Продукція > RQ6

MOSFETs Pch -12V -4.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 2414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.22 грн
10+	39.64 грн
100+	22.41 грн
500+	17.30 грн
1000+	15.60 грн
3000+	11.65 грн
6000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.07 грн
10+	37.19 грн
100+	24.21 грн
500+	17.47 грн
1000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -4.5A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.24 грн
500+	48.49 грн
1000+	40.12 грн
3000+	17.71 грн
6000+	16.35 грн
9000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.04 грн
15+	55.71 грн
100+	40.29 грн
500+	30.70 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.33 грн
10+	59.33 грн
100+	39.27 грн
500+	28.75 грн
1000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 4650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.48 грн
10+	47.71 грн
100+	30.31 грн
500+	25.41 грн
1000+	23.09 грн
3000+	19.62 грн
6000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.29 грн
500+	30.70 грн
1000+	25.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.07 грн
10+	51.51 грн
100+	35.64 грн
500+	27.95 грн
1000+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.45 грн
10+	46.45 грн
100+	27.93 грн
500+	23.37 грн
1000+	21.87 грн
3000+	18.39 грн
6000+	17.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.08 грн
27+	30.20 грн
100+	19.15 грн
500+	14.83 грн
1000+	11.38 грн
5000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	65.94 грн
402+	32.15 грн
439+	29.40 грн
441+	28.24 грн
543+	21.26 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	30.21 грн
446+	29.00 грн
500+	27.95 грн
1000+	26.07 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.15 грн
500+	14.83 грн
1000+	11.38 грн
5000+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.95 грн
500+	13.06 грн
1000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.07 грн
28+	29.33 грн
100+	19.95 грн
500+	13.06 грн
1000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 40861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
11+	28.34 грн
100+	19.67 грн
500+	14.41 грн
1000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.96 грн
11+	31.18 грн
100+	20.30 грн
500+	15.94 грн
1000+	12.26 грн
3000+	10.08 грн
9000+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	20.91 грн
641+	20.15 грн
1000+	19.49 грн

Мінімальне замовлення: 618

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.93 грн
23+	34.81 грн
100+	30.84 грн
500+	26.42 грн
1000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

на замовлення 3542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.18 грн
10+	46.30 грн
100+	27.86 грн
500+	22.14 грн
1000+	20.30 грн
3000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

481+	26.84 грн
500+	25.87 грн
1000+	25.03 грн
2500+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 481

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.84 грн
500+	26.42 грн
1000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.37 грн
500+	16.75 грн
1000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.24 грн
10+	34.76 грн
100+	22.47 грн
500+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.58 грн
22+	36.40 грн
100+	23.92 грн
500+	17.12 грн
1000+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

на замовлення 2573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.67 грн
10+	32.20 грн
100+	19.48 грн
500+	15.19 грн
1000+	12.33 грн
3000+	10.42 грн
9000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

MOSFET RQ6E030SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.63 грн
10+	47.55 грн
100+	30.86 грн
500+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.21 грн
10+	41.11 грн
100+	26.74 грн
500+	19.29 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.36 грн
43+	18.68 грн
100+	9.30 грн
500+	8.19 грн
1000+	7.29 грн
5000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.05 грн
15+	21.46 грн
100+	10.22 грн
1000+	7.08 грн
3000+	6.81 грн
9000+	5.59 грн
24000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.79 грн
14+	21.99 грн
100+	10.86 грн
500+	9.66 грн
1000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.22 грн
10+	37.86 грн
100+	26.22 грн
500+	20.56 грн
1000+	17.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 7118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.57 грн
10+	39.95 грн
100+	24.05 грн
500+	20.10 грн
1000+	17.10 грн
3000+	15.19 грн
6000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.88 грн
500+	18.23 грн
1000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

MOSFET 30V N-CHANNEL 3.5A

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.57 грн
10+	39.95 грн
100+	25.89 грн
500+	20.37 грн
1000+	15.74 грн
3000+	14.31 грн
9000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.91 грн
10+	39.41 грн
100+	25.65 грн
500+	18.50 грн
1000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.01 грн
22+	36.24 грн
100+	24.88 грн
500+	18.23 грн
1000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.95 грн
6000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.60 грн
10+	36.98 грн
100+	24.05 грн
500+	18.87 грн
1000+	14.58 грн
3000+	13.01 грн
6000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.58 грн
10+	34.32 грн
100+	22.90 грн
500+	16.44 грн
1000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.62 грн
13+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.22 грн
11+	27.16 грн
100+	13.42 грн
500+	12.32 грн
1000+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

MOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.36 грн
13+	26.01 грн
100+	14.44 грн
500+	10.97 грн
1000+	9.81 грн
3000+	8.31 грн
6000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045RPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -4.5A(Id), (4.0V Drive)

на замовлення 9535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.05 грн
10+	39.72 грн
100+	29.97 грн
500+	26.57 грн
1000+	23.71 грн
3000+	21.12 грн
6000+	19.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.75 грн
10+	38.74 грн
100+	26.83 грн
500+	21.04 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.06 грн
10+	38.23 грн
100+	23.09 грн
500+	19.28 грн
1000+	16.42 грн
3000+	14.58 грн
6000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	32.47 грн
100+	25.06 грн
500+	19.26 грн
1000+	17.40 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	40.23 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

MOSFETs Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.84 грн
10+	33.45 грн
100+	21.80 грн
500+	18.39 грн
1000+	16.14 грн
3000+	14.44 грн
6000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.05 грн
500+	19.19 грн
1000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.54 грн
21+	38.15 грн
100+	28.05 грн
500+	19.19 грн
1000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.72 грн
19+	41.96 грн
100+	28.05 грн
500+	18.38 грн
1000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.44 грн
10+	41.25 грн
100+	27.08 грн
500+	19.60 грн
1000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

349+	47.07 грн
525+	24.61 грн
1000+	22.89 грн

Мінімальне замовлення: 349

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	18.38 грн
1000+	15.40 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	23.74 грн
565+	22.88 грн
1000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.81 грн
10+	38.39 грн
100+	22.41 грн
500+	17.98 грн
1000+	16.28 грн
3000+	14.03 грн
6000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	34.89 грн
27+	29.64 грн
100+	19.87 грн
500+	15.72 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 18892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.11 грн
12+	26.87 грн
100+	17.85 грн
500+	15.26 грн
1000+	12.87 грн
3000+	11.44 грн
6000+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.42 грн
12+	25.31 грн
100+	19.16 грн
500+	15.49 грн
1000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

MOSFET Nch 30V 5.5A Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.56 грн
10+	42.15 грн
100+	28.13 грн
500+	22.68 грн
1000+	18.12 грн
3000+	16.14 грн
6000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.10 грн
10+	45.09 грн
100+	29.45 грн
500+	21.32 грн
1000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.30 грн
10+	50.55 грн
100+	33.22 грн
500+	24.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.48 грн
10+	48.10 грн
100+	28.13 грн
500+	22.00 грн
1000+	19.89 грн
3000+	16.01 грн
6000+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.76 грн
10+	58.05 грн
100+	38.69 грн
500+	30.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.64 грн
500+	26.86 грн
1000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.93 грн
10+	47.45 грн
100+	31.23 грн
500+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.12 грн
15+	54.92 грн
100+	36.64 грн
500+	26.86 грн
1000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.77 грн
13+	63.02 грн
100+	48.32 грн
500+	35.50 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 1639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.73 грн
10+	56.60 грн
100+	37.57 грн
500+	27.59 грн
1000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.32 грн
500+	35.50 грн
1000+	24.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.44 грн
10+	53.82 грн
100+	34.26 грн
500+	27.52 грн
1000+	25.14 грн
3000+	22.41 грн
6000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 16657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.60 грн
10+	57.05 грн
100+	37.71 грн
500+	27.60 грн
1000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 6224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.65 грн
10+	50.92 грн
100+	31.34 грн
500+	25.34 грн
1000+	22.96 грн
3000+	20.10 грн
6000+	18.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.25 грн
6000+	21.65 грн
9000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T

на замовлення 18138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.32 грн
10+	61.50 грн
100+	40.05 грн
500+	31.54 грн
1000+	28.75 грн
3000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.51 грн
19+	43.07 грн
100+	35.68 грн
500+	28.71 грн
1000+	25.48 грн
5000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 13327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.11 грн
10+	48.04 грн
100+	37.70 грн
500+	26.74 грн
1000+	26.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	48.75 грн
276+	46.80 грн
500+	45.11 грн
1000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.26 грн
6000+	27.15 грн
9000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.68 грн
500+	28.71 грн
1000+	25.48 грн
5000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	63.59 грн
249+	51.88 грн
500+	43.28 грн
1000+	41.49 грн
3000+	32.11 грн

Мінімальне замовлення: 203

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.37 грн
500+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.25 грн
6000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 7733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.60 грн
10+	57.05 грн
100+	37.71 грн
500+	27.60 грн
1000+	25.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.37 грн
13+	63.34 грн
100+	40.37 грн
500+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.26 грн
6000+	17.15 грн
9000+	16.44 грн
15000+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: ROHM - RQ6P015SPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.47 грн
15+	54.28 грн
100+	35.68 грн
500+	26.05 грн
1000+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

MOSFET Pch -100V -1.5A Power MOSFET

на замовлення 2897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.96 грн
10+	57.50 грн
100+	38.35 грн
500+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 15661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.64 грн
10+	46.12 грн
100+	30.29 грн
500+	22.06 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	43.63 грн
100+	25.41 грн
500+	19.62 грн
1000+	17.78 грн
3000+	15.33 грн
6000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR