| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
fds9945 | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS9958 | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDT1600N10ALZ | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 3.5A Power dissipation: 10.42W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDT3612 | ONSEMI |
FDT3612 SMD N channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT458P | ONSEMI |
FDT458P SMD P channel transistors |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDT86113LZ | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Polarisation: unipolar On-state resistance: 189mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 3.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV301N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Case: SOT23 On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV303N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Case: SOT23 On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28016 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -460mA Case: SOT23 On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDV305N | ONSEMI |
FDV305N SMD N channel transistors |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDY300NZ | ONSEMI |
FDY300NZ SMD N channel transistors |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH40120ADN-F085 | ONSEMI |
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH4065ADN-F155 | ONSEMI |
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 266 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB3040G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 753 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD3245G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 28W Gate charge: 6.7nC Collector current: 5A Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Collector-emitter voltage: 1.2kV Application: ignition systems Version: ESD Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 99nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 697 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FGY160T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY75T120SQDN | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 399nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1001M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator Technology: LVDS Supply voltage: 3.6V DC Mounting: SMD Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1002M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator Technology: LVDS Supply voltage: 3...3.6V DC Mounting: SMD Case: SOT23-5 Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJB102TM | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 8A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...20000 Polarisation: bipolar Case: D2PAK Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 516 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJI5603DTU | ONSEMI |
FJI5603DTU NPN THT transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJL6920TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 200W Collector-emitter voltage: 800V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 5.5...8.5 Collector current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13007H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 15...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI |
FJV992FMTF PNP SMD transistors |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FL7701MX | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 250mA Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Case: SO8 Mounting: SMD Integrated circuit features: digitally implemented active power factor correction function; linear dimming Maximum output current: 0.25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FMBA14 | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN x2 Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.7W Collector-emitter voltage: 30V Frequency: 1.25MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FNB41060 | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: Motion SPM® 45 Case: SPMAA-A26 Output current: 10A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Frequency: 20kHz Power dissipation: 32W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FNB41560 | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26 Operating temperature: -40...125°C Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Number of channels: 6 Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Output current: 15A Power dissipation: 34W Collector-emitter voltage: 600V Frequency: 20kHz Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: Motion SPM® 45 Case: SPMAA-A26 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD2711A | ONSEMI |
FOD2711A Optocouplers - digital output |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2711ASDV | ONSEMI |
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2741B | ONSEMI |
FOD2741B Optocouplers - analog output |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2741BSD | ONSEMI |
FOD2741BSD Optocouplers - analog output |
на замовлення 774 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FOD2742B | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 2.5kV; SOIC8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 2.5kV CTR@If: 100-200%@10mA Case: SOIC8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FOD2743B | ONSEMI |
FOD2743B Optocouplers - analog output |
на замовлення 796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FOD3120 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV Case: DIP8 Slew rate: 35kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 626 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD3120SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - digital outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: IGBT driver Insulation voltage: 5kV Case: Gull wing 8 Slew rate: 35kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 932 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD3150 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV Case: DIP8 Turn-on time: 60ns Turn-off time: 60ns Max. off-state voltage: 5V Output voltage: 0...35V Slew rate: 50kV/μs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD4108 | ONSEMI |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5kV; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4108; 10kV/μs; t(on): 60us Case: DIP6 Mounting: THT Type of optocoupler: optotriac Kind of output: triac Turn-off time: 52µs Turn-on time: 60µs Number of channels: 1 Insulation voltage: 5kV Slew rate: 10kV/μs Manufacturer series: FOD4108 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8012AR2 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - digital outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 15Mbps; SO8; 20kV/μs Case: SO8 Kind of output: logic Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Slew rate: 20kV/μs Transfer rate: 15Mbps кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD814 | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 20-300%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD814A | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 50-150%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD814A3SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 50-150%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: Gull wing 4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD814SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 20-300%@1mA Collector-emitter voltage: 70V Case: Gull wing 4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD814 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8173SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 80-160%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: Gull wing 4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817A | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 80-160%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817A300W | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 80-160%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 3µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817A3SD | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 80-160%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: Gull wing 4 Turn-on time: 4µs Turn-off time: 4µs Manufacturer series: FOD817 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817AS | ONSEMI |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; PDIP4 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5kV CTR@If: 80-160%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: PDIP4 Manufacturer series: FOD817 Max. off-state voltage: 6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.83 грн |
| 10+ | 39.00 грн |
| 25+ | 33.31 грн |
| 39+ | 28.50 грн |
| 100+ | 27.84 грн |
| 107+ | 26.99 грн |
| 500+ | 26.23 грн |
| FDS9958 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.12 грн |
| 10+ | 48.70 грн |
| 34+ | 33.12 грн |
| 93+ | 31.33 грн |
| 500+ | 30.67 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| FDT1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.25 грн |
| 10+ | 58.21 грн |
| 25+ | 47.28 грн |
| 34+ | 32.84 грн |
| 93+ | 31.05 грн |
| 250+ | 30.86 грн |
| 500+ | 29.82 грн |
| FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.46 грн |
| 41+ | 27.27 грн |
| 113+ | 25.76 грн |
| FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.11 грн |
| 38+ | 29.44 грн |
| 104+ | 27.84 грн |
| FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 189mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 5+ | 70.55 грн |
| 10+ | 60.11 грн |
| 50+ | 46.43 грн |
| 100+ | 41.90 грн |
| 250+ | 38.97 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Case: SOT23
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Case: SOT23
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 46+ | 6.47 грн |
| 57+ | 5.00 грн |
| 91+ | 3.11 грн |
| 108+ | 2.62 грн |
| 500+ | 1.99 грн |
| 1000+ | 1.83 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Case: SOT23
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Case: SOT23
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.24 грн |
| 29+ | 10.39 грн |
| 50+ | 7.04 грн |
| 100+ | 6.06 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 4.05 грн |
| 1500+ | 3.85 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.11 грн |
| 59+ | 5.00 грн |
| 74+ | 3.83 грн |
| 100+ | 3.49 грн |
| 500+ | 2.94 грн |
| 1000+ | 2.77 грн |
| 3000+ | 2.58 грн |
| FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.44 грн |
| 210+ | 5.28 грн |
| 576+ | 5.00 грн |
| FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.28 грн |
| 47+ | 23.68 грн |
| 130+ | 22.36 грн |
| FFSH40120ADN-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1505.08 грн |
| 3+ | 1422.98 грн |
| FFSH4065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1188.96 грн |
| 2+ | 705.83 грн |
| 5+ | 668.08 грн |
| FGA60N65SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 466.44 грн |
| 3+ | 427.24 грн |
| 10+ | 357.63 грн |
| 30+ | 286.86 грн |
| 120+ | 277.42 грн |
| FGB3040G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.68 грн |
| 10+ | 199.90 грн |
| 100+ | 179.29 грн |
| 250+ | 178.34 грн |
| FGB40T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.77 грн |
| 5+ | 357.67 грн |
| 10+ | 310.45 грн |
| 25+ | 263.27 грн |
| 100+ | 250.06 грн |
| FGD3245G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.08 грн |
| 5+ | 193.04 грн |
| 10+ | 166.08 грн |
| 25+ | 141.54 грн |
| 50+ | 126.45 грн |
| 100+ | 113.23 грн |
| 250+ | 112.29 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.64 грн |
| 10+ | 110.73 грн |
| 14+ | 79.26 грн |
| 39+ | 75.49 грн |
| 250+ | 71.72 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.22 грн |
| 3+ | 355.71 грн |
| 10+ | 292.52 грн |
| 30+ | 225.53 грн |
| 90+ | 213.26 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.98 грн |
| 3+ | 343.95 грн |
| 10+ | 291.58 грн |
| 30+ | 241.57 грн |
| 120+ | 226.47 грн |
| FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.45 грн |
| 10+ | 195.98 грн |
| 30+ | 169.85 грн |
| 120+ | 157.58 грн |
| 450+ | 156.64 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 771.30 грн |
| 10+ | 614.41 грн |
| 30+ | 535.03 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1177.78 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.61 грн |
| 3+ | 304.75 грн |
| 10+ | 259.50 грн |
| 30+ | 234.02 грн |
| 120+ | 217.03 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.46 грн |
| 10+ | 419.40 грн |
| 30+ | 319.89 грн |
| 120+ | 312.34 грн |
| FGY160T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1224.53 грн |
| 5+ | 1085.74 грн |
| 10+ | 976.65 грн |
| FGY75T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1029.42 грн |
| 2+ | 901.52 грн |
| 4+ | 820.95 грн |
| FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Technology: LVDS
Supply voltage: 3.6V DC
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Technology: LVDS
Supply voltage: 3.6V DC
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 10+ | 70.55 грн |
| 25+ | 61.34 грн |
| 50+ | 56.62 грн |
| FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Technology: LVDS
Supply voltage: 3...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Technology: LVDS
Supply voltage: 3...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.39 грн |
| 10+ | 56.64 грн |
| 25+ | 44.73 грн |
| 100+ | 34.06 грн |
| FJB102TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...20000
Polarisation: bipolar
Case: D2PAK
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 10+ | 82.41 грн |
| 21+ | 53.22 грн |
| 58+ | 50.29 грн |
| 250+ | 48.41 грн |
| FJI5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
FJI5603DTU NPN THT transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.24 грн |
| 12+ | 99.08 грн |
| 31+ | 93.42 грн |
| 1000+ | 93.09 грн |
| FJL6920TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Collector-emitter voltage: 800V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 5.5...8.5
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.85 грн |
| 5+ | 440.96 грн |
| 10+ | 367.07 грн |
| 25+ | 342.53 грн |
| FJP13007H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.85 грн |
| 10+ | 88.70 грн |
| 50+ | 84.93 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.00 грн |
| 10+ | 104.85 грн |
| 50+ | 93.42 грн |
| FJP13009TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.33 грн |
| 10+ | 77.41 грн |
| 50+ | 63.22 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 250+ | 57.56 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJV992FMTF PNP SMD transistors
FJV992FMTF PNP SMD transistors
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.34 грн |
| 296+ | 3.77 грн |
| 814+ | 3.56 грн |
| FL7701MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 250mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: digitally implemented active power factor correction function; linear dimming
Maximum output current: 0.25A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 250mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: digitally implemented active power factor correction function; linear dimming
Maximum output current: 0.25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 5+ | 90.15 грн |
| 15+ | 75.49 грн |
| 41+ | 70.77 грн |
| 500+ | 68.88 грн |
| FMBA14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.7W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 1.25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 4.27 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| FNB41060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 10A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Output current: 10A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1341.39 грн |
| 3+ | 1222.93 грн |
| FNB41560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Number of channels: 6
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Output current: 15A
Power dissipation: 34W
Collector-emitter voltage: 600V
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Number of channels: 6
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Output current: 15A
Power dissipation: 34W
Collector-emitter voltage: 600V
Frequency: 20kHz
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1417.61 грн |
| 3+ | 1234.69 грн |
| 12+ | 1061.57 грн |
| 24+ | 913.42 грн |
| FOD2711A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711A Optocouplers - digital output
FOD2711A Optocouplers - digital output
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 42+ | 26.61 грн |
| 116+ | 25.10 грн |
| 800+ | 25.09 грн |
| FOD2711ASDV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.68 грн |
| 41+ | 27.36 грн |
| 112+ | 25.86 грн |
| 500+ | 25.77 грн |
| FOD2741B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2741B Optocouplers - analog output
FOD2741B Optocouplers - analog output
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.75 грн |
| 32+ | 35.86 грн |
| 87+ | 33.97 грн |
| FOD2741BSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2741BSD Optocouplers - analog output
FOD2741BSD Optocouplers - analog output
на замовлення 774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 152.43 грн |
| 15+ | 78.32 грн |
| 40+ | 73.60 грн |
| FOD2742B | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 2.5kV; SOIC8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: SOIC8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 2.5kV; SOIC8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 2.5kV
CTR@If: 100-200%@10mA
Case: SOIC8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 10+ | 65.65 грн |
| 25+ | 61.34 грн |
| FOD2743B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2743B Optocouplers - analog output
FOD2743B Optocouplers - analog output
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.25 грн |
| 25+ | 46.24 грн |
| 67+ | 43.41 грн |
| FOD3120 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; 5kV; DIP8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.41 грн |
| 10+ | 114.65 грн |
| 25+ | 96.25 грн |
| 50+ | 88.70 грн |
| FOD3120SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: IGBT driver; 5kV; Gull wing 8; 35kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: IGBT driver
Insulation voltage: 5kV
Case: Gull wing 8
Slew rate: 35kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.97 грн |
| 5+ | 144.05 грн |
| 10+ | 126.45 грн |
| 100+ | 89.64 грн |
| 250+ | 74.55 грн |
| 500+ | 64.17 грн |
| 1000+ | 57.56 грн |
| FOD3150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
Slew rate: 50kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; DIP8; 50kV/μs
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
Case: DIP8
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 60ns
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: 0...35V
Slew rate: 50kV/μs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 5+ | 93.09 грн |
| 15+ | 76.46 грн |
| 40+ | 72.29 грн |
| 250+ | 69.83 грн |
| FOD4108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4108; 10kV/μs; t(on): 60us
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: triac
Turn-off time: 52µs
Turn-on time: 60µs
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5kV
Slew rate: 10kV/μs
Manufacturer series: FOD4108
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5kV; triac; DIP6; Ch: 1; FOD4108; 10kV/μs; t(on): 60us
Case: DIP6
Mounting: THT
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: triac
Turn-off time: 52µs
Turn-on time: 60µs
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5kV
Slew rate: 10kV/μs
Manufacturer series: FOD4108
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.23 грн |
| 6+ | 209.70 грн |
| 10+ | 183.06 грн |
| FOD8012AR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 15Mbps; SO8; 20kV/μs
Case: SO8
Kind of output: logic
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 20kV/μs
Transfer rate: 15Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: logic; 15Mbps; SO8; 20kV/μs
Case: SO8
Kind of output: logic
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 20kV/μs
Transfer rate: 15Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.73 грн |
| 4+ | 372.37 грн |
| 9+ | 338.76 грн |
| 25+ | 325.55 грн |
| FOD814 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.63 грн |
| 12+ | 24.89 грн |
| 25+ | 21.42 грн |
| 50+ | 19.72 грн |
| 100+ | 18.02 грн |
| 500+ | 17.36 грн |
| FOD814A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.57 грн |
| 11+ | 26.95 грн |
| 25+ | 22.46 грн |
| 100+ | 17.83 грн |
| 500+ | 17.27 грн |
| FOD814A3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 50-150%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.68 грн |
| 11+ | 27.63 грн |
| 50+ | 23.97 грн |
| FOD814SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 20-300%@1mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD814
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.75 грн |
| 8+ | 39.98 грн |
| 10+ | 34.44 грн |
| 20+ | 29.63 грн |
| 50+ | 26.04 грн |
| FOD8173SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.50 грн |
| 15+ | 20.19 грн |
| 100+ | 14.53 грн |
| 500+ | 11.80 грн |
| 1000+ | 11.32 грн |
| FOD817A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.49 грн |
| 14+ | 21.17 грн |
| 50+ | 15.95 грн |
| 100+ | 14.25 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 10.66 грн |
| FOD817A300W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; DIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 3µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 11+ | 26.95 грн |
| 16+ | 18.31 грн |
| 100+ | 16.99 грн |
| FOD817A3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 4
Turn-on time: 4µs
Turn-off time: 4µs
Manufacturer series: FOD817
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.55 грн |
| 13+ | 23.71 грн |
| 100+ | 16.14 грн |
| 500+ | 12.74 грн |
| FOD817AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; PDIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: PDIP4
Manufacturer series: FOD817
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; PDIP4
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 80-160%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: PDIP4
Manufacturer series: FOD817
Max. off-state voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 16+ | 19.50 грн |
| 100+ | 14.91 грн |
| 500+ | 12.27 грн |
| 1000+ | 11.23 грн |
| 2000+ | 11.13 грн |



































