НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTJ04-040LYageoInrush Current Limiter Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MYAGEODescription: YAGEO - NTJ04-040M - Thermistor, ICL, NTC, 40 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.22 грн
100+31.17 грн
500+29.48 грн
1000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 9ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 10ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.16 грн
100+31.17 грн
500+26.70 грн
1000+22.83 грн
2500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEODescription: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEODescription: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-003LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-003MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2.5ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ25-6Knowles VoltronicsTrimmer/Variable Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155Lonsemi NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.71 грн
50+20.44 грн
100+14.62 грн
500+9.81 грн
1500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.73 грн
6000+14.06 грн
9000+13.67 грн
12000+12.92 грн
27000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 22521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.33 грн
19+17.18 грн
100+10.81 грн
500+7.56 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.62 грн
500+9.81 грн
1500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.02 грн
17+24.40 грн
50+20.08 грн
65+14.28 грн
178+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.62 грн
10+30.40 грн
50+24.10 грн
65+17.13 грн
178+16.19 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiMOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 115536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.39 грн
13+28.15 грн
100+18.83 грн
500+15.14 грн
1000+13.48 грн
3000+10.47 грн
9000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
6000+5.47 грн
9000+5.18 грн
15000+4.55 грн
21000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GON Semiconductor1.3A High Side Load Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm
на замовлення 114044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.07 грн
13+26.76 грн
100+12.28 грн
1000+11.07 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.66 грн
14+23.69 грн
100+16.05 грн
500+11.76 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PLT1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GONSOT-363
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001Nonsemionsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiMOSFET 30V 250mA Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
6000+5.67 грн
9000+5.35 грн
15000+4.71 грн
21000+4.52 грн
30000+4.34 грн
75000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.44 грн
9000+6.73 грн
24000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.43 грн
14+21.80 грн
50+14.40 грн
100+12.14 грн
500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiMOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel
на замовлення 88324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.51 грн
19+18.71 грн
100+10.77 грн
500+7.98 грн
1000+6.93 грн
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+29.68 грн
31+23.27 грн
100+12.56 грн
250+11.52 грн
500+10.94 грн
1000+7.36 грн
3000+6.44 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.48 грн
50+20.95 грн
100+13.69 грн
500+9.41 грн
1500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.19 грн
23+17.49 грн
50+12.00 грн
100+10.12 грн
500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+7.01 грн
6000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1761
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 79987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.14 грн
18+17.65 грн
100+11.15 грн
500+7.81 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
9000+6.32 грн
24000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G
Код товару: 192092
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1onsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+28.41 грн
803+15.38 грн
812+15.22 грн
930+12.81 грн
1461+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.70 грн
19+16.55 грн
100+10.44 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.43 грн
19+18.36 грн
100+9.94 грн
500+7.91 грн
1000+6.55 грн
3000+5.42 грн
6000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.04 грн
23+30.74 грн
25+30.44 грн
100+15.89 грн
250+14.56 грн
500+12.20 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.11 грн
500+9.65 грн
1500+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
6000+4.49 грн
9000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.51 грн
50+19.94 грн
100+12.42 грн
500+9.18 грн
1500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2ON2005
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.43 грн
20+18.01 грн
100+9.94 грн
500+7.46 грн
1000+6.55 грн
3000+5.42 грн
6000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.56 грн
48+17.66 грн
100+11.24 грн
500+7.18 грн
1000+5.82 грн
5000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
14+22.91 грн
100+13.74 грн
500+11.94 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
9000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.24 грн
500+7.18 грн
1000+5.82 грн
5000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
9000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1
на замовлення 14484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 31697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
18+18.28 грн
100+11.58 грн
500+8.12 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.20 грн
39+22.05 грн
100+13.35 грн
500+8.63 грн
1000+6.45 грн
5000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
6000+5.54 грн
9000+4.68 грн
15000+4.33 грн
21000+4.32 грн
30000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiMOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.07 грн
12+30.75 грн
100+14.91 грн
1000+10.17 грн
3000+8.89 грн
9000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.94 грн
500+8.55 грн
1000+5.90 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiMOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.68 грн
14+25.72 грн
100+11.60 грн
1000+8.74 грн
3000+7.53 грн
9000+7.15 грн
24000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.55 грн
13+24.48 грн
100+15.59 грн
500+11.01 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+8.11 грн
9000+7.29 грн
15000+6.59 грн
21000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.15 грн
500+8.16 грн
1500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.99 грн
58+14.62 грн
100+11.15 грн
500+8.16 грн
1500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
18+18.04 грн
100+11.37 грн
500+8.09 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiMOSFETs PFET 20V .88A 1OHM
на замовлення 11283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.22 грн
22+16.37 грн
100+11.30 грн
500+9.04 грн
1000+7.38 грн
3000+6.25 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
6000+5.78 грн
9000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2G
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401ON-Semicoductor2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
70+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401Nonsemionsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
6000+6.15 грн
9000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.10 грн
42+20.36 грн
100+13.52 грн
500+9.88 грн
1000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.58 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Drain current: 0.46A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.46 грн
11+27.18 грн
13+22.88 грн
100+13.27 грн
500+9.32 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 14253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.77 грн
17+19.06 грн
100+12.04 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Drain current: 0.46A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.88 грн
18+21.81 грн
21+19.06 грн
100+11.06 грн
500+7.77 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiMOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.14 грн
14+25.29 грн
100+9.87 грн
1000+7.38 грн
3000+6.48 грн
9000+5.87 грн
24000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD440NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4538NT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 75796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.55 грн
28+11.53 грн
100+7.18 грн
500+4.96 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2447+5.05 грн
2468+5.01 грн
2496+4.95 грн
2743+4.34 грн
3876+2.84 грн
6000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 2447
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 207119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.10 грн
34+10.48 грн
100+6.40 грн
500+5.05 грн
1000+4.52 грн
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 40011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.12 грн
68+12.59 грн
104+8.19 грн
250+6.90 грн
500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.24 грн
60000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 75796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.04 грн
6000+3.43 грн
9000+3.06 грн
15000+2.73 грн
21000+2.72 грн
30000+2.58 грн
75000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G
Код товару: 185670
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.27 грн
72+9.86 грн
73+9.75 грн
131+5.21 грн
250+4.79 грн
500+4.54 грн
1000+4.14 грн
3000+2.90 грн
6000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.05 грн
38+10.51 грн
53+7.42 грн
100+6.37 грн
231+3.99 грн
635+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.26 грн
23+13.10 грн
50+8.91 грн
100+7.64 грн
231+4.79 грн
635+4.53 грн
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.79 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 11715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.14 грн
18+18.04 грн
100+11.40 грн
500+7.96 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.59 грн
6000+5.74 грн
9000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 20114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.37 грн
23+15.59 грн
100+7.00 грн
1000+6.40 грн
3000+4.97 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5555+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 5555
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5650+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 5650
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.88 грн
500+13.18 грн
1500+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 15450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.60 грн
15+24.51 грн
100+13.33 грн
500+12.65 грн
1000+9.94 грн
3000+8.21 грн
6000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
10+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.02 грн
50+23.40 грн
100+15.88 грн
500+13.18 грн
1500+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.73 грн
10+31.61 грн
100+21.53 грн
500+15.15 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.53 грн
6000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.73 грн
15+23.38 грн
100+10.84 грн
1000+9.94 грн
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157Nonsemionsemi NFET SC88 20V 4A 60MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiMOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 142274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.14 грн
13+27.54 грн
100+13.33 грн
1000+9.04 грн
3000+7.31 грн
9000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.95 грн
500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.59 грн
13+24.55 грн
100+14.71 грн
500+12.78 грн
1000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.41 грн
50+29.06 грн
100+14.62 грн
500+13.02 грн
1500+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
6000+8.17 грн
9000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+27.33 грн
655+18.88 грн
661+18.69 грн
874+13.63 грн
1244+8.86 грн
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 13816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.33 грн
17+18.91 грн
100+12.76 грн
500+9.29 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.52 грн
500+11.77 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
6000+7.09 грн
9000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.33 грн
18+16.81 грн
50+12.90 грн
100+11.77 грн
500+9.60 грн
1000+8.85 грн
1500+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiMOSFETs -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 97457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.89 грн
17+20.96 грн
100+8.66 грн
1000+7.91 грн
3000+6.85 грн
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.28 грн
30+13.49 грн
50+10.75 грн
100+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.79 грн
24+29.57 грн
25+29.28 грн
100+19.50 грн
250+17.88 грн
500+12.98 грн
1000+9.12 грн
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.44 грн
50+17.83 грн
100+13.52 грн
500+11.77 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4580+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 4580
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.00 грн
25+28.96 грн
26+27.83 грн
100+20.34 грн
250+17.96 грн
500+14.15 грн
1000+11.01 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.21 грн
500+15.14 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiMOSFET 25V 1.2A N-Channel
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.86 грн
12+30.49 грн
100+17.17 грн
1000+11.00 грн
3000+9.49 грн
9000+8.51 грн
24000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.93 грн
36+23.82 грн
100+13.09 грн
500+11.61 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+25.97 грн
628+19.68 грн
658+18.77 грн
802+14.86 грн
1030+10.71 грн
3000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON09+
на замовлення 98018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON0601NO
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 2404
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3-SP-G
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3D-SP-G
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-4D-SP-G
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5-SP-G
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5D-SP-G
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-2-SP-G
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3-SP-G
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3D-SP-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-4-SP-G
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.