Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCH041N65F-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH043N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH060N80-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH067N65S3-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH070N60E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 156A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH072N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH072N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH077N65F-F085 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH077N65F-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH085N80-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCH104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCH104N60F-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH110N65F-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 105A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH125N60E | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 87A Power dissipation: 278W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.102Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH150N65F-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 14.9A On-state resistance: 0.133Ω Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCH165N60E | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 69A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FCH165N65S3R0-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 154W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 47.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH170N60 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH190N65F-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH22N60N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 205W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH25N60N | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 216W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH35N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH47N60-F085 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 187nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCH47N60F-F085 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 66mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH47N60F-F133 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH47N60N | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 51.5Ω Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH47N60NF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH76N60N | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCH76N60NF | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCHD040N65S3-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCI7N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT080N65S3 | ONSEMI | FCMT080N65S3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT099N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT125N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT180N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT199N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT250N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT299N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Power dissipation: 125W Case: Power88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A Gate charge: 51nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCMT360N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCP067N65S3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 67mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FCP099N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCP104N60 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 82nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FCP110N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FCP11N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 52nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCP11N60F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP125N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP125N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP125N65S3R0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP130N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP150N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP165N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP165N65S3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP16N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP170N60 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP190N60E | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FCP190N65F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FCH041N65F-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH043N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH043N60 THT N channel transistors
FCH043N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH060N80-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH060N80-F155 THT N channel transistors
FCH060N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH067N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH070N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH072N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH072N60 THT N channel transistors
FCH072N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH072N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH077N65F-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH077N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH085N80-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH085N80-F155 THT N channel transistors
FCH085N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH099N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH104N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 649.66 грн |
3+ | 431.65 грн |
8+ | 393.59 грн |
FCH104N60F-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH110N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH125N60E |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH125N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH150N65F-F155 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
On-state resistance: 0.133Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
On-state resistance: 0.133Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH165N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH165N65S3R0-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 154W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 47.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 154W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 47.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH170N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH190N65F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH22N60N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH25N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH35N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH35N60 THT N channel transistors
FCH35N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1128.99 грн |
2+ | 831.78 грн |
3+ | 800.05 грн |
4+ | 756.83 грн |
FCH47N60F-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH47N60F-F133 THT N channel transistors
FCH47N60F-F133 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH47N60NF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH76N60N |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH76N60N THT N channel transistors
FCH76N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCH76N60NF |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCH76N60NF THT N channel transistors
FCH76N60NF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCHD040N65S3-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCI7N60 THT N channel transistors
FCI7N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT080N65S3 |
Виробник: ONSEMI
FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
FCMT080N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT099N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
FCMT099N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
FCMT125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT180N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
FCMT180N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT199N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT199N60 SMD N channel transistors
FCMT199N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT250N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
FCMT250N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT299N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCMT360N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
FCMT360N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP067N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP099N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP099N60E THT N channel transistors
FCP099N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP104N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 111A
Gate charge: 82nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP104N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP110N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP110N65F THT N channel transistors
FCP110N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP11N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 52nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 52nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.71 грн |
3+ | 201.50 грн |
7+ | 166.45 грн |
18+ | 158.17 грн |
50+ | 157.25 грн |
250+ | 151.73 грн |
FCP11N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP11N60F THT N channel transistors
FCP11N60F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N60E THT N channel transistors
FCP125N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N65S3 THT N channel transistors
FCP125N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP125N65S3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
FCP125N65S3R0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP130N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP130N60 THT N channel transistors
FCP130N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP150N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP150N65F THT N channel transistors
FCP150N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP165N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP165N60E THT N channel transistors
FCP165N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP165N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP165N65S3 THT N channel transistors
FCP165N65S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP16N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP16N60 THT N channel transistors
FCP16N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP170N60 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP170N60 THT N channel transistors
FCP170N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N60E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N60E THT N channel transistors
FCP190N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FCP190N65F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FCP190N65F THT N channel transistors
FCP190N65F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.