Продукція > UJ4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.83 грн
10+150.13 грн
25+140.64 грн
50+125.68 грн
100+119.68 грн
250+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.72 грн
10+214.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+94.09 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-L1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.57 грн
10+209.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.77 грн
10+159.86 грн
25+149.86 грн
50+133.92 грн
100+127.52 грн
250+119.53 грн
500+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.44 грн
10+197.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+120.46 грн
Мінімальне замовлення: 1100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.15 грн
10+193.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-2-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.25mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.55 грн
10+338.41 грн
100+280.29 грн
250+245.72 грн
500+238.36 грн
1000+203.05 грн
3000+189.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.11 грн
10+292.74 грн
25+274.38 грн
50+245.18 грн
100+233.47 грн
250+218.85 грн
500+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 4.0 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.45mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT USB
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.13 грн
10+346.03 грн
100+286.92 грн
250+250.87 грн
500+243.51 грн
1000+207.46 грн
3000+192.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-MSMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.34 грн
10+129.44 грн
100+100.05 грн
500+83.13 грн
1000+71.14 грн
2500+66.80 грн
5000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-P24-TRSame SkyUSB Connectors Type C, 4.0, Horizontal, Gold Plated 3u, Surface Mount, 24 pin, T&R
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.78 грн
10+131.98 грн
100+102.26 грн
500+85.34 грн
1000+72.69 грн
2500+68.20 грн
5000+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-H-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.29 грн
10+236.04 грн
100+202.31 грн
250+190.54 грн
500+189.81 грн
1000+172.89 грн
2500+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.35 грн
10+225.23 грн
25+211.08 грн
50+188.63 грн
100+179.61 грн
250+168.37 грн
500+157.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same SkyUSB Connectors
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.39 грн
10+208.12 грн
100+174.36 грн
250+169.94 грн
500+164.06 грн
1000+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-MSMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame SkyUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.01 грн
10+387.48 грн
100+319.29 грн
250+310.46 грн
500+292.07 грн
1000+268.52 грн
2500+257.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+344.81 грн
500+316.20 грн
750+307.29 грн
1250+278.18 грн
1750+271.66 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB4 40 Gbps 48 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount USB
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.43 грн
10+379.02 грн
100+312.66 грн
250+303.84 грн
500+286.18 грн
1000+262.64 грн
2500+251.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ40-C-V-G-SMT-TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-G-SMT-TRSame Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 48 VAC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.42 грн
10+308.07 грн
25+288.72 грн
50+258.03 грн
100+245.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DEVICESUSB TypeC Receptacle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same SkyUSB Connectors
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.48 грн
10+318.11 грн
100+244.25 грн
250+213.35 грн
500+206.73 грн
1000+176.56 грн
2600+164.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.61 грн
10+311.34 грн
100+239.10 грн
250+208.93 грн
500+202.31 грн
1000+172.89 грн
2600+161.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ40-C-V-SMT-TR-68Same Sky (Formerly CUI Devices)Description: TYPE C, USB4, 40 GBPS, 20 VDC, 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 4.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ46
на замовлення 797 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460121
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460275
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460291
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460372
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ460387B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraft Inc.Description: CONN JACK STEREO 4.39MM PNL MNT
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware, Thread Lock
Connector Type: Phone Jack
Gender: Female
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions/Contacts: 3 Conductors, 5 Contacts
Internal Switch(s): Two Switches
Signal Lines: Stereo (3 Conductor, TRS)
Termination: Solder Eyelet(s)
Actual Diameter: 0.177" (4.48mm)
Industry Recognized Mating Diameter: 4.39mm (0.173")
Part Status: Active
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.25 грн
10+583.03 грн
25+546.46 грн
50+488.35 грн
100+465.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+741.25 грн
25+540.34 грн
100+526.60 грн
500+438.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4BSwitchcraftConn Phone Jack F 3 POS Solder ST Panel Mount 3 Terminal 1 Port
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.58 грн
5+1266.81 грн
10+1208.22 грн
50+1068.27 грн
100+850.99 грн
250+838.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1457.13 грн
30+972.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1559.52 грн
25+1335.04 грн
100+1002.00 грн
250+922.54 грн
600+895.32 грн
3000+828.38 грн
5400+801.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075018K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1596.43 грн
25+1368.04 грн
100+1026.28 грн
250+944.62 грн
600+915.92 грн
3000+915.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1748.35 грн
10+1584.62 грн
120+1162.38 грн
510+1038.78 грн
1020+1020.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.06 грн
5+1240.40 грн
10+1153.75 грн
50+1029.19 грн
100+911.82 грн
250+872.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1038.21 грн
5+970.53 грн
10+902.86 грн
50+805.42 грн
100+713.05 грн
250+682.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SUnited Silicon CarbideUJ4C075023B7S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1248.82 грн
25+1070.23 грн
100+803.36 грн
250+738.62 грн
500+717.29 грн
2400+663.58 грн
4800+641.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7SQorvoDescription: 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.19 грн
25+860.93 грн
100+743.31 грн
250+641.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1267.70 грн
25+1085.46 грн
100+815.14 грн
250+728.32 грн
600+727.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.99 грн
30+771.75 грн
120+672.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.65 грн
5+1031.61 грн
10+983.74 грн
50+869.79 грн
100+710.92 грн
250+696.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1387.86 грн
10+1257.21 грн
120+922.54 грн
510+823.96 грн
1020+809.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/23mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1427.35 грн
10+1293.59 грн
120+949.77 грн
510+847.51 грн
1020+832.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SonsemiDescription: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.96 грн
30+766.23 грн
120+719.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.18 грн
5+1036.56 грн
10+963.93 грн
50+866.73 грн
100+774.59 грн
250+748.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1302.89 грн
25+1116.76 грн
100+837.94 грн
250+748.19 грн
600+747.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075023K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1238.52 грн
25+1060.93 грн
100+796.01 грн
250+732.74 грн
500+682.71 грн
1000+657.70 грн
6000+656.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSBQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023L8SSRQorvoDescription: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.43 грн
25+630.82 грн
100+544.80 грн
250+470.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SQorvoMOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.84 грн
25+822.35 грн
100+619.44 грн
250+524.54 грн
500+496.59 грн
2400+487.02 грн
4800+472.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7SonsemiDescription: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.15 грн
5+753.48 грн
10+719.65 грн
50+636.06 грн
100+507.20 грн
250+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.82 грн
25+795.27 грн
100+596.64 грн
250+532.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.45 грн
30+593.14 грн
120+508.77 грн
510+461.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K3SUnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.90 грн
10+802.04 грн
120+588.55 грн
510+525.28 грн
1020+515.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075033K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1056.56 грн
10+957.71 грн
120+702.58 грн
510+627.54 грн
1020+616.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SonsemiDescription: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.77 грн
30+721.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+821.98 грн
5+768.34 грн
10+713.87 грн
50+642.19 грн
100+573.69 грн
250+554.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.58 грн
25+826.58 грн
100+620.18 грн
250+554.70 грн
600+553.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.57 грн
25+821.50 грн
100+616.50 грн
250+567.95 грн
500+528.22 грн
1000+509.83 грн
6000+509.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSBQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8SSRQorvoDescription: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoMOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.15 грн
25+741.97 грн
100+559.12 грн
250+473.04 грн
500+448.03 грн
2400+439.20 грн
4800+425.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.09 грн
10+675.37 грн
100+562.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1023.95 грн
10+912.87 грн
100+656.96 грн
500+572.36 грн
800+537.05 грн
2400+519.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044B7SQorvoDescription: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+515.75 грн
1600+446.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.58 грн
5+711.39 грн
10+679.21 грн
50+600.81 грн
100+493.05 грн
250+483.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.46 грн
25+750.43 грн
100+562.80 грн
250+503.21 грн
600+502.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1086.60 грн
10+967.86 грн
120+695.96 грн
510+606.20 грн
1020+568.68 грн
2520+558.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.48 грн
30+565.25 грн
120+524.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075044K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1017.04 грн
30+744.34 грн
120+679.22 грн
510+627.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+776.59 грн
5+742.76 грн
10+708.92 грн
50+626.86 грн
100+499.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.08 грн
25+783.43 грн
100+587.81 грн
250+540.73 грн
600+524.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.67 грн
25+701.36 грн
100+526.75 грн
250+484.81 грн
500+450.97 грн
1000+435.52 грн
6000+434.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSBQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044L8SSRQorvoDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.42 грн
25+550.77 грн
100+415.66 грн
250+350.92 грн
500+333.26 грн
2400+325.91 грн
4800+316.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.34 грн
25+422.74 грн
100+364.67 грн
250+315.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.58 грн
5+498.47 грн
10+476.19 грн
50+420.72 грн
100+334.59 грн
250+316.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+719.25 грн
25+616.76 грн
100+462.74 грн
250+413.45 грн
1200+412.72 грн
3000+411.25 грн
5400+410.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K3S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.06 грн
30+572.50 грн
120+537.15 грн
510+421.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.54 грн
5+585.13 грн
10+557.89 грн
50+493.52 грн
100+392.60 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.23 грн
25+720.82 грн
100+519.39 грн
600+451.71 грн
1200+424.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SUnited Silicon CarbideUJ4C075060K4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.00 грн
30+503.12 грн
120+429.13 грн
510+378.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4SQORVODescription: QORVO - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.64 грн
5+593.38 грн
10+551.29 грн
50+490.45 грн
100+432.92 грн
250+413.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+636.86 грн
25+545.69 грн
100+409.04 грн
250+376.67 грн
500+350.92 грн
1000+339.15 грн
6000+338.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSBQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060L8SSRQorvoDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
на замовлення 598 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3767.06 грн
25+3227.62 грн
100+2522.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
на замовлення 597 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3379.97 грн
25+2895.13 грн
100+2172.47 грн
250+2017.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4248.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5118.02 грн
1000+2534.72 грн
4000+2203.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3987.01 грн
30+2919.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7079.29 грн
5+6194.58 грн
10+5132.44 грн
50+4273.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6034.68 грн
10+5587.21 грн
30+4702.48 грн
120+4356.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7254.31 грн
30+5538.99 грн
120+3846.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4222.81 грн
25+3618.49 грн
100+2714.67 грн
250+2499.85 грн
600+2424.81 грн
3000+2424.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3758.61 грн
10+3224.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3893.23 грн
25+3600.72 грн
100+2732.32 грн
250+2504.26 грн
500+2424.81 грн
1000+2423.34 грн
2000+1895.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4766.11 грн
10+4384.15 грн
100+3324.55 грн
500+3216.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 750V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3143.08 грн
10+2857.90 грн
100+2122.44 грн
500+2033.42 грн
800+1965.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3611.71 грн
10+3284.30 грн
100+2438.79 грн
500+2335.79 грн
800+2258.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1958.49 грн
25+1745.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3706.12 грн
25+3223.39 грн
100+2429.96 грн
250+2055.50 грн
500+1995.17 грн
800+1869.37 грн
2400+1868.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3880.49 грн
5+3395.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7SQorvoDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2809.21 грн
30+1810.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4064.52 грн
5+3556.15 грн
10+2947.09 грн
50+2453.04 грн
100+2090.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3508.71 грн
10+3227.62 грн
120+2446.14 грн
510+2402.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2493.35 грн
25+2317.29 грн
100+2009.15 грн
250+1981.93 грн
600+1974.57 грн
1200+1969.42 грн
3000+1965.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSBQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075010L8SSRQorvoDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2155.85 грн
10+1558.80 грн
100+1338.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2908.76 грн
25+2530.49 грн
100+1906.89 грн
250+1613.35 грн
500+1467.69 грн
800+1247.72 грн
2400+1182.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2779.16 грн
25+2526.26 грн
250+1875.99 грн
800+1875.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1826.35 грн
5+1818.10 грн
10+1809.02 грн
50+1672.14 грн
100+1535.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 868 шт:
термін постачання 426-435 дні (днів)
1+2837.52 грн
10+2579.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2185.22 грн
25+1871.43 грн
100+1405.89 грн
250+1382.35 грн
600+1381.61 грн
3000+1380.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3169.09 грн
5+2772.95 грн
10+2297.59 грн
50+1912.77 грн
100+1629.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2122.42 грн
30+1365.30 грн
120+1363.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2949.96 грн
30+2682.77 грн
120+2332.11 грн
270+1990.76 грн
1020+1907.62 грн
2520+1845.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.02 грн
5+1195.84 грн
10+1111.66 грн
50+991.64 грн
100+878.57 грн
250+841.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1695.87 грн
10+1179.16 грн
100+1174.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1200.08 грн
25+1020.08 грн
100+884.50 грн
250+787.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs UJ4SC075018L8S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1332.93 грн
25+1142.15 грн
100+857.07 грн
250+789.39 грн
500+736.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1556.09 грн
25+1354.50 грн
100+1021.13 грн
250+865.16 грн
500+805.57 грн
4000+780.56 грн
10000+724.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1260.21 грн
5+1239.58 грн
10+1219.77 грн
50+1113.49 грн
100+1010.86 грн
250+993.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.