Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH150N65F-F155 | ONSEMI | FCH150N65F-F155 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH165N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH165N65S3R0-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH170N60 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH190N65F-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH22N60N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 205W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH25N60N | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 216W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH35N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH47N60-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 187nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FCH47N60F-F085 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 66mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH47N60F-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH47N60N | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 51.5Ω Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH47N60NF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH76N60N | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCH76N60NF | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCHD040N65S3-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCI7N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 83W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT080N65S3 | ONSEMI | FCMT080N65S3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT099N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT125N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT180N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT199N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 208W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60.6A Gate charge: 57nC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT250N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT299N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Power dissipation: 125W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 51nC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCMT360N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCP067N65S3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCP099N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCP104N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 82nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FCP104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCP110N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCP11N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FCP11N60F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP125N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP125N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP125N65S3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP130N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP150N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP165N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP165N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCP16N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.1A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 70nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCP170N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP190N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP190N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP190N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP190N65S3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCP20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCP22N60N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±45V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCP260N60E | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP260N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP360N65S3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP36N60N | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP380N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP380N60E | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP400N80Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP600N60Z | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP600N65S3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP7N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP850N80Z | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FCH125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH150N65F-F155 |
Виробник: ONSEMI
FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH165N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH165N60E THT N channel transistors
FCH165N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH165N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH170N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH190N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH22N60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH25N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH35N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH35N60 THT N channel transistors
FCH35N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1126.27 грн |
2+ | 829.78 грн |
3+ | 798.13 грн |
4+ | 755.01 грн |
FCH47N60F-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60NF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH76N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH76N60N THT N channel transistors
FCH76N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH76N60NF |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH76N60NF THT N channel transistors
FCH76N60NF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCHD040N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT080N65S3 |
Виробник: ONSEMI
FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT099N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT180N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT199N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT250N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT299N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT360N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP067N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP099N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP099N60E THT N channel transistors
FCP099N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP104N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP104N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP110N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP110N65F THT N channel transistors
FCP110N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP11N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.15 грн |
3+ | 201.01 грн |
7+ | 166.05 грн |
18+ | 156.87 грн |
250+ | 151.37 грн |
FCP11N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP11N60F THT N channel transistors
FCP11N60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N60E THT N channel transistors
FCP125N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N65S3 THT N channel transistors
FCP125N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP130N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP130N60 THT N channel transistors
FCP130N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP150N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP150N65F THT N channel transistors
FCP150N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP165N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP165N60E THT N channel transistors
FCP165N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP165N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP165N65S3 THT N channel transistors
FCP165N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP16N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP170N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP170N60 THT N channel transistors
FCP170N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N60E THT N channel transistors
FCP190N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N65F THT N channel transistors
FCP190N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N65S3 THT N channel transistors
FCP190N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N65S3R0 THT N channel transistors
FCP190N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 535.47 грн |
3+ | 443.94 грн |
4+ | 298.15 грн |
10+ | 281.64 грн |
FCP22N60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±45V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP260N60E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP260N60E THT N channel transistors
FCP260N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP260N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP260N65S3 THT N channel transistors
FCP260N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP360N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP360N65S3R0 THT N channel transistors
FCP360N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP36N60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP36N60N THT N channel transistors
FCP36N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP380N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP380N60 THT N channel transistors
FCP380N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP380N60E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP380N60E THT N channel transistors
FCP380N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP400N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP400N80Z THT N channel transistors
FCP400N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP600N60Z |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP600N60Z THT N channel transistors
FCP600N60Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP600N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP600N65S3R0 THT N channel transistors
FCP600N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP7N60 THT N channel transistors
FCP7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP850N80Z |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP850N80Z THT N channel transistors
FCP850N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.