Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142455) > Сторінка 1738 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDLL3595 ONSEMI fdll3595-d.pdf FDLL3595 SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.33 грн
335+3.32 грн
921+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CF5A650B2BAE0C7&compId=1N91x_1N4x48.PDF?ci_sign=a4258b07e70007c6a3a8c603a8d2c85f44ec76b5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.13 грн
70+4.21 грн
77+3.71 грн
103+2.77 грн
122+2.33 грн
500+1.57 грн
1000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4448 FDLL4448 ONSEMI 1n914-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+8.71 грн
57+5.19 грн
80+3.55 грн
100+3.37 грн
250+2.85 грн
500+2.50 грн
777+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ ONSEMI fdma1032cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/7nC
On-state resistance: 68/95mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.7/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.53 грн
11+29.20 грн
100+24.91 грн
500+22.36 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ ONSEMI fdma530pz-d.pdf FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.44 грн
27+41.42 грн
74+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZT ONSEMI fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.51 грн
31+36.33 грн
85+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.54 грн
5+78.00 грн
10+67.09 грн
25+56.99 грн
100+44.73 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 FDMC7692 ONSEMI fdmc7692-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.10 грн
10+54.78 грн
50+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.32 грн
20+57.56 грн
54+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.03 грн
10+113.67 грн
25+104.74 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.67 грн
5+89.17 грн
10+79.26 грн
25+70.77 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.44 грн
10+65.65 грн
100+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
6+54.88 грн
25+47.18 грн
100+42.46 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.04 грн
10+188.14 грн
25+161.36 грн
100+139.66 грн
250+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.29 грн
5+158.75 грн
10+133.05 грн
100+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.72 грн
5+135.23 грн
10+116.07 грн
25+99.08 грн
100+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.12 грн
62+18.02 грн
170+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.05 грн
79+14.06 грн
218+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P FDN304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
12+26.65 грн
50+17.83 грн
100+15.48 грн
250+12.93 грн
500+11.51 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
10+43.02 грн
50+29.44 грн
100+25.38 грн
250+21.14 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
13+24.40 грн
50+17.65 грн
95+11.80 грн
261+11.13 грн
1000+10.95 грн
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N FDN327N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.63 грн
11+27.83 грн
13+22.74 грн
50+15.76 грн
85+13.12 грн
233+12.46 грн
500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.36 грн
73+15.48 грн
198+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.22 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N FDN337N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.45 грн
15+20.97 грн
50+15.76 грн
100+14.25 грн
190+5.85 грн
520+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.66 грн
10+32.14 грн
50+22.46 грн
100+19.44 грн
250+16.14 грн
500+14.15 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.68 грн
10+31.75 грн
50+23.40 грн
100+20.85 грн
250+17.83 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.49 грн
16+19.50 грн
25+15.29 грн
50+13.21 грн
100+11.70 грн
250+10.19 грн
500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.37 грн
84+13.40 грн
230+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.50 грн
12+25.09 грн
13+21.99 грн
50+19.63 грн
100+18.68 грн
250+16.89 грн
500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.61 грн
67+16.61 грн
185+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
10+35.67 грн
50+25.95 грн
71+15.85 грн
193+15.00 грн
1500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P ONSEMI fdn360p-d.pdf FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.12 грн
102+11.04 грн
278+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.66 грн
40+28.03 грн
110+26.52 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.60 грн
10+29.79 грн
50+21.51 грн
84+13.21 грн
231+12.55 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.52 грн
41+27.27 грн
113+25.86 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf FDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+341.45 грн
6+217.98 грн
15+206.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf FDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.35 грн
6+186.84 грн
17+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.05 грн
7+163.25 грн
19+154.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 ONSEMI fdp075n15a-d.pdf FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.32 грн
6+205.71 грн
15+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.43 грн
5+327.29 грн
10+276.48 грн
50+259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+243.89 грн
3+195.98 грн
10+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.11 грн
10+269.48 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.27 грн
6+219.50 грн
10+200.05 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.15 грн
4+285.92 грн
11+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.69 грн
10+138.17 грн
11+108.52 грн
29+101.91 грн
250+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.77 грн
6+205.78 грн
16+187.78 грн
50+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 ONSEMI TO220B03_Pkg_Dwg.pdf FDP42AN15A0 THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.05 грн
9+133.99 грн
23+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.81 грн
5+178.34 грн
8+146.26 грн
10+143.43 грн
21+138.71 грн
50+134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE92CE32B8FA259&compId=FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf?ci_sign=9f6ce9ee9503deb9021bb393eee3bd9d4a8dfe0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.53 грн
9+134.25 грн
24+121.73 грн
100+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.56 грн
3+139.15 грн
10+117.95 грн
50+106.63 грн
250+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI FDPF12N60NZ-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.14 грн
10+125.43 грн
50+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.61 грн
3+182.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
10+218.52 грн
25+181.18 грн
50+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.07 грн
2+222.44 грн
10+182.12 грн
20+170.80 грн
50+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.93 грн
3+271.44 грн
10+233.07 грн
50+197.22 грн
100+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+549.77 грн
4+377.27 грн
9+343.48 грн
50+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf FDPF390N15A THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.46 грн
12+98.14 грн
32+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 FDPF51N25 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.53 грн
10+121.51 грн
27+110.40 грн
250+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 fdll3595-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.33 грн
335+3.32 грн
921+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CF5A650B2BAE0C7&compId=1N91x_1N4x48.PDF?ci_sign=a4258b07e70007c6a3a8c603a8d2c85f44ec76b5
FDLL4148
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 100V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.13 грн
70+4.21 грн
77+3.71 грн
103+2.77 грн
122+2.33 грн
500+1.57 грн
1000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4448 1n914-d.pdf
FDLL4448
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.71 грн
57+5.19 грн
80+3.55 грн
100+3.37 грн
250+2.85 грн
500+2.50 грн
777+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ fdma1032cz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/7nC
On-state resistance: 68/95mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.7/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
11+29.20 грн
100+24.91 грн
500+22.36 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.44 грн
27+41.42 грн
74+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZT fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.51 грн
31+36.33 грн
85+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.54 грн
5+78.00 грн
10+67.09 грн
25+56.99 грн
100+44.73 грн
500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.10 грн
10+54.78 грн
50+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.32 грн
20+57.56 грн
54+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.03 грн
10+113.67 грн
25+104.74 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.67 грн
5+89.17 грн
10+79.26 грн
25+70.77 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
10+65.65 грн
100+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
6+54.88 грн
25+47.18 грн
100+42.46 грн
500+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.04 грн
10+188.14 грн
25+161.36 грн
100+139.66 грн
250+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.29 грн
5+158.75 грн
10+133.05 грн
100+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.72 грн
5+135.23 грн
10+116.07 грн
25+99.08 грн
100+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.12 грн
62+18.02 грн
170+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.05 грн
79+14.06 грн
218+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43
FDN304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
12+26.65 грн
50+17.83 грн
100+15.48 грн
250+12.93 грн
500+11.51 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.94 грн
10+43.02 грн
50+29.44 грн
100+25.38 грн
250+21.14 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
13+24.40 грн
50+17.65 грн
95+11.80 грн
261+11.13 грн
1000+10.95 грн
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF875E74E87E28&compId=FDN327N.pdf?ci_sign=647dba67650dcc6217d7c8ab71a22b7dc59b804a
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.63 грн
11+27.83 грн
13+22.74 грн
50+15.76 грн
85+13.12 грн
233+12.46 грн
500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.36 грн
73+15.48 грн
198+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P fdn336p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.22 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
1500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C7529A2A5273D3&compId=FDN337N.pdf?ci_sign=df521a793e16e8ed1a6c2a17771c76ddab901570
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.45 грн
15+20.97 грн
50+15.76 грн
100+14.25 грн
190+5.85 грн
520+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.66 грн
10+32.14 грн
50+22.46 грн
100+19.44 грн
250+16.14 грн
500+14.15 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.68 грн
10+31.75 грн
50+23.40 грн
100+20.85 грн
250+17.83 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.49 грн
16+19.50 грн
25+15.29 грн
50+13.21 грн
100+11.70 грн
250+10.19 грн
500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.37 грн
84+13.40 грн
230+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.50 грн
12+25.09 грн
13+21.99 грн
50+19.63 грн
100+18.68 грн
250+16.89 грн
500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.61 грн
67+16.61 грн
185+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f
FDN359AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.76 грн
10+35.67 грн
50+25.95 грн
71+15.85 грн
193+15.00 грн
1500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.12 грн
102+11.04 грн
278+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N fdn537n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.66 грн
40+28.03 грн
110+26.52 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08
FDN5630
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.60 грн
10+29.79 грн
50+21.51 грн
84+13.21 грн
231+12.55 грн
1000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.52 грн
41+27.27 грн
113+25.86 грн
1000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.45 грн
6+217.98 грн
15+206.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.35 грн
6+186.84 грн
17+176.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.05 грн
7+163.25 грн
19+154.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 fdp075n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.32 грн
6+205.71 грн
15+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.43 грн
5+327.29 грн
10+276.48 грн
50+259.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.89 грн
3+195.98 грн
10+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.11 грн
10+269.48 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.27 грн
6+219.50 грн
10+200.05 грн
50+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.15 грн
4+285.92 грн
11+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.69 грн
10+138.17 грн
11+108.52 грн
29+101.91 грн
250+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.77 грн
6+205.78 грн
16+187.78 грн
50+184.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP42AN15A0 TO220B03_Pkg_Dwg.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP42AN15A0 THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.05 грн
9+133.99 грн
23+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
FDP51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.81 грн
5+178.34 грн
8+146.26 грн
10+143.43 грн
21+138.71 грн
50+134.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP52N20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE92CE32B8FA259&compId=FDP52N20%2C%20FDPF52N20T.pdf?ci_sign=9f6ce9ee9503deb9021bb393eee3bd9d4a8dfe0b
FDP52N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.53 грн
9+134.25 грн
24+121.73 грн
100+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N50T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B5B3A35528DD2A17&compId=FDP12N50.pdf?ci_sign=2d34bc5657a95a8e6474b335ed20b5e8739aabf0
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.56 грн
3+139.15 грн
10+117.95 грн
50+106.63 грн
250+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ-D.PDF
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.14 грн
10+125.43 грн
50+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4
FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.61 грн
3+182.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
10+218.52 грн
25+181.18 грн
50+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.07 грн
2+222.44 грн
10+182.12 грн
20+170.80 грн
50+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.93 грн
3+271.44 грн
10+233.07 грн
50+197.22 грн
100+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.77 грн
4+377.27 грн
9+343.48 грн
50+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.46 грн
12+98.14 грн
32+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf
FDPF51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.53 грн
10+121.51 грн
27+110.40 грн
250+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]