Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP7N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCP850N80Z | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF067N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF099N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCPF11N60 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCPF11N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FCPF11N60T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCPF125N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF1300N80Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF150N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCPF16N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.1A Power dissipation: 37.9W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 70nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FCPF190N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF190N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF190N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FCPF20N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FCPF220N80 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF2250N80Z | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF260N60E | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF290N80 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF380N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF380N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF380N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF380N65FL1-F154 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF400N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF400N80Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF600N60ZL1-F154 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF650N80Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF7N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF7N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FCPF850N80Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDA032N08 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 120A Pulsed drain current: 940A Power dissipation: 37.5W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDA16N50-F109 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDA16N50LDTU | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDA24N40F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDA24N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 270W Case: TO3PN On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 96A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDA28N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDA38N30 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDA59N25 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 35A Pulsed drain current: 236A Power dissipation: 392W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDA59N30 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN Case: TO3PN Drain-source voltage: 300V Drain current: 35A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 236A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDA69N25 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDA70N20 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0165N807L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0170N607L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0190N807L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDB024N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDB024N08BL7 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0250N807L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0260N1007L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1100A Power dissipation: 250W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0300N1007L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDB035AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 124nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB035N10A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 3.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Gate charge: 116nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 856A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
FDB045AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDB047N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB050AN06A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB060AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0630N1507L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB0690N1507L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
FDB070AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 175W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
FDB075N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
FDB075N15A-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FCP7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP7N60 THT N channel transistors
FCP7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP850N80Z |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP850N80Z THT N channel transistors
FCP850N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF067N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF067N65S3 THT N channel transistors
FCPF067N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF099N65S3 THT N channel transistors
FCPF099N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF11N60 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.31 грн |
8+ | 147.66 грн |
21+ | 134.86 грн |
500+ | 131.19 грн |
1000+ | 129.35 грн |
FCPF11N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF11N60T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF125N65S3 THT N channel transistors
FCPF125N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF1300N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF1300N80Z THT N channel transistors
FCPF1300N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF150N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF150N65F THT N channel transistors
FCPF150N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF16N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF190N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF190N60 THT N channel transistors
FCPF190N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF190N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF190N60-ONS THT N channel transistors
FCPF190N60-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF190N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF190N60E THT N channel transistors
FCPF190N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 459.40 грн |
3+ | 398.22 грн |
4+ | 293.56 грн |
11+ | 277.05 грн |
FCPF220N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF220N80 THT N channel transistors
FCPF220N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF2250N80Z |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF2250N80Z THT N channel transistors
FCPF2250N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF260N60E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF260N60E THT N channel transistors
FCPF260N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF290N80 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF290N80 THT N channel transistors
FCPF290N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF380N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60 THT N channel transistors
FCPF380N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF380N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60E THT N channel transistors
FCPF380N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF380N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
FCPF380N60E-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF380N65FL1-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
FCPF380N65FL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF400N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF400N60 THT N channel transistors
FCPF400N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF400N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
FCPF400N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF600N60ZL1-F154 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
FCPF600N60ZL1-F154 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF650N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF650N80Z THT N channel transistors
FCPF650N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF7N60 THT N channel transistors
FCPF7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
FCPF7N60-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCPF850N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCPF850N80Z THT N channel transistors
FCPF850N80Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDA032N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.65 грн |
5+ | 247.69 грн |
13+ | 225.68 грн |
1020+ | 220.17 грн |
FDA16N50-F109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDA16N50-F109 THT N channel transistors
FDA16N50-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDA16N50LDTU |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDA16N50LDTU THT N channel transistors
FDA16N50LDTU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDA24N40F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 330.96 грн |
5+ | 247.69 грн |
13+ | 225.68 грн |
30+ | 224.76 грн |
60+ | 216.50 грн |
FDA24N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 365.54 грн |
5+ | 247.69 грн |
13+ | 225.68 грн |
450+ | 217.42 грн |
FDA28N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 413.95 грн |
5+ | 258.17 грн |
12+ | 234.85 грн |
120+ | 233.93 грн |
450+ | 225.68 грн |
FDA38N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDA38N30 THT N channel transistors
FDA38N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDA59N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 392W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDA59N30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Case: TO3PN
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 236A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 432.72 грн |
5+ | 229.59 грн |
14+ | 209.16 грн |
30+ | 200.91 грн |
FDA69N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.23 грн |
5+ | 279.13 грн |
12+ | 254.12 грн |
25+ | 244.02 грн |
FDA70N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDA70N20 THT N channel transistors
FDA70N20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0165N807L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0165N807L SMD N channel transistors
FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0170N607L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0170N607L SMD N channel transistors
FDB0170N607L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0190N807L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
FDB0190N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB024N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 1060A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB024N08BL7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0250N807L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0250N807L SMD N channel transistors
FDB0250N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0260N1007L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0300N1007L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB035AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 447.54 грн |
4+ | 343.91 грн |
9+ | 312.83 грн |
50+ | 309.16 грн |
100+ | 300.90 грн |
FDB035N10A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB045AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
FDB045AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 302.31 грн |
6+ | 203.66 грн |
15+ | 192.65 грн |
FDB047N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB047N10 SMD N channel transistors
FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB050AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0630N1507L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB0690N1507L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 175W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 175W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 296.39 грн |
5+ | 219.11 грн |
6+ | 181.64 грн |
17+ | 171.55 грн |
800+ | 166.96 грн |
FDB075N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A SMD N channel transistors
FDB075N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB075N15A-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.