Продукція > RQ6

MOSFETs Pch -12V -4.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 2414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.08 грн
10+	40.17 грн
100+	22.71 грн
500+	17.53 грн
1000+	15.81 грн
3000+	11.80 грн
6000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.91 грн
10+	37.69 грн
100+	24.54 грн
500+	17.71 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -4.5A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.37 грн
500+	49.14 грн
1000+	40.66 грн
3000+	17.95 грн
6000+	16.57 грн
9000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.39 грн
13+	62.26 грн
100+	41.24 грн
500+	29.91 грн
1000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.63 грн
10+	60.13 грн
100+	39.79 грн
500+	29.13 грн
1000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 3305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.06 грн
10+	61.37 грн
100+	35.35 грн
500+	27.54 грн
1000+	25.06 грн
3000+	21.81 грн
6000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.24 грн
500+	29.91 грн
1000+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.91 грн
10+	52.20 грн
100+	36.12 грн
500+	28.32 грн
1000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET

на замовлення 3220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.04 грн
10+	58.91 грн
100+	33.83 грн
500+	26.37 грн
1000+	25.68 грн
3000+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.57 грн
27+	30.61 грн
100+	19.41 грн
500+	15.03 грн
1000+	11.53 грн
5000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	72.42 грн
402+	35.31 грн
439+	32.29 грн
441+	31.02 грн
543+	23.35 грн
1000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 196 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1400 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	33.18 грн
446+	31.85 грн
500+	30.69 грн
1000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 428 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.41 грн
500+	15.03 грн
1000+	11.53 грн
5000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	22.96 грн
641+	22.13 грн
1000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 618 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.30 грн
500+	22.29 грн
1000+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.96 грн
6000+	11.45 грн
9000+	10.92 грн
15000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.98 грн
21+	38.74 грн
100+	27.30 грн
500+	22.29 грн
1000+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 15784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.14 грн
10+	32.83 грн
100+	21.19 грн
500+	15.17 грн
1000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

MOSFETs 1.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 4623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	35.33 грн
100+	19.81 грн
500+	15.12 грн
1000+	13.60 грн
3000+	10.77 грн
6000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 1517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.38 грн
18+	44.86 грн
100+	32.62 грн
500+	24.46 грн
1000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

на замовлення 3158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.98 грн
10+	50.25 грн
100+	30.38 грн
500+	24.16 грн
1000+	21.95 грн
3000+	19.05 грн
6000+	17.60 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

481+	29.47 грн
500+	28.42 грн
1000+	27.49 грн
2500+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 481 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 1517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.62 грн
500+	24.46 грн
1000+	20.50 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.24 грн
500+	20.34 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.02 грн
10+	35.22 грн
100+	22.77 грн
500+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.08 грн
22+	37.45 грн
100+	24.24 грн
500+	20.34 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

на замовлення 2573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.18 грн
10+	32.63 грн
100+	19.74 грн
500+	15.39 грн
1000+	12.50 грн
3000+	10.56 грн
9000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

MOSFETs Pch -30V -3A Small Signal MOSFET

на замовлення 4952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.26 грн
10+	42.71 грн
100+	24.23 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.78 грн
3000+	14.50 грн
6000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 5523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.01 грн
10+	39.79 грн
100+	25.89 грн
500+	18.68 грн
1000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.14 грн
27+	30.12 грн
100+	20.62 грн
500+	13.39 грн
1000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 21 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.43 грн
15+	21.75 грн
100+	10.36 грн
1000+	7.18 грн
3000+	6.90 грн
9000+	5.66 грн
24000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.28 грн
14+	22.29 грн
100+	11.01 грн
500+	9.79 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.82 грн
10+	38.37 грн
100+	26.57 грн
500+	20.84 грн
1000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

MOSFETs Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 6656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.19 грн
10+	47.00 грн
100+	26.72 грн
500+	20.57 грн
1000+	18.64 грн
3000+	16.36 грн
6000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.054 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.98 грн
500+	19.22 грн
1000+	16.02 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

MOSFETs SOT457 N-CH 30V 3.5A

на замовлення 4725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.26 грн
10+	39.69 грн
100+	23.95 грн
500+	18.43 грн
1000+	16.64 грн
3000+	13.74 грн
6000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.79 грн
10+	39.94 грн
100+	26.00 грн
500+	18.74 грн
1000+	16.92 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.054 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.17 грн
20+	41.40 грн
100+	26.98 грн
500+	19.22 грн
1000+	16.02 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.16 грн
6000+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.26 грн
10+	34.78 грн
100+	23.21 грн
500+	16.66 грн
1000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.17 грн
10+	37.47 грн
100+	24.37 грн
500+	19.12 грн
1000+	14.77 грн
3000+	13.19 грн
6000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.16 грн
13+	24.83 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.82 грн
11+	27.52 грн
100+	13.60 грн
500+	12.48 грн
1000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

MOSFETs SOT457 N-CH 30V 4.5A

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.39 грн
12+	28.18 грн
100+	15.67 грн
500+	11.87 грн
1000+	10.63 грн
3000+	9.04 грн
6000+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045RPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -4.5A(Id), (4.0V Drive)

на замовлення 8950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.73 грн
10+	62.64 грн
100+	39.07 грн
500+	30.65 грн
1000+	26.92 грн
3000+	23.68 грн
6000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.37 грн
10+	39.26 грн
100+	27.19 грн
500+	21.32 грн
1000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.67 грн
10+	38.74 грн
100+	23.40 грн
500+	19.54 грн
1000+	16.64 грн
3000+	14.77 грн
6000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.49 грн
10+	32.91 грн
100+	25.40 грн
500+	19.52 грн
1000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	44.18 грн

Мінімальне замовлення: 321 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

MOSFETs Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET

на замовлення 5726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.48 грн
10+	33.90 грн
100+	22.09 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.36 грн
3000+	14.64 грн
6000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.08 грн
500+	17.20 грн
1000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm

на замовлення 2617 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.67 грн
25+	32.54 грн
100+	24.08 грн
500+	17.20 грн
1000+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.22 грн
19+	42.52 грн
100+	27.79 грн
500+	18.25 грн
1000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.34 грн
10+	41.81 грн
100+	27.44 грн
500+	19.87 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

349+	51.69 грн
525+	27.03 грн
1000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 349 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.79 грн
500+	18.25 грн
1000+	15.26 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	26.07 грн
565+	25.13 грн
1000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 544 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.60 грн
10+	38.90 грн
100+	22.71 грн
500+	18.22 грн
1000+	16.50 грн
3000+	14.22 грн
6000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.71 грн
21+	39.38 грн
100+	25.53 грн
500+	18.17 грн
1000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 15496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	35.88 грн
100+	20.50 грн
500+	15.67 грн
1000+	14.15 грн
3000+	12.08 грн
6000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.84 грн
12+	25.65 грн
100+	19.41 грн
500+	15.70 грн
1000+	14.61 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

MOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.5A

на замовлення 2822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.65 грн
10+	48.51 грн
100+	27.75 грн
500+	21.81 грн
1000+	19.12 грн
3000+	15.46 грн
6000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.11 грн
10+	45.69 грн
100+	29.85 грн
500+	21.61 грн
1000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.43 грн
10+	51.23 грн
100+	33.67 грн
500+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.98 грн
10+	53.83 грн
100+	30.79 грн
500+	23.95 грн
1000+	21.68 грн
3000+	18.85 грн
6000+	17.40 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.65 грн
10+	58.83 грн
100+	39.21 грн
500+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.13 грн
500+	27.22 грн
1000+	22.30 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.99 грн
10+	48.09 грн
100+	31.65 грн
500+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.17 грн
15+	55.65 грн
100+	37.13 грн
500+	27.22 грн
1000+	22.30 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.73 грн
13+	63.87 грн
100+	48.97 грн
500+	35.97 грн
1000+	25.20 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 1639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.97 грн
10+	57.36 грн
100+	38.07 грн
500+	27.96 грн
1000+	25.46 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.97 грн
500+	35.97 грн
1000+	25.20 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

на замовлення 2282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.31 грн
10+	66.05 грн
100+	38.18 грн
500+	29.89 грн
1000+	27.20 грн
3000+	23.75 грн
6000+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 16657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.76 грн
10+	57.81 грн
100+	38.22 грн
500+	27.97 грн
1000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

на замовлення 3202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.20 грн
14+	57.99 грн
100+	41.08 грн
500+	30.21 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 5494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.26 грн
10+	61.21 грн
100+	35.21 грн
500+	27.48 грн
1000+	24.99 грн
3000+	21.81 грн
6000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.58 грн
6000+	21.94 грн
9000+	21.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR