Продукція > UJ4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.17 грн
10+218.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.19 грн
10+156.14 грн
25+146.27 грн
50+130.72 грн
100+124.47 грн
250+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.52 грн
10+223.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+125.29 грн
Мінімальне замовлення: 1100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.84 грн
10+201.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.61 грн
10+166.26 грн
25+155.87 грн
50+139.29 грн
100+132.62 грн
250+124.32 грн
500+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.45 грн
10+178.62 грн
25+145.38 грн
50+138.49 грн
100+132.37 грн
250+123.95 грн
500+117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.02 грн
10+333.49 грн
25+271.63 грн
50+259.38 грн
100+247.14 грн
250+231.07 грн
500+224.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.91 грн
10+351.97 грн
100+291.52 грн
250+255.56 грн
500+247.91 грн
1000+211.18 грн
3000+196.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.45mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.46 грн
10+304.46 грн
25+285.37 грн
50+255.00 грн
100+242.82 грн
250+227.62 грн
500+213.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.61 грн
10+124.95 грн
25+104.06 грн
50+101.00 грн
100+96.41 грн
250+87.23 грн
700+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.32 грн
10+134.63 грн
100+104.06 грн
500+86.46 грн
1000+73.99 грн
2500+69.47 грн
5000+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-H-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.38 грн
10+234.25 грн
25+219.53 грн
50+196.18 грн
100+186.81 грн
250+175.11 грн
500+164.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same SkyUSB Connectors
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.94 грн
10+216.46 грн
100+181.34 грн
250+176.75 грн
500+170.63 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+237.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.32 грн
10+245.50 грн
100+210.41 грн
250+198.17 грн
500+197.41 грн
1000+179.81 грн
2500+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.55 грн
10+394.20 грн
100+325.19 грн
250+316.00 грн
500+297.64 грн
1000+273.16 грн
2500+261.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.49 грн
10+320.40 грн
25+300.29 грн
50+268.36 грн
100+255.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.47 грн
10+403.00 грн
100+332.07 грн
250+322.89 грн
500+303.76 грн
1000+279.28 грн
2500+267.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+358.62 грн
500+328.86 грн
750+319.60 грн
1250+289.32 грн
1750+282.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-V-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.53 грн
10+323.81 грн
100+248.67 грн
250+217.30 грн
500+210.41 грн
1000+179.81 грн
2600+167.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.41 грн
10+230.26 грн
25+215.83 грн
50+192.86 грн
100+183.64 грн
250+172.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DEVICESUSB TypeC Receptacle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, Vertical, IP68, T&R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.93 грн
10+314.13 грн
25+258.62 грн
50+251.73 грн
100+240.25 грн
250+210.41 грн
650+204.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+178.07 грн
1300+163.30 грн
1950+158.70 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
UJ46
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460121
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460275
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460291
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460372
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460387B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+735.89 грн
25+536.44 грн
100+522.79 грн
500+435.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK STEREO 4.39MM PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware, Thread Lock
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.177" (4.48mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 4.39mm (0.173")
Part Status: Active
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.35 грн
10+556.88 грн
25+521.95 грн
50+466.47 грн
100+444.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1377.62 грн
5+1317.54 грн
10+1256.60 грн
50+1111.05 грн
100+885.06 грн
250+872.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1621.98 грн
25+1388.50 грн
100+1042.12 грн
250+959.49 грн
600+931.18 грн
3000+861.55 грн
5400+833.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1515.48 грн
30+1011.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1507.71 грн
10+1083.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1660.36 грн
25+1422.82 грн
100+1067.37 грн
250+982.44 грн
600+952.60 грн
3000+951.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1818.36 грн
10+1648.08 грн
120+1208.93 грн
510+1080.38 грн
1020+1061.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1411.10 грн
5+1349.30 грн
10+1288.36 грн
50+1138.95 грн
100+907.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1825.50 грн
10+1328.67 грн
120+1065.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1079.78 грн
5+1009.40 грн
10+939.02 грн
50+837.67 грн
100+741.60 грн
250+709.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.83 грн
25+1113.09 грн
100+835.54 грн
250+768.20 грн
500+746.01 грн
2400+690.16 грн
4800+667.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1069.36 грн
25+895.41 грн
100+773.07 грн
250+667.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SUnited Silicon CarbideUJ4C075023B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1505.93 грн
10+1062.06 грн
100+888.33 грн
500+874.56 грн
800+843.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1443.44 грн
10+1307.55 грн
120+959.49 грн
510+856.96 грн
1020+842.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1318.47 грн
25+1128.93 грн
100+847.78 грн
250+757.49 грн
600+756.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1340.79 грн
10+939.75 грн
120+765.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.84 грн
5+1072.92 грн
10+1023.13 грн
50+904.62 грн
100+739.39 грн
250+724.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.81 грн
30+802.66 грн
120+699.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1355.07 грн
25+1161.49 грн
100+871.50 грн
250+778.15 грн
600+777.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1379.17 грн
10+870.24 грн
120+696.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.74 грн
5+1061.76 грн
10+970.78 грн
50+816.95 грн
100+715.11 грн
250+701.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1074.33 грн
30+796.92 грн
120+748.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1484.50 грн
10+1345.39 грн
120+987.80 грн
510+881.44 грн
1020+866.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1288.12 грн
25+1103.41 грн
100+827.88 грн
250+762.08 грн
500+710.05 грн
1000+684.04 грн
6000+683.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSBQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSRQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1183.68 грн
10+823.60 грн
100+651.14 грн
500+633.54 грн
800+609.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.64 грн
25+656.08 грн
100+566.62 грн
250+489.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SQorvoMOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+983.72 грн
25+855.28 грн
100+644.25 грн
250+545.55 грн
500+516.47 грн
2400+506.52 грн
4800+491.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.12 грн
30+616.90 грн
120+529.14 грн
510+479.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.42 грн
5+1017.12 грн
10+1012.83 грн
50+624.07 грн
100+564.29 грн
250+553.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.97 грн
25+827.12 грн
100+620.53 грн
250+553.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1017.64 грн
10+644.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.34 грн
10+834.16 грн
120+612.11 грн
510+546.31 грн
1020+536.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1004.25 грн
25+859.68 грн
100+645.02 грн
250+576.92 грн
600+576.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.20 грн
30+723.72 грн
120+689.43 грн
510+641.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+854.04 грн
5+836.88 грн
10+819.71 грн
50+745.22 грн
100+673.18 грн
250+659.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1098.87 грн
10+996.06 грн
120+730.71 грн
510+652.67 грн
1020+641.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1255.09 грн
10+957.35 грн
100+720.76 грн
1000+720.00 грн
2000+719.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.00 грн
25+854.40 грн
100+641.19 грн
250+590.69 грн
500+549.37 грн
1000+530.24 грн
6000+529.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSBQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSRQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+536.40 грн
1600+464.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoMOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+887.31 грн
25+771.68 грн
100+581.51 грн
250+491.99 грн
500+465.97 грн
2400+456.79 грн
4800+442.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1064.95 грн
10+949.43 грн
100+683.27 грн
500+595.28 грн
800+558.55 грн
2400+540.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.85 грн
10+702.42 грн
100+585.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.62 грн
10+755.85 грн
100+586.86 грн
500+566.21 грн
800+547.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.52 грн
25+780.48 грн
100+585.33 грн
250+523.36 грн
600+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.42 грн
30+587.88 грн
120+545.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+773.36 грн
5+739.88 грн
10+706.41 грн
50+624.87 грн
100+512.79 грн
250+502.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1130.12 грн
10+1006.62 грн
120+723.83 грн
510+630.48 грн
1020+591.46 грн
2520+580.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.94 грн
10+548.19 грн
120+410.88 грн
510+407.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.69 грн
25+814.80 грн
100+611.35 грн
250+562.38 грн
600+545.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.77 грн
30+774.15 грн
120+706.42 грн
510+652.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1135.58 грн
5+1106.39 грн
10+1076.35 грн
50+877.52 грн
100+699.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.50 грн
25+729.45 грн
100+547.84 грн
250+504.23 грн
500+469.03 грн
1000+452.96 грн
6000+452.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSBQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSRQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.79 грн
25+572.82 грн
100+432.31 грн
250+364.97 грн
500+346.61 грн
2400+338.96 грн
4800+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+791.38 грн
5+670.36 грн
10+549.33 грн
50+471.04 грн
100+398.02 грн
250+389.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.58 грн
25+439.67 грн
100+379.27 грн
250+327.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.46 грн
10+593.94 грн
100+436.13 грн
800+407.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1004.25 грн
5+999.10 грн
10+993.95 грн
50+585.02 грн
100+510.59 грн
250+480.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.93 грн
10+579.86 грн
120+435.37 грн
510+434.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.66 грн
30+595.43 грн
120+558.66 грн
510+438.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.05 грн
25+641.46 грн
100+481.27 грн
250+430.01 грн
1200+429.25 грн
3000+427.71 грн
5400+426.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+907.96 грн
30+523.27 грн
120+446.31 грн
510+393.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.65 грн
10+837.68 грн
120+629.71 грн
270+610.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.37 грн
5+929.58 грн
10+770.78 грн
50+686.24 грн
100+605.49 грн
250+578.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.68 грн
25+749.69 грн
100+540.19 грн
600+469.80 грн
1200+441.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.36 грн
25+567.54 грн
100+425.42 грн
250+391.75 грн
500+364.97 грн
1000+352.73 грн
6000+351.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSBQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSRQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SonsemiJFETs UJ4N075004L8S
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4000.93 грн
10+3244.24 грн
100+2502.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
на замовлення 598 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3917.91 грн
25+3356.87 грн
100+2623.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4081.27 грн
10+3308.48 грн
120+2540.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5322.97 грн
1000+2636.22 грн
4000+2291.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4418.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7544.82 грн
30+5760.80 грн
120+4000.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3852.20 грн
5+3785.25 грн
10+3719.16 грн
50+3391.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4391.92 грн
25+3763.39 грн
100+2823.38 грн
250+2599.96 грн
600+2521.91 грн
3000+2521.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3631.85 грн
30+2515.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3980.40 грн
10+2934.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6276.34 грн
10+5810.95 грн
30+4890.79 грн
120+4531.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4956.98 грн
10+4559.72 грн
100+3457.68 грн
500+3345.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3909.13 грн
10+3354.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+4049.14 грн
25+3744.92 грн
100+2841.74 грн
250+2604.55 грн
500+2521.91 грн
1000+2520.38 грн
2000+1971.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3268.95 грн
10+2972.35 грн
100+2207.44 грн
500+2114.85 грн
800+2044.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3756.34 грн
10+3415.83 грн
100+2536.45 грн
500+2429.33 грн
800+2348.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1690.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3854.53 грн
25+3352.47 грн
100+2527.27 грн
250+2137.81 грн
500+2075.07 грн
800+1944.23 грн
2400+1943.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2569.09 грн
10+2007.08 грн
500+1736.11 грн
800+1628.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4035.88 грн
5+3531.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2343.99 грн
10+1788.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3649.22 грн
10+3356.87 грн
120+2544.10 грн
510+2498.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2593.20 грн
25+2410.09 грн
100+2089.61 грн
250+2061.29 грн
600+2053.64 грн
1200+2048.29 грн
3000+2043.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2932.07 грн
5+2696.88 грн
10+2502.04 грн
50+2146.39 грн
100+1904.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2921.71 грн
30+1883.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSBQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSRQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1899.49 грн
5+1890.91 грн
10+1881.47 грн
50+1739.11 грн
100+1597.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2890.45 грн
25+2627.42 грн
250+1951.11 грн
800+1950.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2242.18 грн
10+1621.23 грн
100+1392.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3025.25 грн
25+2631.82 грн
100+1983.25 грн
250+1677.96 грн
500+1526.46 грн
800+1297.68 грн
2400+1230.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2272.73 грн
25+1946.37 грн
100+1462.19 грн
250+1437.70 грн
600+1436.94 грн
3000+1436.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2207.42 грн
30+1419.98 грн
120+1417.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3068.10 грн
30+2790.21 грн
120+2425.50 грн
270+2070.48 грн
1020+1984.02 грн
2520+1918.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2553.03 грн
10+2466.40 грн
30+1458.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2362.13 грн
5+2243.68 грн
10+2003.35 грн
50+1637.09 грн
100+1305.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+2951.16 грн
10+2682.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.28 грн
5+1243.72 грн
10+1156.18 грн
50+1031.35 грн
100+913.76 грн
250+874.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1763.78 грн
10+1226.38 грн
100+1221.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1386.31 грн
25+1187.88 грн
100+891.39 грн
250+821.00 грн
500+765.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1248.14 грн
25+1060.93 грн
100+919.92 грн
250+818.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1618.40 грн
25+1408.74 грн
100+1062.02 грн
250+899.81 грн
500+837.83 грн
4000+811.82 грн
10000+753.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1310.68 грн
5+1289.22 грн
10+1268.62 грн
50+1158.08 грн
100+1051.34 грн
250+1032.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.