Продукція > ISZ

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

InvenSense Inc

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ-77P1028

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ015N04NM7VATMA1

Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ015N04NM7VATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

на замовлення 3887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	120.46 грн
10+	83.12 грн
100+	55.47 грн
500+	43.94 грн
1000+	38.90 грн
2500+	36.58 грн
5000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ015N04NM7VATMA1

Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.27 грн
10+	86.21 грн
100+	58.05 грн
500+	43.15 грн
1000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	119.42 грн
10+	92.49 грн
100+	68.51 грн
500+	54.70 грн
1000+	40.56 грн
5000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.93 грн
10+	64.43 грн
25+	55.95 грн
100+	44.10 грн
250+	43.94 грн
500+	37.14 грн
1000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.51 грн
500+	54.70 грн
1000+	40.56 грн
5000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 9848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	78.13 грн
100+	54.97 грн
500+	41.88 грн
1000+	38.70 грн
2000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ022N06LM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ022N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ023N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ024N06NM6ATMA1

IGBT Transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ025N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.38 грн
500+	45.19 грн
1000+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.06 грн
13+	73.81 грн
100+	57.38 грн
500+	45.19 грн
1000+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.99 грн
10+	68.30 грн
100+	46.18 грн
500+	39.14 грн
1000+	31.86 грн
2500+	30.02 грн
5000+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ028N03LF2SATMA1

Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ033N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.47 грн
10+	60.75 грн
100+	36.02 грн
500+	30.10 грн
1000+	25.61 грн
2500+	23.21 грн
5000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.72 грн
500+	34.69 грн
1000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ033N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.67 грн
14+	65.64 грн
100+	44.72 грн
500+	34.69 грн
1000+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.01 грн
10+	124.48 грн
100+	85.49 грн
500+	64.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

SP005402741

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.85 грн
250+	104.16 грн
1000+	73.96 грн
3000+	68.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ034N06LM5ATMA1

на замовлення 7783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	226.28 грн
50+	150.85 грн
250+	104.16 грн
1000+	73.96 грн
3000+	68.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	24.96 грн
58+	15.53 грн
100+	15.26 грн
500+	12.92 грн
1000+	11.70 грн
5000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 7268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.68 грн
24+	15.74 грн
100+	13.53 грн
500+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 37W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.09 грн
500+	22.85 грн
1000+	15.85 грн
5000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.73 грн
10+	43.61 грн
100+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.89 грн
500+	29.85 грн
1000+	22.47 грн
5000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	73.99 грн
18+	49.92 грн
100+	37.89 грн
500+	29.85 грн
1000+	22.47 грн
5000+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

ISZ0501NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.92 грн
10+	88.09 грн
100+	59.71 грн
500+	49.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ053N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	65.01 грн
20+	46.42 грн
100+	31.70 грн
500+	24.51 грн
1000+	19.32 грн
5000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

Description: ISZ056N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 15 V

на замовлення 4936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.33 грн
10+	45.52 грн
100+	29.71 грн
500+	21.50 грн
1000+	19.44 грн
2000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.07 грн
10+	42.99 грн
100+	25.45 грн
500+	21.29 грн
1000+	18.09 грн
2500+	16.41 грн
5000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

Description: ISZ056N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ056N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.70 грн
500+	24.51 грн
1000+	19.32 грн
5000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 12649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.19 грн
10+	82.20 грн
100+	53.71 грн
500+	43.70 грн
1000+	39.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.69 грн
11+	87.46 грн
100+	67.61 грн
500+	50.36 грн
1000+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.61 грн
500+	50.36 грн
1000+	39.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 9819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	78.21 грн
100+	55.04 грн
500+	41.93 грн
1000+	38.75 грн
2000+	36.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ062N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ062N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.75 грн
500+	23.60 грн
1000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 12905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.50 грн
12+	28.27 грн
100+	22.67 грн
500+	19.97 грн
1000+	17.27 грн
2000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 13045 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.01 грн
11+	35.35 грн
25+	30.66 грн
100+	22.73 грн
500+	20.33 грн
1000+	16.89 грн
2500+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	42.20 грн
27+	34.48 грн
100+	27.75 грн
500+	23.60 грн
1000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.80 грн
10+	78.89 грн
100+	52.67 грн
500+	42.10 грн
1000+	37.62 грн
2500+	36.42 грн
5000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 9650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	120.80 грн
151+	84.05 грн
200+	76.54 грн
500+	61.01 грн
1000+	52.80 грн
5000+	43.37 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 5870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.95 грн
10+	82.96 грн
100+	56.08 грн
500+	42.06 грн
1000+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.18 грн
500+	52.11 грн
1000+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 6400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.36 грн
500+	42.52 грн
1000+	35.17 грн
5000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.81 грн
10000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 6400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.38 грн
11+	85.93 грн
100+	58.36 грн
500+	42.52 грн
1000+	35.17 грн
5000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 15013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.22 грн
10+	74.04 грн
100+	49.48 грн
500+	36.53 грн
1000+	33.35 грн
2000+	32.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0703NLSATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 13296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.13 грн
10+	77.05 грн
100+	45.94 грн
500+	36.66 грн
1000+	32.74 грн
5000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.72 грн
10+	79.71 грн
100+	59.31 грн
500+	54.91 грн
1000+	41.86 грн
2500+	40.74 грн
5000+	37.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.0155 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.57 грн
11+	84.94 грн
100+	61.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	85.55 грн
100+	57.31 грн
500+	42.44 грн
1000+	38.79 грн
2000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ0803NLSATMA1

SP005430493

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.39 грн
10+	90.76 грн
100+	68.36 грн
500+	57.95 грн
1000+	44.42 грн
5000+	42.26 грн
10000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	61.87 грн
1000+	47.10 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	119.42 грн
10+	99.67 грн
100+	82.43 грн
500+	61.87 грн
1000+	47.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8040 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.07 грн
50+	115.83 грн
250+	83.42 грн
1000+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

SP005409469

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 4656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.24 грн
10+	102.55 грн
100+	69.65 грн
500+	52.15 грн
1000+	50.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 3406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.76 грн
10+	108.62 грн
100+	66.60 грн
500+	53.15 грн
1000+	51.15 грн
10000+	44.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8040 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.83 грн
250+	83.42 грн
1000+	59.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1113+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 1113

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.44 грн
10+	68.12 грн
100+	45.38 грн
500+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.84 грн
500+	25.26 грн
1000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.12 грн
10+	106.56 грн
100+	77.56 грн
500+	61.35 грн
1000+	61.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ106N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.35 грн
10+	115.98 грн
100+	73.64 грн
500+	60.43 грн
1000+	55.79 грн
5000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.91 грн
10+	134.39 грн
100+	83.24 грн
500+	66.92 грн
1000+	61.71 грн
5000+	58.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

на замовлення 3676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.07 грн
10+	127.90 грн
100+	87.91 грн
500+	67.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	213.70 грн
10+	144.56 грн
100+	104.16 грн
500+	77.79 грн
1000+	61.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Description: ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.16 грн
500+	77.79 грн
1000+	61.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ113N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

3+	172.76 грн
10+	140.84 грн
100+	97.65 грн
250+	90.45 грн
500+	81.64 грн
1000+	70.44 грн
2500+	66.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	217.30 грн
50+	178.69 грн
250+	148.16 грн
1000+	109.23 грн
3000+	96.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.35 грн
10+	128.87 грн
100+	95.25 грн
500+	86.45 грн
1000+	85.65 грн
2500+	84.04 грн
5000+	72.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.12 грн
10+	118.15 грн
100+	100.03 грн
500+	82.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ143N13NM6ATMA1

ISZ143N13NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	59.62 грн
100+	45.73 грн
500+	33.92 грн
1000+	27.14 грн
2000+	24.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

MOSFET

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.71 грн
10+	56.06 грн
100+	37.38 грн
500+	29.62 грн
1000+	24.33 грн
5000+	20.57 грн
10000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V

на замовлення 5953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.25 грн
10+	139.99 грн
100+	96.86 грн
500+	76.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

ISZ173N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 16A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ173N15NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >100-150V

на замовлення 6678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.77 грн
10+	147.28 грн
100+	101.65 грн
500+	85.65 грн
1000+	73.64 грн
2500+	69.56 грн
5000+	68.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 48W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

SP005402666

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.12 грн
250+	57.74 грн
1000+	38.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 9913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.47 грн
10+	84.69 грн
100+	49.23 грн
500+	38.82 грн
1000+	34.90 грн
2500+	33.86 грн
5000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 9068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.95 грн
10+	75.54 грн
100+	50.55 грн
500+	37.39 грн
1000+	34.16 грн
2000+	33.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.40 грн
50+	78.12 грн
250+	57.74 грн
1000+	38.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

на замовлення 3686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.08 грн
10+	74.12 грн
100+	49.35 грн
500+	36.33 грн
1000+	33.12 грн
2000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

MOSFETs N

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.52 грн
10+	80.27 грн
100+	50.59 грн
500+	40.58 грн
1000+	33.14 грн
5000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ24DP10LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.54 грн
10+	83.12 грн
100+	47.47 грн
500+	37.94 грн
1000+	34.02 грн
2500+	33.70 грн
5000+	29.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 2843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.68 грн
10+	76.37 грн
100+	51.09 грн
500+	37.78 грн
1000+	34.51 грн
2000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 7409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.68 грн
10+	104.94 грн
100+	70.92 грн
500+	59.47 грн
1000+	57.23 грн
2500+	57.15 грн
5000+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ520N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.67 грн
10+	96.97 грн
100+	75.10 грн
500+	60.64 грн
1000+	60.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.35 грн
10+	73.37 грн
100+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ56DP15LMATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.92 грн
10+	68.76 грн
100+	46.58 грн
500+	39.54 грн
1000+	32.18 грн
2500+	30.26 грн
5000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.90 грн
10+	63.03 грн
100+	41.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.85 грн
10+	41.24 грн
25+	35.78 грн
100+	27.93 грн
5000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

ISZ75DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 543µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.06 грн
10+	60.20 грн
100+	46.81 грн
500+	37.23 грн
1000+	30.33 грн
2000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1

Trans MOSFET P-CH 60V 19.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

ISZ810P06LMATMA1