Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147489) > Сторінка 1744 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.65 грн
3+378.70 грн
9+344.26 грн
500+335.91 грн
800+332.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 ONSEMI fcb099n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Drain current: 30A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F ONSEMI fcb110n65f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM ONSEMI fcb11n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 ONSEMI fcb125n65s3-d.pdf FCB125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 ONSEMI fcb199n65s3-d.pdf FCB199N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+370.74 грн
3+321.85 грн
5+237.55 грн
13+224.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf FCB260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 ONSEMI fcb290n80-d.pdf FCB290N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z ONSEMI fcd1300n80z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z ONSEMI fcd2250n80z-d.pdf FCD2250N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 ONSEMI fcd260n65s3-d.pdf FCD260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z ONSEMI fcu3400n80z-d.pdf FCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E ONSEMI fcd380n60e-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.93 грн
10+86.73 грн
15+73.31 грн
41+69.59 грн
500+67.74 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS ONSEMI fcu5n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z ONSEMI fcd600n60z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 ONSEMI fcd600n65s3r0-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF ONSEMI fcd620n60zf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS ONSEMI fcd7n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z ONSEMI fcu850n80z-d.pdf FCD850N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCD900N60Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 ONSEMI fch023n65s3l4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 ONSEMI fch029n65s3-d.pdf FCH029N65S3-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 ONSEMI fch040n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E ONSEMI FCH041N60E-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F ONSEMI fch041n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 ONSEMI fch041n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EF-F155 ONSEMI fch041n65ef-d.pdf FCH041N65EF-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EFL4 ONSEMI fch041n65efl4-d.pdf FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F085 ONSEMI fch041n65f_f085-d.pdf FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 ONSEMI fch043n60-d.pdf FCH043N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 ONSEMI fch060n80_f155-d.pdf FCH060N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 ONSEMI fch067n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH070N60E ONSEMI fch070n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60 ONSEMI FCH072N60-D.PDF FCH072N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60F ONSEMI fch072n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 ONSEMI fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 ONSEMI fch077n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 ONSEMI fch085n80_f155-d.pdf FCH085N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 ONSEMI fch099n65s3-d.pdf FCH099N65S3-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+655.55 грн
3+436.52 грн
8+398.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 ONSEMI fch104n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH110N65F-F155 ONSEMI fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.102Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 ONSEMI fch125n65s3r0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Power dissipation: 181W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 ONSEMI FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E ONSEMI fch165n60e-d.pdf FCH165N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 ONSEMI fch165n65s3r0-d.pdf FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH170N60 ONSEMI fch170n60-d.pdf ONSM-S-A0003584973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH190N65F-F155 ONSEMI fch190n65f-d.pdf FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH22N60N ONSEMI fch22n60n-d.pdf FCH22N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH25N60N ONSEMI FAIRS46550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch25n60n-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH35N60 ONSEMI fch35n60-d.pdf FAIRS46785-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FCH35N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F085 ONSEMI fch47n60_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1139.21 грн
2+839.31 грн
3+807.30 грн
4+763.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F085 ONSEMI ONSM-S-A0003584341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60f_f085-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 312W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.65 грн
3+378.70 грн
9+344.26 грн
500+335.91 грн
800+332.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 fcb099n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Drain current: 30A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 35A; Idm: 105A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 35A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB11N60TM fcb11n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB125N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 fcb199n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB199N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.74 грн
3+321.85 грн
5+237.55 грн
13+224.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db
FCB20N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 fcb290n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCB290N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z fcd1300n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 12A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z fcd2250n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD2250N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 fcd260n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD260N65S3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD3400N80Z fcu3400n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD3400N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.93 грн
10+86.73 грн
15+73.31 грн
41+69.59 грн
500+67.74 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40E2BBED35E28&compId=FCD5N60.pdf?ci_sign=8a021e5b6aab51462b2f0cd6b35640ae4f3b8dfd
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 13.8A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N60Z fcd600n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 fcd600n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 15A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; Idm: 21.9A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 21.9A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD7N60TM-WS fcd7n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD850N80Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf FAIR-S-A0001339544-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH023N65S3L4 fch023n65s3l4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH029N65S3-F155 fch029n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH029N65S3-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 fch040n65s3-d.pdf
FCH040N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60E FCH041N60E-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 285nC
Pulsed drain current: 231A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F fch041n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N60F-F085 fch041n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 277nC
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EF-F155 fch041n65ef-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH041N65EF-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65EFL4 fch041n65efl4-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH041N65EFL4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F085 fch041n65f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH041N65F-F085 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH043N60 fch043n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH043N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH060N80-F155 fch060n80_f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH060N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH067N65S3-F155 fch067n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH070N60E fch070n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 156A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60 FCH072N60-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCH072N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH072N60F fch072n60f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F085 fch077n65f_f085-d.pdf FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH077N65F-F155 fch077n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH085N80-F155 fch085n80_f155-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH085N80-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 fch099n65s3-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH099N65S3-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.55 грн
3+436.52 грн
8+398.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F-F085 fch104n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 105A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N60E ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.102Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Power dissipation: 181W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155
Виробник: ONSEMI
FCH150N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N60E fch165n60e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH165N60E THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH165N65S3R0-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH170N60 fch170n60-d.pdf ONSM-S-A0003584973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH190N65F-F155 fch190n65f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH190N65F-F155 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH22N60N fch22n60n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCH22N60N THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH25N60N FAIRS46550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch25n60n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH35N60 fch35n60-d.pdf FAIRS46785-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FCH35N60 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F085 fch47n60_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB05BED455E28&compId=FCH47N60.pdf?ci_sign=8cf7f083c25c82e6ba609600be48702e5a386292
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1139.21 грн
2+839.31 грн
3+807.30 грн
4+763.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F085 ONSM-S-A0003584341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch47n60f_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]