Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146960) > Сторінка 1739 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FAN7842MX FAN7842MX ONSEMI fan7842-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 FCA20N60 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 ONSEMI fca20n60_f109-d.pdf FCA20N60-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F ONSEMI fca20n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA36N60NF ONSEMI fca36n60nf-d.pdf FCA36N60NF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI fca47n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 ONSEMI FCA47N60.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F ONSEMI fca47n60f-d.pdf FCA47N60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+501.11 грн
3+375.30 грн
9+342.09 грн
500+332.90 грн
800+329.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 ONSEMI fcb099n65s3-d.pdf FCB099N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F ONSEMI fcb110n65f-d.pdf FCB110N65F SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM ONSEMI fcb11n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 ONSEMI fcb125n65s3-d.pdf FCB125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 ONSEMI fcb199n65s3-d.pdf FCB199N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM ONSEMI FCB20N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf FCB260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 ONSEMI fcb290n80-d.pdf FCB290N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z ONSEMI fcd1300n80z-d.pdf FCD1300N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z ONSEMI fcd2250n80z-d.pdf FCD2250N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 ONSEMI fcd260n65s3-d.pdf FCD260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf FCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E ONSEMI fcd380n60e-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.08 грн
10+85.95 грн
15+72.65 грн
41+68.97 грн
500+67.13 грн
1000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS ONSEMI fcu5n60-d.pdf FCD5N60TM-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z ONSEMI fcd600n60z-d.pdf FCD600N60Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 ONSEMI fcd600n65s3r0-d.pdf FCD600N65S3R0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf FCD620N60ZF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS ONSEMI fcd7n60-d.pdf FCD7N60TM-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z ONSEMI fcu850n80z-d.pdf FCD850N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK
Pulsed drain current: 13.5A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 ONSEMI fch023n65s3l4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 ONSEMI fch029n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 ONSEMI fch040n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 ONSEMI fch041n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EF-F155 ONSEMI fch041n65ef-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EFL4 ONSEMI fch041n65efl4-d.pdf FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F085 ONSEMI fch041n65f_f085-d.pdf FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 ONSEMI fch043n60-d.pdf FCH043N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 ONSEMI fch060n80_f155-d.pdf FCH060N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 ONSEMI fch067n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH070N60E ONSEMI fch070n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60 ONSEMI FCH072N60-D.PDF FCH072N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60F ONSEMI fch072n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 ONSEMI fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 ONSEMI fch077n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 ONSEMI fch085n80_f155-d.pdf FCH085N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 ONSEMI fch099n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+649.66 грн
3+431.65 грн
8+393.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 ONSEMI fch104n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH110N65F-F155 ONSEMI fch110n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 ONSEMI fch125n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
On-state resistance: 0.133Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E FCH165N60E ONSEMI fch165n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 ONSEMI fch165n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 154W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 47.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7842MX fan7842-d.pdf
FAN7842MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Technology: MillerDrive™
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCA20N60-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA36N60NF fca36n60nf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCA36N60NF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F fca47n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCA47N60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.11 грн
3+375.30 грн
9+342.09 грн
500+332.90 грн
800+329.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 fcb099n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB099N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB110N65F SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 fcb199n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB199N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60.pdf
FCB20N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 fcb290n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB290N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z fcd1300n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD1300N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z fcd2250n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD2250N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 fcd260n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.08 грн
10+85.95 грн
15+72.65 грн
41+68.97 грн
500+67.13 грн
1000+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD5N60TM-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z fcd600n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD600N60Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 fcd600n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD600N65S3R0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD620N60ZF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD7N60TM-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD850N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCD900N60Z
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 13.5A; 52W; DPAK
Pulsed drain current: 13.5A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 fch023n65s3l4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 fch029n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 fch040n65s3-d.pdf
FCH040N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F fch041n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 fch041n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EFL4 fch041n65efl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F085 fch041n65f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 fch043n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH043N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 fch060n80_f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH060N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH070N60E fch070n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60 FCH072N60-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCH072N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60F fch072n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 fch085n80_f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH085N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 fch099n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+649.66 грн
3+431.65 грн
8+393.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
On-state resistance: 0.133Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E fch165n60e-d.pdf
FCH165N60E
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 154W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 47.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]