Продукція > NTJ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTJ04-040L | Yageo | Inrush Current Limiter Thermistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ04-040LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ04-040M | YAGEO | Description: YAGEO - NTJ04-040M - Thermistor, ICL, NTC, 40 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 4A tariffCode: 85334010 productTraceability: No rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 40ohm isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 15mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJ04-040MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-008L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-008LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-008M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-008MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-009L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 9ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-009LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-010L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 10ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-010LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-010M | YAGEO | Description: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A tariffCode: 85334010 productTraceability: No rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 10ohm isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 15mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 4647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJ06-010MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-011L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-011LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-011M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-011MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-012L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-012M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-012MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013L | YAGEO | Description: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.591" (15.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 6 A R @ 25°C: 13 Ohms R @ Current: 152 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013LF | YAGEO | Description: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX Tolerance: ±15% Packaging: Box Diameter: 0.709" (18.00mm) Lead Spacing: 0.295" (7.50mm) Approval Agency: TUV, UL Current - Steady State Max: 6 A R @ 25°C: 13 Ohms R @ Current: 152 mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-013MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-014L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-014LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-014M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-014MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-015L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-015LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-015M | YAGEO | Description: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A tariffCode: 85334010 productTraceability: No rohsCompliant: YES Zulassungen: TÜV, UL Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A euEccn: NLR Maximale Nennenergie bei 25°C: - Widerstand (25°C): 15ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Scheibengröße: 15mm usEccn: EAR99 Produktpalette: NT Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ06-015M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ08-005LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ08-005MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-002L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-002LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-002M | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-003LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-003MF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-2R5L | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2.5ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ09-2R5LF | YAGEO | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJ25-6 | Knowles Voltronics | Trimmer/Variable Capacitors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155L | onsemi | NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON-Semiconductor | Transistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 30267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI | NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits | на замовлення 647 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | onsemi | MOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift | на замовлення 115536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ON | 09+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT2G | onsemi | MOSFETs NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm | на замовлення 114044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT2G | ON Semiconductor | Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 8V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD1155LT2G | ON Semiconductor | 1.3A High Side Load Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD2152PLT1 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1G | ON | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1G | ON | 07+; | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT1G | ON | SOT-363 | на замовлення 2434 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT2 | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT2G | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT2G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD2152PT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD3158CT1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4001N | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4001N | onsemi | onsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1 | onsemi | MOSFET 30V 250mA Dual | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 56577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G Код товару: 192092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | onsemi | MOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel | на замовлення 58026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4001NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1 | onsemi | MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1 | ON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 12405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | onsemi | MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary | на замовлення 25091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ON-Semiconductor | Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2 | ON | 2005 | на замовлення 242 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2 | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | onsemi | MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary | на замовлення 3709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 41270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT4 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4105CT4G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1 | на замовлення 14484 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1 | ON Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | onsemi | MOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection | на замовлення 27178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 272mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 34367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm Verlustleistung, p-Kanal: 272mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | onsemi | MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | ON Semiconductor | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 22228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 12905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | onsemi | MOSFETs PFET 20V .88A 1OHM | на замовлення 11283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4158CT2G | на замовлення 10270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4158CT2G | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401 | ON-Semiconductor | 2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401N | onsemi | onsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401N | на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 63961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | onsemi | MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection | на замовлення 19133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT1G-001 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT2 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD440NT1G | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD4538NT1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJD5121N | onsemi | NFET SC88 60V 295MA 1.6OH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G Код товару: 185670
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 2.5Ω Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 2.5Ω Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 57107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA | на замовлення 205804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88 tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 39011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | onsemi | MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA | на замовлення 20114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | onsemi | MOSFETs 12V 3.3A P-Channel | на замовлення 15450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | onsemi | MOSFETs 12V 3.3A P-Channel | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3151PT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157N | onsemi | onsemi NFET SC88 20V 4A 60MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | на замовлення 13730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | onsemi | MOSFET 20V 4A N-Channel | на замовлення 142274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT2 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT2G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT2G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS3157NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4151P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 29505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | onsemi | MOSFETs -20V -4.2A P-Channel | на замовлення 97457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 29505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V | на замовлення 13816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4160NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4160NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | на замовлення 637216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4160NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 637216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4160NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 5693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ON | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 630mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT1G | onsemi | MOSFET 25V 1.2A N-Channel | на замовлення 8163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4G | ON | 0601NO | на замовлення 5145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | на замовлення 845843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 818462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJS4405NT4G | ON | 09+ | на замовлення 98018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTJTA-3-SP-G | на замовлення 279 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTA-3D-SP-G | на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTA-4D-SP-G | на замовлення 1061 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTA-5-SP-G | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTA-5D-SP-G | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTD-2-SP-G | на замовлення 1592 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTD-3-SP-G | на замовлення 1355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTD-3D-SP-G | на замовлення 243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTJTD-4-SP-G | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |