Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142455) > Сторінка 1741 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FODM217B FODM217B ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 130-260%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
10+29.69 грн
47+23.97 грн
100+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217C FODM217C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.86 грн
10+31.16 грн
25+24.16 грн
50+20.57 грн
60+18.49 грн
100+17.55 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217D FODM217D ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
10+34.79 грн
50+25.48 грн
55+20.19 грн
151+19.06 грн
500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2701 FODM2701 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8DC0C7&compId=FODM2701.pdf?ci_sign=1f2ed45367821dcf3831b6457a307efb23da0161 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.78 грн
10+32.14 грн
41+27.36 грн
100+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705 FODM2705 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88692B091F4AA4A18&compId=FODM2705.pdf?ci_sign=1bd534e2f6b8ed260ef79a32c2b0fd8c6b4499d8 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.79 грн
10+34.59 грн
25+30.10 грн
50+27.74 грн
58+19.34 грн
158+18.31 грн
3000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705R2 FODM2705R2 ONSEMI FODM2705-D.PDF Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: MFP4
Manufacturer series: FODM2705
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.84 грн
10+39.98 грн
25+33.50 грн
47+23.78 грн
129+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 FODM3063 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C016ECC3B80D6&compId=FODM3063.pdf?ci_sign=ebd857ad5c482f6db8e81c61ce92a3a06e463df1 Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1; FODM306x
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: triac
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
5+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3083R2 FODM3083R2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF1588D29BBC749&compId=FODM3063R2.pdf?ci_sign=3e0c9dc49dcbb4dad1bfbeefddc2a054eff25887 Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1; FODM308x
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: triac
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Manufacturer series: FODM308x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.31 грн
5+190.10 грн
7+179.29 грн
17+169.85 грн
25+167.02 грн
100+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8061 FODM8061 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF18CB875136749&compId=FODM8061.pdf?ci_sign=e4ecb6b5afda5c847f6d384b983571a915ff1b4a Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: open collector; 3.75kV; 40kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: open collector
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Slew rate: 40kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.47 грн
8+155.81 грн
21+141.54 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071 FODM8071 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786D5AC3177A38745&compId=FODM8071.pdf?ci_sign=294d9e42a972d807273d8786b500d390b74220c8 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; 20Mbps; 40kV/μs
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.3µs
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: transistor
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.68 грн
5+195.00 грн
10+169.85 грн
25+143.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 FODM8071R2 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF198049BE0C749&compId=FODM8071R2.pdf?ci_sign=e89455320d5747adb94d724d849c76f124acf86a Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 3.75kV; 20Mbps; Mini-flat 5pin
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.8ns
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: logic
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.76 грн
5+198.92 грн
10+172.68 грн
25+151.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B FODM8801B ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF7E760C904DE27&compId=FODM8801B.pdf?ci_sign=f812a44fa9fcf2950a96a2941954658b3136ebe8 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 130-260%@1mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 6µs
Turn-off time: 6µs
Manufacturer series: OptoHiT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
10+84.27 грн
16+70.77 грн
43+67.00 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A FPF1003A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199F2770E9C6259&compId=FPF1003A.pdf?ci_sign=2b47c9ae160d2b9d61d259aecbac348feea205cf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.56 грн
25+19.82 грн
100+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+562.98 грн
10+416.46 грн
30+392.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+550.78 грн
5+458.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.54 грн
3+301.81 грн
10+256.66 грн
30+231.19 грн
120+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.72 грн
5+233.07 грн
14+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.16 грн
5+154.83 грн
10+132.11 грн
25+111.35 грн
50+98.14 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.99 грн
5+108.77 грн
10+97.19 грн
25+85.87 грн
100+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.74 грн
10+126.41 грн
25+106.63 грн
50+95.31 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.81 грн
5+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.28 грн
10+199.90 грн
25+180.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.61 грн
5+137.19 грн
10+121.73 грн
25+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.69 грн
25+149.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.77 грн
5+82.90 грн
10+70.96 грн
50+54.82 грн
100+49.26 грн
250+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.43 грн
5+69.57 грн
10+58.50 грн
25+48.50 грн
50+42.09 грн
100+36.80 грн
500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
10+47.13 грн
25+39.16 грн
100+31.52 грн
250+27.36 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.04 грн
6+53.31 грн
10+46.05 грн
50+34.82 грн
100+31.05 грн
250+27.08 грн
500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.59 грн
5+84.66 грн
10+74.26 грн
50+56.43 грн
100+49.82 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.73 грн
10+80.35 грн
100+56.62 грн
250+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.60 грн
5+78.79 грн
10+67.75 грн
50+51.52 грн
100+45.95 грн
500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.90 грн
10+81.33 грн
25+69.83 грн
50+64.17 грн
100+58.50 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.71 грн
25+39.78 грн
100+33.97 грн
250+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.46 грн
10+66.63 грн
25+58.50 грн
100+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20LTM ONSEMI FQD7N20L-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.26 грн
10+51.94 грн
25+44.07 грн
35+32.37 грн
94+30.67 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.72 грн
10+63.01 грн
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.38 грн
5+64.67 грн
10+54.35 грн
50+39.73 грн
100+34.91 грн
500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.71 грн
3+151.89 грн
10+133.05 грн
50+117.95 грн
100+106.63 грн
250+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.27 грн
10+103.87 грн
50+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.47 грн
3+187.16 грн
10+159.47 грн
50+143.43 грн
250+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.93 грн
5+235.18 грн
10+196.27 грн
25+163.25 грн
50+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+86.81 грн
250+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.68 грн
5+171.48 грн
10+143.43 грн
50+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.01 грн
10+310.63 грн
50+196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.41 грн
10+226.36 грн
50+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.56 грн
5+120.53 грн
10+100.97 грн
50+72.66 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
10+97.01 грн
50+83.98 грн
100+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+316.04 грн
3+211.66 грн
10+182.12 грн
50+164.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+398.35 грн
10+284.18 грн
50+213.26 грн
100+207.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.02 грн
10+46.35 грн
100+32.18 грн
250+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
10+47.82 грн
25+39.63 грн
50+35.48 грн
100+31.71 грн
250+27.36 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2567MPX FSA2567MPX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819694E62A302259&compId=FSA2567.pdf?ci_sign=58d8ce5705102038985ea99a043c1c4665424eaa Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; OUT: 4PDT; 1uA
Type of integrated circuit: analog switch
Case: MLP16
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 4PDT
Quiescent current: 1µA
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
7+46.64 грн
10+40.67 грн
25+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157AP6X ONSEMI fsa4157-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 1; SC70-6; 2.7÷5.5VDC; reel,tape; OUT: SPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Technology: TTL
Kind of output: SPDT
Quiescent current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.23 грн
23+12.84 грн
100+10.95 грн
500+9.81 грн
1000+9.15 грн
3000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C FSBB30CH60C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196D73F17B84259&compId=FSBB30CH60C.pdf?ci_sign=40ba4626435681b6dab2d5f0708ba6379c7f2ccc Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 106W
Output current: 30A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SPMEC-027
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1756.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU FSQ0765RSUDTU ONSEMI fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Case: TO220-6
Output current: 2.28A
Output voltage: 650V
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Operating voltage: 8...19V DC
Frequency: 66.7kHz
On-state resistance: 1.6Ω
Power: 70W
Input voltage: 85...265V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.14 грн
5+170.50 грн
8+155.70 грн
20+147.20 грн
25+145.32 грн
100+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB42MUX FSUSB42MUX ONSEMI fsusb42-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: MSOP10
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.66 грн
10+30.28 грн
25+25.10 грн
50+22.46 грн
100+20.38 грн
250+18.40 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FSV15100V
+1
 		FSV15100V ONSEMI fsv15100v-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.83 грн
25+44.68 грн
31+36.14 грн
85+34.16 грн
500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX FXL4TD245BQX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5BAD76B25820&compId=FXL4TD245BQX.pdf?ci_sign=1fa606bce601c2b5039c2fe686101d006a2d8d6b Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.46 грн
5+83.29 грн
25+78.32 грн
39+75.49 грн
500+73.60 грн
1000+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX FXL5T244BQX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5C6EC3E21820&compId=FXL5T244BQX.pdf?ci_sign=fed9a666948440c6f6a9052f8a81317c879ebaa7 Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.20 грн
10+65.65 грн
25+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7
FODM217B
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 130-260%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
10+29.69 грн
47+23.97 грн
100+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7
FODM217C
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 200-400%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.86 грн
10+31.16 грн
25+24.16 грн
50+20.57 грн
60+18.49 грн
100+17.55 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM217D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8C00C7&compId=FODM214.pdf?ci_sign=06e678278653bc791adad2d3c2dad33d538f06f7
FODM217D
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300-600%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FODM217
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.76 грн
10+34.79 грн
50+25.48 грн
55+20.19 грн
151+19.06 грн
500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2701 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBFFD2ED30C8DC0C7&compId=FODM2701.pdf?ci_sign=1f2ed45367821dcf3831b6457a307efb23da0161
FODM2701
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Urmax: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.78 грн
10+32.14 грн
41+27.36 грн
100+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88692B091F4AA4A18&compId=FODM2705.pdf?ci_sign=1bd534e2f6b8ed260ef79a32c2b0fd8c6b4499d8
FODM2705
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: Mini-flat 4pin
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+34.59 грн
25+30.10 грн
50+27.74 грн
58+19.34 грн
158+18.31 грн
3000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM2705R2 FODM2705-D.PDF
FODM2705R2
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 40V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 50-300%@5mA
Case: MFP4
Manufacturer series: FODM2705
Max. off-state voltage: 6V
Collector-emitter voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.84 грн
10+39.98 грн
25+33.50 грн
47+23.78 грн
129+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3063 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9A9C016ECC3B80D6&compId=FODM3063.pdf?ci_sign=ebd857ad5c482f6db8e81c61ce92a3a06e463df1
FODM3063
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1; FODM306x
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: triac
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Manufacturer series: FODM306x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
5+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3083R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF1588D29BBC749&compId=FODM3063R2.pdf?ci_sign=3e0c9dc49dcbb4dad1bfbeefddc2a054eff25887
FODM3083R2
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 3.75kV; triac; Mini-flat 4pin; Ch: 1; FODM308x
Type of optocoupler: optotriac
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: triac
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Manufacturer series: FODM308x
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.31 грн
5+190.10 грн
7+179.29 грн
17+169.85 грн
25+167.02 грн
100+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8061 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF18CB875136749&compId=FODM8061.pdf?ci_sign=e4ecb6b5afda5c847f6d384b983571a915ff1b4a
FODM8061
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: open collector; 3.75kV; 40kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: open collector
Insulation voltage: 3.75kV
Case: Mini-flat 4pin
Slew rate: 40kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.47 грн
8+155.81 грн
21+141.54 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786D5AC3177A38745&compId=FODM8071.pdf?ci_sign=294d9e42a972d807273d8786b500d390b74220c8
FODM8071
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; 20Mbps; 40kV/μs
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.3µs
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: transistor
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.68 грн
5+195.00 грн
10+169.85 грн
25+143.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8071R2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CF198049BE0C749&compId=FODM8071R2.pdf?ci_sign=e89455320d5747adb94d724d849c76f124acf86a
FODM8071R2
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 3.75kV; 20Mbps; Mini-flat 5pin
Mounting: SMD
Turn-off time: 5.8ns
Turn-on time: 5.8ns
Number of channels: 1
Insulation voltage: 3.75kV
Slew rate: 40kV/μs
Transfer rate: 20Mbps
Kind of output: logic
Case: Mini-flat 5pin
Type of optocoupler: optocoupler
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.76 грн
5+198.92 грн
10+172.68 грн
25+151.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF7E760C904DE27&compId=FODM8801B.pdf?ci_sign=f812a44fa9fcf2950a96a2941954658b3136ebe8
FODM8801B
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; 3.75kV; Mini-flat 4pin
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 130-260%@1mA
Case: Mini-flat 4pin
Turn-on time: 6µs
Turn-off time: 6µs
Manufacturer series: OptoHiT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
10+84.27 грн
16+70.77 грн
43+67.00 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1003A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199F2770E9C6259&compId=FPF1003A.pdf?ci_sign=2b47c9ae160d2b9d61d259aecbac348feea205cf
FPF1003A
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Output current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.56 грн
25+19.82 грн
100+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.98 грн
10+416.46 грн
30+392.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.78 грн
5+458.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.54 грн
3+301.81 грн
10+256.66 грн
30+231.19 грн
120+217.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.72 грн
5+233.07 грн
14+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
5+154.83 грн
10+132.11 грн
25+111.35 грн
50+98.14 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
5+108.77 грн
10+97.19 грн
25+85.87 грн
100+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.74 грн
10+126.41 грн
25+106.63 грн
50+95.31 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.81 грн
5+152.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.28 грн
10+199.90 грн
25+180.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.61 грн
5+137.19 грн
10+121.73 грн
25+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.69 грн
25+149.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.77 грн
5+82.90 грн
10+70.96 грн
50+54.82 грн
100+49.26 грн
250+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.43 грн
5+69.57 грн
10+58.50 грн
25+48.50 грн
50+42.09 грн
100+36.80 грн
500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
10+47.13 грн
25+39.16 грн
100+31.52 грн
250+27.36 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.04 грн
6+53.31 грн
10+46.05 грн
50+34.82 грн
100+31.05 грн
250+27.08 грн
500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.59 грн
5+84.66 грн
10+74.26 грн
50+56.43 грн
100+49.82 грн
500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 9.75A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.73 грн
10+80.35 грн
100+56.62 грн
250+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
5+78.79 грн
10+67.75 грн
50+51.52 грн
100+45.95 грн
500+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.90 грн
10+81.33 грн
25+69.83 грн
50+64.17 грн
100+58.50 грн
250+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.71 грн
25+39.78 грн
100+33.97 грн
250+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
10+66.63 грн
25+58.50 грн
100+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FQD7N20L-D.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.26 грн
10+51.94 грн
25+44.07 грн
35+32.37 грн
94+30.67 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B12397A74259&compId=FQD7P20.pdf?ci_sign=fe95d1b91b6ea9ff09122f0ac6ac7c7fef44c0c8
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.72 грн
10+63.01 грн
100+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199B3E6B4C1E259&compId=FQD8P10.pdf?ci_sign=cf93f786965b4dedd012e67ddd2914a2fa9c55d1
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.38 грн
5+64.67 грн
10+54.35 грн
50+39.73 грн
100+34.91 грн
500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.71 грн
3+151.89 грн
10+133.05 грн
50+117.95 грн
100+106.63 грн
250+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.27 грн
10+103.87 грн
50+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.47 грн
3+187.16 грн
10+159.47 грн
50+143.43 грн
250+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.93 грн
5+235.18 грн
10+196.27 грн
25+163.25 грн
50+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.67 грн
10+97.19 грн
50+86.81 грн
250+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.68 грн
5+171.48 грн
10+143.43 грн
50+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.01 грн
10+310.63 грн
50+196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.41 грн
10+226.36 грн
50+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.56 грн
5+120.53 грн
10+100.97 грн
50+72.66 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
10+97.01 грн
50+83.98 грн
100+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.04 грн
3+211.66 грн
10+182.12 грн
50+164.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.35 грн
10+284.18 грн
50+213.26 грн
100+207.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7
FQT4N20LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.02 грн
10+46.35 грн
100+32.18 грн
250+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d
FQT7N10LTF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+47.82 грн
25+39.63 грн
50+35.48 грн
100+31.71 грн
250+27.36 грн
500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2567MPX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819694E62A302259&compId=FSA2567.pdf?ci_sign=58d8ce5705102038985ea99a043c1c4665424eaa
FSA2567MPX
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; OUT: 4PDT; 1uA
Type of integrated circuit: analog switch
Case: MLP16
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 4PDT
Quiescent current: 1µA
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.94 грн
7+46.64 грн
10+40.67 грн
25+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157AP6X fsa4157-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 1; SC70-6; 2.7÷5.5VDC; reel,tape; OUT: SPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Technology: TTL
Kind of output: SPDT
Quiescent current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.23 грн
23+12.84 грн
100+10.95 грн
500+9.81 грн
1000+9.15 грн
3000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78196D73F17B84259&compId=FSBB30CH60C.pdf?ci_sign=40ba4626435681b6dab2d5f0708ba6379c7f2ccc
FSBB30CH60C
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Technology: Motion SPM® 3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 106W
Output current: 30A
Number of channels: 6
Collector-emitter voltage: 600V
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: SPMEC-027
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1756.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSQ0765RSUDTU
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Case: TO220-6
Output current: 2.28A
Output voltage: 650V
Number of channels: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Operating voltage: 8...19V DC
Frequency: 66.7kHz
On-state resistance: 1.6Ω
Power: 70W
Input voltage: 85...265V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.14 грн
5+170.50 грн
8+155.70 грн
20+147.20 грн
25+145.32 грн
100+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB42MUX fsusb42-d.pdf
FSUSB42MUX
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Case: MSOP10
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.66 грн
10+30.28 грн
25+25.10 грн
50+22.46 грн
100+20.38 грн
250+18.40 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FSV15100V fsv15100v-d.pdf
FSV15100V
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277; SMD; 100V; 15A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.83 грн
25+44.68 грн
31+36.14 грн
85+34.16 грн
500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4TD245BQX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5BAD76B25820&compId=FXL4TD245BQX.pdf?ci_sign=1fa606bce601c2b5039c2fe686101d006a2d8d6b
FXL4TD245BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
5+83.29 грн
25+78.32 грн
39+75.49 грн
500+73.60 грн
1000+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FXL5T244BQX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A1BA5C6EC3E21820&compId=FXL5T244BQX.pdf?ci_sign=fed9a666948440c6f6a9052f8a81317c879ebaa7
FXL5T244BQX
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.20 грн
10+65.65 грн
25+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]