НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTJ04-040LYageoInrush Current Limiter Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MYAGEODescription: YAGEO - NTJ04-040M - Thermistor, ICL, NTC, 40 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.58 грн
100+39.87 грн
500+34.71 грн
1000+23.82 грн
2500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 9ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 10ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.92 грн
100+39.87 грн
500+33.61 грн
1000+23.82 грн
2500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEODescription: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Packaging: Box
Tolerance: ±15%
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEODescription: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Packaging: Box
Tolerance: ±15%
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-003LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2.5ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ25-6Knowles VoltronicsTrimmer/Variable Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155Lonsemi NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.10 грн
6000+5.40 грн
9000+4.69 грн
15000+4.38 грн
21000+4.32 грн
30000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.78 грн
50+20.49 грн
100+14.64 грн
500+9.83 грн
1500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.59 грн
6000+13.93 грн
9000+13.54 грн
12000+12.79 грн
27000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 35385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
19+16.98 грн
100+10.69 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.64 грн
500+9.83 грн
1500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.71 грн
10+30.46 грн
50+24.15 грн
65+17.17 грн
178+16.22 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiMOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 115536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.45 грн
13+28.20 грн
100+18.87 грн
500+15.17 грн
1000+13.51 грн
3000+10.49 грн
9000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.09 грн
17+24.45 грн
50+20.12 грн
65+14.31 грн
178+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm
на замовлення 114044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.14 грн
13+26.81 грн
100+12.30 грн
1000+11.09 грн
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GON Semiconductor1.3A High Side Load Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.73 грн
14+23.74 грн
100+16.08 грн
500+11.78 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PLT1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GONSOT-363
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001Nonsemionsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiMOSFET 30V 250mA Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
9000+6.67 грн
24000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G
Код товару: 192092
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.57 грн
12+26.25 грн
50+17.17 грн
100+14.43 грн
117+9.53 грн
320+8.96 грн
1000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiMOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+29.40 грн
31+23.05 грн
100+12.44 грн
250+11.41 грн
500+10.84 грн
1000+7.29 грн
3000+6.38 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.47 грн
19+21.07 грн
50+14.31 грн
100+12.03 грн
117+7.94 грн
320+7.47 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+6.95 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1761
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
9000+6.26 грн
24000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 7681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.02 грн
18+18.24 грн
100+11.51 грн
500+8.07 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1onsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMINTJD4105CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.44 грн
50+29.37 грн
100+15.15 грн
500+12.50 грн
1500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
6000+8.03 грн
9000+7.60 грн
15000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+28.14 грн
803+15.23 грн
812+15.08 грн
930+12.69 грн
1461+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 28416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.90 грн
17+21.00 грн
100+11.92 грн
500+9.06 грн
1000+6.94 грн
3000+6.11 грн
6000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.63 грн
23+30.44 грн
25+30.15 грн
100+15.74 грн
250+14.42 грн
500+12.09 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.46 грн
500+11.55 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
13+25.07 грн
100+14.35 грн
500+11.36 грн
1000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2ON2005
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.90 грн
17+20.57 грн
100+11.92 грн
500+8.53 грн
1000+6.87 грн
3000+5.73 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.10 грн
38+22.43 грн
100+11.77 грн
500+10.30 грн
1000+8.85 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.02 грн
14+22.95 грн
100+13.76 грн
500+11.96 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
9000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMINTJD4105CT2G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.21 грн
500+11.63 грн
1000+10.16 грн
5000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.96 грн
9000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1
на замовлення 14484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 64694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
18+18.08 грн
100+11.44 грн
500+8.03 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.01 грн
39+21.92 грн
100+13.97 грн
500+8.57 грн
1000+5.91 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMINTJD4152PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiMOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.14 грн
12+30.81 грн
100+14.94 грн
1000+10.19 грн
3000+8.90 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
6000+5.48 грн
9000+4.62 грн
15000+4.32 грн
21000+4.30 грн
30000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.46 грн
500+11.48 грн
1000+8.92 грн
5000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiMOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.75 грн
14+25.77 грн
100+11.62 грн
1000+8.75 грн
3000+7.55 грн
9000+7.17 грн
24000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
13+24.52 грн
100+15.62 грн
500+11.03 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.10 грн
6000+8.13 грн
9000+7.30 грн
15000+6.61 грн
21000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.45 грн
6000+7.71 грн
9000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.17 грн
500+8.17 грн
1500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMINTJD4158CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+18.03 грн
58+14.64 грн
100+11.17 грн
500+8.17 грн
1500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 13408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
13+24.37 грн
100+14.79 грн
500+11.01 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiMOSFETs PFET 20V .88A 1OHM
на замовлення 11898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.28 грн
18+19.96 грн
100+12.38 грн
500+9.21 грн
1000+7.77 грн
3000+6.64 грн
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2G
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401ON-Semicoductor2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
90+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401Nonsemionsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiMOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.21 грн
14+25.34 грн
100+9.89 грн
1000+7.40 грн
3000+6.49 грн
9000+5.89 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Version: ESD
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.86 грн
21+18.94 грн
100+11.24 грн
122+7.55 грн
335+7.15 грн
3000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 56493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.83 грн
17+18.87 грн
100+11.91 грн
500+8.36 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Version: ESD
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.63 грн
13+23.61 грн
100+13.49 грн
122+9.06 грн
335+8.58 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
6000+6.08 грн
9000+5.46 грн
15000+5.00 грн
21000+4.88 грн
30000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.71 грн
32+26.92 грн
100+16.76 грн
500+11.87 грн
1000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD440NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4538NT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMINTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.31 грн
231+4.79 грн
634+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2447+5.00 грн
2468+4.96 грн
2496+4.90 грн
2743+4.30 грн
3876+2.82 грн
6000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 2447
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 239683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+15.93 грн
32+10.85 грн
100+5.51 грн
1000+5.06 грн
3000+3.32 грн
9000+3.09 грн
24000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 66251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.59 грн
28+11.40 грн
100+7.10 грн
500+4.91 грн
1000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 42613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.86 грн
62+13.71 грн
107+7.96 грн
250+6.92 грн
500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.21 грн
60000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.14 грн
72+9.77 грн
73+9.66 грн
131+5.16 грн
250+4.74 грн
500+4.50 грн
1000+4.10 грн
3000+2.88 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.00 грн
6000+3.46 грн
9000+3.03 грн
15000+2.69 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G
Код товару: 185670
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.04 грн
9000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.75 грн
9000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
18+18.08 грн
100+11.42 грн
500+7.98 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 20114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.42 грн
23+15.62 грн
100+7.02 грн
1000+6.41 грн
3000+4.98 грн
9000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.61 грн
6000+5.76 грн
9000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5650+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 5650
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5555+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 5555
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 15450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.68 грн
15+24.56 грн
100+13.36 грн
500+12.68 грн
1000+9.96 грн
3000+8.23 грн
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMINTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.73 грн
23+36.99 грн
100+22.60 грн
500+16.04 грн
1000+11.10 грн
3000+10.30 грн
6000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
10+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.80 грн
15+23.43 грн
100+10.87 грн
1000+9.96 грн
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
10+31.68 грн
100+21.57 грн
500+15.18 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
6000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157Nonsemionsemi NFET SC88 20V 4A 60MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
6000+8.19 грн
9000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.38 грн
50+28.10 грн
100+18.03 грн
500+12.58 грн
1500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiMOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 142274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.21 грн
13+27.60 грн
100+13.36 грн
1000+9.06 грн
3000+7.32 грн
9000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.65 грн
13+24.60 грн
100+14.74 грн
500+12.80 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+27.07 грн
655+18.70 грн
661+18.51 грн
874+13.50 грн
1244+8.78 грн
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.41 грн
17+18.12 грн
50+13.96 грн
100+12.73 грн
117+9.43 грн
322+8.87 грн
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.01 грн
28+14.54 грн
50+11.63 грн
100+10.61 грн
117+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.95 грн
50+21.16 грн
100+12.36 грн
500+11.08 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 13816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
17+18.94 грн
100+12.78 грн
500+9.31 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiMOSFETs -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 97457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.96 грн
17+21.00 грн
100+8.68 грн
1000+7.92 грн
3000+6.87 грн
9000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.04 грн
6000+7.11 грн
9000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.46 грн
24+29.29 грн
25+29.00 грн
100+19.32 грн
250+17.71 грн
500+12.86 грн
1000+9.03 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+11.08 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4580+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 4580
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMINTJS4405NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.01 грн
36+23.87 грн
100+13.12 грн
500+11.63 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+35.66 грн
25+28.68 грн
26+27.56 грн
100+20.14 грн
250+17.78 грн
500+14.02 грн
1000+10.91 грн
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiMOSFET 25V 1.2A N-Channel
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.94 грн
12+30.55 грн
100+17.20 грн
1000+11.02 грн
3000+9.51 грн
9000+8.53 грн
24000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.25 грн
500+15.17 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+25.72 грн
628+19.50 грн
658+18.59 грн
802+14.72 грн
1030+10.61 грн
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON09+
на замовлення 98018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON0601NO
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 2404
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3-SP-G
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3D-SP-G
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-4D-SP-G
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5-SP-G
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5D-SP-G
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-2-SP-G
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3-SP-G
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3D-SP-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-4-SP-G
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.