Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146902) > Сторінка 1741 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI fda69n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA70N20 ONSEMI fda70n20-d.pdf FDA70N20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L ONSEMI fdb0165n807l-d.pdf FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L ONSEMI fdb0170n607l-d.pdf FDB0170N607L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI fdb024n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 226nC
Pulsed drain current: 1060A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 ONSEMI fdb024n08bl7-d.pdf FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807L ONSEMI fdb0250n807l-d.pdf FDB0250N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf FDB0260N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L ONSEMI fdb0300n1007l-d.pdf FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI FDB035AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.62 грн
4+341.88 грн
9+310.83 грн
50+309.91 грн
100+298.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A FDB035N10A ONSEMI fdb035n10a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 ONSEMI FDB045AN08A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.19 грн
5+245.43 грн
6+205.07 грн
15+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 ONSEMI FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L ONSEMI fdb0630n1507l-d.pdf FDB0630N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507L ONSEMI fdb0690n1507l-d.pdf FDB0690N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 ONSEMI FDB070AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+297.10 грн
5+219.64 грн
6+182.08 грн
17+171.97 грн
800+167.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A ONSEMI fdp075n15a-d.pdf FDB075N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 ONSEMI fdb075n15a_f085-d.pdf FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 ONSEMI fdb120n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM ONSEMI fdb12n50tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 ONSEMI fdb150n10-d.pdf FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.55 грн
6+213.91 грн
15+194.04 грн
250+188.52 грн
500+187.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 ONSEMI fdb16an08a0-d.pdf FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.71 грн
5+231.10 грн
14+210.59 грн
800+208.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.54 грн
11+107.59 грн
28+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 ONSEMI FDB2614.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 ONSEMI FDB2710.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 101nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.25 грн
6+254.02 грн
24+238.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI FDB28N30TM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.25 грн
10+126.06 грн
11+107.59 грн
29+101.16 грн
200+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.44 грн
5+135.61 грн
10+114.95 грн
27+108.51 грн
100+107.59 грн
800+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.44 грн
5+135.61 грн
10+112.19 грн
27+106.67 грн
800+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.24 грн
5+154.71 грн
9+129.66 грн
24+123.23 грн
800+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.53 грн
7+171.97 грн
18+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf FDBL0110N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf FDBL0150N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 fda69n25-d.pdf
FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44.2A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 480W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA70N20 fda70n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA70N20 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L fdb0165n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0165N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0170N607L fdb0170n607l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0170N607L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 fdb024n06-d.pdf
FDB024N06
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
Power dissipation: 395W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 226nC
Pulsed drain current: 1060A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N08BL7 fdb024n08bl7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB024N08BL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0250N807L fdb0250n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0250N807L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0260N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0300N1007L fdb0300n1007l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0300N1007L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0.pdf
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.62 грн
4+341.88 грн
9+310.83 грн
50+309.91 грн
100+298.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035N10A fdb035n10a-d.pdf
FDB035N10A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0.pdf
FDB045AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.19 грн
5+245.43 грн
6+205.07 грн
15+194.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FAIRS46508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB047N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB050AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB060AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0630N1507L fdb0630n1507l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0630N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0690N1507L fdb0690n1507l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0690N1507L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0.pdf
FDB070AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.10 грн
5+219.64 грн
6+182.08 грн
17+171.97 грн
800+167.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A fdp075n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB075N15A-F085 fdb075n15a_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB075N15A-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A fdb082n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 fdb088n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 fdb120n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM fdb12n50tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 fdb150n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.55 грн
6+213.91 грн
15+194.04 грн
250+188.52 грн
500+187.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 fdb16an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 fdb1d7n10cl7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDX2532-DTE.pdf
FDB2532
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.71 грн
5+231.10 грн
14+210.59 грн
800+208.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+149.54 грн
11+107.59 грн
28+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614.pdf
FDB2614
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710.pdf
FDB2710
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 101nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.25 грн
6+254.02 грн
24+238.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM.pdf
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.25 грн
10+126.06 грн
11+107.59 грн
29+101.16 грн
200+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.44 грн
5+135.61 грн
10+114.95 грн
27+108.51 грн
100+107.59 грн
800+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.44 грн
5+135.61 грн
10+112.19 грн
27+106.67 грн
800+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20.pdf
FDB52N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.24 грн
5+154.71 грн
9+129.66 грн
24+123.23 грн
800+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.53 грн
7+171.97 грн
18+161.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0110N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0150N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]