Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147231) > Сторінка 1733 з 2454

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1728 1729 1730 1731 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1960 2205 2450 2454  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD681G BD681G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB86E6A8B9E469&compId=BD681G.PDF?ci_sign=ab9384b56a5231a1f46a42a671ce54c6fbd98149 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.50 грн
10+71.97 грн
24+44.90 грн
25+44.81 грн
65+42.45 грн
250+42.27 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD682STU BD682STU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB95018C488469&compId=BD682STU.pdf?ci_sign=c0354088d78f924faeeac2ef916c8e4028d0aead Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 14W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 14W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1920 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD787G ONSEMI bd787-d.pdf BD787G NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDK-DCDC-GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
Components: NCV890100
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Type of accessories for development kits: expansion board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDK-GEVK ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
Components: AX8052F100; RSL10
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG BDV64BG ONSEMI BDV64BG.PDF Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+332.13 грн
7+168.61 грн
19+153.30 грн
120+147.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94C BDW94C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.36 грн
5+64.24 грн
23+47.44 грн
25+47.35 грн
63+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94CFTU BDW94CFTU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB98A9098A1A26C0C7&compId=BDW94CF.pdf?ci_sign=26247f9f884003755699e45e1db0005e5f645378 Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33BG BDX33BG ONSEMI BDX33BG.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33CG BDX33CG ONSEMI BDX33CG.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.20 грн
10+83.18 грн
17+62.95 грн
47+59.50 грн
100+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53CG BDX53CG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218844F2F1A6F5005056AB5A8F&compId=BDX53B-D.pdf?ci_sign=056bde2716b5cf16cca2770a062bb6c5a608bf09 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.25 грн
10+55.20 грн
25+43.63 грн
67+41.27 грн
250+40.27 грн
500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BF720T1G ONSEMI bf720t1-d.pdf BF720T1G NPN SMD transistors
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.32 грн
89+11.97 грн
244+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BLDC-GEVK ONSEMI BLDC-GEVK_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Kind of connector: pin strips; screw
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLE-IOT-GEVB ONSEMI BLE-IOT-GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLE-SWITCH001-GEVB ONSEMI BLE-SWITCH001-GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.42 грн
18+16.20 грн
30+11.88 грн
100+9.07 грн
141+7.53 грн
389+7.08 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.26 грн
11+26.00 грн
50+17.60 грн
100+14.33 грн
103+10.34 грн
282+9.80 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.00 грн
11+25.72 грн
50+16.60 грн
100+14.06 грн
102+10.43 грн
279+9.89 грн
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.12 грн
19+15.07 грн
50+11.43 грн
100+10.25 грн
138+7.71 грн
377+7.35 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BS270 BS270 ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.26 грн
13+22.98 грн
85+12.56 грн
100+12.15 грн
234+11.88 грн
500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS270-D74Z ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1G BSP16T1G ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.14 грн
13+22.61 грн
85+12.70 грн
233+11.97 грн
1000+11.70 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G ONSEMI bsp52t1-d.pdf description BSP52T1G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G ONSEMI bsp52t1-d.pdf BSP52T3G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR14 ONSEMI bsr14-d.pdf BSR14-FAI NPN SMD transistors
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.45 грн
136+7.89 грн
372+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSR16 BSR16 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.05 грн
12+24.68 грн
50+15.87 грн
100+13.42 грн
124+8.62 грн
341+8.16 грн
1500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.83 грн
25+13.75 грн
100+11.70 грн
110+10.11 грн
290+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.75 грн
50+20.91 грн
132+8.07 грн
362+7.62 грн
1500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 BSS123 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.42 грн
16+18.65 грн
50+12.35 грн
100+10.23 грн
333+3.19 грн
913+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.61 грн
34+8.48 грн
50+6.02 грн
100+5.31 грн
328+3.24 грн
900+3.07 грн
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.63 грн
25+11.59 грн
100+8.25 грн
250+7.58 грн
372+2.86 грн
1023+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W BSS123W ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.68 грн
35+8.95 грн
100+7.62 грн
160+6.73 грн
435+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-G ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.79 грн
37+7.82 грн
100+6.98 грн
187+5.71 грн
512+5.44 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 ONSEMI bss138-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
43+6.84 грн
64+4.43 грн
110+2.49 грн
250+2.24 грн
500+2.15 грн
612+1.74 грн
1680+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K ONSEMI bss138k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.77 грн
43+6.59 грн
100+3.79 грн
250+3.45 грн
408+2.62 грн
1121+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L BSS138L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
26+11.02 грн
50+6.86 грн
250+4.13 грн
428+2.49 грн
1177+2.36 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.58 грн
24+11.96 грн
100+9.39 грн
250+7.91 грн
270+3.95 грн
743+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.51 грн
22+13.00 грн
28+9.89 грн
100+4.94 грн
286+3.75 грн
500+3.74 грн
785+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.38 грн
22+13.00 грн
50+9.81 грн
100+8.87 грн
195+5.49 грн
535+5.19 грн
6000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf BSS64LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.04 грн
406+2.61 грн
1116+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 BSS84 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 17Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.00 грн
12+24.40 грн
50+18.41 грн
100+16.69 грн
266+3.99 грн
731+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.61 грн
29+9.80 грн
50+6.84 грн
100+5.98 грн
250+4.25 грн
687+4.02 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G ONSEMI BSV52LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.42 грн
20+14.41 грн
100+8.66 грн
233+4.56 грн
500+4.55 грн
641+4.31 грн
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G BU406G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.34 грн
10+117.75 грн
16+67.12 грн
44+63.50 грн
250+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUB323ZT4G ONSEMI bub323z-d.pdf BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL45D2G BUL45D2G ONSEMI BUL45D2.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 75W; TO220AB; 1.15÷1.39mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 7...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+293.06 грн
10+146.00 грн
11+99.78 грн
30+94.34 грн
500+90.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUT11AFTU ONSEMI BUT11%28F%2CAF%29.pdf BUT11AFTU NPN THT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.90 грн
12+96.15 грн
31+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G ONSEMI BUV21.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1606.92 грн
2+1464.76 грн
100+1356.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUX85G BUX85G ONSEMI BUX85.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.03 грн
10+49.17 грн
28+38.91 грн
75+36.74 грн
100+36.46 грн
500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.27 грн
10+60.00 грн
22+49.71 грн
60+46.99 грн
500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI bss123lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.06 грн
16+18.75 грн
25+14.24 грн
100+10.61 грн
156+6.89 грн
428+6.53 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI bss138lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS84LT1G BVSS84LT1G ONSEMI bss84lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.44 грн
19+15.07 грн
50+12.34 грн
100+9.71 грн
152+6.98 грн
419+6.62 грн
3000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32-200G BYV32-200G ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI BYW29-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.84 грн
10+76.47 грн
22+49.16 грн
60+46.53 грн
100+46.44 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYW51-200G BYW51-200G ONSEMI BYW51-200.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.38 грн
10+92.52 грн
14+79.82 грн
37+75.29 грн
500+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI BYW80-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.38 грн
10+63.58 грн
20+54.88 грн
50+52.88 грн
54+51.88 грн
100+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150G BZG03C150G ONSEMI bzg03c15.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.26 грн
13+22.98 грн
92+11.60 грн
252+10.97 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C10 BZX79C10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106 Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.68 грн
31+9.33 грн
38+7.30 грн
100+4.38 грн
409+2.62 грн
1124+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BD681G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB86E6A8B9E469&compId=BD681G.PDF?ci_sign=ab9384b56a5231a1f46a42a671ce54c6fbd98149
BD681G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.50 грн
10+71.97 грн
24+44.90 грн
25+44.81 грн
65+42.45 грн
250+42.27 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD682STU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB95018C488469&compId=BD682STU.pdf?ci_sign=c0354088d78f924faeeac2ef916c8e4028d0aead
BD682STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 14W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 14W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1920 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD787G bd787-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BD787G NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDK-DCDC-GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
Components: NCV890100
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Type of accessories for development kits: expansion board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDK-GEVK
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Type of development kit: evaluation
Components: AX8052F100; RSL10
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDV64BG BDV64BG.PDF
BDV64BG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.13 грн
7+168.61 грн
19+153.30 грн
120+147.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD3F12EE6F2469&compId=BDW94C.pdf?ci_sign=690bb5e4108c20232162073b0e046bcaf29ed0f5
BDW94C
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.36 грн
5+64.24 грн
23+47.44 грн
25+47.35 грн
63+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94CFTU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB98A9098A1A26C0C7&compId=BDW94CF.pdf?ci_sign=26247f9f884003755699e45e1db0005e5f645378
BDW94CFTU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33BG BDX33BG.PDF
BDX33BG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDX33CG BDX33CG.PDF
BDX33CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.20 грн
10+83.18 грн
17+62.95 грн
47+59.50 грн
100+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BDX53CG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C047218844F2F1A6F5005056AB5A8F&compId=BDX53B-D.pdf?ci_sign=056bde2716b5cf16cca2770a062bb6c5a608bf09
BDX53CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.25 грн
10+55.20 грн
25+43.63 грн
67+41.27 грн
250+40.27 грн
500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BF720T1G bf720t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BF720T1G NPN SMD transistors
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.32 грн
89+11.97 грн
244+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BLDC-GEVK BLDC-GEVK_Web.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Kind of connector: pin strips; screw
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLE-IOT-GEVB
Виробник: ONSEMI
BLE-IOT-GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BLE-SWITCH001-GEVB
Виробник: ONSEMI
BLE-SWITCH001-GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
18+16.20 грн
30+11.88 грн
100+9.07 грн
141+7.53 грн
389+7.08 грн
500+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.26 грн
11+26.00 грн
50+17.60 грн
100+14.33 грн
103+10.34 грн
282+9.80 грн
500+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.00 грн
11+25.72 грн
50+16.60 грн
100+14.06 грн
102+10.43 грн
279+9.89 грн
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.12 грн
19+15.07 грн
50+11.43 грн
100+10.25 грн
138+7.71 грн
377+7.35 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BS270 bs270-d.pdf
BS270
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.26 грн
13+22.98 грн
85+12.56 грн
100+12.15 грн
234+11.88 грн
500+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BS270-D74Z bs270-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP16T1G bsp16t1-d.pdf
BSP16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.14 грн
13+22.61 грн
85+12.70 грн
233+11.97 грн
1000+11.70 грн
2000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description bsp52t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BSP52T1G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G bsp52t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BSP52T3G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR14 bsr14-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BSR14-FAI NPN SMD transistors
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.45 грн
136+7.89 грн
372+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSR16 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3A604A081FD811C&compId=bsr16-fai-dte.pdf?ci_sign=aeea5129443f61098bae866dab48fe26f1e51c35
BSR16
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.05 грн
12+24.68 грн
50+15.87 грн
100+13.42 грн
124+8.62 грн
341+8.16 грн
1500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR57 bsr57-d.pdf
BSR57
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.83 грн
25+13.75 грн
100+11.70 грн
110+10.11 грн
290+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.75 грн
50+20.91 грн
132+8.07 грн
362+7.62 грн
1500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88BD4DE6196469&compId=BSS123-FAI.pdf?ci_sign=3de4c6cb611ab88835293b2fa726130d1a2a405d
BSS123
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
16+18.65 грн
50+12.35 грн
100+10.23 грн
333+3.19 грн
913+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb
BSS123L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.61 грн
34+8.48 грн
50+6.02 грн
100+5.31 грн
328+3.24 грн
900+3.07 грн
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+15.63 грн
25+11.59 грн
100+8.25 грн
250+7.58 грн
372+2.86 грн
1023+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W bss123w-d.pdf
BSS123W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.68 грн
35+8.95 грн
100+7.62 грн
160+6.73 грн
435+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-G bss138-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.79 грн
37+7.82 грн
100+6.98 грн
187+5.71 грн
512+5.44 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138 bss138-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
43+6.84 грн
64+4.43 грн
110+2.49 грн
250+2.24 грн
500+2.15 грн
612+1.74 грн
1680+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138K bss138k-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+9.77 грн
43+6.59 грн
100+3.79 грн
250+3.45 грн
408+2.62 грн
1121+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90D007811653C0D5&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=3b1c6cb55f89c6709af38d9d877a48d80e8ff74d
BSS138L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
26+11.02 грн
50+6.86 грн
250+4.13 грн
428+2.49 грн
1177+2.36 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.58 грн
24+11.96 грн
100+9.39 грн
250+7.91 грн
270+3.95 грн
743+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB81F5DA269A88E0C7&compId=BSS138L.PDF?ci_sign=d4e7758a5e7668a7ea517da14f04673491c06f7a
BSS138LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.51 грн
22+13.00 грн
28+9.89 грн
100+4.94 грн
286+3.75 грн
500+3.74 грн
785+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.38 грн
22+13.00 грн
50+9.81 грн
100+8.87 грн
195+5.49 грн
535+5.19 грн
6000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BSS64LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.04 грн
406+2.61 грн
1116+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A79C54FF631B7E27&compId=BSS84-FAI-DTE.pdf?ci_sign=10eb7458a116d15a6d31471c0c0ea3a7e5b68dc0
BSS84
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 17Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.00 грн
12+24.40 грн
50+18.41 грн
100+16.69 грн
266+3.99 грн
731+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5
BSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.61 грн
29+9.80 грн
50+6.84 грн
100+5.98 грн
250+4.25 грн
687+4.02 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSV52LT1G BSV52LT1G.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
20+14.41 грн
100+8.66 грн
233+4.56 грн
500+4.55 грн
641+4.31 грн
6000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BU406G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBD93F969D24469&compId=BU406G.PDF?ci_sign=d4cf8db71c24159305f82021fb1d0dd01a737008
BU406G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.34 грн
10+117.75 грн
16+67.12 грн
44+63.50 грн
250+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUB323ZT4G bub323z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUL45D2G description BUL45D2.PDF
BUL45D2G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 75W; TO220AB; 1.15÷1.39mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 7...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+293.06 грн
10+146.00 грн
11+99.78 грн
30+94.34 грн
500+90.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUT11AFTU BUT11%28F%2CAF%29.pdf
Виробник: ONSEMI
BUT11AFTU NPN THT transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.90 грн
12+96.15 грн
31+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21.PDF
BUV21G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1606.92 грн
2+1464.76 грн
100+1356.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUX85G BUX85.PDF
BUX85G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.03 грн
10+49.17 грн
28+38.91 грн
75+36.74 грн
100+36.46 грн
500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ11-NR4941 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3770A345D5EA&compId=BUZ11.pdf?ci_sign=480bd9e80f6c319adc6605698b02b4ebbacc37a1
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.27 грн
10+60.00 грн
22+49.71 грн
60+46.99 грн
500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.06 грн
16+18.75 грн
25+14.24 грн
100+10.61 грн
156+6.89 грн
428+6.53 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G bss138lt1-d.pdf
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
BVSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.44 грн
19+15.07 грн
50+12.34 грн
100+9.71 грн
152+6.98 грн
419+6.62 грн
3000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32-200G byv32-200-d.pdf
BYV32-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G description BYW29-200G.PDF
BYW29-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.84 грн
10+76.47 грн
22+49.16 грн
60+46.53 грн
100+46.44 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYW51-200G BYW51-200.PDF
BYW51-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.38 грн
10+92.52 грн
14+79.82 грн
37+75.29 грн
500+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYW80-200G description BYW80-200G.PDF
BYW80-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.38 грн
10+63.58 грн
20+54.88 грн
50+52.88 грн
54+51.88 грн
100+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150G bzg03c15.pdf
BZG03C150G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZG03C
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.26 грн
13+22.98 грн
92+11.60 грн
252+10.97 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB4C99B02EF3280D8&compId=BZX79C.PDF?ci_sign=c5f9f1ba927e6726aea7f3c3708d21b3e5759106
BZX79C10
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
31+9.33 грн
38+7.30 грн
100+4.38 грн
409+2.62 грн
1124+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1728 1729 1730 1731 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1960 2205 2450 2454  [ Наступна Сторінка >> ]