Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA114EET1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTA114YET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTA115EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...150 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DTA124EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.2W Current gain: 60...100 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DTA143ZET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...140 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT723 Current gain: 3...5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DTC114EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2/0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DTC114TET1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DTC114YET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.2W Current gain: 80...140 кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DTC123JET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DTC123TET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2/0.3W Case: SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Current gain: 160...350 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DTC124EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 60...100 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTC124XET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...150 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTC143EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DTC143ZET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTC144EET1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DVK-BASE-2-GEVK | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8308-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8310-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8315-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8420-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8654-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8655R-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8657-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8660-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8661-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8663R-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8667-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8690-TL-H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8693R-TL-W | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ECH8695R-TL-W | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ECH8697R-TL-W | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
2N2222A | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
LM324N | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EFC4612R-S-TR | ONSEMI | EFC4612R-S-TR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EGF1D | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 5641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EMC2DXV5T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EMC5DXV5T1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EMG2DXV5T5G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EMI9408MUTAG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ES1A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ES1B | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Leakage current: 0.1mA Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD Case: SMA Capacitance: 7pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.92V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 15ns Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.47W Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ES1C | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ES1D | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 15ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 7pF Case: SMA Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.47W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ES1F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ES1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Capacitance: 10pF Power dissipation: 1.47W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
ES1J | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Case: SMA Capacitance: 8pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 1.47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7526 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ES2A | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 2A Reverse recovery time: 20ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.66W Leakage current: 0.35mA Capacitance: 18pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ES2B | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A Case: SMB Capacitance: 18pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 20ns Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Power dissipation: 1.66W Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ES2C | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ES2D | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 20ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 18pF Case: SMB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.66W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ES3A | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMC Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.66W Leakage current: 0.5mA Capacitance: 45pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ES3B | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMC Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.66W Capacitance: 45pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
ES3C | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 150V Load current: 3A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMC Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.66W Leakage current: 0.5mA Capacitance: 45pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ES3D | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 4175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ES3J | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Capacitance: 45pF Power dissipation: 1.66W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ESD5B5.0ST1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: TVS; 0.2W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.8V Semiconductor structure: bidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 0.2W Leakage current: 1µA Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ESD5Z12T1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14.1V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 240W Max. forward impulse current: 9.6A Leakage current: 10nA Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ESD5Z2.5T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 2.5V Breakdown voltage: 4V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 120W Max. forward impulse current: 11A Leakage current: 6µA Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ESD5Z3.3T1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 158W Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 5V Max. forward impulse current: 11.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Leakage current: 50nA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DTA114EET1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.88 грн |
47+ | 6.19 грн |
100+ | 3.76 грн |
500+ | 2.81 грн |
595+ | 1.82 грн |
1636+ | 1.72 грн |
15000+ | 1.69 грн |
DTA114YET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.88 грн |
50+ | 5.72 грн |
100+ | 3.51 грн |
500+ | 2.61 грн |
637+ | 1.70 грн |
1750+ | 1.61 грн |
15000+ | 1.54 грн |
DTA115EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.82 грн |
33+ | 8.76 грн |
100+ | 5.22 грн |
389+ | 2.78 грн |
1070+ | 2.62 грн |
6000+ | 2.52 грн |
DTA124EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 60...100
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 60...100
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTA143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.51 грн |
62+ | 4.67 грн |
76+ | 3.63 грн |
100+ | 2.79 грн |
612+ | 1.76 грн |
1680+ | 1.67 грн |
DTC113EM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC114EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.86 грн |
40+ | 7.24 грн |
55+ | 5.06 грн |
100+ | 4.43 грн |
500+ | 3.27 грн |
612+ | 1.76 грн |
1680+ | 1.67 грн |
DTC114TET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTC114TET1G NPN SMD transistors
DTC114TET1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC114YET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80...140
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80...140
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC123JET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC123TET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 160...350
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2/0.3W
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 160...350
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC124EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60...100
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 60...100
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.84 грн |
39+ | 7.34 грн |
100+ | 4.53 грн |
489+ | 2.21 грн |
1345+ | 2.09 грн |
75000+ | 2.01 грн |
DTC124XET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.89 грн |
56+ | 5.14 грн |
100+ | 3.34 грн |
500+ | 2.64 грн |
612+ | 1.76 грн |
1680+ | 1.67 грн |
75000+ | 1.61 грн |
DTC143EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...200
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...200
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
46+ | 6.52 грн |
62+ | 4.61 грн |
82+ | 3.38 грн |
118+ | 2.34 грн |
500+ | 1.65 грн |
3000+ | 1.64 грн |
DTC144EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.23 грн |
50+ | 7.77 грн |
535+ | 2.02 грн |
1471+ | 1.91 грн |
3000+ | 1.83 грн |
DVK-BASE-2-GEVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DVK-BASE-2-GEVK Development kits - others
DVK-BASE-2-GEVK Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8308-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8308-TL-H SMD P channel transistors
ECH8308-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8310-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8310-TL-H SMD P channel transistors
ECH8310-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8315-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8315-TL-H SMD P channel transistors
ECH8315-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8420-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8420-TL-H SMD N channel transistors
ECH8420-TL-H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8654-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8654-TL-H SMD P channel transistors
ECH8654-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8655R-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8655R-TL-H SMD N channel transistors
ECH8655R-TL-H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8657-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8657-TL-H Multi channel transistors
ECH8657-TL-H Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8660-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8660-TL-H Multi channel transistors
ECH8660-TL-H Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8661-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8661-TL-H Multi channel transistors
ECH8661-TL-H Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8663R-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8663R-TL-H SMD N channel transistors
ECH8663R-TL-H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8667-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8667-TL-H SMD P channel transistors
ECH8667-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8690-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8690-TL-H Multi channel transistors
ECH8690-TL-H Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8693R-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8693R-TL-W SMD N channel transistors
ECH8693R-TL-W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ECH8695R-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8695R-TL-W Multi channel transistors
ECH8695R-TL-W Multi channel transistors
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.27 грн |
36+ | 30.00 грн |
99+ | 28.35 грн |
ECH8697R-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ECH8697R-TL-W Multi channel transistors
ECH8697R-TL-W Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
EDU-2N2222A NPN THT transistors
EDU-2N2222A NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
LM324N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EDU-LM324N THT operational amplifiers
EDU-LM324N THT operational amplifiers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EFC4612R-S-TR |
Виробник: ONSEMI
EFC4612R-S-TR Multi channel transistors
EFC4612R-S-TR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EGF1D-ONS SMD universal diodes
EGF1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 5641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.31 грн |
53+ | 20.46 грн |
145+ | 19.36 грн |
1000+ | 19.34 грн |
EMC2DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMC2DXV5T1G Complementary transistors
EMC2DXV5T1G Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EMC5DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMC5DXV5T1G Complementary transistors
EMC5DXV5T1G Complementary transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.77 грн |
115+ | 9.54 грн |
310+ | 9.08 грн |
EMG2DXV5T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors
EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EMI9408MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMI9408MUTAG-ONS Diodes - Unclassified
EMI9408MUTAG-ONS Diodes - Unclassified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ES1A-ONS SMD universal diodes
ES1A-ONS SMD universal diodes
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.48 грн |
104+ | 10.37 грн |
286+ | 9.82 грн |
ES1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: SMA
Capacitance: 7pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Case: SMA
Capacitance: 7pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
16+ | 18.29 грн |
50+ | 12.02 грн |
100+ | 10.27 грн |
130+ | 8.35 грн |
358+ | 7.89 грн |
500+ | 7.61 грн |
ES1C |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
ES1C-ONS SMD universal diodes
ES1C-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 20.77 грн |
25+ | 14.95 грн |
50+ | 11.47 грн |
100+ | 8.81 грн |
250+ | 8.26 грн |
ES1F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ES1F-ONS SMD universal diodes
ES1F-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7526 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
15+ | 19.05 грн |
50+ | 13.67 грн |
100+ | 12.11 грн |
120+ | 8.99 грн |
330+ | 8.44 грн |
1000+ | 8.35 грн |
ES2A |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.35mA
Capacitance: 18pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES2B |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20ns
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20ns
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES2C |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
ES2C-ONS SMD universal diodes
ES2C-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES2D |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.55 грн |
14+ | 21.15 грн |
85+ | 12.75 грн |
233+ | 12.02 грн |
1000+ | 11.65 грн |
2500+ | 11.56 грн |
ES3A |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES3B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES3C |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Leakage current: 0.5mA
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ES3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ES3D-ONS SMD universal diodes
ES3D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.64 грн |
62+ | 17.52 грн |
169+ | 16.51 грн |
1500+ | 16.48 грн |
ES3J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 45pF
Power dissipation: 1.66W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
10+ | 31.63 грн |
60+ | 18.35 грн |
163+ | 17.34 грн |
1000+ | 16.60 грн |
ESD5B5.0ST1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.2W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Leakage current: 1µA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.2W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Leakage current: 1µA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.76 грн |
25+ | 11.43 грн |
100+ | 6.62 грн |
329+ | 3.29 грн |
905+ | 3.11 грн |
9000+ | 3.05 грн |
15000+ | 2.99 грн |
ESD5Z12T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 240W
Max. forward impulse current: 9.6A
Leakage current: 10nA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 240W
Max. forward impulse current: 9.6A
Leakage current: 10nA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.89 грн |
51+ | 5.62 грн |
100+ | 2.94 грн |
610+ | 1.75 грн |
1678+ | 1.66 грн |
ESD5Z2.5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. forward impulse current: 11A
Leakage current: 6µA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. forward impulse current: 11A
Leakage current: 6µA
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.71 грн |
52+ | 5.53 грн |
100+ | 3.50 грн |
500+ | 2.67 грн |
618+ | 1.73 грн |
1698+ | 1.64 грн |
15000+ | 1.61 грн |
ESD5Z3.3T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 158W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 158W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.88 грн |
40+ | 7.15 грн |
58+ | 4.83 грн |
100+ | 4.13 грн |
409+ | 2.65 грн |
1000+ | 2.62 грн |
1124+ | 2.50 грн |