Продукція > RQ6

MOSFETs RQ6A045AP is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.52 грн
10+	44.50 грн
100+	26.94 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.12 грн
3000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045APTCR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V

на замовлення 2758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.03 грн
10+	42.01 грн
100+	27.36 грн
500+	19.75 грн
1000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

MOSFETs RQ6A045ZP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.57 грн
500+	55.88 грн
1000+	41.37 грн
3000+	20.46 грн
6000+	19.12 грн
9000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A045ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.82 грн
500+	33.02 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.23 грн
10+	62.32 грн
100+	41.25 грн
500+	30.19 грн
1000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.06 грн
14+	62.77 грн
100+	41.82 грн
500+	33.02 грн
1000+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6A050ZPTR

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.99 грн
10+	64.95 грн
100+	38.55 грн
500+	32.15 грн
1000+	27.38 грн
3000+	24.78 грн
6000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	28.56 грн
446+	27.41 грн
500+	26.42 грн
1000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 428

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.20 грн
10+	54.11 грн
100+	37.44 грн
500+	29.36 грн
1000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.12 грн
500+	15.58 грн
1000+	11.95 грн
5000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.15 грн
10+	54.94 грн
100+	33.04 грн
500+	26.34 грн
1000+	24.71 грн
3000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	62.33 грн
402+	30.39 грн
439+	27.79 грн
441+	26.70 грн
543+	20.10 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 196

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050BCTCR

Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	37.90 грн
27+	31.72 грн
100+	20.12 грн
500+	15.58 грн
1000+	11.95 грн
5000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 40861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.22 грн
11+	29.77 грн
100+	20.66 грн
500+	15.14 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: ROHM - RQ6C050UNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.24 грн
28+	30.80 грн
100+	20.95 грн
500+	13.72 грн
1000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 5117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.37 грн
11+	34.06 грн
100+	22.18 грн
500+	17.41 грн
1000+	13.39 грн
3000+	11.01 грн
9000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	19.77 грн
641+	19.05 грн
1000+	18.42 грн

Мінімальне замовлення: 618

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6C050UNTR

на замовлення 3179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.95 грн
500+	13.72 грн
1000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 2677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

481+	25.37 грн
500+	24.46 грн
1000+	23.66 грн
2500+	22.14 грн

Мінімальне замовлення: 481

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.39 грн
500+	27.75 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

MOSFETs Pch -20V -6.5A Si MOSFET

на замовлення 3542 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.55 грн
10+	50.58 грн
100+	30.44 грн
500+	24.18 грн
1000+	22.18 грн
3000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6C065BCTCR

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	42.99 грн
23+	36.56 грн
100+	32.39 грн
500+	27.75 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.18 грн
10+	36.51 грн
100+	23.60 грн
500+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.54 грн
500+	17.60 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET

на замовлення 2573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.15 грн
10+	35.17 грн
100+	21.28 грн
500+	16.59 грн
1000+	13.47 грн
3000+	11.39 грн
9000+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030ATTCR

на замовлення 1077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.18 грн
22+	38.23 грн
100+	25.13 грн
500+	17.98 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.64 грн
10+	43.18 грн
100+	28.09 грн
500+	20.27 грн
1000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E030SPTR

MOSFET RQ6E030SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 3041 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.77 грн
10+	51.94 грн
100+	33.71 грн
500+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET

на замовлення 3262 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.65 грн
15+	23.45 грн
100+	11.16 грн
1000+	7.74 грн
3000+	7.44 грн
9000+	6.10 грн
24000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.49 грн
34+	25.21 грн
100+	12.10 грн
500+	10.31 грн
1000+	8.51 грн
5000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.64 грн
14+	23.10 грн
100+	11.41 грн
500+	10.14 грн
1000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035ATTCR

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 7118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.87 грн
10+	43.64 грн
100+	26.27 грн
500+	21.95 грн
1000+	18.68 грн
3000+	16.59 грн
6000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035SPTR

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
10+	39.76 грн
100+	27.54 грн
500+	21.60 грн
1000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.75 грн
6000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: ROHM - RQ6E035TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.68 грн
22+	38.07 грн
100+	26.13 грн
500+	19.15 грн
1000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

MOSFET 30V N-CHANNEL 3.5A

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.87 грн
10+	43.64 грн
100+	28.28 грн
500+	22.25 грн
1000+	17.19 грн
3000+	15.63 грн
9000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 10 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.23 грн
10+	41.39 грн
100+	26.94 грн
500+	19.43 грн
1000+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E035TNTR

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.13 грн
500+	19.15 грн
1000+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.53 грн
10+	40.39 грн
100+	26.27 грн
500+	20.61 грн
1000+	15.92 грн
3000+	14.21 грн
6000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

на замовлення 2789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.13 грн
10+	36.04 грн
100+	24.05 грн
500+	17.27 грн
1000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E040XNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.66 грн
13+	25.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.49 грн
11+	28.53 грн
100+	14.09 грн
500+	12.94 грн
1000+	11.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045BNTCR

MOSFET Nch 30V 4.5A Power MOSFET

на замовлення 1968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.59 грн
12+	30.04 грн
100+	14.51 грн
1000+	9.90 грн
3000+	8.63 грн
9000+	7.81 грн
24000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045RPTR

MOSFET RQ6E045RP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 10330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.75 грн
10+	53.31 грн
100+	37.06 грн
500+	33.11 грн
1000+	28.20 грн
3000+	23.51 грн
6000+	23.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

MOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO

на замовлення 4143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.22 грн
10+	41.76 грн
100+	25.23 грн
500+	21.06 грн
1000+	17.93 грн
3000+	15.92 грн
6000+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045SNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.10 грн
10+	40.70 грн
100+	28.18 грн
500+	22.10 грн
1000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.47 грн
500+	20.15 грн
1000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.83 грн
21+	40.07 грн
100+	29.47 грн
500+	20.15 грн
1000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.08 грн
10+	34.11 грн
100+	26.32 грн
500+	20.23 грн
1000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E045TNTR

MOSFETs RQ6E045TN is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	48.44 грн
10+	37.14 грн
100+	24.56 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.86 грн
3000+	15.25 грн
6000+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.30 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

MOSFETs RQ6E050AJ is small surface mount package MOSFET which is suitable for switching application.

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.45 грн
10+	35.34 грн
100+	23.44 грн
500+	20.46 грн
1000+	17.41 грн
3000+	15.48 грн
6000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

на замовлення 3135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	63.78 грн
19+	44.08 грн
100+	29.47 грн
500+	19.30 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V

на замовлення 1896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.84 грн
10+	43.33 грн
100+	28.44 грн
500+	20.59 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: ROHM - RQ6E050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	36.65 грн
27+	31.14 грн
100+	20.87 грн
500+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

MOSFETs Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 23081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.30 грн
13+	27.38 грн
100+	18.08 грн
500+	15.55 грн
1000+	14.36 грн
3000+	12.58 грн
9000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6E050ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.00 грн
12+	26.59 грн
100+	20.12 грн
500+	16.27 грн
1000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.89 грн
10+	47.36 грн
100+	30.94 грн
500+	22.40 грн
1000+	20.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

MOSFET Nch 30V 5.5A Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.04 грн
10+	46.04 грн
100+	30.73 грн
500+	24.78 грн
1000+	19.79 грн
3000+	17.64 грн
6000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

MOSFETs RQ6E060AT is low on-resistance MOSFET for switching and load switch.

на замовлення 2731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.38 грн
10+	52.54 грн
100+	31.63 грн
500+	26.42 грн
1000+	22.47 грн
3000+	20.02 грн
6000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E060ATTCR

Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V

на замовлення 693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.55 грн
10+	53.10 грн
100+	34.90 грн
500+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.48 грн
500+	28.22 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

на замовлення 1166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.08 грн
10+	52.79 грн
100+	35.04 грн
500+	25.52 грн
1000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.06 грн
15+	57.68 грн
100+	38.48 грн
500+	28.22 грн
1000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6E080AJTCR

MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.93 грн
10+	63.41 грн
100+	42.27 грн
500+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.75 грн
500+	37.28 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET

на замовлення 3853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.58 грн
10+	58.79 грн
100+	37.43 грн
500+	30.06 грн
1000+	27.46 грн
3000+	24.48 грн
6000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	75.38 грн
13+	66.20 грн
100+	50.75 грн
500+	37.28 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 3343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.81 грн
10+	52.71 грн
100+	38.58 грн
500+	30.42 грн
1000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 16657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн
10+	59.92 грн
100+	39.61 грн
500+	28.99 грн
1000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.47 грн
6000+	22.74 грн
9000+	21.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6G050ATTCR

MOSFETs Pch -30V -5A Power MOSFET

на замовлення 7926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.67 грн
10+	56.91 грн
100+	37.06 грн
500+	30.14 грн
1000+	26.71 грн
3000+	22.85 грн
6000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.69 грн
6000+	28.52 грн
9000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 1314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	46.09 грн
276+	44.24 грн
500+	42.65 грн
1000+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 265

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 266mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.99 грн
500+	28.14 грн
1000+	25.90 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

MOSFETs Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T

на замовлення 23601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.25 грн
10+	58.79 грн
100+	38.77 грн
500+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Trans MOSFET P-CH 60V 2A 6-Pin TSMT T/R

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	61.66 грн
365+	33.51 грн
500+	28.71 грн
1000+	27.45 грн
3000+	22.08 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V

на замовлення 13327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.74 грн
10+	50.46 грн
100+	39.60 грн
500+	28.09 грн
1000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ6L020SPTCR

Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.10 грн
100+	43.99 грн
500+	28.14 грн
1000+	25.90 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.41 грн
500+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

RQ6L035ATTCR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 7733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн
10+	59.92 грн
100+	39.61 грн
500+	28.99 грн
1000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: ROHM - RQ6L035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.062 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.22 грн
13+	66.53 грн
100+	42.41 грн
500+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ6L035ATTCR

Description: PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.47 грн
6000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

MOSFET Pch -100V -1.5A Power MOSFET

на замовлення 2897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.06 грн
10+	62.81 грн
100+	41.89 грн
500+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: ROHM - RQ6P015SPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.48 грн
15+	57.01 грн
100+	37.48 грн
500+	27.36 грн
1000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.96 грн
10+	54.73 грн
100+	35.93 грн
500+	26.17 грн
1000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.74 грн
10+	57.83 грн
100+	38.12 грн
500+	27.83 грн
1000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR

Description: PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ6P020ATTCR