Продукція > UJ4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.18 грн
10+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.63 грн
10+154.05 грн
25+144.31 грн
50+128.97 грн
100+122.80 грн
250+115.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.31 грн
10+152.79 грн
25+124.56 грн
50+118.52 грн
100+113.23 грн
250+105.69 грн
500+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.82 грн
10+198.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.88 грн
10+164.03 грн
25+153.78 грн
50+137.42 грн
100+130.85 грн
250+122.65 грн
500+114.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.61 грн
10+176.23 грн
25+143.43 грн
50+136.64 грн
100+130.60 грн
250+122.29 грн
500+116.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 1100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.81 грн
10+297.77 грн
25+243.08 грн
50+231.75 грн
100+220.43 грн
250+206.09 грн
500+200.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+225.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.22 грн
10+347.25 грн
100+287.62 грн
250+252.14 грн
500+244.59 грн
1000+208.35 грн
3000+194.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.47 грн
10+300.39 грн
25+281.54 грн
50+251.59 грн
100+239.56 грн
250+224.57 грн
500+210.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.45mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.68 грн
10+123.27 грн
25+102.67 грн
50+99.65 грн
100+95.12 грн
250+86.06 грн
700+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-H-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.79 грн
10+242.21 грн
100+207.60 грн
250+195.52 грн
500+194.76 грн
1000+177.40 грн
2500+167.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same SkyUSB Connectors
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.92 грн
10+213.56 грн
100+178.91 грн
250+174.38 грн
500+168.34 грн
1000+167.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.54 грн
10+231.11 грн
25+216.59 грн
50+193.55 грн
100+184.31 грн
250+172.77 грн
500+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.10 грн
10+360.27 грн
25+294.41 грн
50+287.62 грн
100+282.33 грн
250+274.03 грн
500+266.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.25 грн
10+316.11 грн
25+296.27 грн
50+264.77 грн
100+252.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.59 грн
10+388.92 грн
100+320.83 грн
250+311.77 грн
500+293.65 грн
1000+269.50 грн
2500+258.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+353.82 грн
500+324.46 грн
750+315.32 грн
1250+285.45 грн
1750+278.76 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-V-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same SkyUSB Connectors USB Jack, Type C, 4.0, Vertical, IP68, T&R
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.27 грн
10+296.03 грн
25+243.83 грн
50+237.79 грн
100+226.47 грн
250+198.54 грн
650+192.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 4.0 TYPE-C SMD PCB
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.73 грн
10+230.16 грн
25+215.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DEVICESUSB TypeC Receptacle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.69 грн
10+319.47 грн
100+245.34 грн
250+214.39 грн
500+207.60 грн
1000+177.40 грн
2600+165.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: CONN RCPT USB 4.0 TYPE-C SMD PCB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ46
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460121
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460275
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460291
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460372
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460387B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+751.97 грн
25+548.15 грн
100+534.21 грн
500+444.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK STEREO 4.39MM PNL MNT
Features: Mounting Hardware, Thread Lock
Packaging: Bulk
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.177" (4.48mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 4.39mm (0.173")
Part Status: Active
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.24 грн
10+549.42 грн
25+514.97 грн
50+460.22 грн
100+438.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1359.18 грн
5+1299.90 грн
10+1239.77 грн
50+1096.17 грн
100+873.21 грн
250+860.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.52 грн
10+1068.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1495.19 грн
30+998.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 60A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 205A
Power dissipation: 385W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1600.25 грн
25+1369.91 грн
100+1028.17 грн
250+946.64 грн
600+918.71 грн
3000+850.01 грн
5400+822.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1794.01 грн
10+1626.01 грн
120+1192.74 грн
510+1065.91 грн
1020+1047.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1801.06 грн
10+1310.88 грн
120+1051.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1638.13 грн
25+1403.77 грн
100+1053.08 грн
250+969.29 грн
600+939.85 грн
3000+939.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1392.20 грн
5+1331.23 грн
10+1271.11 грн
50+1123.69 грн
100+894.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.04 грн
25+883.42 грн
100+762.72 грн
250+658.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.32 грн
5+995.88 грн
10+926.44 грн
50+826.45 грн
100+731.67 грн
250+700.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1485.76 грн
10+1047.83 грн
100+876.43 грн
500+862.85 грн
800+831.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1281.44 грн
25+1098.19 грн
100+824.35 грн
250+757.92 грн
500+736.02 грн
2400+680.92 грн
4800+658.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SUnited Silicon CarbideUJ4C075023B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1106.82 грн
5+1058.55 грн
10+1009.43 грн
50+892.51 грн
100+729.49 грн
250+714.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1300.81 грн
25+1113.81 грн
100+836.43 грн
250+747.35 грн
600+746.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.83 грн
10+927.16 грн
120+755.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1424.11 грн
10+1290.04 грн
120+946.64 грн
510+845.48 грн
1020+831.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.78 грн
30+791.91 грн
120+689.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.36 грн
10+858.58 грн
100+686.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1464.63 грн
10+1327.37 грн
120+974.57 грн
510+869.64 грн
1020+854.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.94 грн
30+786.25 грн
120+738.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1137.30 грн
5+1047.54 грн
10+957.78 грн
50+806.01 грн
100+705.54 грн
250+691.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1336.92 грн
25+1145.93 грн
100+859.83 грн
250+767.73 грн
600+766.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1270.87 грн
25+1088.64 грн
100+816.80 грн
250+751.88 грн
500+700.54 грн
1000+674.88 грн
6000+674.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SonsemiDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.53 грн
10+960.21 грн
100+902.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSBQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSRQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.13 грн
25+647.29 грн
100+559.03 грн
250+482.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SQorvoMOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.55 грн
25+843.82 грн
100+635.62 грн
250+538.24 грн
500+509.56 грн
2400+499.74 грн
4800+484.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1167.82 грн
10+812.57 грн
100+642.42 грн
500+625.05 грн
800+601.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.05 грн
25+816.04 грн
100+612.22 грн
250+546.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1004.01 грн
10+636.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.74 грн
5+1003.50 грн
10+999.27 грн
50+615.71 грн
100+556.74 грн
250+545.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+908.01 грн
10+822.99 грн
120+603.92 грн
510+539.00 грн
1020+529.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.98 грн
30+608.64 грн
120+522.06 грн
510+473.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.90 грн
30+714.03 грн
120+680.20 грн
510+632.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1084.16 грн
10+982.72 грн
120+720.93 грн
510+643.93 грн
1020+632.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.80 грн
25+848.16 грн
100+636.38 грн
250+569.19 грн
600+568.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+842.60 грн
5+825.67 грн
10+808.73 грн
50+735.24 грн
100+664.16 грн
250+650.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1238.28 грн
10+944.53 грн
100+711.11 грн
1000+710.36 грн
2000+709.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+984.64 грн
25+842.96 грн
100+632.60 грн
250+582.78 грн
500+542.02 грн
1000+523.14 грн
6000+522.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSBQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSRQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.69 грн
10+936.71 грн
100+674.12 грн
500+587.31 грн
800+551.07 грн
2400+532.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.46 грн
10+693.01 грн
100+577.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1077.99 грн
10+745.72 грн
100+579.01 грн
500+575.99 грн
800+540.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+529.22 грн
1600+458.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoMOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.43 грн
25+761.35 грн
100+573.72 грн
250+485.40 грн
500+459.73 грн
2400+450.67 грн
4800+436.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+919.46 грн
10+540.85 грн
120+405.38 грн
510+401.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+763.00 грн
5+729.98 грн
10+696.95 грн
50+616.50 грн
100+505.93 грн
250+495.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.33 грн
25+770.03 грн
100+577.50 грн
250+516.35 грн
600+515.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.88 грн
30+580.01 грн
120+538.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1114.98 грн
10+993.14 грн
120+714.13 грн
510+622.03 грн
1020+583.54 грн
2520+572.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1120.37 грн
5+1091.58 грн
10+1061.94 грн
50+865.77 грн
100+690.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.61 грн
30+763.78 грн
120+696.96 грн
510+643.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.96 грн
25+803.89 грн
100+603.16 грн
250+554.85 грн
600+538.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.08 грн
25+719.68 грн
100+540.51 грн
250+497.48 грн
500+462.75 грн
1000+446.90 грн
6000+446.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSBQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSRQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.54 грн
25+433.78 грн
100+374.19 грн
250+323.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.81 грн
10+585.99 грн
100+430.29 грн
800+401.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+705.42 грн
5+597.87 грн
10+489.47 грн
50+419.12 грн
100+354.22 грн
250+346.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.97 грн
25+565.15 грн
100+426.52 грн
250+360.09 грн
500+341.97 грн
2400+334.42 грн
4800+324.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+738.04 грн
25+632.87 грн
100+474.83 грн
250+424.25 грн
1200+423.50 грн
3000+421.99 грн
5400+421.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.99 грн
5+830.75 грн
10+627.51 грн
50+561.45 грн
100+497.94 грн
250+478.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-3
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+968.78 грн
10+572.10 грн
100+428.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.58 грн
30+587.46 грн
120+551.18 грн
510+432.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1057.74 грн
10+738.78 грн
100+562.40 грн
600+474.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 20.6A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.00 грн
30+546.23 грн
120+507.38 грн
510+424.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.80 грн
5+871.40 грн
10+657.99 грн
50+596.05 грн
100+537.14 грн
250+523.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.49 грн
25+559.94 грн
100+419.72 грн
250+386.51 грн
500+360.09 грн
1000+348.01 грн
6000+347.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSBQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSRQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
на замовлення 598 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3865.45 грн
25+3311.92 грн
100+2588.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SonsemiJFETs UJ4N075004L8S
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3947.35 грн
10+3200.80 грн
100+2468.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4026.62 грн
10+3264.17 грн
120+2506.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3578.32 грн
10+3022.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5251.69 грн
1000+2600.92 грн
4000+2260.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2564.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4333.11 грн
25+3713.00 грн
100+2785.57 грн
250+2565.14 грн
600+2488.14 грн
3000+2487.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3583.22 грн
30+2481.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3927.10 грн
10+2895.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3800.61 грн
5+3734.56 грн
10+3669.35 грн
50+3345.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6192.29 грн
10+5733.14 грн
30+4825.30 грн
120+4470.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7443.78 грн
30+5683.65 грн
120+3947.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2413.04 грн
10+1854.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3994.91 грн
25+3694.77 грн
100+2803.69 грн
250+2569.67 грн
500+2488.14 грн
1000+2486.63 грн
2000+1944.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4890.60 грн
10+4498.66 грн
100+3411.38 грн
500+3300.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3981.84 грн
5+3483.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3802.92 грн
25+3307.58 грн
100+2493.42 грн
250+2109.18 грн
500+2047.28 грн
800+1918.19 грн
2400+1917.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2534.69 грн
10+1980.21 грн
500+1721.16 грн
800+1607.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2312.60 грн
10+1764.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3225.17 грн
10+2932.55 грн
100+2177.88 грн
500+2086.53 грн
800+2017.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3706.04 грн
10+3370.08 грн
100+2502.48 грн
500+2396.80 грн
800+2317.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1667.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2882.58 грн
30+1858.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3600.35 грн
10+3311.92 грн
120+2510.03 грн
510+2464.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2892.80 грн
5+2660.77 грн
10+2468.54 грн
50+2117.64 грн
100+1879.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2558.47 грн
25+2377.81 грн
100+2061.62 грн
250+2033.69 грн
600+2026.14 грн
1200+2020.86 грн
3000+2016.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2075.78 грн
10+1535.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSBQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSRQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2984.74 грн
25+2596.58 грн
100+1956.69 грн
250+1655.49 грн
500+1506.02 грн
800+1280.30 грн
2400+1213.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1874.05 грн
5+1865.59 грн
10+1856.27 грн
50+1715.82 грн
100+1575.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2212.16 грн
10+1599.52 грн
100+1373.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2851.75 грн
25+2592.24 грн
250+1924.99 грн
800+1924.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2518.84 грн
10+2433.37 грн
30+1438.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2177.86 грн
30+1400.96 грн
120+1398.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+2911.64 грн
10+2646.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2242.29 грн
25+1920.31 грн
100+1442.61 грн
250+1418.45 грн
600+1417.70 грн
3000+1416.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2330.50 грн
5+2213.64 грн
10+1976.52 грн
50+1615.16 грн
100+1287.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3027.01 грн
30+2752.84 грн
120+2393.02 грн
270+2042.75 грн
1020+1957.45 грн
2520+1893.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.45 грн
5+1227.07 грн
10+1140.69 грн
50+1017.54 грн
100+901.52 грн
250+863.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1740.16 грн
10+1209.96 грн
100+1205.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1596.73 грн
25+1389.88 грн
100+1047.80 грн
250+887.76 грн
500+826.61 грн
4000+800.95 грн
10000+743.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1540.10 грн
10+1068.02 грн
100+1052.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1367.75 грн
25+1171.98 грн
100+879.45 грн
250+810.00 грн
500+755.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.12 грн
5+1271.95 грн
10+1251.63 грн
50+1142.57 грн
100+1037.26 грн
250+1019.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.