.67 грн
500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 13A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 16942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
10+75.07 грн
100+50.14 грн
500+37.03 грн
1000+33.80 грн
2000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0064 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.67 грн
500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0703NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.61 грн
10+76.02 грн
100+45.28 грн
500+36.15 грн
1000+31.24 грн
2500+30.94 грн
5000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.81 грн
11+80.08 грн
100+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.84 грн
10+75.15 грн
100+55.92 грн
500+51.77 грн
1000+39.47 грн
2500+38.41 грн
5000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesSP005430493
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.42 грн
10+80.65 грн
100+54.02 грн
500+40.01 грн
1000+36.57 грн
2000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0803NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.58 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.44 грн
10+110.89 грн
100+80.33 грн
500+66.58 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0804NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 8086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+85.56 грн
100+64.44 грн
500+54.63 грн
1000+41.88 грн
5000+39.84 грн
10000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.36 грн
10+99.12 грн
100+72.47 грн
500+52.39 грн
1000+46.78 грн
2000+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.80 грн
250+70.94 грн
1000+53.06 грн
3000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+98.06 грн
100+64.90 грн
250+63.61 грн
500+50.11 грн
1000+46.63 грн
2500+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.05 грн
50+83.80 грн
250+70.94 грн
1000+53.06 грн
3000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesSP005409469
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1113
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.19 грн
20+43.43 грн
100+34.96 грн
500+25.47 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.95 грн
10+64.22 грн
100+42.79 грн
500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.96 грн
500+25.47 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1Infineon TechnologiesDescription: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - ISZ0901NLSATMA1 - ISZ0901 - MOSFET N-CHANNEL SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+103.21 грн
100+75.13 грн
500+59.43 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.95 грн
10+109.34 грн
100+69.42 грн
500+56.97 грн
1000+52.60 грн
5000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesISZ113N10NM5LF2ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.47 грн
10+136.29 грн
100+98.20 грн
500+73.34 грн
1000+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.52 грн
10+126.70 грн
100+78.48 грн
500+63.08 грн
1000+58.18 грн
5000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.03 грн
10+119.87 грн
100+83.89 грн
500+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.20 грн
500+73.34 грн
1000+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
3+162.87 грн
10+132.77 грн
100+92.06 грн
250+85.27 грн
500+76.97 грн
1000+66.41 грн
2500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+124.09 грн
100+89.80 грн
500+81.50 грн
1000+78.48 грн
2500+76.22 грн
5000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesISZ143N13NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.99 грн
10+114.13 грн
100+93.05 грн
500+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ143N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.86 грн
50+168.46 грн
250+139.67 грн
1000+102.97 грн
3000+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.01 грн
10+52.85 грн
100+35.24 грн
500+27.92 грн
1000+22.94 грн
5000+19.39 грн
10000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ15EP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.12 грн
10+56.20 грн
100+43.11 грн
500+31.98 грн
1000+25.59 грн
2000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.77 грн
10+128.13 грн
100+97.96 грн
500+74.61 грн
1000+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesISZ173N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ173N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.08 грн
10+144.92 грн
100+100.36 грн
500+84.52 грн
1000+72.67 грн
2500+68.59 грн
5000+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.75 грн
250+49.77 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+71.85 грн
100+44.82 грн
500+36.60 грн
1000+32.90 грн
2500+31.17 грн
5000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 9402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.65 грн
10+72.00 грн
100+51.10 грн
500+38.34 грн
1000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.76 грн
50+58.75 грн
250+49.77 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ230N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesSP005402666
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+69.88 грн
100+46.53 грн
500+34.25 грн
1000+31.22 грн
2000+28.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.48 грн
10+75.67 грн
100+47.69 грн
500+38.26 грн
1000+31.24 грн
5000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ24DP10LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.13 грн
10+77.58 грн
100+44.75 грн
500+35.77 грн
1000+31.62 грн
2500+30.94 грн
5000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ330N12LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.07 грн
10+76.17 грн
100+50.96 грн
500+38.04 грн
1000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 9544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.34 грн
10+98.93 грн
100+66.86 грн
500+56.07 грн
1000+53.95 грн
2500+53.88 грн
5000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.16 грн
10+90.24 грн
100+69.89 грн
500+56.43 грн
1000+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.79 грн
10+61.00 грн
100+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ56DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+67.86 грн
100+45.96 грн
500+39.01 грн
1000+31.69 грн
2500+29.88 грн
5000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.20 грн
10+41.83 грн
100+27.62 грн
500+26.34 грн
5000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.16 грн
10+38.59 грн
100+29.35 грн
500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ75DP15LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.65 грн
10+56.75 грн
100+44.13 грн
500+35.10 грн
1000+28.59 грн
2000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 19.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.97 грн
10+74.46 грн
100+43.77 грн
500+34.86 грн
1000+29.20 грн
5000+27.84 грн
10000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ810P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.