Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142448) > Сторінка 1739 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FDPF18N50T-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
10+218.52 грн
25+181.18 грн
50+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.07 грн
2+222.44 грн
10+182.12 грн
20+170.80 грн
50+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.93 грн
3+271.44 грн
10+233.07 грн
50+197.22 грн
100+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+549.77 грн
4+377.27 грн
9+343.48 грн
50+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf FDPF390N15A THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.46 грн
12+98.14 грн
32+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 FDPF51N25 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.53 грн
10+121.51 грн
27+110.40 грн
250+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.19 грн
10+161.69 грн
12+99.08 грн
31+93.42 грн
250+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 ONSEMI FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.48 грн
13+87.76 грн
35+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 ONSEMI fds2582-d.pdf FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.24 грн
19+60.39 грн
51+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 ONSEMI fds2734-d.pdf FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.60 грн
12+100.02 грн
31+94.36 грн
250+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 ONSEMI fds3590-d.pdf FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.26 грн
26+43.78 грн
70+41.42 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.65 грн
5+88.19 грн
10+77.38 грн
50+62.28 грн
100+57.56 грн
250+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.09 грн
10+40.08 грн
50+30.86 грн
100+28.12 грн
250+25.10 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.22 грн
5+113.67 грн
10+99.08 грн
15+78.32 грн
40+73.60 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.58 грн
12+97.19 грн
32+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 FDS4480 ONSEMI fds4480-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.30 грн
5+68.99 грн
25+58.60 грн
100+52.65 грн
500+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A ONSEMI fds4672a-d.pdf FDS4672A SMD N channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC831677B06259&compId=FDS4675.pdf?ci_sign=4809cbb1187c7fbf052c62301643a4894d0b7257 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.93 грн
5+96.03 грн
10+83.04 грн
18+63.22 грн
48+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 FDS4685 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.38 грн
10+70.55 грн
21+55.67 грн
56+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
10+74.18 грн
50+53.31 грн
100+46.90 грн
250+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+55.66 грн
25+44.73 грн
50+38.41 грн
100+33.50 грн
250+28.69 грн
500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 ONSEMI fds5351-d.pdf FDS5351 SMD N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.33 грн
34+33.59 грн
92+31.71 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.28 грн
26+44.07 грн
70+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ ONSEMI fds6673bz-d.pdf description FDS6673BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.74 грн
24+48.03 грн
64+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.10 грн
6+58.01 грн
10+51.33 грн
30+37.27 грн
83+35.20 грн
250+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.78 грн
10+78.88 грн
25+62.47 грн
26+43.88 грн
70+41.52 грн
500+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A ONSEMI fds6680a-d.pdf FDS6680A SMD N channel transistors
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.22 грн
27+41.52 грн
74+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.74 грн
15+79.26 грн
39+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.45 грн
58+19.44 грн
158+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.43 грн
5+71.34 грн
10+62.94 грн
50+51.14 грн
100+46.80 грн
500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A ONSEMI FDS6912A-D.PDF FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.96 грн
33+33.78 грн
91+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.83 грн
16+72.66 грн
43+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSEMI FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.00 грн
36+31.14 грн
99+29.44 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ONSEMI FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.16 грн
50+22.46 грн
137+21.23 грн
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 ONSEMI fds89141-d.pdf FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.23 грн
7+167.96 грн
19+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.57 грн
5+91.13 грн
13+85.87 грн
25+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
10+78.69 грн
50+65.96 грн
100+37.74 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A FDS9435A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.05 грн
10+49.58 грн
50+35.57 грн
100+31.23 грн
250+26.61 грн
500+23.78 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
8+39.39 грн
10+33.59 грн
50+25.76 грн
100+23.21 грн
250+20.19 грн
500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 fds9945 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.83 грн
10+39.00 грн
25+33.31 грн
39+28.50 грн
100+27.84 грн
107+26.99 грн
500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 FDS9958 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.12 грн
10+48.70 грн
34+33.12 грн
93+31.33 грн
500+30.67 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
10+58.21 грн
25+47.28 грн
34+32.84 грн
93+31.05 грн
250+30.86 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 ONSEMI fdt3612-d.pdf FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.46 грн
41+27.27 грн
113+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.11 грн
38+29.44 грн
104+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZ FDT86113LZ ONSEMI fdt86113lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.72 грн
5+70.55 грн
10+60.11 грн
50+46.43 грн
100+41.90 грн
250+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N FDV301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Case: SOT23
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.16 грн
46+6.47 грн
57+5.00 грн
91+3.11 грн
108+2.62 грн
500+1.99 грн
1000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Case: SOT23
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.24 грн
29+10.39 грн
50+7.04 грн
100+6.06 грн
500+4.49 грн
1000+4.05 грн
1500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304P FDV304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
43+7.11 грн
59+5.00 грн
74+3.83 грн
100+3.49 грн
500+2.94 грн
1000+2.77 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSEMI FDV305N-D.pdf FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.44 грн
210+5.28 грн
576+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDY300NZ ONSEMI FAIRS24718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.28 грн
47+23.68 грн
130+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI ffsh40120adn-f085-d.pdf FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1505.08 грн
3+1422.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI ffsh4065adn-f155-d.pdf FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1188.96 грн
2+705.83 грн
5+668.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+466.44 грн
3+427.24 грн
10+357.63 грн
30+286.86 грн
120+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 FGB3040G2-F085 ONSEMI fgi3040g2_f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.68 грн
10+199.90 грн
100+179.29 грн
250+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+424.77 грн
5+357.67 грн
10+310.45 грн
25+263.27 грн
100+250.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 FGD3245G2-F085 ONSEMI fgd3245g2-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.08 грн
5+193.04 грн
10+166.08 грн
25+141.54 грн
50+126.45 грн
100+113.23 грн
250+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.64 грн
10+110.73 грн
14+79.26 грн
39+75.49 грн
250+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+390.22 грн
3+355.71 грн
10+292.52 грн
30+225.53 грн
90+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.98 грн
3+343.95 грн
10+291.58 грн
30+241.57 грн
120+226.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.45 грн
10+195.98 грн
30+169.85 грн
120+157.58 грн
450+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N50T FDPF18N50T-D.PDF
FDPF18N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
10+218.52 грн
25+181.18 грн
50+178.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50FT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9C9F026A3C259&compId=FDPF20N50FT.pdf?ci_sign=b479c7204a96e874848198195968938e0b3f4df0
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.07 грн
2+222.44 грн
10+182.12 грн
20+170.80 грн
50+163.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.93 грн
3+271.44 грн
10+233.07 грн
50+197.22 грн
100+186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
Pulsed drain current: 888A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.77 грн
4+377.27 грн
9+343.48 грн
50+330.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.46 грн
12+98.14 грн
32+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF51N25 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68DF2032BEC9CCFA8&compId=FDPF51N25.pdf?ci_sign=0618070f0be784403e53d149ddfd3d92cb28a1cf
FDPF51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 48mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.53 грн
10+121.51 грн
27+110.40 грн
250+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.19 грн
10+161.69 грн
12+99.08 грн
31+93.42 грн
250+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.48 грн
13+87.76 грн
35+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2582 fds2582-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.24 грн
19+60.39 грн
51+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 fds2734-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.60 грн
12+100.02 грн
31+94.36 грн
250+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.26 грн
26+43.78 грн
70+41.42 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.65 грн
5+88.19 грн
10+77.38 грн
50+62.28 грн
100+57.56 грн
250+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7F0EAF8F4259&compId=FDS4435BZ.pdf?ci_sign=4e3b4b27557dd1929c9ebe5eb764fa744f2c0cf7
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.09 грн
10+40.08 грн
50+30.86 грн
100+28.12 грн
250+25.10 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC80D368C76259&compId=FDS4465.pdf?ci_sign=0ccb8af7e225282a329af0618515c2832bcb5946
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -13.5A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.22 грн
5+113.67 грн
10+99.08 грн
15+78.32 грн
40+73.60 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.58 грн
12+97.19 грн
32+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.30 грн
5+68.99 грн
25+58.60 грн
100+52.65 грн
500+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4672A fds4672a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS4672A SMD N channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC831677B06259&compId=FDS4675.pdf?ci_sign=4809cbb1187c7fbf052c62301643a4894d0b7257
FDS4675
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.93 грн
5+96.03 грн
10+83.04 грн
18+63.22 грн
48+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4685 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC860E2D602259&compId=FDS4685.pdf?ci_sign=a52ff977a58421c38b025f332849ae2108795bfa
FDS4685
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.38 грн
10+70.55 грн
21+55.67 грн
56+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0AF4FC2A64F1A303005056AB0C4F&compId=FDS4935A.pdf?ci_sign=514b24c1d2fc63ab61f3c65adae4d6dee6c96e00
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
10+74.18 грн
50+53.31 грн
100+46.90 грн
250+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+55.66 грн
25+44.73 грн
50+38.41 грн
100+33.50 грн
250+28.69 грн
500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5351 fds5351-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.33 грн
34+33.59 грн
92+31.71 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.28 грн
26+44.07 грн
70+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.74 грн
24+48.03 грн
64+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8D6D6A54E259&compId=FDS6675BZ.pdf?ci_sign=25c5af7e0484091f00390c22f2deac8e88dc0450
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.10 грн
6+58.01 грн
10+51.33 грн
30+37.27 грн
83+35.20 грн
250+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC8FC78DC9A259&compId=FDS6679AZ.pdf?ci_sign=ae883a16e760a329d01a04afd566302e1aa3f2f2
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Gate charge: 96nC
On-state resistance: 14.8mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.78 грн
10+78.88 грн
25+62.47 грн
26+43.88 грн
70+41.52 грн
500+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.22 грн
27+41.52 грн
74+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.74 грн
15+79.26 грн
39+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf b14a7884f0aeda165f448e24438c1047.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.45 грн
58+19.44 грн
158+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7075D2B0BE259&compId=FDS6898A.pdf?ci_sign=7537495027183da8160a045413ec537712d7f466
FDS6898A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 23nC
Drain current: 9.4A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.43 грн
5+71.34 грн
10+62.94 грн
50+51.14 грн
100+46.80 грн
500+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.96 грн
33+33.78 грн
91+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.83 грн
16+72.66 грн
43+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.00 грн
36+31.14 грн
99+29.44 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDS8884 SMD N channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.16 грн
50+22.46 грн
137+21.23 грн
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89141 fds89141-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.23 грн
7+167.96 грн
19+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE714315B04C259&compId=FDS89161.pdf?ci_sign=84ea0d10f63123768be2a5a09d915664e90b6920
FDS89161
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 176mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.57 грн
5+91.13 грн
13+85.87 грн
25+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71688B2A4A259&compId=FDS8949.pdf?ci_sign=c070de354bace5013474ecf528315547733ee805
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
10+78.69 грн
50+65.96 грн
100+37.74 грн
500+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC95EBAF246259&compId=FDS9435A.pdf?ci_sign=414c6f55ed1da99e61ef2637144db2361dfcc90b
FDS9435A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+49.58 грн
50+35.57 грн
100+31.23 грн
250+26.61 грн
500+23.78 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71AA20B328259&compId=FDS9926A.pdf?ci_sign=dd996f1abf5b47784f05a9fe214c91ef2054606c
FDS9926A
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
8+39.39 грн
10+33.59 грн
50+25.76 грн
100+23.21 грн
250+20.19 грн
500+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
fds9945 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE71DF453C1C259&compId=FDS9945.pdf?ci_sign=f8cf27176cda632a27a6a319d7e42b2863557f66
fds9945
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.83 грн
10+39.00 грн
25+33.31 грн
39+28.50 грн
100+27.84 грн
107+26.99 грн
500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9958 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE78A026039E259&compId=FDS9958.pdf?ci_sign=74fd92c54cb49f8d090c1756f91488e4c316334a
FDS9958
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.12 грн
10+48.70 грн
34+33.12 грн
93+31.33 грн
500+30.67 грн
1000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.25 грн
10+58.21 грн
25+47.28 грн
34+32.84 грн
93+31.05 грн
250+30.86 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.46 грн
41+27.27 грн
113+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P fdt458p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.11 грн
38+29.44 грн
104+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86113LZ fdt86113lz-d.pdf
FDT86113LZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.72 грн
5+70.55 грн
10+60.11 грн
50+46.43 грн
100+41.90 грн
250+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDV301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0893DB4B55F1A303005056AB0C4F&compId=FDV301N.pdf?ci_sign=90bbeb0cb17ed9600b2d86a0dc13bb46d18c3438
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Case: SOT23
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.16 грн
46+6.47 грн
57+5.00 грн
91+3.11 грн
108+2.62 грн
500+1.99 грн
1000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Case: SOT23
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.24 грн
29+10.39 грн
50+7.04 грн
100+6.06 грн
500+4.49 грн
1000+4.05 грн
1500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8
FDV304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.11 грн
59+5.00 грн
74+3.83 грн
100+3.49 грн
500+2.94 грн
1000+2.77 грн
3000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.44 грн
210+5.28 грн
576+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDY300NZ FAIRS24718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.28 грн
47+23.68 грн
130+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH40120ADN-F085 ffsh40120adn-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1505.08 грн
3+1422.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065ADN-F155 ffsh4065adn-f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.96 грн
2+705.83 грн
5+668.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA60N65SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f
FGA60N65SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.44 грн
3+427.24 грн
10+357.63 грн
30+286.86 грн
120+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085 fgi3040g2_f085-d.pdf
FGB3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.68 грн
10+199.90 грн
100+179.29 грн
250+178.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 fgb40t65spd-f085-d.pdf
FGB40T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.77 грн
5+357.67 грн
10+310.45 грн
25+263.27 грн
100+250.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3245G2-F085 fgd3245g2-f085-d.pdf
FGD3245G2-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.08 грн
5+193.04 грн
10+166.08 грн
25+141.54 грн
50+126.45 грн
100+113.23 грн
250+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.64 грн
10+110.73 грн
14+79.26 грн
39+75.49 грн
250+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDA6C5122C259&compId=FGH40N60SFD.pdf?ci_sign=2c0d510a78f53d439b7ac465468ba47d6ff90201
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.22 грн
3+355.71 грн
10+292.52 грн
30+225.53 грн
90+213.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCDC408D444259&compId=FGH40N60SMD.pdf?ci_sign=0ebfad5f1d5a27cf5691c0f6edf47b158174848d
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.98 грн
3+343.95 грн
10+291.58 грн
30+241.57 грн
120+226.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.45 грн
10+195.98 грн
30+169.85 грн
120+157.58 грн
450+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]