Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147275) > Сторінка 1744 з 2455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB082N15A ONSEMI fdb082n15a-d.pdf FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 ONSEMI fdb088n08-d.pdf FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSEMI ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 ONSEMI fdb120n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS FDB12N50FTM-WS ONSEMI fdb12n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM ONSEMI fdb12n50tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0 ONSEMI FDB13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.10 грн
5+134.33 грн
10+111.00 грн
27+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 ONSEMI fdb150n10-d.pdf FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+250.94 грн
6+213.40 грн
15+194.49 грн
250+188.06 грн
500+187.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 ONSEMI fdb16an08a0-d.pdf FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 ONSEMI fdb1d7n10cl7-d.pdf FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F ONSEMI fdb20n50f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.89 грн
5+230.55 грн
14+210.08 грн
800+208.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.18 грн
11+107.33 грн
28+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 ONSEMI FDB2614.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.94 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.70 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.06 грн
5+135.28 грн
10+114.67 грн
27+108.25 грн
100+107.33 грн
800+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 ONSEMI fdb3502-d.pdf FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.06 грн
5+135.28 грн
10+111.92 грн
27+106.42 грн
800+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U ONSEMI fdb38n30u-d.pdf FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A ONSEMI fdb390n15a-d.pdf FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.69 грн
9+128.43 грн
23+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.92 грн
7+171.55 грн
18+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L ONSEMI fdb8447l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 ONSEMI fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 ONSEMI FDB8896-D.pdf FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 ONSEMI fdbl0065n40-d.pdf FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 ONSEMI fdbl0090n40-d.pdf FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf FDBL0110N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 ONSEMI fdbl0200n100-d.pdf FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 ONSEMI fdbl0210n80-d.pdf FDBL0210N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80 ONSEMI fdbl0330n80-d.pdf FDBL0330N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 ONSEMI fdbl86062_f085-d.pdf FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 ONSEMI FDBL86063 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085 ONSEMI fdbl86063_f085-d.pdf FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 ONSEMI fdbl86210_f085-d.pdf FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 ONSEMI fdbl86366_f085-d.pdf FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86561-F085 ONSEMI fdbl86561_f085-d.pdf FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86563-F085 ONSEMI fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085 FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86566-F085 ONSEMI fdbl86566_f085-d.pdf FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 ONSEMI fdbl9403-f085t6-d.pdf FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.05 грн
10+50.87 грн
36+30.27 грн
99+28.62 грн
500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 ONSEMI fdc3512-d.pdf FDC3512 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB082N15A fdb082n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB082N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB088N08 fdb088n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB088N08 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB110N15A ONSM-S-A0003584030-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB110N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB120N10 fdb120n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50FTM-WS fdb12n50f-d.pdf
FDB12N50FTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.7Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB12N50TM fdb12n50tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: DMOS; UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 46A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
On-state resistance: 0.65Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 FDB13AN06A0.pdf
FDB13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.10 грн
5+134.33 грн
10+111.00 грн
27+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB150N10 fdb150n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB150N10 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.94 грн
6+213.40 грн
15+194.49 грн
250+188.06 грн
500+187.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB16AN08A0 fdb16an08a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB16AN08A0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB1D7N10CL7 fdb1d7n10cl7-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB1D7N10CL7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F fdb20n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDX2532-DTE.pdf
FDB2532
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.89 грн
5+230.55 грн
14+210.08 грн
800+208.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2552 fdp2552-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2552 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+149.18 грн
11+107.33 грн
28+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614.pdf
FDB2614
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.94 грн
5+255.95 грн
12+242.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.70 грн
11+104.58 грн
29+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25.pdf
FDB33N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 33A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 235W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.06 грн
5+135.28 грн
10+114.67 грн
27+108.25 грн
100+107.33 грн
800+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3502 fdb3502-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3502 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
On-state resistance: 43mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.06 грн
5+135.28 грн
10+111.92 грн
27+106.42 грн
800+101.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3682 fdp3682-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3682 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB38N30U fdb38n30u-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB38N30U SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB390N15A fdb390n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB390N15A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08037B3F4CF1A303005056AB0C4F&compId=FDB44N25.pdf?ci_sign=2c114e8f4e67ed17778bd3be0a4273c19c4c8b1a
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.69 грн
9+128.43 грн
23+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.92 грн
7+171.55 грн
18+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447L fdb8447l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 fdb86563_f085-d.pdf FDB86563_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896 FDB8896-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB8896 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0065N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 fdbl0090n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0090N40 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0110N60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0150N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0200N100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0210N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 210A; Idm: 910A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 910A
Power dissipation: 300W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0330N80 fdbl0330n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL0330N80 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
Power dissipation: 500W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86062-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063
Виробник: ONSEMI
FDBL86063 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063-F085 fdbl86063_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86063-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86066-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86210-F085 fdbl86210_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86210-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 fdbl86361_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 fdbl86366_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86561-F085 fdbl86561_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86561-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86563-F085 fdbl86563_f085-d.pdf fdbl86563_f085
Виробник: ONSEMI
FDBL86563-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86566-F085 fdbl86566_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL86566-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9401-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 fdbl9403-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9403-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDBL9406-F085T6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.05 грн
10+50.87 грн
36+30.27 грн
99+28.62 грн
500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 fdc3512-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC3512 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]