Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142645) > Сторінка 1744 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.54 грн
10+373.87 грн
25+349.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+448.33 грн
3+399.06 грн
10+329.94 грн
25+285.30 грн
50+256.19 грн
100+232.90 грн
500+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+297.84 грн
10+203.56 грн
25+174.67 грн
100+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.81 грн
5+115.89 грн
10+100.92 грн
25+86.37 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.52 грн
14+84.43 грн
38+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+964.59 грн
10+823.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.72 грн
3+239.84 грн
10+196.02 грн
50+160.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.64 грн
3+327.51 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.75 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.37 грн
10+212.63 грн
50+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+454.60 грн
3+402.09 грн
10+323.15 грн
50+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.08 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.18 грн
10+299.30 грн
30+245.51 грн
120+236.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.72 грн
10+237.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.41 грн
25+288.21 грн
30+271.72 грн
120+229.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.76 грн
10+299.30 грн
30+249.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.08 грн
5+331.54 грн
10+276.57 грн
30+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.55 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.87 грн
4+350.32 грн
9+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 FDB035AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.12 грн
10+331.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
5+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.70 грн
10+230.77 грн
25+199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 ONSEMI FDP2532-D.PDF FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.74 грн
6+228.05 грн
14+215.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.39 грн
11+113.54 грн
28+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+428.47 грн
5+273.66 грн
12+258.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM FDB28N30TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.01 грн
10+104.80 грн
20+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.78 грн
10+119.36 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
5+169.30 грн
10+142.65 грн
25+118.39 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.52 грн
10+153.33 грн
20+138.77 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.06 грн
9+135.86 грн
24+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.97 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.02 грн
10+47.77 грн
100+31.93 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.57 грн
10+43.03 грн
100+27.46 грн
250+23.39 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.76 грн
10+35.47 грн
50+28.34 грн
100+25.72 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.76 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.66 грн
10+41.01 грн
50+30.28 грн
100+27.27 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+39.60 грн
100+25.04 грн
250+21.35 грн
500+19.12 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
6+50.99 грн
10+45.32 грн
50+38.23 грн
100+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+30.53 грн
50+24.55 грн
100+22.61 грн
250+20.38 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.07 грн
10+33.76 грн
100+22.61 грн
200+20.28 грн
250+19.60 грн
500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.71 грн
11+28.82 грн
50+20.57 грн
100+17.86 грн
500+12.42 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+37.89 грн
50+24.55 грн
100+20.67 грн
250+16.69 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.48 грн
10+43.53 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
250+22.51 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
7+49.78 грн
10+44.25 грн
50+36.97 грн
100+34.26 грн
500+28.34 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
10+54.01 грн
25+45.03 грн
100+35.91 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
10+42.12 грн
25+35.91 грн
100+28.14 грн
250+23.68 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
7+49.98 грн
10+43.09 грн
25+37.46 грн
50+34.06 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
10+62.58 грн
50+44.93 грн
100+39.20 грн
500+29.60 грн
1000+26.88 грн
1500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.92 грн
10+54.32 грн
25+43.38 грн
50+37.85 грн
100+33.29 грн
250+28.34 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
10+43.74 грн
25+37.94 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.75 грн
10+56.43 грн
50+42.50 грн
100+35.32 грн
500+21.74 грн
750+19.51 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
10+46.66 грн
100+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
14+22.57 грн
15+19.60 грн
100+14.07 грн
500+11.55 грн
1000+10.67 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.39 грн
10+42.83 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
500+19.80 грн
1000+17.56 грн
1500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.03 грн
10+31.64 грн
100+24.65 грн
250+22.61 грн
500+21.25 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
10+50.39 грн
25+41.34 грн
50+35.81 грн
100+30.86 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.33 грн
10+48.88 грн
25+36.58 грн
50+30.28 грн
100+25.42 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.54 грн
10+373.87 грн
25+349.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.33 грн
3+399.06 грн
10+329.94 грн
25+285.30 грн
50+256.19 грн
100+232.90 грн
500+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.84 грн
10+203.56 грн
25+174.67 грн
100+163.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
10+109.84 грн
100+72.78 грн
250+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.81 грн
5+115.89 грн
10+100.92 грн
25+86.37 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.52 грн
14+84.43 грн
38+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.01 грн
3+420.23 грн
30+398.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.59 грн
10+823.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.72 грн
3+239.84 грн
10+196.02 грн
50+160.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.64 грн
3+327.51 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB48224E3FE28&compId=FCP11N60.pdf?ci_sign=034f7a2d265f3c4ecad582e5b6722a28d02a6d8e
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.75 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.37 грн
10+212.63 грн
50+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.60 грн
3+402.09 грн
10+323.15 грн
50+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.08 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.18 грн
10+299.30 грн
30+245.51 грн
120+236.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
FDA24N40F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 235W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.72 грн
10+237.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.41 грн
25+288.21 грн
30+271.72 грн
120+229.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.76 грн
10+299.30 грн
30+249.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.08 грн
5+331.54 грн
10+276.57 грн
30+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.55 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.87 грн
4+350.32 грн
9+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDC0B5924F7E28&compId=FDB035AN06A0.pdf?ci_sign=71cbebb92474a108daa464908901e16017c7607d
FDB035AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 7.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.12 грн
10+331.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDCF668936BE28&compId=FDB13AN06A0.pdf?ci_sign=0382b24b12a43822867ce764f1ed0e10d5eac849
FDB13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
5+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.70 грн
10+230.77 грн
25+199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB2532 SMD N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.74 грн
6+228.05 грн
14+215.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.39 грн
11+113.54 грн
28+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.47 грн
5+273.66 грн
12+258.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDDD985B549E28&compId=FDB28N30TM.pdf?ci_sign=f7270f95fc8d5c8b22ec514372178bba44a6efd4
FDB28N30TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.01 грн
10+104.80 грн
20+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.78 грн
10+119.36 грн
27+113.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
5+169.30 грн
10+142.65 грн
25+118.39 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.52 грн
10+153.33 грн
20+138.77 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.06 грн
9+135.86 грн
24+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.97 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.02 грн
10+47.77 грн
100+31.93 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+43.03 грн
100+27.46 грн
250+23.39 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.76 грн
10+35.47 грн
50+28.34 грн
100+25.72 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.76 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
10+41.01 грн
50+30.28 грн
100+27.27 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+39.60 грн
100+25.04 грн
250+21.35 грн
500+19.12 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
6+50.99 грн
10+45.32 грн
50+38.23 грн
100+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121
FDC608PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.80 грн
10+30.53 грн
50+24.55 грн
100+22.61 грн
250+20.38 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.07 грн
10+33.76 грн
100+22.61 грн
200+20.28 грн
250+19.60 грн
500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.71 грн
11+28.82 грн
50+20.57 грн
100+17.86 грн
500+12.42 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+37.89 грн
50+24.55 грн
100+20.67 грн
250+16.69 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+43.53 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
250+22.51 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
7+49.78 грн
10+44.25 грн
50+36.97 грн
100+34.26 грн
500+28.34 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
10+54.01 грн
25+45.03 грн
100+35.91 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
10+42.12 грн
25+35.91 грн
100+28.14 грн
250+23.68 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
7+49.98 грн
10+43.09 грн
25+37.46 грн
50+34.06 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+62.58 грн
50+44.93 грн
100+39.20 грн
500+29.60 грн
1000+26.88 грн
1500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.92 грн
10+54.32 грн
25+43.38 грн
50+37.85 грн
100+33.29 грн
250+28.34 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
10+43.74 грн
25+37.94 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.75 грн
10+56.43 грн
50+42.50 грн
100+35.32 грн
500+21.74 грн
750+19.51 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
10+46.66 грн
100+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
14+22.57 грн
15+19.60 грн
100+14.07 грн
500+11.55 грн
1000+10.67 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.39 грн
10+42.83 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
500+19.80 грн
1000+17.56 грн
1500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.03 грн
10+31.64 грн
100+24.65 грн
250+22.61 грн
500+21.25 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
10+50.39 грн
25+41.34 грн
50+35.81 грн
100+30.86 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.33 грн
10+48.88 грн
25+36.58 грн
50+30.28 грн
100+25.42 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]