Продукція > UJ4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UJ40-22-C-H-G-MSMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, MSMT, Horizontal, Gold Flash, 24 Pins, T&R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.35 грн
10+128.87 грн
25+107.26 грн
50+105.66 грн
100+100.85 грн
250+91.25 грн
500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-32-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, USB4 Gen 3x2, SMT, Horizontal, Gold Flash, 24 Pins, T&R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.01 грн
10+121.51 грн
25+100.85 грн
50+98.45 грн
100+94.45 грн
250+85.65 грн
500+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-32-C-H-G3-MSMT-R-P24-TRSame SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, USB4 Gen 3x2, MSMT, Recessed Lip, Horizontal, Gold Plated 3u, 24 Pins, T&R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.96 грн
10+146.36 грн
25+121.67 грн
50+119.26 грн
100+113.66 грн
250+103.26 грн
500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-32-C-H-G3-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, USB4 Gen 3x2, SMT, Horizontal, Gold Plated 3u, 24 Pins, T&R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.89 грн
10+147.28 грн
25+122.47 грн
50+120.06 грн
100+114.46 грн
250+103.26 грн
500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+102.37 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+161.09 грн
25+131.27 грн
50+125.67 грн
100+119.26 грн
250+103.26 грн
750+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSAME SKYDescription: SAME SKY - UJ40-C-H-G-L1-SMT-TR - USB-Steckverbinder, USB C, USB 4.0, Buchse, 24 -polig, Oberflächenmontage, Rechtwinklig
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
USB-Steckverbinder: USB C
USB-Version: USB 4.0
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Anzahl der Positionen: 24-polig
Ausrichtung: Rechtwinklig
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.95 грн
10+163.42 грн
100+139.18 грн
250+120.90 грн
500+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.01 грн
10+163.34 грн
25+153.02 грн
50+136.74 грн
100+130.21 грн
250+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+131.07 грн
Мінімальне замовлення: 1100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.25 грн
10+186.86 грн
25+152.08 грн
50+144.88 грн
100+138.47 грн
250+129.67 грн
500+120.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.00 грн
10+173.93 грн
25+163.05 грн
50+145.71 грн
100+138.74 грн
250+130.05 грн
500+121.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.63 грн
10+318.50 грн
25+298.53 грн
50+266.76 грн
100+254.01 грн
250+238.11 грн
500+223.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.45mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.27 грн
10+315.73 грн
25+257.74 грн
50+245.73 грн
100+233.73 грн
250+218.52 грн
500+212.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+238.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.28 грн
10+130.71 грн
25+108.86 грн
50+105.66 грн
100+100.85 грн
250+91.25 грн
700+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-H-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, Mid Mount SMT , IP68, T&R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.91 грн
10+273.39 грн
25+225.72 грн
50+215.32 грн
100+207.31 грн
250+198.51 грн
500+193.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.58 грн
10+245.05 грн
25+229.66 грн
50+205.23 грн
100+195.42 грн
250+183.19 грн
500+171.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.92 грн
10+256.82 грн
100+220.12 грн
250+207.31 грн
500+206.51 грн
1000+188.10 грн
2500+177.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+248.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSAME SKYDescription: SAME SKY - UJ40-C-V-G-SMT-TR - USB-Steckverbinder, USB C, USB 4.0, Buchse, 24 -polig, Oberflächenmontage, Vertikal
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
USB-Steckverbinder: USB C
USB-Version: USB 4.0
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
usEccn: EAR99
Anzahl der Positionen: 24-polig
Ausrichtung: Vertikal
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.24 грн
10+391.49 грн
100+351.98 грн
250+317.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-V-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.66 грн
10+355.77 грн
25+333.45 грн
50+297.98 грн
100+283.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.12 грн
10+390.29 грн
25+317.77 грн
50+311.37 грн
100+302.56 грн
250+295.36 грн
500+286.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+338.48 грн
500+310.39 грн
750+301.64 грн
1250+273.07 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DEVICESUSB TypeC Receptacle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, Vertical, IP68, T&R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.19 грн
10+313.89 грн
25+258.54 грн
50+252.14 грн
100+240.13 грн
250+210.51 грн
650+204.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 4.0 TYPE-C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.20 грн
10+338.74 грн
100+260.14 грн
250+227.32 грн
500+220.12 грн
1000+188.10 грн
2600+175.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 4.0 TYPE-C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.45 грн
10+245.88 грн
25+230.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ46
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460121
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460275
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460291
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460372
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460387B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK STEREO 4.39MM PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware, Thread Lock
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.177" (4.48mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 4.39mm (0.173")
Part Status: Active
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.73 грн
10+582.56 грн
25+546.03 грн
50+487.98 грн
100+464.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+769.83 грн
25+561.17 грн
100+546.90 грн
500+455.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1577.24 грн
10+1133.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 60A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 205A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1696.78 грн
25+1452.54 грн
100+1090.18 грн
250+1003.74 грн
600+974.12 грн
3000+901.28 грн
5400+871.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1441.16 грн
5+1378.30 грн
10+1314.55 грн
50+1162.29 грн
100+925.88 грн
250+912.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1585.37 грн
30+1058.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1909.69 грн
10+1389.94 грн
120+1115.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1476.18 грн
5+1411.52 грн
10+1347.77 грн
50+1191.47 грн
100+948.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1736.93 грн
25+1488.44 грн
100+1116.60 грн
250+1027.75 грн
600+996.53 грн
3000+995.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1902.22 грн
10+1724.08 грн
120+1264.68 грн
510+1130.21 грн
1020+1110.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SonsemiDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1451.18 грн
10+1018.99 грн
100+836.45 грн
800+835.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SUnited Silicon CarbideUJ4C075023B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1358.73 грн
25+1164.42 грн
100+874.07 грн
250+803.63 грн
500+780.42 грн
2400+721.99 грн
4800+697.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SonsemiDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.61 грн
10+1010.71 грн
100+971.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.58 грн
5+1055.95 грн
10+982.32 грн
50+876.30 грн
100+775.80 грн
250+742.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 12014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.80 грн
30+488.26 грн
120+416.54 грн
510+367.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1510.01 грн
10+1367.85 грн
120+1003.74 грн
510+896.48 грн
1020+881.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.58 грн
5+1122.40 грн
10+1070.32 грн
50+946.34 грн
100+773.49 грн
250+758.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1379.27 грн
25+1180.99 грн
100+886.87 грн
250+792.42 грн
600+791.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.62 грн
10+983.09 грн
120+801.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1552.96 грн
10+1407.43 грн
120+1033.35 грн
510+922.09 грн
1020+906.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.90 грн
5+1110.72 грн
10+1015.54 грн
50+854.62 грн
100+748.09 грн
250+733.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1417.56 грн
25+1215.05 грн
100+911.69 грн
250+814.04 грн
600+813.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1468.92 грн
10+910.37 грн
100+728.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 15123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.80 грн
30+488.26 грн
120+416.54 грн
510+367.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 57762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1316.96 грн
10+902.90 грн
100+851.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1347.52 грн
25+1154.30 грн
100+866.06 грн
250+797.23 грн
500+742.80 грн
1000+715.58 грн
6000+714.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+722.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSBonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSRonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1153.31 грн
10+783.17 грн
100+712.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+604.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1141.14 грн
10+789.78 грн
100+613.13 грн
500+612.33 грн
800+573.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1009.47 грн
25+865.26 грн
100+649.15 грн
250+579.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1147.68 грн
10+694.97 грн
120+586.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.78 грн
10+872.63 грн
120+640.34 грн
510+571.51 грн
1020+561.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.52 грн
5+1064.03 грн
10+1059.54 грн
50+652.85 грн
100+590.32 грн
250+578.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.79 грн
30+631.50 грн
120+543.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1289.62 грн
10+783.34 грн
120+631.54 грн
510+610.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+893.43 грн
5+875.47 грн
10+857.51 грн
50+779.58 грн
100+704.22 грн
250+689.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1149.55 грн
10+1042.00 грн
120+764.41 грн
510+682.77 грн
1020+670.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.69 грн
30+652.49 грн
120+562.22 грн
510+520.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.56 грн
25+899.32 грн
100+674.76 грн
250+603.52 грн
600+602.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1282.15 грн
10+893.80 грн
100+713.18 грн
2000+698.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1044.03 грн
25+893.80 грн
100+670.76 грн
250+617.93 грн
500+574.71 грн
1000+554.70 грн
6000+553.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.58 грн
10+732.06 грн
100+659.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSBonsemiDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSRonsemiDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.01 грн
10+790.70 грн
100+613.93 грн
500+612.33 грн
800+573.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SonsemiDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 19263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.13 грн
10+719.22 грн
100+642.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoMOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+928.23 грн
25+807.27 грн
100+608.33 грн
250+514.68 грн
500+487.46 грн
2400+477.86 грн
4800+462.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SonsemiDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+544.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1114.06 грн
10+993.21 грн
100+714.78 грн
500+622.73 грн
800+584.31 грн
2400+565.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.51 грн
25+816.48 грн
100+612.33 грн
250+547.49 грн
600+546.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1182.23 грн
10+1053.04 грн
120+757.21 грн
510+659.55 грн
1020+618.73 грн
2520+607.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.28 грн
30+482.20 грн
120+411.21 грн
510+362.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.92 грн
10+573.47 грн
120+429.83 грн
510+425.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+809.02 грн
5+774.00 грн
10+738.99 грн
50+653.68 грн
100+536.44 грн
250+525.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 6971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.57 грн
30+599.04 грн
120+514.66 грн
510+470.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+994.53 грн
25+852.38 грн
100+639.54 грн
250+588.32 грн
600+570.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1187.94 грн
5+1157.41 грн
10+1125.99 грн
50+917.99 грн
100+731.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.81 грн
25+763.09 грн
100+573.11 грн
250+527.48 грн
500+490.66 грн
1000+473.85 грн
6000+473.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.76 грн
10+643.59 грн
100+562.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSBonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSRonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.24 грн
5+825.19 грн
10+675.23 грн
50+578.64 грн
100+488.72 грн
250+478.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+909.55 грн
10+621.33 грн
100+456.24 грн
800+425.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+404.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.17 грн
25+599.24 грн
100+452.24 грн
250+381.80 грн
500+362.59 грн
2400+354.59 грн
4800+344.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 10678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.80 грн
10+564.89 грн
100+477.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+874.07 грн
10+522.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.70 грн
30+622.89 грн
120+584.42 грн
510+458.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.85 грн
5+884.45 грн
10+667.15 грн
50+589.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.55 грн
25+671.04 грн
100+503.47 грн
250+449.84 грн
1200+449.04 грн
3000+447.44 грн
5400+446.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1121.53 грн
10+783.34 грн
100+596.32 грн
600+502.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 28A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.32 грн
30+583.15 грн
120+500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.23 грн
5+923.96 грн
10+697.68 грн
50+632.01 грн
100+569.54 грн
250+554.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SONSEMIUJ4C075060K4S THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1217.58 грн
2+732.39 грн
5+692.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4S-DonsemiDescription: SIC JFET
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+371.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.90 грн
25+593.72 грн
100+445.04 грн
250+409.82 грн
500+381.80 грн
1000+369.00 грн
6000+368.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.52 грн
10+525.53 грн
100+438.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSBonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSRonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SonsemiJFETs UJ4N075004L8S
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4185.44 грн
10+3393.86 грн
100+2617.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
на замовлення 598 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+4098.59 грн
25+3511.68 грн
100+2744.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4269.49 грн
10+3461.05 грн
120+2657.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3794.15 грн
10+3205.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5568.45 грн
1000+2757.80 грн
4000+2397.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2719.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6565.78 грн
10+6078.93 грн
30+5116.34 грн
120+4740.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7892.76 грн
30+6026.47 грн
120+4185.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4594.46 грн
25+3936.95 грн
100+2953.58 грн
250+2719.86 грн
600+2638.21 грн
3000+2637.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3877.27 грн
30+2685.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4029.85 грн
5+3959.81 грн
10+3890.67 грн
50+3547.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4163.96 грн
10+3069.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2558.58 грн
10+1966.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+4235.87 грн
25+3917.62 грн
100+2972.79 грн
250+2724.66 грн
500+2638.21 грн
1000+2636.61 грн
2000+2061.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5185.58 грн
10+4769.99 грн
100+3617.14 грн
500+3499.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2660.49 грн
10+2099.64 грн
100+1764.94 грн
500+1764.14 грн
800+1617.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2502.30 грн
10+1909.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3419.70 грн
10+3109.42 грн
100+2309.24 грн
500+2212.38 грн
800+2138.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4222.00 грн
5+3694.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3929.57 грн
10+3573.35 грн
100+2653.42 грн
500+2541.36 грн
800+2457.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4032.29 грн
25+3507.08 грн
100+2643.82 грн
250+2236.40 грн
500+2170.76 грн
800+2033.89 грн
2400+2033.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3067.28 грн
5+2821.25 грн
10+2617.43 грн
50+2245.37 грн
100+1992.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3817.51 грн
10+3511.68 грн
120+2661.42 грн
510+2613.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2712.79 грн
25+2521.23 грн
100+2185.97 грн
250+2156.35 грн
600+2148.35 грн
1200+2142.75 грн
3000+2137.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3056.44 грн
30+1970.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2001.84 грн
10+1448.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSBonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSRonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2413.96 грн
10+1834.54 грн
500+1588.05 грн
800+1490.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2247.74 грн
10+1669.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3023.75 грн
25+2748.59 грн
250+2041.09 грн
800+2040.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2336.38 грн
5+2219.65 грн
10+1711.43 грн
50+1585.02 грн
100+1459.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1416.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3164.76 грн
25+2753.19 грн
100+2074.71 грн
250+1755.34 грн
500+1596.86 грн
800+1357.53 грн
2400+1287.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3209.59 грн
30+2918.88 грн
120+2537.36 грн
270+2165.96 грн
1020+2075.51 грн
2520+2007.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2642.57 грн
5+2442.33 грн
10+2243.00 грн
50+1896.85 грн
100+1579.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2670.76 грн
10+2580.14 грн
30+1525.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+3087.25 грн
10+2806.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2377.54 грн
25+2036.13 грн
100+1529.62 грн
250+1504.01 грн
600+1503.20 грн
3000+1502.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2280.64 грн
30+1432.49 грн
120+1388.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.05 грн
10+1210.45 грн
100+1030.15 грн
800+961.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 13913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1727.37 грн
10+1201.31 грн
100+1196.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1015.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.67 грн
5+1301.08 грн
10+1209.49 грн
50+1078.91 грн
100+955.90 грн
250+915.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1450.24 грн
25+1242.67 грн
100+932.50 грн
250+858.86 грн
500+801.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1632.99 грн
10+1132.44 грн
100+1116.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1371.12 грн
5+1348.67 грн
10+1327.12 грн
50+1211.48 грн
100+1099.82 грн
250+1080.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1693.04 грн
25+1473.71 грн
100+1110.99 грн
250+941.30 грн
500+876.47 грн
4000+849.25 грн
10000+788.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.