Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142640) > Сторінка 1743 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ESD5Z12T1G ESD5Z12T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996 description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 240W
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Max. forward impulse current: 9.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
46+6.65 грн
54+5.43 грн
87+3.36 грн
106+2.76 грн
500+1.96 грн
1000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 6µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.45 грн
37+8.26 грн
53+5.53 грн
124+2.35 грн
500+2.18 грн
3000+1.91 грн
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G ESD5Z3.3T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
51+5.95 грн
75+3.92 грн
100+3.33 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G ESD5Z6.0T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996 description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 181W
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+9.41 грн
52+5.84 грн
77+3.78 грн
100+3.18 грн
250+2.57 грн
500+2.21 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G ESD5Z7.0T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
48+6.35 грн
60+4.85 грн
73+4.04 грн
100+3.37 грн
500+2.29 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG ONSEMI esd7104-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5V; quadruple,common anode; uDFN10; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: uDFN10
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: HDMI; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.03 грн
10+34.26 грн
75+25.52 грн
100+24.55 грн
300+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI esd7351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD323; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
21+14.91 грн
25+11.84 грн
100+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G ESD7351XV2T1G ONSEMI esd7351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.50 грн
36+8.46 грн
42+7.08 грн
100+4.57 грн
250+3.99 грн
500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G ESD7551N2T5G ONSEMI esd7551-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.25W; 5V; CASE714AB,X2DFN2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.22...0.35pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.25W
Case: CASE714AB; X2DFN2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.63 грн
28+10.88 грн
35+8.54 грн
57+5.12 грн
100+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G ESD7C3.3DT5G ONSEMI esd7c3.3d-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 0.24W; double,common anode; SOT723; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
Capacitance: 12...13pF
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.24W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
21+14.91 грн
100+10.97 грн
250+10.09 грн
500+9.61 грн
1000+8.64 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG
+1
 		ESD8008MUTAG ONSEMI esd8008-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN14
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.43 грн
10+48.77 грн
100+39.50 грн
250+35.42 грн
500+32.80 грн
1000+31.34 грн
3000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G ONSEMI esd8011-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7.3V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 7.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.04 грн
17+17.94 грн
20+14.94 грн
25+12.23 грн
100+9.22 грн
500+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8351XV2T1G ESD8351XV2T1G ONSEMI esd8351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7V; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 7V
Case: SOD523
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.77 грн
29+10.58 грн
34+8.66 грн
100+6.80 грн
250+5.90 грн
500+5.34 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G ESD9B3.3ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 5...7V
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 15pF
Leakage current: 0.1µA
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.50 грн
48+6.35 грн
80+3.67 грн
100+3.03 грн
250+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G ESD9B5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
63+4.84 грн
82+3.59 грн
154+1.90 грн
500+1.45 грн
1000+1.34 грн
2000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G ESD9C3.3ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.63 грн
27+11.49 грн
32+9.12 грн
44+6.72 грн
100+4.16 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G ESD9C5.0ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.67 грн
16+19.65 грн
35+8.35 грн
100+5.40 грн
500+4.99 грн
1000+4.45 грн
4000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.68 грн
24+12.90 грн
28+10.67 грн
100+6.10 грн
400+4.60 грн
500+4.43 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G ESD9R3.3ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.85 грн
11+29.43 грн
50+23.00 грн
100+21.15 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
56+5.44 грн
80+3.65 грн
100+3.11 грн
250+2.52 грн
500+2.16 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI FAN3100C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
10+61.47 грн
25+50.95 грн
100+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.81 грн
10+83.04 грн
25+69.00 грн
50+62.01 грн
100+55.99 грн
250+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.10 грн
10+74.07 грн
25+61.62 грн
100+48.62 грн
250+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.32 грн
10+73.67 грн
25+59.00 грн
100+46.00 грн
250+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.37 грн
10+63.08 грн
25+49.39 грн
100+36.97 грн
200+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.17 грн
5+131.01 грн
25+114.51 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.62 грн
10+92.71 грн
25+74.72 грн
50+65.99 грн
100+59.20 грн
250+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.60 грн
43+26.69 грн
118+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
10+55.83 грн
25+45.42 грн
100+35.81 грн
250+31.05 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+93.72 грн
25+74.72 грн
100+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.03 грн
10+98.76 грн
25+79.57 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.37 грн
5+86.67 грн
25+74.72 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.54 грн
10+373.87 грн
25+349.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.33 грн
3+399.06 грн
10+329.94 грн
25+285.30 грн
50+256.19 грн
100+232.90 грн
500+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+297.84 грн
10+203.56 грн
25+174.67 грн
100+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
25+86.37 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.52 грн
14+84.43 грн
38+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+964.59 грн
10+823.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.72 грн
3+239.84 грн
10+196.02 грн
50+160.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.64 грн
3+327.51 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.75 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.37 грн
10+212.63 грн
50+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.60 грн
3+402.09 грн
10+323.15 грн
50+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.08 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.18 грн
10+299.30 грн
30+245.51 грн
120+236.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.72 грн
10+237.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
25+288.21 грн
30+271.72 грн
120+229.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.76 грн
10+299.30 грн
30+249.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.08 грн
5+331.54 грн
10+276.57 грн
30+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.55 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.87 грн
4+350.32 грн
9+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.12 грн
10+331.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
5+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
10+230.77 грн
25+199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.74 грн
6+228.05 грн
14+215.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.39 грн
11+113.54 грн
28+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.47 грн
5+273.66 грн
12+258.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z12T1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996
ESD5Z12T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 240W
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Max. forward impulse current: 9.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
46+6.65 грн
54+5.43 грн
87+3.36 грн
106+2.76 грн
500+1.96 грн
1000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 11A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 6µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.45 грн
37+8.26 грн
53+5.53 грн
124+2.35 грн
500+2.18 грн
3000+1.91 грн
15000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z3.3T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
51+5.95 грн
75+3.92 грн
100+3.33 грн
500+2.35 грн
1000+2.06 грн
1500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996
ESD5Z6.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 181W
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.41 грн
52+5.84 грн
77+3.78 грн
100+3.18 грн
250+2.57 грн
500+2.21 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68FBD663D08A94FA8&compId=ESD5Zx-DTE.PDF?ci_sign=23882e3e778ffb5942c26931708f517d0e170996
ESD5Z7.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
48+6.35 грн
60+4.85 грн
73+4.04 грн
100+3.37 грн
500+2.29 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG esd7104-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5V; quadruple,common anode; uDFN10; Ch: 4
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: uDFN10
Max. off-state voltage: 5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: HDMI; USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.03 грн
10+34.26 грн
75+25.52 грн
100+24.55 грн
300+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G esd7351-d.pdf
ESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD323; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
21+14.91 грн
25+11.84 грн
100+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G esd7351-d.pdf
ESD7351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.43...0.6pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
36+8.46 грн
42+7.08 грн
100+4.57 грн
250+3.99 грн
500+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G esd7551-d.pdf
ESD7551N2T5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.25W; 5V; CASE714AB,X2DFN2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.22...0.35pF
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.25W
Case: CASE714AB; X2DFN2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.63 грн
28+10.88 грн
35+8.54 грн
57+5.12 грн
100+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G esd7c3.3d-d.pdf
ESD7C3.3DT5G
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5V; 0.24W; double,common anode; SOT723; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT723
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
Capacitance: 12...13pF
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.24W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
21+14.91 грн
100+10.97 грн
250+10.09 грн
500+9.61 грн
1000+8.64 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG esd8008-d.pdf
ESD8008MUTAG
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Mounting: SMD
Case: uDFN14
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 8
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.43 грн
10+48.77 грн
100+39.50 грн
250+35.42 грн
500+32.80 грн
1000+31.34 грн
3000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G esd8011-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7.3V; bidirectional; X3DFN2; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 7.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: X3DFN2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.04 грн
17+17.94 грн
20+14.94 грн
25+12.23 грн
100+9.22 грн
500+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8351XV2T1G esd8351-d.pdf
ESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 7V; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 7V
Case: SOD523
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.77 грн
29+10.58 грн
34+8.66 грн
100+6.80 грн
250+5.90 грн
500+5.34 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G esd9b-d.pdf
ESD9B3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 5...7V
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 15pF
Leakage current: 0.1µA
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
48+6.35 грн
80+3.67 грн
100+3.03 грн
250+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786888FB7ACA94745&compId=ESD9B5.0ST5G.PDF?ci_sign=5ddc4e572c09119a74a776a768fd7b638ac2fef5
ESD9B5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 7.8V; 15A; bidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.3W
Leakage current: 0.1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
63+4.84 грн
82+3.59 грн
154+1.90 грн
500+1.45 грн
1000+1.34 грн
2000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.63 грн
27+11.49 грн
32+9.12 грн
44+6.72 грн
100+4.16 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.67 грн
16+19.65 грн
35+8.35 грн
100+5.40 грн
500+4.99 грн
1000+4.45 грн
4000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c
ESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.68 грн
24+12.90 грн
28+10.67 грн
100+6.10 грн
400+4.60 грн
500+4.43 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9
ESD9R3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD923
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
11+29.43 грн
50+23.00 грн
100+21.15 грн
500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
56+5.44 грн
80+3.65 грн
100+3.11 грн
250+2.52 грн
500+2.16 грн
1000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100C.pdf
FAN3100CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
10+61.47 грн
25+50.95 грн
100+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Case: MLP6
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.81 грн
10+83.04 грн
25+69.00 грн
50+62.01 грн
100+55.99 грн
250+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.10 грн
10+74.07 грн
25+61.62 грн
100+48.62 грн
250+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111C.pdf
FAN3111CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.32 грн
10+73.67 грн
25+59.00 грн
100+46.00 грн
250+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111C.pdf
FAN3111ESX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
10+63.08 грн
25+49.39 грн
100+36.97 грн
200+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.17 грн
5+131.01 грн
25+114.51 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Case: SO8
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4.3...2.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.62 грн
10+92.71 грн
25+74.72 грн
50+65.99 грн
100+59.20 грн
250+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.60 грн
43+26.69 грн
118+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Interface: SWD
Output current: 30mA
Maximum output current: 30mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Case: TSOT23-6
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
10+55.83 грн
25+45.42 грн
100+35.81 грн
250+31.05 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
10+93.72 грн
25+74.72 грн
100+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Topology: H-bridge
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Case: SOP8
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+98.76 грн
25+79.57 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.37 грн
5+86.67 грн
25+74.72 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.54 грн
10+373.87 грн
25+349.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.33 грн
3+399.06 грн
10+329.94 грн
25+285.30 грн
50+256.19 грн
100+232.90 грн
500+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.84 грн
10+203.56 грн
25+174.67 грн
100+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
25+86.37 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.52 грн
14+84.43 грн
38+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.59 грн
10+823.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.72 грн
3+239.84 грн
10+196.02 грн
50+160.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.64 грн
3+327.51 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.75 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.37 грн
10+212.63 грн
50+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.60 грн
3+402.09 грн
10+323.15 грн
50+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.08 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.18 грн
10+299.30 грн
30+245.51 грн
120+236.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.72 грн
10+237.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.41 грн
25+288.21 грн
30+271.72 грн
120+229.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.76 грн
10+299.30 грн
30+249.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.08 грн
5+331.54 грн
10+276.57 грн
30+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.55 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.87 грн
4+350.32 грн
9+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.12 грн
10+331.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849
FDB13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
5+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
10+230.77 грн
25+199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.74 грн
6+228.05 грн
14+215.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.39 грн
11+113.54 грн
28+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.47 грн
5+273.66 грн
12+258.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]