Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD6685 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6N20TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD6N50TM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD770N15A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD7N20TM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD7N25LZTM | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8444 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD8445 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8447L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD8451 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD850N10L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD86102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86102LZ | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD86110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 10.2mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 127W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDD86250 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Gate charge: 33nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 164A Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD86367 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDD86367-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86369 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86369-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86380-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86381-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8647L | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD86540 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD86567-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8770 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8796 | ONSEMI |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8796/BKN | ONSEMI | FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8870 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8876 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8878 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDD8880 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDD8896 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDD8N50NZTM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FDD9409-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDFS2P106A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG1024NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG316P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG327N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.115Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG6301N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDG6301N-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG6303N | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDG6304P | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDG6308P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDG6317NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG6321C | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 0.5/-0.41A On-state resistance: 720/1800mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 2.3/1.5nC Technology: PowerTrench® Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8/±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDG6322C | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDG6332C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDG8850NZ | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDH038AN08A1 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDH047AN08A0 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDH210N08 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDH333 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3057 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDH3632 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FDH44N50 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 750W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FDI150N10 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDD6685 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6685 SMD P channel transistors
FDD6685 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N20TM SMD N channel transistors
FDD6N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD6N50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD6N50TM SMD N channel transistors
FDD6N50TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD770N15A SMD N channel transistors
FDD770N15A SMD N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.82 грн |
21+ | 52.20 грн |
57+ | 49.36 грн |
FDD7N20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.93 грн |
10+ | 58.78 грн |
34+ | 32.20 грн |
50+ | 32.11 грн |
94+ | 30.37 грн |
1000+ | 29.36 грн |
FDD7N25LZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
FDD7N25LZTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8444 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8444 SMD N channel transistors
FDD8444 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8445 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.76 грн |
10+ | 64.97 грн |
18+ | 59.91 грн |
50+ | 54.49 грн |
FDD8447L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.98 грн |
5+ | 73.36 грн |
19+ | 56.88 грн |
52+ | 53.21 грн |
500+ | 52.29 грн |
FDD8451 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8451 SMD N channel transistors
FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.84 грн |
24+ | 46.79 грн |
64+ | 44.03 грн |
FDD850N10L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.82 грн |
5+ | 71.45 грн |
20+ | 55.04 грн |
55+ | 52.29 грн |
500+ | 51.37 грн |
FDD86102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86102 SMD N channel transistors
FDD86102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86102LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86102LZ SMD N channel transistors
FDD86102LZ SMD N channel transistors
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.37 грн |
14+ | 77.06 грн |
39+ | 72.47 грн |
FDD86110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86250 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.06 грн |
10+ | 118.13 грн |
27+ | 107.33 грн |
500+ | 106.42 грн |
1000+ | 103.66 грн |
FDD86252 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.90 грн |
10+ | 80.98 грн |
17+ | 65.13 грн |
46+ | 61.46 грн |
1000+ | 60.55 грн |
2500+ | 59.63 грн |
FDD86367 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 135.35 грн |
10+ | 112.42 грн |
28+ | 101.83 грн |
250+ | 100.00 грн |
500+ | 97.24 грн |
FDD86367-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
FDD86367-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369 SMD N channel transistors
FDD86369 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86369-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
FDD86369-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86380-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
FDD86380-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86381-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
FDD86381-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8647L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8647L SMD N channel transistors
FDD8647L SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
18+ | 61.46 грн |
48+ | 58.71 грн |
FDD86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86540 SMD N channel transistors
FDD86540 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD86567-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
FDD86567-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8770 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8770 SMD N channel transistors
FDD8770 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8796 SMD N channel transistors
FDD8796 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8796/BKN |
Виробник: ONSEMI
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
FDD8796BKN-ONS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8870 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8870 SMD N channel transistors
FDD8870 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8876 SMD N channel transistors
FDD8876 SMD N channel transistors
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.43 грн |
16+ | 68.55 грн |
44+ | 64.81 грн |
FDD8878 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8878 SMD N channel transistors
FDD8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD8880 SMD N channel transistors
FDD8880 SMD N channel transistors
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.47 грн |
34+ | 31.93 грн |
93+ | 30.18 грн |
FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.53 грн |
10+ | 76.88 грн |
23+ | 47.06 грн |
63+ | 44.49 грн |
500+ | 42.75 грн |
FDD8N50NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDD9409-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
FDD9409-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDFS2P106A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDFS2P106A SMD P channel transistors
FDFS2P106A SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG1024NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG1024NZ Multi channel transistors
FDG1024NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG316P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG316P SMD P channel transistors
FDG316P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.115Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
11+ | 26.20 грн |
25+ | 23.03 грн |
79+ | 13.94 грн |
218+ | 13.12 грн |
1000+ | 12.94 грн |
3000+ | 12.66 грн |
FDG6301N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
FDG6301N-F085 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6303N Multi channel transistors
FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.20 грн |
90+ | 12.46 грн |
240+ | 11.78 грн |
FDG6304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6304P Multi channel transistors
FDG6304P Multi channel transistors
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.03 грн |
64+ | 16.97 грн |
174+ | 16.05 грн |
FDG6308P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6308P Multi channel transistors
FDG6308P Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6317NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6317NZ Multi channel transistors
FDG6317NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6321C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.5/-0.41A
On-state resistance: 720/1800mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.3/1.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.37 грн |
10+ | 37.15 грн |
61+ | 17.61 грн |
167+ | 16.70 грн |
3000+ | 16.33 грн |
FDG6322C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6322C Multi channel transistors
FDG6322C Multi channel transistors
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.99 грн |
64+ | 16.84 грн |
176+ | 15.92 грн |
3000+ | 15.91 грн |
FDG6332C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG6332C Multi channel transistors
FDG6332C Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDG6335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
10+ | 43.06 грн |
50+ | 32.20 грн |
55+ | 20.37 грн |
149+ | 19.27 грн |
1000+ | 18.44 грн |
FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDG8850NZ Multi channel transistors
FDG8850NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH038AN08A1 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
FDH038AN08A1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
FDH047AN08A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH055N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 680.70 грн |
3+ | 451.57 грн |
7+ | 410.99 грн |
FDH210N08 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH210N08 THT N channel transistors
FDH210N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH333 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH333 THT universal diodes
FDH333 THT universal diodes
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
285+ | 3.78 грн |
782+ | 3.57 грн |
FDH3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH3632 THT N channel transistors
FDH3632 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDH44N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 745.91 грн |
2+ | 577.32 грн |
6+ | 524.74 грн |
120+ | 504.56 грн |
FDH45N50F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDH45N50F-F133 THT N channel transistors
FDH45N50F-F133 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDI045N10A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
FDI045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.