Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142455) > Сторінка 1736 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1731 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.28 грн
22+13.91 грн
25+11.61 грн
100+6.63 грн
246+4.51 грн
676+4.27 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G ESD9R3.3ST5G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.66 грн
11+28.22 грн
50+22.08 грн
58+19.44 грн
157+18.40 грн
500+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.13 грн
56+5.29 грн
80+3.55 грн
100+3.02 грн
250+2.45 грн
500+2.10 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983137D4D3C259&compId=FAN3100C.pdf?ci_sign=1c2ddb726a17f1fff493c707bf6fb25e9becc375 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...2.5A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.31 грн
10+59.77 грн
25+49.54 грн
100+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Output current: -2.5...1.8A
Case: MLP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.09 грн
10+80.74 грн
25+67.09 грн
50+60.30 грн
100+54.45 грн
250+47.94 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.47 грн
10+72.02 грн
25+59.92 грн
100+47.28 грн
250+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.91 грн
10+71.63 грн
25+57.37 грн
100+44.73 грн
250+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.57 грн
10+61.34 грн
25+48.03 грн
100+35.95 грн
200+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.22 грн
5+127.39 грн
25+111.35 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.38 грн
10+90.15 грн
25+72.66 грн
50+64.17 грн
100+57.56 грн
250+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4MHz; 2.3÷5.25V; Ch: 1; SOT23-5; 5pA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: SOT23-5
Slew rate: 3V/μs
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 5pA
Operating voltage: 2.3...5.25V
Input offset voltage: 6mV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
7+45.86 грн
10+39.16 грн
25+33.69 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC; 30mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Interface: SWD
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.46 грн
10+57.32 грн
25+46.61 грн
36+31.23 грн
98+29.54 грн
500+28.97 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983D0C4A232259&compId=FAN7380.pdf?ci_sign=56651788b67f198912e28b21cd05c52ccdadc17b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Pulse fall time: 90ns
Impulse rise time: 230ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+91.13 грн
25+72.66 грн
100+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.53 грн
10+96.03 грн
25+77.38 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983F2D23BDC259&compId=FAN73832.pdf?ci_sign=eb14b56d5f0b40de83c56d7163270043f8613286 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.57 грн
5+84.27 грн
25+72.66 грн
100+65.11 грн
500+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+485.75 грн
10+363.55 грн
25+339.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+435.95 грн
3+388.05 грн
10+320.83 грн
25+277.42 грн
50+249.12 грн
100+226.47 грн
500+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+289.62 грн
10+197.94 грн
25+169.85 грн
100+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.61 грн
10+106.81 грн
100+70.77 грн
250+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.12 грн
5+114.65 грн
10+100.02 грн
25+85.87 грн
100+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.71 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.20 грн
3+408.62 грн
30+387.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+937.96 грн
10+800.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.62 грн
3+318.47 грн
10+278.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+175.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+442.05 грн
3+390.99 грн
10+314.23 грн
50+258.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89359B44FBE469&compId=FCPF400N80Z.pdf?ci_sign=616bae57e21bc9e296fd16ba527a37af3aefdcee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.13 грн
5+210.68 грн
10+185.89 грн
11+110.40 грн
28+104.74 грн
2000+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf FDA032N08 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.61 грн
5+245.34 грн
13+232.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.86 грн
10+231.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.54 грн
25+280.26 грн
30+264.21 грн
120+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+378.03 грн
10+291.03 грн
30+242.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+415.63 грн
5+236.16 грн
14+215.15 грн
30+211.37 грн
510+206.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.59 грн
5+276.48 грн
12+261.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.15 грн
4+340.65 грн
9+322.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.16 грн
10+321.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.07 грн
5+120.53 грн
10+114.18 грн
27+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.93 грн
10+224.40 грн
25+193.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.94 грн
6+221.75 грн
14+209.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.66 грн
11+110.40 грн
28+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E07DCBCD80CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB2710.pdf?ci_sign=ca5245948bc34993c3d703c1f2d991429dc58c72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 36.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 260W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+395.30 грн
5+275.36 грн
12+250.06 грн
100+242.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.37 грн
10+101.91 грн
20+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
Power dissipation: 235W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.34 грн
5+172.46 грн
10+116.07 грн
27+109.46 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.40 грн
5+164.63 грн
10+138.71 грн
25+115.12 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.10 грн
5+171.48 грн
9+132.11 грн
23+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+315.02 грн
7+176.46 грн
18+167.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.09 грн
10+46.45 грн
100+31.05 грн
500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 976mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
10+41.84 грн
100+26.70 грн
250+22.74 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.63 грн
10+34.49 грн
50+27.55 грн
100+25.01 грн
250+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.87 грн
59+19.06 грн
161+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.96 грн
10+39.88 грн
50+29.44 грн
100+26.52 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.84 грн
10+38.51 грн
100+24.35 грн
250+20.76 грн
500+18.59 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.17 грн
6+49.58 грн
10+44.07 грн
50+37.18 грн
100+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
10+29.69 грн
50+23.87 грн
100+21.99 грн
250+19.82 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.75 грн
10+32.83 грн
100+21.99 грн
200+19.72 грн
250+19.06 грн
500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
11+28.03 грн
50+20.00 грн
100+17.36 грн
500+12.08 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Gate charge: 2.3nC
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.84 грн
10+36.84 грн
50+23.87 грн
100+20.10 грн
250+16.23 грн
500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688951430750745&compId=ESD9L5.0ST5G.PDF?ci_sign=0bb65ff49ba4e4569b3466dbe83fcf59f28cd37c
ESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5.4V; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.28 грн
22+13.91 грн
25+11.61 грн
100+6.63 грн
246+4.51 грн
676+4.27 грн
5000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAAB4DB9A3C7E27&compId=ESD9R3.3ST5G-DTE.PDF?ci_sign=92b556fbe3efc2c533d83a05adbd46efca29e1a9
ESD9R3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 4.8V; 1A; unidirectional; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: unidirectional
Version: ESD
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.66 грн
11+28.22 грн
50+22.08 грн
58+19.44 грн
157+18.40 грн
500+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Case: SOD923
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.13 грн
56+5.29 грн
80+3.55 грн
100+3.02 грн
250+2.45 грн
500+2.10 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983137D4D3C259&compId=FAN3100C.pdf?ci_sign=1c2ddb726a17f1fff493c707bf6fb25e9becc375
FAN3100CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.8...2.5A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.31 грн
10+59.77 грн
25+49.54 грн
100+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Output current: -2.5...1.8A
Case: MLP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
Supply voltage: 4.5...18V DC
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Kind of output: non-inverting
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.09 грн
10+80.74 грн
25+67.09 грн
50+60.30 грн
100+54.45 грн
250+47.94 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1.8A
Impulse rise time: 20ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 14ns
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.47 грн
10+72.02 грн
25+59.92 грн
100+47.28 грн
250+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73
FAN3111CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.91 грн
10+71.63 грн
25+57.37 грн
100+44.73 грн
250+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF98333969136259&compId=FAN3111C.pdf?ci_sign=ba012764c95bb486a03091c8fa754924b9240b73
FAN3111ESX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Case: SOT23-5
Technology: MillerDrive™
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.9...1.1A
Impulse rise time: 18ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Type of integrated circuit: driver
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.57 грн
10+61.34 грн
25+48.03 грн
100+35.95 грн
200+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX fan3223-d.pdf fan3223-f085-d.pdf
FAN3224CMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.22 грн
5+127.39 грн
25+111.35 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Technology: MillerDrive™
Case: SO8
Output current: -4.3...2.8A
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 17ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.38 грн
10+90.15 грн
25+72.66 грн
50+64.17 грн
100+57.56 грн
250+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FAN4174IS5X
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 4MHz; 2.3÷5.25V; Ch: 1; SOT23-5; 5pA
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 4MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: SOT23-5
Slew rate: 3V/μs
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 5pA
Operating voltage: 2.3...5.25V
Input offset voltage: 6mV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
7+45.86 грн
10+39.16 грн
25+33.69 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC; 30mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSOT23-6
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Interface: SWD
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.46 грн
10+57.32 грн
25+46.61 грн
36+31.23 грн
98+29.54 грн
500+28.97 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983D0C4A232259&compId=FAN7380.pdf?ci_sign=56651788b67f198912e28b21cd05c52ccdadc17b
FAN7380MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Pulse fall time: 90ns
Impulse rise time: 230ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+91.13 грн
25+72.66 грн
100+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 140ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.53 грн
10+96.03 грн
25+77.38 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BF983F2D23BDC259&compId=FAN73832.pdf?ci_sign=eb14b56d5f0b40de83c56d7163270043f8613286
FAN73832MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Pulse fall time: 80ns
Impulse rise time: 100ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.57 грн
5+84.27 грн
25+72.66 грн
100+65.11 грн
500+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.75 грн
10+363.55 грн
25+339.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.95 грн
3+388.05 грн
10+320.83 грн
25+277.42 грн
50+249.12 грн
100+226.47 грн
500+220.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.62 грн
10+197.94 грн
25+169.85 грн
100+156.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.61 грн
10+106.81 грн
100+70.77 грн
250+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.12 грн
5+114.65 грн
10+100.02 грн
25+85.87 грн
100+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.71 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.20 грн
3+408.62 грн
30+387.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.96 грн
10+800.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
3+233.22 грн
10+190.61 грн
50+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.62 грн
3+318.47 грн
10+278.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.79 грн
10+138.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.17 грн
10+206.76 грн
50+175.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.05 грн
3+390.99 грн
10+314.23 грн
50+258.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89359B44FBE469&compId=FCPF400N80Z.pdf?ci_sign=616bae57e21bc9e296fd16ba527a37af3aefdcee
FCPF400N80Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.9A; 35.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.13 грн
5+210.68 грн
10+185.89 грн
11+110.40 грн
28+104.74 грн
2000+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA032N08 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.61 грн
5+245.34 грн
13+232.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.86 грн
10+231.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.54 грн
25+280.26 грн
30+264.21 грн
120+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.03 грн
10+291.03 грн
30+242.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FAIRS47594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.63 грн
5+236.16 грн
14+215.15 грн
30+211.37 грн
510+206.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.59 грн
5+276.48 грн
12+261.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.15 грн
4+340.65 грн
9+322.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.16 грн
10+321.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.07 грн
5+120.53 грн
10+114.18 грн
27+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8940D3F3490469&compId=FDB15N50.pdf?ci_sign=a49bd96e5438f9c41de0d83370be6edddce8620a
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.93 грн
10+224.40 грн
25+193.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+309.94 грн
6+221.75 грн
14+209.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.66 грн
11+110.40 грн
28+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E07DCBCD80CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB2710.pdf?ci_sign=ca5245948bc34993c3d703c1f2d991429dc58c72
FDB2710
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 101nC
On-state resistance: 36.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 260W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.30 грн
5+275.36 грн
12+250.06 грн
100+242.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.37 грн
10+101.91 грн
20+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDFEF6AA19E28&compId=FDB33N25.pdf?ci_sign=d65b6cd613543e4b3c73aaeff4e0162488d4ffa4
FDB33N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
Power dissipation: 235W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.34 грн
5+172.46 грн
10+116.07 грн
27+109.46 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.40 грн
5+164.63 грн
10+138.71 грн
25+115.12 грн
100+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8
FDB52N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.10 грн
5+171.48 грн
9+132.11 грн
23+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.02 грн
7+176.46 грн
18+167.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDF324D945BE28&compId=FDC2612.pdf?ci_sign=b08958927efbbe59602a02ad513f2cee528da82d
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.09 грн
10+46.45 грн
100+31.05 грн
500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 976mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
10+41.84 грн
100+26.70 грн
250+22.74 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.63 грн
10+34.49 грн
50+27.55 грн
100+25.01 грн
250+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.87 грн
59+19.06 грн
161+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.96 грн
10+39.88 грн
50+29.44 грн
100+26.52 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.84 грн
10+38.51 грн
100+24.35 грн
250+20.76 грн
500+18.59 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.17 грн
6+49.58 грн
10+44.07 грн
50+37.18 грн
100+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121
FDC608PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.65 грн
10+29.69 грн
50+23.87 грн
100+21.99 грн
250+19.82 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.75 грн
10+32.83 грн
100+21.99 грн
200+19.72 грн
250+19.06 грн
500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
11+28.03 грн
50+20.00 грн
100+17.36 грн
500+12.08 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Gate charge: 2.3nC
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.84 грн
10+36.84 грн
50+23.87 грн
100+20.10 грн
250+16.23 грн
500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1731 1732 1733 1734 1735 1736 1737 1738 1739 1740 1741 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]