Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142638) > Сторінка 1744 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3652 FDB3652 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
5+169.30 грн
10+142.65 грн
25+118.39 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.52 грн
10+153.33 грн
20+138.77 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.06 грн
9+135.86 грн
24+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.97 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.02 грн
10+47.77 грн
100+31.93 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.57 грн
10+43.03 грн
100+27.46 грн
250+23.39 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.76 грн
10+35.47 грн
50+28.34 грн
100+25.72 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.76 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.66 грн
10+41.01 грн
50+30.28 грн
100+27.27 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+39.60 грн
100+25.04 грн
250+21.35 грн
500+19.12 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
6+50.99 грн
10+45.32 грн
50+38.23 грн
100+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
10+30.53 грн
50+24.55 грн
100+22.61 грн
250+20.38 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.07 грн
10+33.76 грн
100+22.61 грн
200+20.28 грн
250+19.60 грн
500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.71 грн
11+28.82 грн
50+20.57 грн
100+17.86 грн
500+12.42 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+37.89 грн
50+24.55 грн
100+20.67 грн
250+16.69 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.48 грн
10+43.53 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
250+22.51 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
7+49.78 грн
10+44.25 грн
50+36.97 грн
100+34.26 грн
500+28.34 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
10+54.01 грн
25+45.03 грн
100+35.91 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
10+42.12 грн
25+35.91 грн
100+28.14 грн
250+23.68 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
7+49.98 грн
10+43.09 грн
25+37.46 грн
50+34.06 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
10+62.58 грн
50+44.93 грн
100+39.20 грн
500+29.60 грн
1000+26.88 грн
1500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.92 грн
10+54.32 грн
25+43.38 грн
50+37.85 грн
100+33.29 грн
250+28.34 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.79 грн
10+43.74 грн
25+37.94 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C ONSEMI FDC6333C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.75 грн
10+56.43 грн
50+42.50 грн
100+35.32 грн
500+21.74 грн
750+19.51 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
10+46.66 грн
100+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
14+22.57 грн
15+19.60 грн
100+14.07 грн
500+11.55 грн
1000+10.67 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.39 грн
10+42.83 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
500+19.80 грн
1000+17.56 грн
1500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.03 грн
10+31.64 грн
100+24.65 грн
250+22.61 грн
500+21.25 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
10+50.39 грн
25+41.34 грн
50+35.81 грн
100+30.86 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.33 грн
10+48.88 грн
25+36.58 грн
50+30.28 грн
100+25.42 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.88 грн
10+50.69 грн
50+36.58 грн
100+32.31 грн
200+28.72 грн
500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.58 грн
25+32.95 грн
100+29.79 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI FDC655BN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.03 грн
10+34.67 грн
50+24.36 грн
100+21.06 грн
500+15.72 грн
1000+13.97 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
10+50.59 грн
50+33.58 грн
100+28.72 грн
250+23.78 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP FDC658AP ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.52 грн
10+42.12 грн
50+30.18 грн
100+26.49 грн
250+22.42 грн
500+19.99 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.27 грн
10+53.28 грн
50+40.47 грн
100+35.91 грн
250+30.86 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 ONSEMI FDD10AN06A0-D.PDF FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 ONSEMI fdd120an15a0-d.pdf FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.21 грн
27+42.70 грн
74+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.71 грн
10+122.94 грн
25+103.83 грн
50+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 ONSEMI FDD16AN08A0-D.pdf FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.02 грн
13+94.13 грн
34+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 FDD2572 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.03 грн
10+136.04 грн
25+115.48 грн
100+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P ONSEMI fdd306p-d.pdf FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.28 грн
24+49.10 грн
65+46.48 грн
500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 FDD3672 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.44 грн
10+113.87 грн
25+95.10 грн
50+84.43 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 ONSEMI fdd3860-d.pdf FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.33 грн
19+61.14 грн
52+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI FDD4141.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.92 грн
5+70.54 грн
10+58.61 грн
25+47.36 грн
100+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
6+55.83 грн
10+47.36 грн
50+35.61 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 ONSEMI fdd4685-d.pdf FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.55 грн
18+65.99 грн
48+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 FDD5353 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
25+87.34 грн
50+76.66 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.10 грн
5+80.82 грн
10+71.52 грн
25+62.69 грн
100+50.56 грн
250+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.86 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
50+78.60 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
10+58.35 грн
25+51.53 грн
100+50.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM FDD7N20TM ONSEMI fdd7n20tm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
10+57.84 грн
50+40.66 грн
100+35.71 грн
500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.38 грн
5+62.88 грн
10+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L FDD8447L ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.27 грн
10+53.37 грн
25+46.09 грн
50+41.05 грн
100+36.58 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.37 грн
25+47.55 грн
67+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf FDD850N10L SMD N channel transistors
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.23 грн
20+57.64 грн
55+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI FDD86102LZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.64 грн
5+89.69 грн
10+80.54 грн
50+65.02 грн
100+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.80 грн
10+121.94 грн
27+110.63 грн
250+108.69 грн
500+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+78.60 грн
25+72.78 грн
100+65.99 грн
250+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.43 грн
10+135.04 грн
100+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE6A504471E28&compId=FDB3652.pdf?ci_sign=75280f79b06b2631fc6d825e841c33c9777df444
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
5+169.30 грн
10+142.65 грн
25+118.39 грн
100+107.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.52 грн
10+153.33 грн
20+138.77 грн
100+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.06 грн
9+135.86 грн
24+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.97 грн
7+181.47 грн
18+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.02 грн
10+47.77 грн
100+31.93 грн
500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.57 грн
10+43.03 грн
100+27.46 грн
250+23.39 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.76 грн
10+35.47 грн
50+28.34 грн
100+25.72 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.76 грн
59+19.60 грн
161+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
10+41.01 грн
50+30.28 грн
100+27.27 грн
500+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891F6669E7C4CD3D3&compId=FDC604P.pdf?ci_sign=cded1acaf8bbeaa139aa5dedb6db04d06a0f9d14
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+39.60 грн
100+25.04 грн
250+21.35 грн
500+19.12 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c
FDC606P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
6+50.99 грн
10+45.32 грн
50+38.23 грн
100+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0521B6D0BE28&compId=FDC608PZ.pdf?ci_sign=42dea0deed88e4a495dcc7ca0bb8a49350534121
FDC608PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.8A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.80 грн
10+30.53 грн
50+24.55 грн
100+22.61 грн
250+20.38 грн
500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE095835B0BE28&compId=FDC610PZ.pdf?ci_sign=bc8458006aa7d1578219a992334348fefe69bb64
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.07 грн
10+33.76 грн
100+22.61 грн
200+20.28 грн
250+19.60 грн
500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0BE8EDA8FE28&compId=FDC6301N.pdf?ci_sign=44c6da10117b29d3ed05e93fdff1f97f40718d28
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.71 грн
11+28.82 грн
50+20.57 грн
100+17.86 грн
500+12.42 грн
1000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE0F75C557BE28&compId=FDC6303N.pdf?ci_sign=1d586807abcac5c816657450307e9ea2e72e5c87
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.34 грн
10+37.89 грн
50+24.55 грн
100+20.67 грн
250+16.69 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88A9F3FE42C8AD3D1&compId=FDC6305N.pdf?ci_sign=7b4d48780218f6e017ecb15434c5d13b43001bc6
FDC6305N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 128mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+43.53 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
250+22.51 грн
500+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA6CE076307F8C0D6&compId=FDC6312P.pdf?ci_sign=78cbede079d4c88da755b2e5f479289ce8b7bdb4
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
7+49.78 грн
10+44.25 грн
50+36.97 грн
100+34.26 грн
500+28.34 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1562AE24DE28&compId=FDC6318P.pdf?ci_sign=ae34da262379e255b90d211623f7773f26431455
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.5A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.2Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.96W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
10+54.01 грн
25+45.03 грн
100+35.91 грн
250+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE180B16ED3E28&compId=FDC6321C.pdf?ci_sign=0983ccd23aa10f3fa785907e3ddb9524ecfa334b
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Gate charge: 2.3/1.5nC
On-state resistance: 720/1220mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.9W
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
10+42.12 грн
25+35.91 грн
100+28.14 грн
250+23.68 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE1D6526CF1E28&compId=FDC6324L.pdf?ci_sign=602e5776b41e8a8e424d752b8317b30c281de0d3
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
Supply voltage: 3...20V DC
Kind of output: P-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
7+49.98 грн
10+43.09 грн
25+37.46 грн
50+34.06 грн
100+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
FDC6327C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+62.58 грн
50+44.93 грн
100+39.20 грн
500+29.60 грн
1000+26.88 грн
1500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
On-state resistance: 0.125Ω
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: P-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.92 грн
10+54.32 грн
25+43.38 грн
50+37.85 грн
100+33.29 грн
250+28.34 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C899B19A1EE6469&compId=FDC6331L.pdf?ci_sign=16b573b3bc53dc02e5be72a141eae117b8d5bf0a
FDC6331L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
10+43.74 грн
25+37.94 грн
100+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C.pdf
FDC6333C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-2A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±16/±25V
On-state resistance: 150/220mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.75 грн
10+56.43 грн
50+42.50 грн
100+35.32 грн
500+21.74 грн
750+19.51 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE27D7E90DBE28&compId=FDC637AN.pdf?ci_sign=9d7f831b538c41d4ce2dab6e1f8630c83424c69c
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
10+46.66 грн
100+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2BD318633E28&compId=FDC637BNZ.pdf?ci_sign=3f628235b4ad5f031972e844f7b6729ac557bfcf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 41mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
14+22.57 грн
15+19.60 грн
100+14.07 грн
500+11.55 грн
1000+10.67 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE2EEEB21AFE28&compId=FDC638APZ.pdf?ci_sign=a34f74f506be412f57245585a89a9daaa27d7866
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.39 грн
10+42.83 грн
50+30.86 грн
100+26.78 грн
500+19.80 грн
1000+17.56 грн
1500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE325627E07E28&compId=FDC638P.pdf?ci_sign=5f98fbb479d4a0ddac702ff34021f498553e81b2
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 72mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.03 грн
10+31.64 грн
100+24.65 грн
250+22.61 грн
500+21.25 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE354F79B31E28&compId=FDC6401N.pdf?ci_sign=84dd906e85d26837928b0e859cc9efee91c30a14
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
10+50.39 грн
25+41.34 грн
50+35.81 грн
100+30.86 грн
500+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BDE14171EF1A303005056AB0C4F&compId=FDC6420C.pdf?ci_sign=0b1fff9eb35fe20f857437623ac5b247e8f66ba8
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.33 грн
10+48.88 грн
25+36.58 грн
50+30.28 грн
100+25.42 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.88 грн
10+50.69 грн
50+36.58 грн
100+32.31 грн
200+28.72 грн
500+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a
FDC653N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.58 грн
25+32.95 грн
100+29.79 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.03 грн
10+34.67 грн
50+24.36 грн
100+21.06 грн
500+15.72 грн
1000+13.97 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE415E2FED9E28&compId=FDC6561AN.pdf?ci_sign=31da6a276db3534f0b9f0a4f9e8b203a89a1c493
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.5A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 152mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
10+50.59 грн
50+33.58 грн
100+28.72 грн
250+23.78 грн
500+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E3FC6627355EA&compId=FDC658AP.pdf?ci_sign=67e40d1a9236ccbd26c1eaa38a3cf102e25ea8a0
FDC658AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 8.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.52 грн
10+42.12 грн
50+30.18 грн
100+26.49 грн
250+22.42 грн
500+19.99 грн
1000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE496FB62DBE28&compId=FDC658P.pdf?ci_sign=466ec4213f6486879e0e409ee8e782f401901967
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.27 грн
10+53.28 грн
50+40.47 грн
100+35.91 грн
250+30.86 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDD10AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
11+113.54 грн
28+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD120AN15A0 fdd120an15a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD120AN15A0 SMD N channel transistors
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.21 грн
27+42.70 грн
74+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD13AN06A0 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE557EF911FE28&compId=FDD13AN06A0.pdf?ci_sign=2b58636c22c4a3e8d858385b4b8d526546c519d4
FDD13AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.71 грн
10+122.94 грн
25+103.83 грн
50+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD16AN08A0 SMD N channel transistors
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.02 грн
13+94.13 грн
34+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2572 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E081D963F93F1A303005056AB0C4F&compId=FDD2572.pdf?ci_sign=4de62bdfc984f3c4cdf77b8dfb8618eba2c573f1
FDD2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+136.04 грн
25+115.48 грн
100+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD306P fdd306p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD306P SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
24+49.10 грн
65+46.48 грн
500+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE60BFDFDD5E28&compId=FDD3672.pdf?ci_sign=2f119ab2145af13489fbc2210acb4aeb21f21821
FDD3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+113.87 грн
25+95.10 грн
50+84.43 грн
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860 fdd3860-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD3860 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.33 грн
19+61.14 грн
52+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.92 грн
5+70.54 грн
10+58.61 грн
25+47.36 грн
100+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE6CB98F2EFE28&compId=FDD4243.pdf?ci_sign=81c6a5a0982d75ac86fda81d4817681cf9a40d14
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
6+55.83 грн
10+47.36 грн
50+35.61 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685 fdd4685-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD4685 SMD P channel transistors
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.55 грн
18+65.99 грн
48+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE71DF0E399E28&compId=FDD5353.pdf?ci_sign=77717e6ae21adee88e195bd3f5679c5b27f27fdc
FDD5353
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
25+87.34 грн
50+76.66 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.10 грн
5+80.82 грн
10+71.52 грн
25+62.69 грн
100+50.56 грн
250+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.86 грн
5+114.88 грн
10+100.92 грн
50+78.60 грн
100+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
10+58.35 грн
25+51.53 грн
100+50.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N20TM fdd7n20tm-d.pdf
FDD7N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+57.84 грн
50+40.66 грн
100+35.71 грн
500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE87F32A0E9E28&compId=FDD8445.pdf?ci_sign=76fd8828378ae233a76887cf525f0e22474174a1
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 79W
Drain current: 70A
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.38 грн
5+62.88 грн
10+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8447L description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8A6BEADD9E28&compId=FDD8447L.pdf?ci_sign=0f73c3a39c98a65948633b721ea406e17219d765
FDD8447L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.27 грн
10+53.37 грн
25+46.09 грн
50+41.05 грн
100+36.58 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.37 грн
25+47.55 грн
67+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDD850N10L SMD N channel transistors
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.23 грн
20+57.64 грн
55+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ.pdf
FDD86102LZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.64 грн
5+89.69 грн
10+80.54 грн
50+65.02 грн
100+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 132W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 164A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.80 грн
10+121.94 грн
27+110.63 грн
250+108.69 грн
500+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 103mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+78.60 грн
25+72.78 грн
100+65.99 грн
250+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.43 грн
10+135.04 грн
100+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1739 1740 1741 1742 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]