Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB082N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB088N08 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB110N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB120N10 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 52A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB12N50FTM-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 46A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.7Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDB12N50TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: DMOS; UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 46A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A On-state resistance: 0.65Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB13AN06A0 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDB150N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB15N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDB16AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB1D7N10CL7 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB20N50F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB2532 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 82nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDB2552 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB2572 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDB2614 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 260W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 99nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDB2710 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDB28N30TM | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDB33N25TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 33A On-state resistance: 94mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 235W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 666 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDB3502 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB3632 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
FDB3652 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 61A On-state resistance: 43mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDB3682 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB38N30U | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB390N15A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDB44N25TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 307W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 26.4A On-state resistance: 69mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
FDB52N20TM | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 657 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDB5800 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 704 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDB8447L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 60W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB86102LZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB86135 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB86563-F085 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDB8896 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0065N40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0090N40 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0110N60 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0150N60 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 357W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0150N80 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0200N100 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0210N80 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0240N100 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 210A Pulsed drain current: 910A Power dissipation: 300W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0260N100 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 250W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0330N80 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL0630N150 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 169A Power dissipation: 500W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86062-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86063 | ONSEMI | FDBL86063 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86063-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86066-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86210-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86361-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86363-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86366-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86561-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86563-F085 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL86566-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL9401-F085T6 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL9403-F085T6 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
FDBL9406-F085T6 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
FDC2612 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A On-state resistance: 1.43Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDC3512 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDB082N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB088N08 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB110N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB120N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB12N50FTM-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB12N50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB13AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
5+ | 134.33 грн |
10+ | 111.00 грн |
27+ | 104.58 грн |
FDB150N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB150N10 SMD N channel transistors
FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB15N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.94 грн |
6+ | 213.40 грн |
15+ | 194.49 грн |
250+ | 188.06 грн |
500+ | 187.15 грн |
FDB16AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB1D7N10CL7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 336.89 грн |
5+ | 230.55 грн |
14+ | 210.08 грн |
800+ | 208.25 грн |
FDB2552 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 149.18 грн |
11+ | 107.33 грн |
28+ | 100.91 грн |
FDB2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB2710 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.94 грн |
5+ | 255.95 грн |
12+ | 242.19 грн |
FDB28N30TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.70 грн |
11+ | 104.58 грн |
29+ | 99.08 грн |
FDB33N25TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
5+ | 135.28 грн |
10+ | 114.67 грн |
27+ | 108.25 грн |
100+ | 107.33 грн |
800+ | 104.58 грн |
FDB3502 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
5+ | 135.28 грн |
10+ | 111.92 грн |
27+ | 106.42 грн |
800+ | 101.83 грн |
FDB3682 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB38N30U |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB44N25TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB52N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.69 грн |
9+ | 128.43 грн |
23+ | 121.10 грн |
FDB5800 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.92 грн |
7+ | 171.55 грн |
18+ | 161.46 грн |
FDB8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB86135 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB86563-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0065N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0090N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0110N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0110N60 SMD N channel transistors
FDBL0110N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0150N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0150N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0200N100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0210N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0210N80 SMD N channel transistors
FDBL0210N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0240N100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0260N100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0330N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL0630N150 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86062-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86063 |
Виробник: ONSEMI
FDBL86063 SMD N channel transistors
FDBL86063 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86063-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86066-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86210-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86361-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86363-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86366-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86561-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86563-F085 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL86566-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL9401-F085T6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL9403-F085T6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDBL9406-F085T6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDC2612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.05 грн |
10+ | 50.87 грн |
36+ | 30.27 грн |
99+ | 28.62 грн |
500+ | 27.52 грн |