Продукція > NTJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTJ04-040LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MYAGEODescription: YAGEO - NTJ04-040M - Thermistor, ICL, NTC, 40 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 4A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 4A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 40ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.38 грн
100+29.09 грн
500+25.19 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ04-040MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 8ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-008MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 9ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-009LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 10ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 10ohm
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.05 грн
100+34.49 грн
500+27.97 грн
1000+21.84 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-010MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 11ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-011MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 12ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-012MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LYAGEODescription: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013LFYAGEODescription: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 13ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-013MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 14ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-014MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
Widerstand (25°C): 15ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ06-015MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ08-005MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-002MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-003LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-003MFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 2.5ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ09-2R5LFYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 1ohm 9A, +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJ25-6Knowles VoltronicsTrimmer/Variable Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155Lonsemi NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.24 грн
500+10.11 грн
1500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+36.03 грн
13+25.24 грн
50+17.71 грн
100+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiMOSFETs 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 115536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.20 грн
13+25.46 грн
100+17.03 грн
500+13.69 грн
1000+12.19 грн
3000+9.47 грн
9000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.18 грн
9000+4.90 грн
15000+4.31 грн
21000+4.14 грн
30000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.95 грн
50+19.39 грн
100+12.24 грн
500+10.11 грн
1500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.02 грн
21+20.25 грн
50+14.76 грн
100+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 30267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.59 грн
19+16.24 грн
100+10.24 грн
500+7.17 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
6000+14.70 грн
9000+14.29 грн
12000+13.50 грн
27000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm
на замовлення 114044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.24 грн
13+24.21 грн
100+11.10 грн
1000+10.01 грн
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
14+22.29 грн
100+15.10 грн
500+11.06 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PLT1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GONSOT-363
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD2152PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD3158CT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001Nonsemionsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1onsemiMOSFET 30V 250mA Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G
Код товару: 192092
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
23+17.88 грн
50+12.05 грн
100+10.17 грн
500+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
6000+5.31 грн
9000+5.03 грн
15000+4.42 грн
21000+4.25 грн
30000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
9000+7.03 грн
24000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+31.79 грн
14+22.28 грн
50+14.46 грн
100+12.20 грн
500+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiMOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel
на замовлення 29042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.41 грн
18+17.70 грн
100+9.74 грн
500+7.29 грн
1000+6.47 грн
3000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.02 грн
31+24.32 грн
100+13.13 грн
250+12.04 грн
500+11.43 грн
1000+7.70 грн
3000+6.73 грн
6000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.38 грн
50+19.71 грн
100+12.87 грн
500+8.86 грн
1500+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+7.33 грн
6000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 1761
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.36 грн
18+16.60 грн
100+10.47 грн
500+7.33 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
9000+6.61 грн
24000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1onsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
6000+4.98 грн
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.72 грн
50+18.76 грн
100+11.76 грн
500+8.19 грн
1500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+29.69 грн
803+16.07 грн
812+15.91 грн
930+13.39 грн
1461+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.82 грн
19+15.65 грн
100+9.89 грн
500+6.91 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.62 грн
19+16.61 грн
100+8.99 грн
500+7.15 грн
1000+5.93 грн
3000+4.90 грн
6000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.99 грн
23+32.13 грн
25+31.81 грн
100+16.61 грн
250+15.22 грн
500+12.75 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.27 грн
500+9.08 грн
1500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2ON2005
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
9000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiMOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.62 грн
20+16.29 грн
100+8.99 грн
500+6.74 грн
1000+5.93 грн
3000+4.90 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.80 грн
44+18.44 грн
100+11.68 грн
500+8.12 грн
1000+6.61 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.12 грн
14+21.55 грн
100+12.92 грн
500+11.23 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.01 грн
9000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.12 грн
1000+6.61 грн
5000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT4GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1
на замовлення 14484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.11 грн
500+8.04 грн
1000+5.55 грн
5000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.16 грн
43+18.76 грн
100+11.68 грн
500+7.45 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1GonsemiMOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.24 грн
12+27.81 грн
100+13.49 грн
1000+9.20 грн
3000+8.04 грн
9000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
6000+7.63 грн
9000+6.86 грн
15000+6.20 грн
21000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiMOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.56 грн
14+23.27 грн
100+10.49 грн
1000+7.90 грн
3000+6.81 грн
9000+6.47 грн
24000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.08 грн
13+23.02 грн
100+14.66 грн
500+10.36 грн
1000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiMOSFETs PFET 20V .88A 1OHM
на замовлення 11283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.34 грн
22+14.81 грн
100+10.22 грн
500+8.17 грн
1000+6.68 грн
3000+5.65 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
6000+5.43 грн
9000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.49 грн
500+7.67 грн
1500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.93 грн
58+13.75 грн
100+10.49 грн
500+7.67 грн
1500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.12 грн
18+16.97 грн
100+10.69 грн
500+7.61 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT2G
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401ON-Semiconductor2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
70+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401Nonsemionsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.92 грн
6000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMINTJD4401NT1G Multi channel transistors
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.49 грн
124+9.45 грн
339+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.89 грн
17+17.86 грн
100+11.31 грн
500+7.94 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiMOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.79 грн
14+22.87 грн
100+8.92 грн
1000+6.68 грн
3000+5.86 грн
9000+5.31 грн
24000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.20 грн
42+19.15 грн
100+12.72 грн
500+9.30 грн
1000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD440NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4538NT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.96 грн
9000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3261
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 28779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.39 грн
28+10.63 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2447+5.27 грн
2468+5.23 грн
2496+5.17 грн
2743+4.54 грн
3876+2.97 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 2447
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 205804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.44 грн
32+10.11 грн
100+5.79 грн
500+4.56 грн
1000+4.09 грн
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.82 грн
69+11.60 грн
104+7.65 грн
500+5.60 грн
1000+4.63 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+3.39 грн
60000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+3.24 грн
9000+3.05 грн
15000+2.67 грн
21000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9434+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 9434
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G
Код товару: 185670
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+13.87 грн
72+10.31 грн
73+10.20 грн
131+5.45 грн
250+5.00 грн
500+4.75 грн
1000+4.32 грн
3000+3.03 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GONSEMINTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
19+17.53 грн
322+3.62 грн
885+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
9000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 20114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.14 грн
23+14.10 грн
100+6.34 грн
1000+5.79 грн
3000+4.50 грн
9000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5650+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 5650
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5555+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 5555
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.82 грн
19+15.79 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.94 грн
500+12.40 грн
1500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 15450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.01 грн
15+22.17 грн
100+12.06 грн
500+11.44 грн
1000+8.99 грн
3000+7.43 грн
6000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.85 грн
10+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.76 грн
50+22.01 грн
100+14.94 грн
500+12.40 грн
1500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiMOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.22 грн
15+21.15 грн
100+9.81 грн
1000+8.99 грн
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.32 грн
10+29.74 грн
100+20.25 грн
500+14.25 грн
1000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
6000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157Nonsemionsemi NFET SC88 20V 4A 60MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
6000+7.68 грн
9000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiMOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 142274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.79 грн
13+24.91 грн
100+12.06 грн
1000+8.17 грн
3000+6.61 грн
9000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.07 грн
500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.65 грн
13+23.10 грн
100+13.84 грн
500+12.02 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.25 грн
50+27.34 грн
100+13.75 грн
500+12.25 грн
1500+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.37 грн
24+30.91 грн
25+30.61 грн
100+20.38 грн
250+18.68 грн
500+13.57 грн
1000+9.53 грн
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.88 грн
50+16.77 грн
100+12.72 грн
500+11.07 грн
1500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+28.57 грн
655+19.73 грн
661+19.53 грн
874+14.25 грн
1244+9.27 грн
3000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
15+20.81 грн
100+13.22 грн
500+9.33 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.72 грн
500+11.07 грн
1500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
25+16.65 грн
50+12.63 грн
100+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.67 грн
15+20.74 грн
50+15.15 грн
100+13.48 грн
500+10.63 грн
1000+9.54 грн
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1GonsemiMOSFETs -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 97457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.85 грн
17+18.96 грн
100+7.83 грн
1000+7.15 грн
3000+6.20 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 4121
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4580+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 4580
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+27.15 грн
628+20.57 грн
658+19.62 грн
802+15.53 грн
1030+11.19 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 476
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.63 грн
25+30.27 грн
26+29.09 грн
100+21.26 грн
250+18.77 грн
500+14.79 грн
1000+11.51 грн
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.95 грн
500+14.24 грн
1000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiMOSFET 25V 1.2A N-Channel
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.96 грн
12+27.58 грн
100+15.53 грн
1000+9.95 грн
3000+8.58 грн
9000+7.70 грн
24000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.68 грн
36+22.41 грн
100+12.32 грн
500+10.92 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON09+
на замовлення 98018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GON0601NO
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 2404
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3-SP-G
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-3D-SP-G
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-4D-SP-G
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5-SP-G
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTA-5D-SP-G
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-2-SP-G
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3-SP-G
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-3D-SP-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJTD-4-SP-G
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.