Продукція > RQ6

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs RQ6A045AP is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.26 грн
10+	45.13 грн
100+	27.32 грн
500+	21.36 грн
1000+	17.36 грн
3000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

на замовлення 2758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.02 грн
10+	42.60 грн
100+	27.75 грн
500+	20.02 грн
1000+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

ROHM Semiconductor

MOSFETs RQ6A045ZP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.00 грн
500+	56.67 грн
1000+	41.96 грн
3000+	20.75 грн
6000+	19.39 грн
9000+	19.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.41 грн
500+	33.49 грн
1000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.20 грн
14+	63.66 грн
100+	42.41 грн
500+	33.49 грн
1000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.67 грн
10+	63.20 грн
100+	41.83 грн
500+	30.62 грн
1000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6A050ZPTR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.19 грн
10+	65.87 грн
100+	39.09 грн
500+	32.60 грн
1000+	27.77 грн
3000+	25.13 грн
6000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	28.63 грн
446+	27.48 грн
500+	26.48 грн
1000+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.40 грн
500+	15.80 грн
1000+	12.12 грн
5000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.12 грн
10+	54.87 грн
100+	37.97 грн
500+	29.77 грн
1000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.85 грн
10+	51.46 грн
100+	30.94 грн
500+	25.88 грн
1000+	24.22 грн
3000+	20.37 грн
6000+	19.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	38.43 грн
27+	32.17 грн
100+	20.40 грн
500+	15.80 грн
1000+	12.12 грн
5000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	62.48 грн
402+	30.46 грн
439+	27.86 грн
441+	26.76 грн
543+	20.14 грн
1000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 40861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.73 грн
11+	30.18 грн
100+	20.95 грн
500+	15.35 грн
1000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.94 грн
11+	34.54 грн
100+	22.49 грн
500+	17.66 грн
1000+	13.58 грн
3000+	11.17 грн
9000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	19.81 грн
641+	19.10 грн
1000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 618

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.25 грн
500+	13.91 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.88 грн
28+	31.24 грн
100+	21.25 грн
500+	13.91 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.84 грн
500+	28.14 грн
1000+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.60 грн
23+	37.08 грн
100+	32.84 грн
500+	28.14 грн
1000+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

на замовлення 3542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.44 грн
10+	51.29 грн
100+	30.86 грн
500+	24.52 грн
1000+	22.49 грн
3000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

481+	25.43 грн
500+	24.52 грн
1000+	23.72 грн
2500+	22.20 грн

Мінімальне замовлення: 481

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.94 грн
22+	38.77 грн
100+	25.48 грн
500+	18.24 грн
1000+	14.44 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

на замовлення 2573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.73 грн
10+	35.67 грн
100+	21.58 грн
500+	16.83 грн
1000+	13.66 грн
3000+	11.55 грн
9000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.89 грн
500+	17.84 грн
1000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.04 грн
10+	37.02 грн
100+	23.94 грн
500+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	43.78 грн
100+	28.49 грн
500+	20.55 грн
1000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E030SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.63 грн
10+	52.68 грн
100+	34.18 грн
500+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E035ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	41.06 грн
34+	25.56 грн
100+	12.27 грн
500+	10.45 грн
1000+	8.63 грн
5000+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.08 грн
15+	23.78 грн
100+	11.32 грн
1000+	7.85 грн
3000+	7.55 грн
9000+	6.19 грн
24000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.18 грн
14+	23.42 грн
100+	11.57 грн
500+	10.29 грн
1000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 7118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.59 грн
10+	44.26 грн
100+	26.64 грн
500+	22.26 грн
1000+	18.94 грн
3000+	16.83 грн
6000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.16 грн
10+	40.32 грн
100+	27.93 грн
500+	21.90 грн
1000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.46 грн
22+	38.60 грн
100+	26.50 грн
500+	19.42 грн
1000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.99 грн
6000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.50 грн
500+	19.42 грн
1000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET 30V N-CHANNEL 3.5A

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.59 грн
10+	44.26 грн
100+	28.67 грн
500+	22.56 грн
1000+	17.43 грн
3000+	15.85 грн
9000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.20 грн
10+	41.97 грн
100+	27.32 грн
500+	19.70 грн
1000+	17.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.19 грн
10+	40.96 грн
100+	26.64 грн
500+	20.90 грн
1000+	16.15 грн
3000+	14.41 грн
6000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.87 грн
10+	36.55 грн
100+	24.39 грн
500+	17.51 грн
1000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E045BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.26 грн
13+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.16 грн
11+	28.93 грн
100+	14.29 грн
500+	13.12 грн
1000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V 4.5A Power MOSFET

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.14 грн
12+	30.46 грн
100+	14.71 грн
1000+	10.04 грн
3000+	8.75 грн
9000+	7.92 грн
24000+	7.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045RPTR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -4.5A(Id), (4.0V Drive)

на замовлення 10140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.65 грн
10+	47.03 грн
25+	39.24 грн
100+	34.41 грн
250+	33.35 грн
500+	29.88 грн
1000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

ROHM Semiconductor

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.92 грн
10+	42.35 грн
100+	25.58 грн
500+	21.36 грн
1000+	18.19 грн
3000+	16.15 грн
6000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.79 грн
10+	41.27 грн
100+	28.58 грн
500+	22.41 грн
1000+	19.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.51 грн
21+	40.63 грн
100+	29.88 грн
500+	20.44 грн
1000+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.71 грн
10+	34.59 грн
100+	26.69 грн
500+	20.51 грн
1000+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 321

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.00 грн
10+	37.05 грн
100+	24.15 грн
500+	20.37 грн
1000+	17.88 грн
3000+	16.00 грн
6000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.88 грн
500+	20.44 грн
1000+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.57 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	22.50 грн
565+	21.68 грн
1000+	20.97 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.15 грн
10+	42.52 грн
100+	24.83 грн
500+	19.92 грн
1000+	18.04 грн
3000+	15.54 грн
6000+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	64.67 грн
19+	44.70 грн
100+	29.88 грн
500+	19.57 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.83 грн
10+	43.94 грн
100+	28.84 грн
500+	20.88 грн
1000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

349+	44.60 грн
525+	23.32 грн
1000+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 349

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E050ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.16 грн
27+	31.57 грн
100+	21.16 грн
500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 23081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.75 грн
13+	27.77 грн
100+	18.34 грн
500+	15.77 грн
1000+	14.56 грн
3000+	12.75 грн
9000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.47 грн
12+	26.96 грн
100+	20.41 грн
500+	16.50 грн
1000+	15.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.00 грн
10+	48.03 грн
100+	31.37 грн
500+	22.71 грн
1000+	20.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET Nch 30V 5.5A Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.79 грн
10+	46.69 грн
100+	31.17 грн
500+	25.13 грн
1000+	20.07 грн
3000+	17.88 грн
6000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E055BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs RQ6E060AT is low on-resistance MOSFET for switching and load switch.

на замовлення 2731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.24 грн
10+	53.28 грн
100+	32.07 грн
500+	26.79 грн
1000+	22.79 грн
3000+	20.30 грн
6000+	19.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.79 грн
10+	53.84 грн
100+	35.39 грн
500+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.18 грн
10+	53.53 грн
100+	35.53 грн
500+	25.88 грн
1000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.21 грн
15+	58.49 грн
100+	39.02 грн
500+	28.61 грн
1000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

ROHM Semiconductor

MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.95 грн
10+	64.30 грн
100+	42.86 грн
500+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.02 грн
500+	28.61 грн
1000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	59.62 грн
100+	37.96 грн
500+	30.49 грн
1000+	27.84 грн
3000+	24.83 грн
6000+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.44 грн
13+	67.13 грн
100+	51.47 грн
500+	37.81 грн
1000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.75 грн
10+	53.45 грн
100+	39.12 грн
500+	30.84 грн
1000+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.47 грн
500+	37.81 грн
1000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 16657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.24 грн
10+	60.76 грн
100+	40.17 грн
500+	29.40 грн
1000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.83 грн
6000+	23.06 грн
9000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 7926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.69 грн
10+	57.71 грн
100+	37.58 грн
500+	30.56 грн
1000+	27.09 грн
3000+	23.17 грн
6000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.38 грн
500+	30.03 грн
1000+	27.43 грн
5000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

203+	60.26 грн
249+	49.17 грн
500+	41.01 грн
1000+	39.31 грн
3000+	30.43 грн

Мінімальне замовлення: 203

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T

на замовлення 23578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.07 грн
10+	50.33 грн
100+	34.11 грн
500+	31.09 грн
1000+	30.34 грн
3000+	28.00 грн
6000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	60.44 грн
17+	52.15 грн
100+	40.38 грн
500+	30.03 грн
1000+	27.43 грн
5000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 13327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.51 грн
10+	51.17 грн
100+	40.16 грн
500+	28.48 грн
1000+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	46.20 грн
276+	44.35 грн
500+	42.75 грн
1000+	39.88 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.11 грн
6000+	28.92 грн
9000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6L035ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 7733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.24 грн
10+	60.76 грн
100+	40.17 грн
500+	29.40 грн
1000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.35 грн
13+	67.47 грн
100+	43.00 грн
500+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.00 грн
500+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.83 грн
6000+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.24 грн
10+	55.49 грн
100+	36.43 грн
500+	26.54 грн
1000+	24.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

ROHM SEMICONDUCTOR

RQ6P015SPTR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: ROHM - RQ6P015SPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.65 грн
15+	57.82 грн
100+	38.01 грн
500+	27.75 грн
1000+	19.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

ROHM Semiconductor

MOSFET Pch -100V -1.5A Power MOSFET

на замовлення 2897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.07 грн
10+	63.70 грн
100+	42.48 грн
500+	33.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.67 грн
10+	43.78 грн
100+	29.27 грн
500+	21.22 грн
1000+	19.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

Rohm Semiconductor

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

ROHM Semiconductor

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.93 грн
10+	48.34 грн
100+	28.15 грн
500+	21.73 грн
1000+	19.70 грн
3000+	16.98 грн
6000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.