Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142640) > Сторінка 1745 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.01 грн
5+79.81 грн
10+68.22 грн
50+43.77 грн
100+35.91 грн
500+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
5+88.88 грн
10+74.82 грн
50+54.44 грн
100+47.74 грн
250+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.01 грн
87+13.20 грн
239+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf FDG6304P Multi channel transistors
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.37 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
10+42.22 грн
50+31.64 грн
100+28.14 грн
250+23.87 грн
500+20.96 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A ONSEMI fdh055n15a-d.pdf FDH055N15A THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+568.51 грн
3+460.95 грн
7+435.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300A-ONS THT universal diodes
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.93 грн
381+3.01 грн
1046+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDH300ATR THT universal diodes
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.69 грн
447+2.56 грн
1229+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 FDH333 ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.63 грн
33+9.37 грн
100+6.40 грн
250+5.57 грн
500+5.02 грн
1000+4.50 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 FDH44N50 ONSEMI FDH44N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+670.93 грн
5+580.46 грн
10+524.02 грн
30+486.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI fdh45n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.62 грн
5+426.27 грн
10+366.82 грн
30+363.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDL100N50F FDL100N50F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1423.37 грн
25+1240.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDLL300A SMD universal diodes
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+10.89 грн
302+3.80 грн
829+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 ONSEMI fdll3595-d.pdf FDLL3595 SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.63 грн
335+3.42 грн
921+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.36 грн
70+4.33 грн
77+3.81 грн
103+2.85 грн
122+2.40 грн
500+1.61 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4448 ONSEMI 1n914-d.pdf FDLL4448 SMD universal diodes
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+8.96 грн
777+1.48 грн
2139+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ ONSEMI fdma1032cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
11+29.63 грн
100+25.23 грн
500+22.61 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ ONSEMI fdma530pz-d.pdf FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.18 грн
27+42.60 грн
74+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZT ONSEMI fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.19 грн
31+37.36 грн
85+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ FDMC4435BZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.28 грн
5+80.22 грн
10+69.00 грн
25+58.61 грн
100+46.00 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 FDMC7660 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 FDMC7692 ONSEMI fdmc7692-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.06 грн
10+56.33 грн
50+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.44 грн
20+59.20 грн
54+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S FDMS3660S ONSEMI fdms3660s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.63 грн
10+116.90 грн
25+107.72 грн
100+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.64 грн
5+91.70 грн
10+81.51 грн
25+72.78 грн
100+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.01 грн
10+67.52 грн
100+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
6+56.43 грн
25+48.52 грн
100+43.67 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P FDMS86163P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.22 грн
10+193.49 грн
25+165.94 грн
100+143.62 грн
250+133.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI fdms86252l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.15 грн
5+163.25 грн
10+136.83 грн
100+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L ONSEMI fdms86520l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.57 грн
5+139.07 грн
10+119.36 грн
25+101.89 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 ONSEMI fdn028n20-d.pdf FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.40 грн
62+18.53 грн
170+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P ONSEMI FDN302P-D.PDF FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.55 грн
79+14.46 грн
218+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P FDN304P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.71 грн
12+27.41 грн
50+18.34 грн
100+15.91 грн
250+13.29 грн
500+11.84 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.61 грн
10+44.24 грн
50+30.28 грн
100+26.10 грн
250+21.74 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
13+23.28 грн
50+16.79 грн
100+14.65 грн
250+12.32 грн
500+11.16 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N ONSEMI fdn327n-d.pdf FDN327N SMD N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.85 грн
85+13.49 грн
233+12.81 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.70 грн
73+15.91 грн
198+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P ONSEMI fdn336p-d.pdf FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.51 грн
72+16.01 грн
197+15.14 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N ONSEMI fdn337n-d.pdf FDN337N SMD N channel transistors
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+31.04 грн
190+6.02 грн
520+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P FDN338P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.85 грн
10+33.05 грн
50+23.10 грн
100+19.99 грн
250+16.59 грн
500+14.56 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+32.65 грн
50+24.07 грн
100+21.45 грн
250+18.34 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P FDN340P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
16+20.05 грн
25+15.72 грн
50+13.59 грн
100+12.03 грн
250+10.48 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.74 грн
84+13.78 грн
230+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
12+25.80 грн
13+22.61 грн
50+20.18 грн
100+19.21 грн
250+17.37 грн
500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.88 грн
67+17.08 грн
185+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.98 грн
10+33.96 грн
50+24.65 грн
100+21.74 грн
500+16.21 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.98 грн
8+37.89 грн
10+32.31 грн
50+22.80 грн
100+19.51 грн
500+13.97 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.72 грн
40+28.82 грн
110+27.27 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 ONSEMI fdn5630-d.pdf FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.44 грн
85+13.59 грн
232+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.53 грн
41+28.04 грн
113+26.59 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+309.34 грн
3+268.06 грн
10+228.05 грн
50+204.76 грн
250+203.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+303.07 грн
10+221.70 грн
50+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.26 грн
7+167.88 грн
19+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.02 грн
10+262.01 грн
50+223.19 грн
100+199.90 грн
250+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.89 грн
5+336.58 грн
10+284.33 грн
50+266.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+250.81 грн
3+201.55 грн
10+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDP2532 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
6+217.37 грн
15+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.87 грн
4+294.03 грн
11+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.89 грн
11+111.60 грн
29+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.01 грн
5+79.81 грн
10+68.22 грн
50+43.77 грн
100+35.91 грн
500+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECEA292F17CBE28&compId=FDD%2CFDU8896.pdf?ci_sign=e5d32e9da7e23b5cc474f425424b98e6ad294062
FDD8896
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
5+88.88 грн
10+74.82 грн
50+54.44 грн
100+47.74 грн
250+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.01 грн
87+13.20 грн
239+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.37 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06
FDG6335N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
10+42.22 грн
50+31.64 грн
100+28.14 грн
250+23.87 грн
500+20.96 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A fdh055n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDH055N15A THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.51 грн
3+460.95 грн
7+435.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDH300A-ONS THT universal diodes
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.93 грн
381+3.01 грн
1046+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDH300ATR THT universal diodes
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.69 грн
447+2.56 грн
1229+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDH333
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; bulk; Ifsm: 1A; DO35; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 0.5µA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 0.6A
Capacitance: 6pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.63 грн
33+9.37 грн
100+6.40 грн
250+5.57 грн
500+5.02 грн
1000+4.50 грн
5000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 FDH44N50.pdf
FDH44N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.93 грн
5+580.46 грн
10+524.02 грн
30+486.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 fdh45n50f-d.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.62 грн
5+426.27 грн
10+366.82 грн
30+363.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDL100N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2A0648539E28&compId=FDL100N50F.pdf?ci_sign=e15a30c5b9381050fdc1b844e6f4baecd1f27c0b
FDL100N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 2.5kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1423.37 грн
25+1240.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDLL300A SMD universal diodes
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.89 грн
302+3.80 грн
829+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL3595 fdll3595-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDLL3595 SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.63 грн
335+3.42 грн
921+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 1N91x_1N4x48.PDF
FDLL4148
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.36 грн
70+4.33 грн
77+3.81 грн
103+2.85 грн
122+2.40 грн
500+1.61 грн
1000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4448 1n914-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDLL4448 SMD universal diodes
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.96 грн
777+1.48 грн
2139+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ fdma1032cz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
11+29.63 грн
100+25.23 грн
500+22.61 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZ fdma530pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.18 грн
27+42.60 грн
74+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZT fdma6023pzt-d.pdf FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.19 грн
31+37.36 грн
85+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF488B6BEB5E28&compId=FDMC4435BZ.pdf?ci_sign=66fb5574c0fda6b71c527f5b1fbafbb764fb341a
FDMC4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.28 грн
5+80.22 грн
10+69.00 грн
25+58.61 грн
100+46.00 грн
500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF4D36B10D5E28&compId=FDMC7660.pdf?ci_sign=a3f8e3c0e8cc9f77dae828e356702cd2412e3b82
FDMC7660
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.06 грн
10+56.33 грн
50+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
20+59.20 грн
54+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3660S fdms3660s-d.pdf
FDMS3660S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.63 грн
10+116.90 грн
25+107.72 грн
100+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S fdms3664s-d.pdf
FDMS3664S
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.64 грн
5+91.70 грн
10+81.51 грн
25+72.78 грн
100+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.01 грн
10+67.52 грн
100+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
6+56.43 грн
25+48.52 грн
100+43.67 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF788543BD1E28&compId=FDMS86163P.pdf?ci_sign=cf3787e1946a3c7f3117236d90a94ba8bc3e7e97
FDMS86163P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 36mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 104W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.22 грн
10+193.49 грн
25+165.94 грн
100+143.62 грн
250+133.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L fdms86252l-d.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.15 грн
5+163.25 грн
10+136.83 грн
100+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86520L fdms86520l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.57 грн
5+139.07 грн
10+119.36 грн
25+101.89 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20 fdn028n20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.40 грн
62+18.53 грн
170+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P FDN302P-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.55 грн
79+14.46 грн
218+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E43BF7AAA95EA&compId=FDN304P.pdf?ci_sign=10a595ecf2c09516bc84c8a362e6a479130ccd43
FDN304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.71 грн
12+27.41 грн
50+18.34 грн
100+15.91 грн
250+13.29 грн
500+11.84 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8282E7B85E28&compId=FDN304PZ.pdf?ci_sign=45aa981ab3dabd156020d9713f675f0c2170746e
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.61 грн
10+44.24 грн
50+30.28 грн
100+26.10 грн
250+21.74 грн
500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E4B33FE5D35EA&compId=FDN306P.pdf?ci_sign=26eedbb7a4dcd74ee32ee68829452848d1ab9f85
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
13+23.28 грн
50+16.79 грн
100+14.65 грн
250+12.32 грн
500+11.16 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N fdn327n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN327N SMD N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
85+13.49 грн
233+12.81 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.70 грн
73+15.91 грн
198+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P fdn336p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.51 грн
72+16.01 грн
197+15.14 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN337N SMD N channel transistors
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
190+6.02 грн
520+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF8C4E96E0DE28&compId=FDN338P.pdf?ci_sign=bb457ed12eae984270616f2c470fdc17c0c2a9cf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
10+33.05 грн
50+23.10 грн
100+19.99 грн
250+16.59 грн
500+14.56 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D2CB46652DE27&compId=FDN339AN-DTE.pdf?ci_sign=f5d832f4a40e72ad20afc888fbfd2c2e4f73c350
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+32.65 грн
50+24.07 грн
100+21.45 грн
250+18.34 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BDB12564E13440C4&compId=FDN340P.pdf?ci_sign=837bebb062c1067f868956117920b37c4697bddb
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
16+20.05 грн
25+15.72 грн
50+13.59 грн
100+12.03 грн
250+10.48 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.74 грн
84+13.78 грн
230+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
12+25.80 грн
13+22.61 грн
50+20.18 грн
100+19.21 грн
250+17.37 грн
500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.88 грн
67+17.08 грн
185+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f
FDN359AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
10+33.96 грн
50+24.65 грн
100+21.74 грн
500+16.21 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED680C11C02328CF1BF&compId=FDN360P.pdf?ci_sign=65916941ad2fbf9bcb45a21d17f0bdfd64119574
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
8+37.89 грн
10+32.31 грн
50+22.80 грн
100+19.51 грн
500+13.97 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N fdn537n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.72 грн
40+28.82 грн
110+27.27 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 fdn5630-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.44 грн
85+13.59 грн
232+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.53 грн
41+28.04 грн
113+26.59 грн
1000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.34 грн
3+268.06 грн
10+228.05 грн
50+204.76 грн
250+203.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.07 грн
10+221.70 грн
50+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.26 грн
7+167.88 грн
19+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP075N15A-F102 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780826848070A6259&compId=FDP075N15A-F102.pdf?ci_sign=9e1a841a590a184f17491d5da0fd011fb1b831c2
FDP075N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 92A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 333W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.02 грн
10+262.01 грн
50+223.19 грн
100+199.90 грн
250+193.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.89 грн
5+336.58 грн
10+284.33 грн
50+266.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.81 грн
3+201.55 грн
10+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP22N50N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE91A81D4CFE259&compId=FDP22N50N.pdf?ci_sign=d78cca91e5c318fcd01fc984ce6f1c626cac85a7
FDP22N50N
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.41 грн
6+217.37 грн
15+205.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2614 fdp2614-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.87 грн
4+294.03 грн
11+277.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.89 грн
11+111.60 грн
29+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]