Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDC3601N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 976mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDC3612 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC5614P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC5661N | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC5661N-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC602P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC604P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDC606P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -6A On-state resistance: 53mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDC608PZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3017 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDC610PZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6 On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6303N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC6305N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A On-state resistance: 128mΩ Gate charge: 5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6310P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A On-state resistance: 184mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC6312P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6318P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDC6320C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.22/-0.12A On-state resistance: 9/10Ω Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDC6321C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.68/-0.46A On-state resistance: 720/1220mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6323L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Control voltage: 1.5...8V DC Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Supply voltage: 3...8V DC Output current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC6324L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 1.5A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Supply voltage: 3...20V DC Kind of integrated circuit: high-side Kind of package: reel; tape Control voltage: 1.5...8V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDC6326L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Control voltage: 2.5...8V DC Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Supply voltage: 3...20V DC On-state resistance: 0.125Ω Output current: 1.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDC6327C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.7/-1.9A On-state resistance: 0.13/0.27Ω Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6329L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Control voltage: 1.5...8V DC Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Supply voltage: 2.5...8V DC On-state resistance: 0.105Ω Output current: 2.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC6330L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 2.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.125Ω Supply voltage: 3...20V DC Kind of integrated circuit: high-side Kind of package: reel; tape Control voltage: 1.5...8V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6331L | ONSEMI |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 2.8A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 0.1Ω Supply voltage: -8...8V DC Kind of integrated circuit: high-side Kind of package: reel; tape Control voltage: -0.5...8V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6333C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.6/5.7nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16/±25V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.5/-2A On-state resistance: 150/220mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC634P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC637AN | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC637BNZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC638APZ | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FDC638P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDC6401N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A On-state resistance: 106mΩ Gate charge: 4.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDC640P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDC6420C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.2A Power dissipation: 0.9W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70/125mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDC642P | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC645N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC653N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC654P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC655BN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC6561AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC658AP | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC658P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDC855N | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC8601 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC8602 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC86244 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC8878 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDC8886 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD10AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD10N20LZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD120AN15A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD13AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 115W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2658 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD13AN06A0-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD14AN06LA0-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD1600N10ALZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD16AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD18N20LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD2582 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD2670 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDC3601N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.42 грн |
50+ | 21.47 грн |
138+ | 20.27 грн |
FDC5661N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC5661N SMD N channel transistors
FDC5661N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC5661N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
FDC5661N-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC602P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
FDC602P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC604P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.37 грн |
55+ | 19.63 грн |
151+ | 18.62 грн |
FDC606P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.87 грн |
10+ | 61.35 грн |
28+ | 39.36 грн |
76+ | 37.25 грн |
500+ | 35.78 грн |
FDC608PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.69 грн |
56+ | 19.36 грн |
153+ | 18.35 грн |
FDC610PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
10+ | 29.82 грн |
57+ | 19.45 грн |
155+ | 18.44 грн |
250+ | 18.26 грн |
500+ | 17.80 грн |
FDC6301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 296.39 грн |
10+ | 30.58 грн |
50+ | 21.01 грн |
89+ | 12.20 грн |
244+ | 11.47 грн |
1000+ | 11.01 грн |
FDC6303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.27 грн |
10+ | 40.77 грн |
49+ | 22.48 грн |
133+ | 21.19 грн |
3000+ | 20.46 грн |
FDC6310P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.2A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 184mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6312P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
10+ | 50.30 грн |
48+ | 22.57 грн |
132+ | 21.38 грн |
FDC6318P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 60.59 грн |
25+ | 50.55 грн |
29+ | 37.61 грн |
79+ | 35.50 грн |
250+ | 34.68 грн |
500+ | 34.22 грн |
FDC6320C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.22/-0.12A
On-state resistance: 9/10Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.22/-0.12A
On-state resistance: 9/10Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
On-state resistance: 720/1220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 35.63 грн |
25+ | 30.46 грн |
47+ | 23.30 грн |
128+ | 22.11 грн |
250+ | 22.02 грн |
500+ | 21.19 грн |
FDC6323L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...8V DC
Output current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...8V DC
Output current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6324L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.84 грн |
10+ | 56.49 грн |
25+ | 44.95 грн |
39+ | 27.80 грн |
107+ | 26.33 грн |
FDC6326L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 2.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Output current: 1.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 2.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Output current: 1.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6327C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 52.21 грн |
50+ | 40.00 грн |
59+ | 18.44 грн |
162+ | 17.43 грн |
FDC6329L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 2.5...8V DC
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 2.5...8V DC
On-state resistance: 0.105Ω
Output current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6330L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.87 грн |
10+ | 55.35 грн |
25+ | 44.22 грн |
39+ | 27.80 грн |
108+ | 26.24 грн |
FDC6331L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: -8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: -8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 60.78 грн |
25+ | 47.89 грн |
38+ | 28.90 грн |
104+ | 27.34 грн |
FDC6333C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/5.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16/±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
On-state resistance: 150/220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/5.7nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16/±25V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
On-state resistance: 150/220mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 42.87 грн |
50+ | 32.38 грн |
59+ | 18.26 грн |
163+ | 17.34 грн |
1500+ | 16.79 грн |
3000+ | 16.60 грн |
FDC634P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC637AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
10+ | 52.40 грн |
33+ | 33.67 грн |
89+ | 31.83 грн |
500+ | 30.92 грн |
FDC637BNZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC638APZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC638P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
11+ | 28.39 грн |
50+ | 24.31 грн |
52+ | 21.10 грн |
141+ | 20.00 грн |
500+ | 19.91 грн |
1000+ | 19.17 грн |
FDC6401N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
On-state resistance: 106mΩ
Gate charge: 4.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 49.92 грн |
40+ | 27.34 грн |
109+ | 25.87 грн |
500+ | 25.50 грн |
1000+ | 24.86 грн |
FDC640P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC640P SMD P channel transistors
FDC640P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6420C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 50.11 грн |
44+ | 24.95 грн |
120+ | 23.58 грн |
1000+ | 22.66 грн |
FDC642P |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC642P SMD P channel transistors
FDC642P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC645N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.72 грн |
41+ | 26.24 грн |
113+ | 24.77 грн |
FDC653N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC653N SMD N channel transistors
FDC653N SMD N channel transistors
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.32 грн |
41+ | 26.33 грн |
113+ | 24.95 грн |
FDC654P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC654P SMD P channel transistors
FDC654P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC655BN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC655BN SMD N channel transistors
FDC655BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC6561AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC6561AN Multi channel transistors
FDC6561AN Multi channel transistors
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.60 грн |
50+ | 21.65 грн |
137+ | 20.46 грн |
FDC658AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC658AP SMD P channel transistors
FDC658AP SMD P channel transistors
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.36 грн |
49+ | 22.29 грн |
133+ | 21.01 грн |
FDC658P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC658P SMD P channel transistors
FDC658P SMD P channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
47+ | 23.12 грн |
128+ | 21.83 грн |
3000+ | 21.82 грн |
FDC855N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC855N SMD N channel transistors
FDC855N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC8601 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC8601 SMD N channel transistors
FDC8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC8602 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC8602 Multi channel transistors
FDC8602 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC86244 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC86244 SMD N channel transistors
FDC86244 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC8878 SMD N channel transistors
FDC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC8886 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDC8886 SMD N channel transistors
FDC8886 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD10AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.28 грн |
5+ | 126.71 грн |
10+ | 111.92 грн |
27+ | 105.50 грн |
500+ | 100.91 грн |
FDD10N20LZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
FDD10N20LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD120AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.10 грн |
27+ | 40.27 грн |
74+ | 38.07 грн |
FDD13AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.47 грн |
10+ | 114.32 грн |
12+ | 96.33 грн |
31+ | 91.74 грн |
250+ | 88.07 грн |
FDD13AN06A0-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
FDD13AN06A0-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD14AN06LA0-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD14AN06LA0-F085 SMD N channel transistors
FDD14AN06LA0-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD1600N10ALZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
FDD1600N10ALZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.23 грн |
11+ | 98.16 грн |
31+ | 92.66 грн |
FDD18N20LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD18N20LZ SMD N channel transistors
FDD18N20LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD2572 SMD N channel transistors
FDD2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
11+ | 104.58 грн |
29+ | 99.08 грн |