Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142455) > Сторінка 1737 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.89 грн
10+42.33 грн
50+30.01 грн
100+26.04 грн
250+21.89 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
7+48.41 грн
10+43.03 грн
50+35.95 грн
100+33.31 грн
500+27.55 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
10+52.52 грн
25+43.78 грн
100+34.91 грн
250+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.78 грн
10+40.96 грн
25+34.91 грн
100+27.36 грн
250+23.02 грн
500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.97 грн
7+48.60 грн
10+41.90 грн
25+36.42 грн
50+33.12 грн
100+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
10+60.85 грн
50+43.69 грн
100+38.12 грн
500+28.78 грн
1000+26.14 грн
1500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.41 грн
10+52.82 грн
25+42.18 грн
50+36.80 грн
100+32.37 грн
250+27.55 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
10+42.53 грн
25+36.90 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Gate charge: 6.6/5.7nC
On-state resistance: 150/220mΩ
Gate-source voltage: ±16/±25V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.99 грн
10+54.88 грн
50+41.33 грн
100+34.35 грн
500+21.14 грн
750+18.97 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
10+45.37 грн
100+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.42 грн
14+21.95 грн
15+19.06 грн
100+13.68 грн
500+11.23 грн
1000+10.38 грн
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.86 грн
10+41.65 грн
50+30.01 грн
100+26.04 грн
500+19.25 грн
1000+17.08 грн
1500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
10+30.77 грн
100+23.97 грн
250+21.99 грн
500+20.67 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.97 грн
10+49.00 грн
25+40.20 грн
50+34.82 грн
100+30.01 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
On-state resistance: 70/125mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.20 грн
10+47.53 грн
25+35.57 грн
50+29.44 грн
100+24.72 грн
500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.04 грн
10+49.29 грн
50+35.57 грн
100+31.42 грн
200+27.93 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
25+32.04 грн
100+28.97 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3E316A7C3E28&compId=FDC655BN.pdf?ci_sign=b5833f3c8e04fa6d82af627f894500800c353153 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
10+33.71 грн
50+23.68 грн
100+20.48 грн
500+15.29 грн
1000+13.59 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 152mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
10+49.19 грн
50+32.65 грн
100+27.93 грн
250+23.12 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.91 грн
10+40.96 грн
50+29.35 грн
100+25.76 грн
250+21.80 грн
500+19.44 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.58 грн
10+51.80 грн
50+39.35 грн
100+34.91 грн
250+30.01 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
5+109.75 грн
25+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.19 грн
27+41.52 грн
74+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.61 грн
10+129.35 грн
12+99.08 грн
31+93.42 грн
100+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.74 грн
5+138.17 грн
10+119.84 грн
13+90.59 грн
34+85.87 грн
250+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.72 грн
10+142.09 грн
11+107.57 грн
29+101.91 грн
100+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.73 грн
24+47.75 грн
65+45.20 грн
500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 ONSEMI FDD3672-D.pdf FDD3672 SMD N channel transistors
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.63 грн
14+85.87 грн
36+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.20 грн
19+59.45 грн
52+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.88 грн
5+90.94 грн
10+75.58 грн
23+49.92 грн
62+47.18 грн
100+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
6+54.29 грн
10+46.05 грн
50+34.63 грн
100+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.64 грн
18+64.17 грн
48+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.07 грн
5+111.71 грн
10+98.14 грн
25+84.93 грн
50+74.55 грн
100+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.47 грн
5+78.59 грн
10+69.54 грн
25+60.96 грн
100+49.16 грн
250+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.11 грн
5+111.71 грн
10+98.14 грн
50+76.43 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
10+56.74 грн
25+50.11 грн
100+48.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
10+56.25 грн
50+39.54 грн
100+34.73 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.22 грн
5+61.15 грн
10+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.58 грн
10+51.90 грн
25+44.82 грн
50+39.92 грн
100+35.57 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.15 грн
25+46.24 грн
67+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.78 грн
5+89.37 грн
10+77.09 грн
20+55.67 грн
55+52.65 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ ONSEMI fdd86102lz-d.pdf FDD86102LZ SMD N channel transistors
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.22 грн
15+79.26 грн
39+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.45 грн
10+118.57 грн
27+107.57 грн
250+105.69 грн
500+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf FDD86252 SMD N channel transistors
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
17+67.00 грн
46+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.03 грн
10+131.31 грн
100+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L ONSEMI fdd8647l-d.pdf FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.91 грн
18+63.22 грн
49+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.61 грн
25+61.34 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.44 грн
5+77.61 грн
10+66.34 грн
50+42.56 грн
100+34.91 грн
500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.82 грн
5+86.43 грн
10+72.75 грн
50+52.94 грн
100+46.43 грн
250+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.85 грн
87+12.83 грн
239+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P FDG6304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEBE8A9C78DE28&compId=FDG6304P.pdf?ci_sign=ee98354042b808fb4f3e420220baaaae53e983eb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 1.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+44.59 грн
59+19.06 грн
160+18.02 грн
3000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Drain current: 0.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
10+41.06 грн
50+30.76 грн
100+27.36 грн
250+23.21 грн
500+20.38 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A ONSEMI fdh055n15a-d.pdf FDH055N15A THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+552.82 грн
3+448.22 грн
7+423.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300A-ONS THT universal diodes
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.57 грн
381+2.93 грн
1046+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300ATR THT universal diodes
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.37 грн
447+2.49 грн
1229+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH333 THT universal diodes
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.91 грн
286+3.90 грн
786+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF27B2F908FE28&compId=FDH44N50.pdf?ci_sign=f34f5aca0814e064482869ac42475d184cc1b75f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+774.35 грн
2+592.85 грн
6+539.75 грн
120+519.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.14 грн
5+414.50 грн
10+356.69 грн
30+353.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Drain-source voltage: 500V
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Case: TO264
On-state resistance: 55mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1376.96 грн
3+1255.27 грн
5+1173.86 грн
10+1161.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDLL300A SMD universal diodes
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+10.59 грн
302+3.70 грн
829+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.89 грн
10+42.33 грн
50+30.01 грн
100+26.04 грн
250+21.89 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
7+48.41 грн
10+43.03 грн
50+35.95 грн
100+33.31 грн
500+27.55 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+52.52 грн
25+43.78 грн
100+34.91 грн
250+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.78 грн
10+40.96 грн
25+34.91 грн
100+27.36 грн
250+23.02 грн
500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
7+48.60 грн
10+41.90 грн
25+36.42 грн
50+33.12 грн
100+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.25 грн
10+60.85 грн
50+43.69 грн
100+38.12 грн
500+28.78 грн
1000+26.14 грн
1500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.41 грн
10+52.82 грн
25+42.18 грн
50+36.80 грн
100+32.37 грн
250+27.55 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
10+42.53 грн
25+36.90 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE20DC87FB3E28&compId=FDC6333C.pdf?ci_sign=d9aa1d00b0d0749eb8b25b38b8ba986528b35ddd
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Gate charge: 6.6/5.7nC
On-state resistance: 150/220mΩ
Gate-source voltage: ±16/±25V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.99 грн
10+54.88 грн
50+41.33 грн
100+34.35 грн
500+21.14 грн
750+18.97 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+45.37 грн
100+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
14+21.95 грн
15+19.06 грн
100+13.68 грн
500+11.23 грн
1000+10.38 грн
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.86 грн
10+41.65 грн
50+30.01 грн
100+26.04 грн
500+19.25 грн
1000+17.08 грн
1500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
10+30.77 грн
100+23.97 грн
250+21.99 грн
500+20.67 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
10+49.00 грн
25+40.20 грн
50+34.82 грн
100+30.01 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
On-state resistance: 70/125mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.20 грн
10+47.53 грн
25+35.57 грн
50+29.44 грн
100+24.72 грн
500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.04 грн
10+49.29 грн
50+35.57 грн
100+31.42 грн
200+27.93 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a
FDC653N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
25+32.04 грн
100+28.97 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3E316A7C3E28&compId=FDC655BN.pdf?ci_sign=b5833f3c8e04fa6d82af627f894500800c353153
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
10+33.71 грн
50+23.68 грн
100+20.48 грн
500+15.29 грн
1000+13.59 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Gate charge: 3.2nC
On-state resistance: 152mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
10+49.19 грн
50+32.65 грн
100+27.93 грн
250+23.12 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.91 грн
10+40.96 грн
50+29.35 грн
100+25.76 грн
250+21.80 грн
500+19.44 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.58 грн
10+51.80 грн
50+39.35 грн
100+34.91 грн
250+30.01 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE4D9205AC7E28&compId=FDD10AN06A0.pdf?ci_sign=4e052e6efe0be8d0f631debf2d61922496e87d06
FDD10AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
5+109.75 грн
25+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.19 грн
27+41.52 грн
74+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4
FDD13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.61 грн
10+129.35 грн
12+99.08 грн
31+93.42 грн
100+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE583211559E28&compId=FDD16AN08A0.pdf?ci_sign=6b17b4c49d9b0b1d59b28ad2f189b105b41e2e3f
FDD16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.74 грн
5+138.17 грн
10+119.84 грн
13+90.59 грн
34+85.87 грн
250+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1
FDD2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.72 грн
10+142.09 грн
11+107.57 грн
29+101.91 грн
100+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P fdd306p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.73 грн
24+47.75 грн
65+45.20 грн
500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3672 SMD N channel transistors
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.63 грн
14+85.87 грн
36+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.20 грн
19+59.45 грн
52+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8944BB55062469&compId=FDD4141.pdf?ci_sign=e1022bcb30bc8c84476440b86751d8881d3057bf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.88 грн
5+90.94 грн
10+75.58 грн
23+49.92 грн
62+47.18 грн
100+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
6+54.29 грн
10+46.05 грн
50+34.63 грн
100+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.64 грн
18+64.17 грн
48+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Power dissipation: 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.07 грн
5+111.71 грн
10+98.14 грн
25+84.93 грн
50+74.55 грн
100+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.47 грн
5+78.59 грн
10+69.54 грн
25+60.96 грн
100+49.16 грн
250+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.11 грн
5+111.71 грн
10+98.14 грн
50+76.43 грн
100+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
10+56.74 грн
25+50.11 грн
100+48.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.25 грн
10+56.25 грн
50+39.54 грн
100+34.73 грн
500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.22 грн
5+61.15 грн
10+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Drain current: 50A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.58 грн
10+51.90 грн
25+44.82 грн
50+39.92 грн
100+35.57 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.15 грн
25+46.24 грн
67+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.78 грн
5+89.37 грн
10+77.09 грн
20+55.67 грн
55+52.65 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ fdd86102lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD86102LZ SMD N channel transistors
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.22 грн
15+79.26 грн
39+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.45 грн
10+118.57 грн
27+107.57 грн
250+105.69 грн
500+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD86252 SMD N channel transistors
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
17+67.00 грн
46+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.03 грн
10+131.31 грн
100+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.91 грн
18+63.22 грн
49+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.61 грн
25+61.34 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
5+77.61 грн
10+66.34 грн
50+42.56 грн
100+34.91 грн
500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.82 грн
5+86.43 грн
10+72.75 грн
50+52.94 грн
100+46.43 грн
250+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.85 грн
87+12.83 грн
239+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEBE8A9C78DE28&compId=FDG6304P.pdf?ci_sign=ee98354042b808fb4f3e420220baaaae53e983eb
FDG6304P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 1.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+44.59 грн
59+19.06 грн
160+18.02 грн
3000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Drain current: 0.7A
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
10+41.06 грн
50+30.76 грн
100+27.36 грн
250+23.21 грн
500+20.38 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A fdh055n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.82 грн
3+448.22 грн
7+423.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.57 грн
381+2.93 грн
1046+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.37 грн
447+2.49 грн
1229+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.91 грн
286+3.90 грн
786+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF27B2F908FE28&compId=FDH44N50.pdf?ci_sign=f34f5aca0814e064482869ac42475d184cc1b75f
FDH44N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.35 грн
2+592.85 грн
6+539.75 грн
120+519.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.14 грн
5+414.50 грн
10+356.69 грн
30+353.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDL100N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b
FDL100N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Drain-source voltage: 500V
Gate charge: 238nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Case: TO264
On-state resistance: 55mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.96 грн
3+1255.27 грн
5+1173.86 грн
10+1161.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.59 грн
302+3.70 грн
829+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]