Продукція > UJ4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.04 грн
10+212.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.95 грн
10+151.85 грн
25+142.25 грн
50+127.13 грн
100+121.05 грн
250+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.25 грн
10+217.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+95.17 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 1100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.64 грн
10+195.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.02 грн
10+161.69 грн
25+151.59 грн
50+135.46 грн
100+128.98 грн
250+120.90 грн
500+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.33 грн
10+191.69 грн
25+156.27 грн
50+148.83 грн
100+142.13 грн
250+133.20 грн
500+126.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+388.07 грн
10+324.33 грн
25+264.17 грн
50+252.26 грн
100+240.36 грн
250+224.73 грн
500+218.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+222.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.45mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.24 грн
10+342.30 грн
100+283.52 грн
250+248.54 грн
500+241.10 грн
1000+205.38 грн
3000+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.23 грн
10+296.10 грн
25+277.53 грн
50+248.00 грн
100+236.15 грн
250+221.37 грн
500+207.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.40 грн
10+134.35 грн
25+111.62 грн
50+108.64 грн
100+104.18 грн
250+93.76 грн
700+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.06 грн
10+130.93 грн
100+101.20 грн
500+84.09 грн
1000+71.96 грн
2500+67.57 грн
5000+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-H-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.52 грн
10+227.81 грн
25+213.51 грн
50+190.79 грн
100+181.68 грн
250+170.30 грн
500+159.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same SkyUSB Connectors
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.70 грн
10+210.52 грн
100+176.36 грн
250+171.90 грн
500+165.94 грн
1000+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.03 грн
10+238.76 грн
100+204.64 грн
250+192.73 грн
500+191.99 грн
1000+174.87 грн
2500+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.34 грн
10+383.38 грн
100+316.26 грн
250+307.33 грн
500+289.47 грн
1000+265.66 грн
2500+254.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.74 грн
10+311.61 грн
25+292.04 грн
50+260.99 грн
100+248.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-V-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.03 грн
10+391.94 грн
100+322.96 грн
250+314.03 грн
500+295.42 грн
1000+271.61 грн
2500+260.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+348.77 грн
500+319.84 грн
750+310.82 грн
1250+281.38 грн
1750+274.78 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DEVICESUSB TypeC Receptacle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.61 грн
10+314.92 грн
100+241.84 грн
250+211.34 грн
500+204.64 грн
1000+174.87 грн
2600+162.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, Vertical, IP68, T&R
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.42 грн
10+322.62 грн
25+265.66 грн
50+258.96 грн
100+247.05 грн
250+216.54 грн
650+209.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ46
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460121
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460275
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460291
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460372
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460387B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK STEREO 4.39MM PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware, Thread Lock
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.177" (4.48mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 4.39mm (0.173")
Part Status: Active
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.67 грн
10+541.59 грн
25+507.63 грн
50+453.66 грн
100+432.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+741.25 грн
25+540.34 грн
100+526.60 грн
500+438.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1577.45 грн
25+1350.39 грн
100+1013.52 грн
250+933.15 грн
600+905.62 грн
3000+837.90 грн
5400+810.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.88 грн
30+984.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1339.81 грн
5+1281.37 грн
10+1222.10 грн
50+1080.55 грн
100+860.77 грн
250+848.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1768.44 грн
10+1602.84 грн
120+1175.74 грн
510+1050.72 грн
1020+1032.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.31 грн
5+1254.66 грн
10+1167.01 грн
50+1041.02 грн
100+922.30 грн
250+882.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1614.78 грн
25+1383.76 грн
100+1038.07 грн
250+955.47 грн
600+926.45 грн
3000+925.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.14 грн
5+981.69 грн
10+913.24 грн
50+814.68 грн
100+721.24 грн
250+690.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1263.17 грн
25+1082.53 грн
100+812.60 грн
250+747.11 грн
500+725.53 грн
2400+671.21 грн
4800+648.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.00 грн
25+870.83 грн
100+751.85 грн
250+649.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SUnited Silicon CarbideUJ4C075023B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1308.86 грн
30+780.62 грн
120+679.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1403.82 грн
10+1271.66 грн
120+933.15 грн
510+833.43 грн
1020+819.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.04 грн
5+1043.46 грн
10+995.05 грн
50+879.79 грн
100+719.09 грн
250+704.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.27 грн
25+1097.94 грн
100+824.50 грн
250+736.70 грн
600+735.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1317.87 грн
25+1129.60 грн
100+847.57 грн
250+756.79 грн
600+756.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.76 грн
10+1234.00 грн
30+791.76 грн
120+747.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.93 грн
5+1048.47 грн
10+975.01 грн
50+876.69 грн
100+783.49 грн
250+757.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1443.75 грн
10+1308.45 грн
120+960.68 грн
510+857.25 грн
1020+842.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.83 грн
30+775.04 грн
120+727.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1252.76 грн
25+1073.12 грн
100+805.16 грн
250+741.16 грн
500+690.56 грн
1000+665.26 грн
6000+664.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSBQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSRQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SQorvoMOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.71 грн
25+831.80 грн
100+626.56 грн
250+530.57 грн
500+502.29 грн
2400+492.62 грн
4800+477.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.10 грн
25+638.07 грн
100+551.07 грн
250+475.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.12 грн
30+599.96 грн
120+514.62 грн
510+466.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.48 грн
25+804.41 грн
100+603.50 грн
250+538.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+993.38 грн
5+989.20 грн
10+985.03 грн
50+606.94 грн
100+548.80 грн
250+538.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+895.07 грн
10+811.26 грн
120+595.31 грн
510+531.31 грн
1020+521.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1068.71 грн
10+968.72 грн
120+710.65 грн
510+634.75 грн
1020+623.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+830.60 грн
5+813.90 грн
10+797.21 грн
50+724.76 грн
100+654.70 грн
250+641.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.68 грн
25+836.08 грн
100+627.31 грн
250+561.08 грн
600+560.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.56 грн
30+730.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1184.17 грн
10+1029.48 грн
25+894.45 грн
100+789.53 грн
500+788.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.60 грн
25+830.94 грн
100+623.59 грн
250+574.47 грн
500+534.29 грн
1000+515.69 грн
6000+514.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSBQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSRQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+521.67 грн
1600+452.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.72 грн
10+923.36 грн
100+664.52 грн
500+578.94 грн
800+543.22 грн
2400+525.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.50 грн
10+683.13 грн
100+569.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoMOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.95 грн
25+750.50 грн
100+565.54 грн
250+478.48 грн
500+453.18 грн
2400+444.25 грн
4800+430.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+752.13 грн
5+719.57 грн
10+687.02 грн
50+607.71 грн
100+498.72 грн
250+488.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.66 грн
30+571.75 грн
120+530.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1099.09 грн
10+978.99 грн
120+703.95 грн
510+613.17 грн
1020+575.22 грн
2520+564.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.89 грн
10+954.17 грн
30+510.48 грн
120+440.53 грн
510+436.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.52 грн
25+759.06 грн
100+569.27 грн
250+508.99 грн
600+508.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.59 грн
25+792.43 грн
100+594.57 грн
250+546.94 грн
600+530.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+785.52 грн
5+751.29 грн
10+717.07 грн
50+634.07 грн
100+505.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.73 грн
30+752.90 грн
120+687.03 грн
510+634.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.09 грн
25+709.42 грн
100+532.80 грн
250+490.39 грн
500+456.16 грн
1000+440.53 грн
6000+439.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSBQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSRQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.57 грн
5+504.20 грн
10+481.66 грн
50+425.55 грн
100+338.44 грн
250+320.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.70 грн
25+557.10 грн
100+420.44 грн
250+354.95 грн
500+337.09 грн
2400+329.65 грн
4800+319.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.15 грн
25+427.60 грн
100+368.86 грн
250+318.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.74 грн
10+921.65 грн
30+546.20 грн
120+488.15 грн
510+467.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.85 грн
30+579.08 грн
120+543.32 грн
510+426.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.56 грн
5+591.85 грн
10+564.30 грн
50+499.19 грн
100+397.11 грн
250+376.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.52 грн
25+623.85 грн
100+468.06 грн
250+418.21 грн
1200+417.46 грн
3000+415.97 грн
5400+415.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.54 грн
25+729.11 грн
100+525.36 грн
600+456.90 грн
1200+429.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.04 грн
30+508.91 грн
120+434.06 грн
510+383.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.94 грн
5+600.20 грн
10+557.63 грн
50+496.09 грн
100+437.90 грн
250+417.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.09 грн
10+814.68 грн
120+612.43 грн
270+593.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.18 грн
25+551.96 грн
100+413.74 грн
250+381.00 грн
500+354.95 грн
1000+343.05 грн
6000+342.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSBQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSRQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SonsemiJFETs UJ4N075004L8S
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3967.50 грн
10+3487.22 грн
25+3030.13 грн
100+2810.61 грн
250+2623.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
на замовлення 598 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3810.36 грн
25+3264.72 грн
100+2551.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4047.37 грн
10+3555.68 грн
30+3089.66 грн
120+2789.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4296.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5176.84 грн
1000+2563.85 грн
4000+2228.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4404.25 грн
5+4051.97 грн
10+3906.72 грн
50+3326.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6104.04 грн
10+5651.43 грн
30+4756.53 грн
120+4406.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7337.70 грн
30+5602.65 грн
120+3891.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3843.67 грн
30+2814.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4271.35 грн
25+3660.08 грн
100+2745.87 грн
250+2528.58 грн
600+2452.68 грн
3000+2451.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4820.90 грн
10+4434.54 грн
100+3362.76 грн
500+3253.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3937.98 грн
25+3642.11 грн
100+2763.73 грн
250+2533.05 грн
500+2452.68 грн
1000+2451.19 грн
2000+1916.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3801.81 грн
10+3262.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.00 грн
25+1765.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3748.72 грн
25+3260.44 грн
100+2457.89 грн
250+2079.12 грн
500+2018.10 грн
800+1890.85 грн
2400+1890.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3925.09 грн
5+3434.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3179.21 грн
10+2890.75 грн
100+2146.84 грн
500+2056.80 грн
800+1988.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3653.22 грн
10+3322.05 грн
100+2466.82 грн
500+2362.64 грн
800+2284.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2522.01 грн
25+2343.92 грн
100+2032.24 грн
250+2004.71 грн
600+1997.27 грн
1200+1992.06 грн
3000+1987.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2692.97 грн
5+2477.60 грн
10+2319.83 грн
50+1958.79 грн
100+1627.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2841.50 грн
30+1831.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3549.04 грн
10+3264.72 грн
120+2474.26 грн
510+2429.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSBQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSRQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2942.20 грн
25+2559.57 грн
100+1928.81 грн
250+1631.89 грн
500+1484.56 грн
800+1262.06 грн
2400+1196.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2180.63 грн
10+1576.72 грн
100+1354.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1847.35 грн
5+1839.00 грн
10+1829.82 грн
50+1691.36 грн
100+1553.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2811.11 грн
25+2555.30 грн
250+1897.55 грн
800+1896.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2983.87 грн
30+2713.61 грн
120+2358.92 грн
270+2013.64 грн
1020+1929.55 грн
2520+1866.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2146.82 грн
30+1381.00 грн
120+1379.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2482.94 грн
10+2398.69 грн
30+1418.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2297.29 грн
5+2182.09 грн
10+1948.35 грн
50+1592.15 грн
100+1269.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+2870.14 грн
10+2609.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2210.34 грн
25+1892.94 грн
100+1422.05 грн
250+1398.24 грн
600+1397.49 грн
3000+1396.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.36 грн
10+1192.71 грн
100+1188.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.73 грн
5+1209.58 грн
10+1124.44 грн
50+1003.04 грн
100+888.67 грн
250+850.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1348.25 грн
25+1155.27 грн
100+866.92 грн
250+798.46 грн
500+744.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1573.98 грн
25+1370.07 грн
100+1032.86 грн
250+875.11 грн
500+814.83 грн
4000+789.53 грн
10000+732.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.88 грн
25+1031.81 грн
100+894.66 грн
250+796.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1274.69 грн
5+1253.82 грн
10+1233.79 грн
50+1126.28 грн
100+1022.47 грн
250+1004.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.