| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD140G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Current gain: 40...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO225 Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Current gain: 40 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD242CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 25 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD243CG | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 20 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1839 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD244CG | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Current gain: 30 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 764 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD440S | ONSEMI |
BD440S PNP THT transistors |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BD442G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 40...475 Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDV64BG | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDW94C | ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDX33CG | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BDX53CG | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BF720T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Case: SOT223-4; TO261-4 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Current gain: 50 Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 60MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 829 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 508 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BS270 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Case: TO92 Polarisation: unipolar Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.625W Pulsed drain current: 2A On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP16T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Case: SOT223-4; TO261-4 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 1.5W Current gain: 30...120 Collector-emitter voltage: 300V Frequency: 15MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP52T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR14 | ONSEMI |
BSR14-FAI NPN SMD transistors |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR16 | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 300MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR58 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 8mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Gate current: 50mA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12572 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138-G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10761 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6909 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138LT3G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.34W On-state resistance: 5.8Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS63LT1G | ONSEMI |
BSS63LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 4485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS64LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSV52LT1G | ONSEMI |
BSV52LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BU406G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Collector current: 7A Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 200V Frequency: 10MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 548 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BUV21G | ONSEMI |
BUV21 NPN THT transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BVSS123LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BVSS84LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 10Ω Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV32-200G | ONSEMI |
BYV32-200G THT universal diodes |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29-200G | ONSEMI |
BYW29-200G THT universal diodes |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW51-200G | ONSEMI |
BYW51-200G THT universal diodes |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYW80-200G | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. load current: 16A Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZG03C150G | ONSEMI |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA Type of diode: Zener Power dissipation: 1.5W Zener voltage: 150V Mounting: SMD Tolerance: ±5% Case: SMA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1µA Manufacturer series: BZG03C Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C10 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 10V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C12 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 12V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C15 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 15V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50nA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C2V4 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 2.4V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1mA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C2V7 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 2.7V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 75µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C3V3 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3.3V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 25µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C4V7 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 4.7V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C5V1 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.1V Mounting: THT Tolerance: ±5% Kind of package: bulk Case: CASE017AG Semiconductor structure: single diode Manufacturer series: BZX79C Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 679 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C5V6 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; bulk; CASE017AG; single diode; 1uA; BZX79C Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.6V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 907 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C6V2 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 6.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 6.2V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C7V5-T50A | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 7.5V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode; 1uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 7.5V Kind of package: Ammo Pack Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 1µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C8V2 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.7uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 8.2V Kind of package: bulk Case: CASE017AG Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.7µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX79C9V1 | ONSEMI |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.5uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 9.1V Mounting: THT Tolerance: ±5% Kind of package: bulk Case: CASE017AG Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.5µA Manufacturer series: BZX79C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BD140G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO225
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.73 грн |
| 10+ | 58.01 грн |
| 50+ | 43.03 грн |
| 100+ | 39.25 грн |
| BD237G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.46 грн |
| 10+ | 55.27 грн |
| 25+ | 45.29 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| BD242CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 25
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 25
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 101.62 грн |
| 10+ | 57.81 грн |
| 28+ | 40.20 грн |
| 76+ | 38.03 грн |
| 250+ | 37.08 грн |
| BD243CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 20
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.03 грн |
| 5+ | 81.72 грн |
| 10+ | 64.45 грн |
| 50+ | 48.41 грн |
| BD244CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Current gain: 30
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.99 грн |
| 10+ | 75.75 грн |
| 50+ | 47.65 грн |
| BD440S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BD440S PNP THT transistors
BD440S PNP THT transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 101.62 грн |
| 26+ | 42.84 грн |
| 72+ | 40.48 грн |
| BD442G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 40...475
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.30 грн |
| 10+ | 53.90 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| 500+ | 39.63 грн |
| BDV64BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.60 грн |
| 10+ | 192.06 грн |
| 30+ | 149.09 грн |
| BDW94C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.56 грн |
| 5+ | 80.74 грн |
| 10+ | 67.94 грн |
| 25+ | 53.98 грн |
| 100+ | 44.82 грн |
| BDX33CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 10+ | 70.55 грн |
| 50+ | 50.96 грн |
| 100+ | 47.18 грн |
| BDX53CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 10+ | 71.93 грн |
| 25+ | 45.48 грн |
| 50+ | 45.39 грн |
| 68+ | 42.93 грн |
| 500+ | 42.84 грн |
| BF720T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 50
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 50
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.62 грн |
| 12+ | 26.16 грн |
| 100+ | 16.32 грн |
| 250+ | 14.06 грн |
| 500+ | 12.74 грн |
| 1000+ | 11.61 грн |
| 2000+ | 11.32 грн |
| BS170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 20+ | 15.19 грн |
| 30+ | 11.42 грн |
| 100+ | 8.87 грн |
| 250+ | 7.45 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| BS170-D75Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 16+ | 19.40 грн |
| 20+ | 14.34 грн |
| 50+ | 9.81 грн |
| BS170-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.50 грн |
| 13+ | 24.01 грн |
| 25+ | 19.34 грн |
| 50+ | 16.70 грн |
| 100+ | 14.25 грн |
| 250+ | 11.61 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| BS270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.625W
Pulsed drain current: 2A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.52 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 100+ | 12.64 грн |
| 500+ | 11.89 грн |
| BSP16T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 30...120
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 15MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.60 грн |
| 13+ | 23.52 грн |
| 100+ | 17.17 грн |
| 250+ | 15.10 грн |
| 500+ | 13.59 грн |
| 1000+ | 12.17 грн |
| 2000+ | 11.89 грн |
| BSP52T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.68 грн |
| 11+ | 28.42 грн |
| 100+ | 17.65 грн |
| 250+ | 15.00 грн |
| 500+ | 13.40 грн |
| 1000+ | 12.27 грн |
| BSR14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSR14-FAI NPN SMD transistors
BSR14-FAI NPN SMD transistors
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.69 грн |
| 137+ | 8.21 грн |
| 375+ | 7.74 грн |
| BSR16 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 300MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.57 грн |
| 12+ | 24.79 грн |
| 50+ | 16.32 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 500+ | 9.62 грн |
| 1000+ | 8.40 грн |
| 1500+ | 7.83 грн |
| BSR58 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 8mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.57 грн |
| 11+ | 27.05 грн |
| 50+ | 15.48 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| 132+ | 8.40 грн |
| 362+ | 7.93 грн |
| 1500+ | 7.83 грн |
| BSS123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.28 грн |
| 26+ | 11.46 грн |
| 50+ | 7.47 грн |
| 100+ | 6.30 грн |
| 500+ | 4.42 грн |
| 1000+ | 3.88 грн |
| 1500+ | 3.62 грн |
| BSS123L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.23 грн |
| 30+ | 9.80 грн |
| 37+ | 7.83 грн |
| 56+ | 5.06 грн |
| 100+ | 4.29 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 3.07 грн |
| BSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 24+ | 12.35 грн |
| 50+ | 7.96 грн |
| 100+ | 6.69 грн |
| 250+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.63 грн |
| 1000+ | 4.05 грн |
| BSS123W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.21 грн |
| 35+ | 8.62 грн |
| 100+ | 7.27 грн |
| 500+ | 6.61 грн |
| 3000+ | 6.42 грн |
| BSS138-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.31 грн |
| 24+ | 12.35 грн |
| 100+ | 7.45 грн |
| 250+ | 6.61 грн |
| 500+ | 6.13 грн |
| 1000+ | 5.85 грн |
| 3000+ | 5.47 грн |
| BSS138 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.18 грн |
| 50+ | 5.98 грн |
| 62+ | 4.57 грн |
| 100+ | 3.43 грн |
| 250+ | 2.97 грн |
| 500+ | 2.73 грн |
| 1000+ | 2.53 грн |
| BSS138K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 29+ | 10.39 грн |
| 50+ | 6.59 грн |
| 100+ | 5.58 грн |
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 3.61 грн |
| 3000+ | 3.12 грн |
| BSS138L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.19 грн |
| 32+ | 9.31 грн |
| 50+ | 7.06 грн |
| 100+ | 6.31 грн |
| 250+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| BSS138LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.31 грн |
| 27+ | 11.27 грн |
| 34+ | 8.42 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 250+ | 4.81 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.85 грн |
| BSS138LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.28 грн |
| 28+ | 10.78 грн |
| 39+ | 7.36 грн |
| 62+ | 4.57 грн |
| 10000+ | 3.54 грн |
| BSS138W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
On-state resistance: 5.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 20+ | 15.29 грн |
| 24+ | 12.08 грн |
| 50+ | 7.93 грн |
| 100+ | 6.85 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 5.19 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSS63LT1G PNP SMD transistors
BSS63LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.46 грн |
| 477+ | 2.33 грн |
| 1311+ | 2.21 грн |
| BSS64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.24 грн |
| 31+ | 9.51 грн |
| 50+ | 6.32 грн |
| 100+ | 5.44 грн |
| 407+ | 2.72 грн |
| 1119+ | 2.58 грн |
| 24000+ | 2.48 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.42 грн |
| 15+ | 20.28 грн |
| 50+ | 13.78 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| 250+ | 9.38 грн |
| 500+ | 7.97 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| BSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 16.66 грн |
| 50+ | 5.66 грн |
| 100+ | 5.09 грн |
| 500+ | 4.18 грн |
| 1000+ | 3.84 грн |
| 3000+ | 3.38 грн |
| BSV52LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BSV52LT1G NPN SMD transistors
BSV52LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.03 грн |
| 243+ | 4.60 грн |
| 667+ | 4.34 грн |
| BU406G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 200V
Frequency: 10MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.38 грн |
| 10+ | 119.55 грн |
| 50+ | 70.77 грн |
| 100+ | 64.17 грн |
| BUV21G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BUV21 NPN THT transistors
BUV21 NPN THT transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1567.35 грн |
| 2+ | 1481.48 грн |
| BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.77 грн |
| 5+ | 91.52 грн |
| 10+ | 76.24 грн |
| 50+ | 48.41 грн |
| 100+ | 46.99 грн |
| BVSS123LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 15+ | 20.77 грн |
| 18+ | 16.23 грн |
| 100+ | 7.93 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| BVSS84LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.42 грн |
| 16+ | 18.91 грн |
| 50+ | 12.83 грн |
| 100+ | 10.95 грн |
| 500+ | 7.83 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| 3000+ | 6.61 грн |
| BYV32-200G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BYV32-200G THT universal diodes
BYV32-200G THT universal diodes
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.58 грн |
| 12+ | 94.36 грн |
| 33+ | 89.64 грн |
| BYW29-200G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BYW29-200G THT universal diodes
BYW29-200G THT universal diodes
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.82 грн |
| 23+ | 50.96 грн |
| 61+ | 48.12 грн |
| BYW51-200G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
BYW51-200G THT universal diodes
BYW51-200G THT universal diodes
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.72 грн |
| 14+ | 83.04 грн |
| 37+ | 78.32 грн |
| BYW80-200G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.09 грн |
| 10+ | 55.86 грн |
| BZG03C150G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZG03C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZG03C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 17+ | 18.23 грн |
| 21+ | 13.97 грн |
| 92+ | 12.08 грн |
| 252+ | 11.42 грн |
| BZX79C10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.2uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.19 грн |
| 32+ | 9.21 грн |
| 39+ | 7.27 грн |
| 51+ | 5.57 грн |
| 100+ | 4.42 грн |
| 410+ | 2.73 грн |
| 1125+ | 2.58 грн |
| BZX79C12 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.18 грн |
| 35+ | 8.62 грн |
| 41+ | 6.98 грн |
| 50+ | 5.66 грн |
| 100+ | 3.35 грн |
| 250+ | 2.62 грн |
| BZX79C15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.05uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.18 грн |
| 40+ | 7.45 грн |
| 54+ | 5.28 грн |
| 148+ | 1.92 грн |
| 500+ | 1.64 грн |
| 688+ | 1.62 грн |
| 1890+ | 1.53 грн |
| BZX79C2V4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; bulk; CASE017AG; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.10 грн |
| 82+ | 3.63 грн |
| 203+ | 1.40 грн |
| 500+ | 1.13 грн |
| BZX79C2V7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 75µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 75uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 75µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 41+ | 7.25 грн |
| 50+ | 5.66 грн |
| 100+ | 3.38 грн |
| 250+ | 2.54 грн |
| 498+ | 2.25 грн |
| 500+ | 2.09 грн |
| BZX79C3V3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; bulk; CASE017AG; single diode; 25uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.3V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.15 грн |
| 38+ | 7.84 грн |
| 46+ | 6.23 грн |
| 56+ | 5.10 грн |
| 100+ | 3.07 грн |
| 500+ | 2.79 грн |
| BZX79C4V7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 4.7V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.18 грн |
| 37+ | 8.04 грн |
| 56+ | 5.06 грн |
| 100+ | 4.21 грн |
| 250+ | 3.40 грн |
| 428+ | 2.59 грн |
| 1177+ | 2.45 грн |
| BZX79C5V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 2uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZX79C
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 37+ | 8.04 грн |
| 43+ | 6.61 грн |
| 54+ | 5.33 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 250+ | 2.50 грн |
| 500+ | 2.41 грн |
| BZX79C5V6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; bulk; CASE017AG; single diode; 1uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; bulk; CASE017AG; single diode; 1uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 51+ | 5.78 грн |
| 84+ | 3.38 грн |
| 103+ | 2.77 грн |
| 250+ | 2.25 грн |
| 500+ | 1.96 грн |
| 660+ | 1.69 грн |
| BZX79C6V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 6.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 6.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 3uA; BZX79C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 6.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.18 грн |
| 32+ | 9.21 грн |
| 38+ | 7.55 грн |
| 48+ | 5.99 грн |
| 100+ | 3.57 грн |
| 250+ | 2.83 грн |
| 423+ | 2.64 грн |
| BZX79C7V5-T50A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 7.5V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 7.5V
Kind of package: Ammo Pack
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 7.5V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 7.5V
Kind of package: Ammo Pack
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 41+ | 7.25 грн |
| 53+ | 5.40 грн |
| 100+ | 3.72 грн |
| 411+ | 2.72 грн |
| 1000+ | 2.56 грн |
| 5000+ | 2.47 грн |
| BZX79C8V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.7uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.7µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.7uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.7µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 47+ | 6.27 грн |
| 59+ | 4.86 грн |
| 100+ | 2.91 грн |
| 250+ | 2.46 грн |
| 413+ | 2.45 грн |
| BZX79C9V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; bulk; CASE017AG; single diode; 0.5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Kind of package: bulk
Case: CASE017AG
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.5µA
Manufacturer series: BZX79C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.10 грн |
| 72+ | 4.12 грн |
| 89+ | 3.21 грн |
| 159+ | 1.78 грн |
| 250+ | 1.43 грн |
| 500+ | 1.24 грн |
| 1000+ | 1.19 грн |





















