| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD13810STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 63...160 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13910STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13916STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD14010STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD140G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Current gain: 40...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO225 Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Current gain: 40 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD242CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Current gain: 25 Collector current: 3A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD243CG | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 20 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD244CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 30 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD440S | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 36W Collector current: 4A Current gain: 40...140 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 3MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD442G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 40...475 Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDV64BG | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDW94C | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDX33CG | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDX53CG | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF720T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS270 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Case: TO92 Polarisation: unipolar Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.625W Pulsed drain current: 2A On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP16T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Case: SOT223-4; TO261-4 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Current gain: 30...120 Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 15MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP52T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI |
BSR14-FAI NPN SMD transistors |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR16 | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 300MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR58 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-JFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -40V Drain current: 8mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138-G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT3G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8482 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.34W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2759 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63LT1G | ONSEMI |
BSS63LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 4485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS64LT1G | ONSEMI |
BSS64LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSV52LT1G | ONSEMI |
BSV52LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BU406G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Frequency: 10MHz Type of transistor: NPN Mounting: THT Collector current: 7A Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 200V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BUV21G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 8MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BVSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 10Ω Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV32-200G | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Max. forward voltage: 1.15V Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 0.6mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYW29-200G | ONSEMI |
BYW29-200G THT universal diodes |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW51-200G | ONSEMI |
BYW51-200G THT universal diodes |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYW80-200G | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Reverse recovery time: 35ns Max. load current: 16A Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BZG03C150G | ONSEMI |
BZG03C150G SMD Zener diodes |
на замовлення 5356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BZX79C10 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 0.2µA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 10V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C12 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 0.1µA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 12V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C15 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 50nA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 15V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C2V4 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 2.4V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2041 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C2V7 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 75µA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 2.7V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C3V3 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3.3V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 25µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C4V7 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C Type of diode: Zener Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Case: CASE017AG Leakage current: 3µA Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 4.7V Tolerance: ±5% Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C5V1 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.1V Mounting: THT Tolerance: ±5% Kind of package: bulk Case: CASE017AG Semiconductor structure: single diode Manufacturer series: BZX79C Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BD13810STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.80 грн |
| 25+ | 30.33 грн |
| 120+ | 25.81 грн |
| 480+ | 23.19 грн |
| BD13910STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.29 грн |
| 10+ | 38.50 грн |
| 60+ | 30.76 грн |
| 120+ | 28.34 грн |
| 300+ | 26.01 грн |
| BD13916STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.33 грн |
| 10+ | 35.57 грн |
| 25+ | 31.34 грн |
| 60+ | 28.92 грн |
| 120+ | 26.88 грн |
| 540+ | 24.26 грн |
| BD139G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.01 грн |
| 10+ | 54.72 грн |
| 25+ | 45.42 грн |
| 100+ | 37.17 грн |
| 200+ | 33.87 грн |
| 250+ | 32.99 грн |
| BD14010STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Current gain: 63...160
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.83 грн |
| 10+ | 62.18 грн |
| 25+ | 53.28 грн |
| 60+ | 47.65 грн |
| 120+ | 43.57 грн |
| 300+ | 38.62 грн |
| 1920+ | 36.49 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.64 грн |
| 10+ | 57.34 грн |
| 50+ | 42.50 грн |
| 100+ | 38.82 грн |
| BD237G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 56.84 грн |
| 25+ | 46.58 грн |
| 100+ | 40.08 грн |
| BD242CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Current gain: 25
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.01 грн |
| 10+ | 53.21 грн |
| 50+ | 40.18 грн |
| 100+ | 37.65 грн |
| BD243CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.63 грн |
| 5+ | 84.05 грн |
| 10+ | 66.28 грн |
| 50+ | 49.78 грн |
| BD244CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.54 грн |
| 10+ | 77.90 грн |
| 50+ | 48.52 грн |
| BD440S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 36W
Collector current: 4A
Current gain: 40...140
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.83 грн |
| 6+ | 59.05 грн |
| 25+ | 51.14 грн |
| 100+ | 44.54 грн |
| 500+ | 41.24 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.60 грн |
| 10+ | 55.43 грн |
| 100+ | 41.82 грн |
| 500+ | 40.76 грн |
| BDV64BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.80 грн |
| 10+ | 197.52 грн |
| 30+ | 153.33 грн |
| BDW94C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.33 грн |
| 5+ | 83.04 грн |
| 10+ | 69.87 грн |
| 25+ | 55.51 грн |
| 100+ | 46.09 грн |
| BDX33CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.46 грн |
| 10+ | 72.56 грн |
| 50+ | 52.40 грн |
| 100+ | 48.52 грн |
| BDX53CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.78 грн |
| 10+ | 73.97 грн |
| 25+ | 46.77 грн |
| 50+ | 46.68 грн |
| 68+ | 44.15 грн |
| 500+ | 44.06 грн |
| BF720T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.71 грн |
| 12+ | 26.91 грн |
| 100+ | 16.79 грн |
| 250+ | 14.46 грн |
| 500+ | 13.10 грн |
| 1000+ | 11.94 грн |
| 2000+ | 11.64 грн |
| BS170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.90 грн |
| 21+ | 14.41 грн |
| 30+ | 10.97 грн |
| 100+ | 8.44 грн |
| 250+ | 7.18 грн |
| 500+ | 6.60 грн |
| BS170-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.08 грн |
| 16+ | 19.95 грн |
| 20+ | 14.75 грн |
| 50+ | 10.09 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 13+ | 23.98 грн |
| 25+ | 19.41 грн |
| 50+ | 16.69 грн |
| 100+ | 14.27 грн |
| 250+ | 11.64 грн |
| 500+ | 10.09 грн |
| BS270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 13+ | 24.59 грн |
| 100+ | 13.00 грн |
| 500+ | 12.32 грн |
| BSP16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.67 грн |
| 13+ | 24.19 грн |
| 100+ | 17.66 грн |
| 250+ | 15.53 грн |
| 500+ | 13.97 грн |
| 1000+ | 12.52 грн |
| 2000+ | 12.23 грн |
| BSP52T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.89 грн |
| 11+ | 29.22 грн |
| 100+ | 18.15 грн |
| 250+ | 15.43 грн |
| 500+ | 13.78 грн |
| 1000+ | 12.62 грн |
| BSR14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSR14-FAI NPN SMD transistors
BSR14-FAI NPN SMD transistors
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.73 грн |
| 137+ | 8.44 грн |
| 375+ | 7.96 грн |
| BSR16 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.58 грн |
| 12+ | 25.50 грн |
| 50+ | 16.79 грн |
| 100+ | 14.17 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
| 1000+ | 8.64 грн |
| 1500+ | 8.05 грн |
| BSR58 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Drain current: 8mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 12+ | 25.80 грн |
| 50+ | 14.75 грн |
| 100+ | 12.71 грн |
| 500+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 8.05 грн |
| 1500+ | 7.86 грн |
| BSS123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 26+ | 11.79 грн |
| 50+ | 7.69 грн |
| 100+ | 6.48 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 3.99 грн |
| 1500+ | 3.73 грн |
| BSS123L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 30+ | 10.08 грн |
| 37+ | 8.05 грн |
| 56+ | 5.20 грн |
| 100+ | 4.42 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 3.15 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 26+ | 11.69 грн |
| 50+ | 7.57 грн |
| 100+ | 6.35 грн |
| 250+ | 5.11 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.83 грн |
| BSS123W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.59 грн |
| 35+ | 8.87 грн |
| 100+ | 7.47 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 3000+ | 6.60 грн |
| BSS138-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.86 грн |
| 24+ | 12.70 грн |
| 100+ | 7.67 грн |
| 250+ | 6.79 грн |
| 500+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 6.02 грн |
| 3000+ | 5.63 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 50+ | 6.15 грн |
| 62+ | 4.70 грн |
| 100+ | 3.53 грн |
| 250+ | 3.06 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| BSS138K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 29+ | 10.68 грн |
| 50+ | 6.77 грн |
| 100+ | 5.74 грн |
| 500+ | 4.15 грн |
| 1000+ | 3.72 грн |
| 3000+ | 3.21 грн |
| BSS138L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 32+ | 9.57 грн |
| 50+ | 7.26 грн |
| 100+ | 6.49 грн |
| 250+ | 5.53 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 1000+ | 4.24 грн |
| BSS138LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.86 грн |
| 27+ | 11.59 грн |
| 34+ | 8.66 грн |
| 100+ | 6.02 грн |
| 250+ | 4.95 грн |
| 500+ | 4.38 грн |
| 1000+ | 3.96 грн |
| BSS138LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.77 грн |
| 28+ | 11.09 грн |
| 39+ | 7.57 грн |
| 62+ | 4.70 грн |
| 10000+ | 3.64 грн |
| BSS138W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.08 грн |
| 20+ | 15.72 грн |
| 24+ | 12.42 грн |
| 50+ | 8.15 грн |
| 100+ | 7.05 грн |
| 500+ | 5.52 грн |
| 1000+ | 5.34 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
BSS63LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.87 грн |
| 477+ | 2.40 грн |
| 1311+ | 2.27 грн |
| BSS64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSS64LT1G NPN SMD transistors
BSS64LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.62 грн |
| 409+ | 2.80 грн |
| 1124+ | 2.65 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 50+ | 14.17 грн |
| 100+ | 12.04 грн |
| 250+ | 9.65 грн |
| 500+ | 8.20 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| BSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 43+ | 7.15 грн |
| 52+ | 5.69 грн |
| 100+ | 5.23 грн |
| 500+ | 4.30 грн |
| 1000+ | 3.95 грн |
| 3000+ | 3.47 грн |
| BSV52LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSV52LT1G NPN SMD transistors
BSV52LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.72 грн |
| 243+ | 4.73 грн |
| 667+ | 4.46 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.62 грн |
| 10+ | 122.94 грн |
| 50+ | 72.78 грн |
| 100+ | 65.99 грн |
| BUV21G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 8MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 8MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 5+ | 94.12 грн |
| 10+ | 78.41 грн |
| 50+ | 49.78 грн |
| 100+ | 48.33 грн |
| BVSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 18+ | 16.69 грн |
| 100+ | 8.15 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 16+ | 19.45 грн |
| 50+ | 13.20 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
| 500+ | 8.05 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| 3000+ | 6.79 грн |
| BYV32-200G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.93 грн |
| 10+ | 91.22 грн |
| 50+ | 88.31 грн |
| BYW29-200G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BYW29-200G THT universal diodes
BYW29-200G THT universal diodes
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.05 грн |
| 23+ | 52.40 грн |
| 61+ | 49.49 грн |
| BYW51-200G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BYW51-200G THT universal diodes
BYW51-200G THT universal diodes
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.57 грн |
| 14+ | 85.40 грн |
| 37+ | 80.54 грн |
| BYW80-200G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Reverse recovery time: 35ns
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.84 грн |
| 10+ | 53.41 грн |
| 50+ | 49.49 грн |
| BZG03C150G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BZG03C150G SMD Zener diodes
BZG03C150G SMD Zener diodes
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.44 грн |
| 22+ | 13.81 грн |
| 93+ | 12.42 грн |
| 254+ | 11.74 грн |
| BZX79C10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 36+ | 8.46 грн |
| 44+ | 6.70 грн |
| 58+ | 5.09 грн |
| 100+ | 4.07 грн |
| BZX79C12 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.1µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.1µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 39+ | 7.86 грн |
| 46+ | 6.40 грн |
| 57+ | 5.19 грн |
| 100+ | 3.09 грн |
| 250+ | 2.70 грн |
| BZX79C15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 50nA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 50nA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 45+ | 6.85 грн |
| 60+ | 4.85 грн |
| 165+ | 1.77 грн |
| 500+ | 1.51 грн |
| BZX79C2V4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.27 грн |
| 82+ | 3.73 грн |
| 203+ | 1.44 грн |
| 500+ | 1.16 грн |
| BZX79C2V7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 75µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 75µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 41+ | 7.46 грн |
| 50+ | 5.82 грн |
| 100+ | 3.47 грн |
| 250+ | 2.61 грн |
| 500+ | 2.14 грн |
| 1000+ | 2.10 грн |
| BZX79C3V3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 38+ | 8.06 грн |
| 46+ | 6.40 грн |
| 56+ | 5.24 грн |
| 100+ | 3.15 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| BZX79C4V7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 3µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Leakage current: 3µA
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Tolerance: ±5%
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 42+ | 7.36 грн |
| 63+ | 4.66 грн |
| 100+ | 3.87 грн |
| 250+ | 3.12 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 1000+ | 2.43 грн |
| BZX79C5V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 37+ | 8.26 грн |
| 43+ | 6.79 грн |
| 54+ | 5.48 грн |
| 100+ | 3.29 грн |
| 250+ | 2.57 грн |
| 500+ | 2.47 грн |






















